CN110212757B - 功率转换电路和功率转换方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及功率转换电路和功率转换方法。第一软启动信号指示在升压整流器的加载阶段中的操作并且第二软启动信号指示在该加载阶段之后的脉冲驱动阶段中的操作。整流晶体管响应于第一软启动电路而在加载阶段的持续时间内被激励以生成上升的输出电压。整流晶体管进一步响应于第二软启动电路而在脉冲驱动阶段期间被反复激励以生成升压的输出电压。在加载阶段期间，耦合在整流晶体管的第一导通端子和本体端子之间的第一晶体管被激励，并且耦合在整流晶体管的本体端子和第二导通端子之间的第二晶体管被停用。在脉冲驱动阶段期间，第一晶体管被停用，而第二晶体管被激励。

Description

功率转换电路和功率转换方法
本申请是申请日为2014年8月29日、申请号为201410448298.2、发明名称为“功率转换电路和功率转换方法”的中国发明专利申请的分案申请。
技术领域
本公开内容总体上涉及升压转换器电路，尤其涉及一种用于在升压转换器中使用以便控制关机电流的电路。
背景技术
DC/DC转换器电路在电池供电的便携式设备中广泛使用。这样的设备的示例包括：智能电话、智能手表、相机、媒体播放器以及多种其它便携式数字设备。对于升压类型的转换器而言，电路进行操作以接收DC输入电压(从电池)并且生成DC输出电压，其中DC输出电压的量级超过DC输入电压的量级。为了延长电池寿命，本领域技术人员认识到，尤其是在关闭期间，需要对输入和输出之间的泄漏电流进行控制。
发明内容
在一个实施例中，一种电路包括升压转换器，其具有：输入节点；输出节点；整流晶体管，其耦合在该输入和输出节点之间并且具有本体端子；第一晶体管，其耦合在该输入节点和本体端子之间；和第二晶体管，其耦合在该本体端子和输出节点之间。该电路进一步包括：软启动电路，其被配置为接收软启动信号并且响应于此而生成应用于该整流晶体管的控制端子的第一控制信号；以及驱动电路，其被配置为生成应用于该第一晶体管的控制端子的第二控制信号，并且进一步被配置为接收该软启动信号并且响应于此而生成应用于该第二晶体管的控制端子的第三控制信号。
在一个实施例中，一种电路包括：升压电路，其包括具有第一和第二导通端子以及本体端子的整流晶体管；第一晶体管，其耦合在该第一导通端子和本体端子之间；和第二晶体管，其耦合在该本体端子和第二导通端子之间；以及控制电路，其被配置为对所述升压电路的操作进行控制。该控制电路包括：软启动电路，其被配置为接收指示加载阶段的第一软启动信号以及指示所述加载阶段之后的脉冲驱动阶段的第二软启动信号，该软启动电路可操作以响应于第一软启动电路而在该加载阶段的持续时间内激励该整流晶体管，并且进一步可操作以在该脉冲驱动阶段期间输送脉冲信号以对该整流晶体管的激励进行控制；和本体控制电路，其被配置为响应于该第一和第二软启动信号对该第一和第二晶体管的激励进行控制，该本体控制电路可操作以在第一软启动信号活动且第二软启动信号无活动时激励第一晶体管并且停用第二晶体管，并且进一步可操作以在第二软启动信号活动时停用第一晶体管并且激励第二晶体管。
在一个实施例中，一种方法包括：接收第一软启动信号，其指示升压整流器的加载阶段中的操作；响应于第一软启动电路而在该加载阶段的持续时间内激励该整流晶体管以生成朝向输入电压的水平上升的输出电压，所述整流晶体管具有第一和第二导通端子以及本体端子；接收第二软启动信号，其指示所述升压整流器的所述加载阶段之后的脉冲驱动阶段中的操作；在该脉冲驱动阶段期间输送脉冲信号以对该整流晶体管的反复激励进行控制而生成经升压的输出电压；在该加载阶段期间，激励耦合在第一导通端子和本体端子之间的第一晶体管并且停用耦合在本体端子和第二导通端子之间的第二晶体管以对所述输出电压进行升压而超过输入电压；并且在该脉冲驱动阶段期间，激励耦合在本体端子和第二导通端子之间的第二晶体管并且停用耦合在第一导通端子和本体端子之间的第一晶体管。
