JP5094431B2 - 電力増幅回路 - Google Patents
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Description
2、3 コンデンサ
4、5 LPF回路
6 スピーカ
7 入力端子
8 アンプ
9 バイアス端子
10、12 PWM回路
11 反転回路
13 正極側ドライバー部
13A、13C ドライバー
13B 反転回路
13D、13E Nチャネル型MOSFET
13F ダイオード
14 負極側ドライバー部
14A、14C ドライバー
14B 反転回路
14D、14E Nチャネル型MOSFET
14F ダイオード
15 正極側PWM出力端子
16 負極側PWM出力端子
17 正極側BSP端子
18 負極側BSP端子
19、20 コンパレータ
21、22 DC出力保護回路
R1〜R4 抵抗
Claims (4)
- 入力信号に応じた信号をパルス信号に変換する第1変調回路および第2変調回路と、
前記第1変調回路の出力信号に応じてスイッチング電力増幅を行う第1ドライバー部および前記第2変調回路の出力信号に応じてスイッチング電力増幅を行う第2ドライバー部と、
前記第1ドライバー部の出力電圧に同期する電圧を生成する第1同期電圧生成部および前記第2ドライバー部の出力電圧に同期する電圧を生成する第2同期電圧生成部と、
前記第1ドライバー部の出力電圧が所定のデューティ以上になったときに、前記第1ドライバー部の出力電圧に同期する電圧を所定の時定数に従って降下させる第1電圧降下部および前記第2ドライバー部の出力電圧が所定のデューティ以上になったときに、前記第2ドライバー部の出力電圧に同期する電圧を所定の時定数に従って降下させる第2電圧降下部と、
前記第1変調回路の出力信号がハイレベルであるときに、前記第1電圧降下部によって降下した電圧が所定値以下であればDC出力であると判断する第1DC出力検出部および前記第2変調回路の出力信号がハイレベルであるときに、前記第2電圧降下部によって降下した電圧が所定値以下であればDC出力であると判断する第2DC出力検出部とを備え、
前記第1変調回路に入力される信号と前記第2変調回路に入力される信号は相補的であり、前記第1DC出力検出部または前記第2DC出力検出部のいずれかがDC出力であると判断したときに保護機能を動作させることを特徴とする電力増幅回路。 - 半導体集積回路装置と前記半導体集積回路装置に外付けされる回路素子とによって構成される電力増幅回路であって、
前記半導体集積回路装置に外付けされる回路素子が、前記所定の時定数に影響を及ぼす回路素子を少なくとも含んでいる請求項1に記載の電力増幅回路。 - 前記第1変調回路および前記第2変調回路それぞれがPWM回路である請求項1又は請求項2に記載の電力増幅回路。
- 前記第1ドライバー部および前記第2ドライバー部それぞれが、第1の電位と前記第1の電位よりも低い第2の電位との間に設けられる直列接続された第1のMOSFET及び第2のMOSFETを有し、
前記第1同期電圧生成部が、前記第1ドライバー部の出力電圧より高いブートストラップ電圧を生成し、
前記第2同期電圧生成部が、前記第2ドライバー部の出力電圧より高いブートストラップ電圧を生成し、
前記半導体集積回路装置に外付けされる回路素子であって、前記所定の時定数に影響を及ぼす回路素子がブートストラップ用コンデンサである請求項1〜3のいずれか1項に記載の電力増幅回路。
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