附图说明
为了更为完整地理解本公开内容及其优势，现在参考以下结合附图所进行的描述，其中：
图1是升压转换器的实施例的电路图；
图2是升压转换器的实施例的电路图；
图3A和3B图示了图2的电路的操作；
图3C是用于控制图2的操作的电路图；
图4是用于随图2的电路使用的软启动电路的电路图；
图5是电路操作的时序图；和
图6是本体控制电路的电路图。
具体实施方式
现在参考图1，其示出了升压转换器100的实施例的电路图。电路100包括节点LX。电感器L耦合在节点LX与被配置为接收输入电压的供电输入节点VIN之间。分流晶体管MN耦合在节点LX和基准供应节点(例如，接地端)之间。晶体管MN例如可以包括n沟道MOSFET晶体管，其具有耦合在节点LX和基准供应节点之间的源极-漏极路径。晶体管MN的控制端子(栅极)被配置为接收开关信号S1。电路100进一步包括耦合在节点LX和输出节点VOUT之间一对串联连接的晶体管MP1和MP2。晶体管MP1和MP2例如可以包括p沟道MOSFET晶体管，其具有在节点LX和节点VOUT之间(在节点VMID)互相串联耦合的源极-漏极路径。晶体管MP1的控制端子(栅极)被配置为接收开关信号S2。晶体管MP2的控制端子(栅极)被配置为接收开关信号S3。电容器Cout耦合在输出节点VOUT和基准供应节点之间。晶体管MP1包括整流晶体管，而晶体管MP2包括负载晶体管。
在一种示例实施方式中，节点LX可以包括集成电路设备的封装管脚，而电感器L被提供为外部电路组件。在另一种示例实施方式中，节点VOUT包括集成电路设备的封装管脚。电容器Cout可以被提供为内部电路组件(如所示出的)或外部电路组件。在又一种实施方式中，节点VOUT可以包括集成电路设备内部的节点，其被配置为向同样实施在该集成电路设备内的其它电路装置供应经升压的DC电压。
开关信号S1、S2和S3由控制电路102生成。在设备进行操作的任何情况下，负载晶体管MP2由控制信号S3所激励。控制电路102随后通过控制信号S1激励分流晶体管MN以将电感器L耦合在供应节点VIN和基准供应节点之间。电流流过电感器L并且跨电感器的电压增大。控制电路随后停用晶体管MN并且通过控制信号S2激励整流晶体管MP1。电流因此流过晶体管MP1和MP2并且进入输出电容器Cout。控制电路随后停用晶体管MP1并且重复该过程。结果，存储在电容器Cout中并且被使得可在输入节点VOUT处获得的电压上升至超过输入节点VIN处的电压的水平。
当电路100关闭时，晶体管MP1和MP2均关断。这些晶体管的本体二极管被反向偏置并且因此节点VIN和VOUT之间没有供电流泄漏的路径。节点VMID处的电压将移动至使得可在节点VIN和VOUT处获得的两个电压中较高的一个。
注意到电路100的缺陷包括：a)需要两个pMOS器件(MP1和MP2)，这占据了集成电路上的大块面积，以及b)由于用作输出整流的开关晶体管的晶体管MP1需要两倍大小以便保持小的Rdson数值但是尽管如此仍然产生增加的开关损耗，所以其效率较低。
现在参考图2，其示出了升压转换器110的实施例的电路图。关于图1的电路100的同样附图标记指代同样或类似的部分。电路110包括耦合在节点LX和输出节点VOUT之间的整流晶体管MP。晶体管MP例如可以包括p沟道MOSFET晶体管，其源极-漏极路径耦合在节点LX和节点VOUT之间。晶体管MP的控制端子(栅极)被配置为接收开关信号S4。电路110进一步包括耦合在节点LX和输出节点VOUT之间的一对串联连接的本体控制晶体管MPS1和MPS2。晶体管MPS1和MPS2例如可以包括p沟道MOSFET晶体管，它们的源极-漏极路径在节点LX和节点VOUT之间(在节点BG)互相串联耦合。节点BG耦合至晶体管MP的本体端子。晶体管MPS1的控制端子(栅极)被配置为接收开关信号S5。晶体管MPS2的控制端子(栅极)被配置为接收开关信号S6。串联连接的晶体管MPS1和MPS2因此与晶体管MP并联连接。晶体管MPS1和MPS2通常将是明显小于晶体管MP的器件。
晶体管MPS1和MPS2进行工作以控制晶体管MP的本体连接。如果节点VIN处的电压大于节点VOUT处的电压，则控制电路102进行工作以激励晶体管MPS1而将晶体管MP的本体在节点BG耦合至晶体管MP的漏极(参见图3A)并且利用晶体管MPS2所提供的反向偏置的本体二极管而防止从输入到输出的泄露电流。相反地，如果节点VOUT处的电压大于节点VIN处的电压，则控制电路102进行工作以激励晶体管MPS2而将晶体管MP的本体在节点BG耦合至晶体管MP的源极(参见图3B)并且利用晶体管MPS1所提供的反向偏置的本体二极管而防止从输出到输入的泄露电流。
开关信号S1、S4、S5和S6由控制电路202所生成。控制电路202首先通过控制信号S1激励分流晶体管MN以将电感器L耦合在供应节点VIN和基准供应节点之间。电流流过电感器L并且跨电感器端子的电压有所增大。控制电路随后停用晶体管MN并且通过控制信号S4激励晶体管MP。电流因此通过晶体管MP而进入输出电容器Cout。控制电路随后停用晶体管MP并且重复该过程。结果，存储在电容器Cout并且使得可在输出节点VOUT处获得的电压上升至超过输入节点VIN处的电压的水平。
控制电路202进一步用作电压传感器204以感测并比较节点VIN和VOUT处的电压(参见图3C)。如果升压器电路110被关断并且电压的感测指示节点VIN处的电压大于节点VOUT处的电压，则控制电路激励晶体管MPS1(通过信号S5)并且晶体管MPS2的本体二极管被反向偏置以防止泄漏电流(图3A)。当升压器电路110进行工作并且电压的感测指示节点VOUT处的电压大于节点VIN处的电压时，则控制电路激励晶体管MPS2(通过信号S6)并且晶体管MPS1的本体二极管被反向偏置以防止泄漏电流(图3B)。
注意到电路110的缺陷包括：a)存在与放大器/比较器的操作相关联的关断电流(图3C)；b)当节点VOUT处的电压在关闭之后保持为高时需要PCLAMP电路来控制晶体管MPS2的导通，并且该钳位电路将消耗功率；以及c)放大器/比较器和PCLAMP电路占据了集成电路上的大片面积。
现在参考图4，其示出了用于随图2的电路110使用的软启动电路120。软启动电路120包括可以包括在控制电路202内的逻辑电路装置。软启动电路120包括逻辑与(AND)门122，其具有耦合至晶体管MP的栅极并且被配置为生成控制信号DrP(作为信号S4)的输出。软启动电路120进一步包括逻辑与非(NAND)门124，其具有耦合至逻辑AND门122的第一输入的输出。逻辑AND门122的第二输入被配置为接收信号Driver_P。软启动电路120进一步包括逻辑非(NOT)门126，其具有耦合至逻辑NAND门的第一输入的输出。逻辑NAND门124的第二输入被配置为接收信号PLOAD。逻辑NOT门126的输入被配置为接收信号PWD_ST。PLOAD和PWD_ST信号是软启动信号。
电路110的操作过程(图5所示)包括四个阶段：
阶段1：PLOAD＝0，PWD_ST＝0，Driver_P＝1，DrP＝1，VOUT＝0。这是关闭阶段。
阶段2：PLOAD＝1，PWD_ST＝0，Driver_P＝1，DrP＝0以导通MP。输出电容器Cout被缓慢充电达到节点VIN处的电压。这是加载阶段。
阶段3：PLOAD＝1，PWD_ST＝1，DrP被Driver_P信号所控制以进行切换并导致输出节点VOUT处的电压被升压至大于节点VIN处的电压的量级。对信号S1(未示出)进行补充激励以控制晶体管MN。这是脉冲驱动阶段。
阶段4：如果该设备被关闭，但是仍然需要VOUT处的电压，则PLOAD＝0，PWD_ST＝0且DrP＝1。
这四个操作阶段可以如下被关联至晶体管MPS1和MPS2的不同的要求的激励状态。
阶段1：晶体管MPS1被控制电路202通过信号S5进行激励以将节点BG连接至晶体管MP的漏极。
阶段2：晶体管MPS1被控制电路202通过信号S6进行激励以将节点BG连接至晶体管MP的漏极。晶体管MPS2被停用。
阶段3：晶体管MPS2被控制电路202通过信号S6进行激励以将节点BG连接至晶体管MP的源极。晶体管MPS1被停用。
阶段4：晶体管MPS2被控制信号202进行激励以将节点BG连接至晶体管MP的源极(同时节点VOUT处的电压大约节点VIN处的电压，否则转向阶段1)。晶体管MPS1被停用。
因此，PLOAD和PWD_ST软启动信号能够被本体控制电路处理以生成控制信号S4和S5而基于操作阶段对晶体管MPS1和MPS2进行适当激励。现在参考图6，其示出了用于对升压转换器电路中的晶体管MP的本体端子进行控制时使用的本体控制电路130的电路图。关于图2的电路110的同样附图标记指代同样或类似的部分。电路130包括可以被包括在控制电路202内的电路装置。有利地，图3C的比较器电路204并不需要，并且由于提供了其它电路装置以对MPS1和MPS2的晶体管进行控制而能够被去除。
晶体管MPS1的栅极端子耦合至输出节点VOUT。因此，信号S5等于输出节点VOUT处的电压并且晶体管MPS1的激励响应于节点VOUT处的电压，而节点VOUT处的电压则响应于软启动信号PLOAD和PWD_ST而被控制。如果PLOAD和PWD_ST均为低，则输出电压VOUT为低并且晶体管MPS1被激励。如果PLOAD为高且PWD_ST为低，则输出电压在一段时间内保持低于节点VIN处的电压并且晶体管MPS1在该段时间期间保持被激励。
钳位电路140包括具有被配置为接收PLOAD软启动信号的控制(栅极)端子的晶体管M3。晶体管M3可以包括n沟道MOSFET。晶体管M3的源极-漏极路径在节点PCLAMP和供应基准节点(接地端)之间与电流源I3串联耦合。电路140从节点BG处的电压进行供电。电阻器R1耦合在节点BG和节点PCLAMP之间。齐纳二极管D1与电阻器R1并联地耦合在节点BG和节点PCLAMP之间。电路140被配置为输出节点PCLAMP处的钳位电压，该钳位电压取决于信号PLOAD。当PLOAD＝0时，PCLAMP＝VBG并且当PLOAD＝1时，PCLAMP＝VBG-VD1。
信号S6由驱动电路142生成。电路142包括具有被配置为接收PWD_ST软启动信号的控制(栅极)端子的晶体管M4。晶体管M4可以包括n沟道MOSFET。晶体管M4的源极-漏极路径在节点B和供应基准节点(接地端)之间与电流源I4串联耦合。电路142从节点VPRL处的电压进行供电(如以下所描述的，节点VPRL处的电压从节点VOUT和节点VIN处的电压得出(例如，在它们之间进行选择))。电阻器R2耦合在节点VPRL和节点B之间。齐纳二极管D2与电阻器R2并联地耦合在节点VPRL和节点B之间。电路142被配置为输出节点B处的驱动信号，该驱动信号取决于信号PWD_ST。当PWD_ST＝0时，B＝VVPRL，并且当PWD_ST＝1时，B＝VVPRL-VD2。
节点B处的驱动信号通过一对反相器电路144和146而利用低逻辑电压电平移位进行缓冲以生成节点B1和B2处的信号。反相器电路144和146均具有耦合至节点VPRL的第一供电端子(例如，Vdd)，并且均具有耦合至节点PCLAMP的第二供电端子(例如，接地端)。第一供电端子处的电压对于从每个反相器所输出的信号定义逻辑高电压，而第二供电端子处的电压对于从每个反相器所输出的信号定义逻辑低电压。就此而言，将会注意到的是，设置为逻辑低电压的节点PCLAMP处的电压被移位而高于基准电压(接地端)。
电路140进一步包括具有耦合至节点B2的控制端子(栅极)的晶体管M1以及具有耦合至节点B1的控制端子(栅极)的晶体管M2。晶体管M1和M2可以包括p沟道MOSFET。晶体管M1的源极-漏极路径耦合在节点VPRL和节点VOUT之间。晶体管M2的源极-漏极路径耦合在节点VPRL和节点VIN之间。包括晶体管M1和M2的电路装置用作电压控制电路，其被配置为生成节点VPRL处的电压，作为节点VOUT处的电压(当晶体管M1导通时)或者节点VIN处的电压(当晶体管M2导通时)。控制操作响应于节点B1和B2处的信号。因此，根据电压控制电路所进行的选择，从每个反相器输出的信号的逻辑高电压将是节点VOUT处的电压或者节点VIN处的电压。
电路40可在以上所描述的每个阶段进行操作以如下适当地激励晶体管MPS1和MPS2：
阶段1：VOUT＝0V，并且当作为信号S5应用于晶体管MPS1的栅极时，该电压导致晶体管MPS1导通(与图3A相比较)并且节点BG处的电压等于节点VIN处的电压。PLOAD＝0，因此晶体管M3关断并且节点PCLAMP处的电压通过上拉电阻器R1而等于节点BG处的电压(即，其等于节点VIN处的电压)。在这种情况下，节点VPRL处的电压近似等于节点PCLAMP处的电压(并且因此近似等于节点BG处的电压)。反相器144和146并不进行操作。晶体管M1和M2因此都被关断，因为节点B1和B2处的电压都过高而无法导通晶体管M1或晶体管M2。然而，晶体管M1和M2的本体耦合至节点VPRL处的电压。从软启动电路120输出的信号DrP将等于节点VBPRL处的电压并且晶体管MP被关断。
阶段2：PLOAD＝1且PWD_ST＝0。晶体管M3响应于PLOAD信号而导通并且节点PCLAMP处的电压将等于节点BG处的电压减去跨齐纳二极管D1的压降(例如，5V)所设置的电压。该电压将为从反相器144和146所输出的信号设置逻辑低电压电平。晶体管M4响应于信号PWD_ST而关断，并且因此节点B具有等于节点VPRL处的电压的电压(通过上拉电阻器R2)。缓冲反相器电路144和146因此响应于节点B处的电压而产生节点B1处的具有等于节点PCLAMP处的电压的逻辑低电压的信号以及节点B2处的具有等于节点VPRL处的电压的逻辑高电压的信号。晶体管M2响应于节点B1处的逻辑低电压而导通以将节点VIN处的电压应用于节点VPRL。晶体管M1和MPS2保持关断。晶体管MPS1在节点VOUT处的电压缓慢充电至节点VIN处的电压的同时保持导通。
阶段3：PLOAD＝1且PWD_ST＝1。节点PCLAMP处的电压保持等于节点BG处的电压减去跨齐纳二极管D1的压降(例如，5V)所设置的电压，这同样为从反相器144和146所输出的信号设置了逻辑低电压。信号PWD_ST的逻辑状态变化导致晶体管M4导通并且节点B处的电压降至节点VPRL处的电压(即，节点VIN处的电压)减去跨齐纳二极管D1的压降(例如，5V)所设置的电压。缓冲反相器电路144响应于节点B处的电压而产生节点B1处的具有等于节点VPRL处的电压的逻辑高电压的信号，并且反相器电路146则产生节点B2处的具有等于节点PCLAMP处的电压的逻辑低电压的信号。晶体管M2关断且晶体管M1导通。节点VPRL处的电压现在等于节点VOUT处的电压(其响应于应用于晶体管MP的栅极的信号DrP的切换而被升压至高于节点VIN处的电压)。由于节点VOUT处的电压已经被升压而至少等于节点VIN处的电压，所以晶体管MPS1被关断。节点B2处的逻辑低电压被进一步作为信号S6应用以导通晶体管MPS2。
阶段4：在设备关闭但是节点VOUT处的电压保持高于节点VIN处的电压的时间段内，节点VOUT处的电压导致晶体管MPS1保持关断。由于并不从节点VPRL汲取电流，所以节点VPRL处的电压通过晶体管M1的激励而保持等于节点VOUT处的电压。PLOAD＝0，因此晶体管M3关断。这导致节点VCLAMP处的电压等于节点VOUT处的电压(通过节点BG以及上拉电阻器R1的动作)。信号DrP被设置为节点VPRL处的电压，并且在该条件下，晶体管MP被关断。
电路130有利地利用与软启动相关联的信号。
在图6的电路的仿真中，节点VIN处的电压为3.7V。在阶段1期间，节点VOUT处的电压为0V。该仿真测量了阶段1的电流消耗大约为3.8nA。该仿真进一步测量了阶段3的电流消耗大约为10nA。因此，注意到泄漏电流非常小。
本领域技术人员将会轻易理解的是，在保持处于本公开内容的范围之内的同时素材和方法可以有所变化。还要理解的是，本公开内容提供了用来说明实施例的具体上下文以外的许多可适用的发明概念。因此，所附权利要求意在将这样的处理、机器、制造、物质合成、器件、方法或步骤包括在其范围之内。

Claims (16)

1.一种用于功率转换的电路，包括：
升压转换器，具有：
输入节点；
输出节点；
整流晶体管，耦合在所述输入节点和所述输出节点之间并且具有本体端子；
第一晶体管，耦合在所述输入节点和所述本体端子之间；和
第二晶体管，耦合在所述本体端子和所述输出节点之间；
软启动电路，被配置为接收软启动信号并且响应于所述软启动信号而生成应用于所述整流晶体管的控制端子的第一控制信号；以及
驱动电路，被配置为生成应用于所述第一晶体管的控制端子的第二控制信号，并且进一步被配置为接收所述软启动信号并且响应于所述软启动信号而生成应用于所述第二晶体管的控制端子的第三控制信号，其中所述驱动电路包括：
逻辑反相器，被配置为生成所述第三控制信号，所述逻辑反相器具有第一供电输入和第二供电输入，所述第一供电输入响应于所述第三控制信号而被选择性地耦合以从所述输入节点和所述输出节点之一接收第一电源电压，所述第二供电输入被耦合以接收从所述本体端子处的电压导出的第二电源电压。
2.根据权利要求1所述的电路，其中所述输入节点被配置用于连接至电感器并且所述输出节点被配置用于连接至电容器。
3.根据权利要求1所述的电路，其中所述软启动信号包括：
第一启动信号，所述软启动电路响应于所述第一启动信号而通过所述第一控制信号激励所述整流晶体管以对所述输出节点充电；以及
第二启动信号，所述软启动电路响应于所述第二启动信号而允许通过所述第一控制信号反复激励所述整流晶体管以对所述输出节点处的电压进行升压。
4.根据权利要求3所述的电路，其中所述驱动电路被配置为在所述第一启动信号和所述第二启动信号都有效时通过所述第三控制信号激励所述第二晶体管。
5.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一晶体管的控制端子由所述输出节点处的电压通过所述第二控制信号进行控制。
6.根据权利要求1所述的电路，进一步包括：
第一反相器电路，所述第一反相器电路具有作为第三控制信号而耦合至所述第二晶体管的所述控制端子的输出并且具有第一供电端子和第二供电端子；
电压控制电路，被配置为响应于所述第一反相器电路的输出而将所述输入节点处的电压或所述输出节点处的电压之一应用于所述第一供电端子；以及
钳位电路，被配置为将从所述本体端子处的电压得出的电压应用于所述第二供电端子。
7.根据权利要求6所述的电路，其中所述软启动信号包括第一软启动信号和第二软启动信号，其中所述钳位电路响应于所述第一软启动信号而被控制并且其中所述第一反相器电路响应于所述第二软启动信号而被控制。
8.根据权利要求7所述的电路，进一步包括第二反相器电路，所述第二反相器电路具有耦合至所述第一反相器电路的输入的输出，其中所述电压控制电路进一步对所述第二反相器电路的输出进行响应并且其中所述第二反相器电路响应于所述第二软启动信号而被控制。
9.根据权利要求6所述的电路，其中所述第一供电端子是逻辑高信号供应端子并且所述第二供电端子是逻辑低信号供应端子，所述第三控制信号在激励所述第二晶体管时具有来自所述逻辑低信号供应端子的电压。
10.一种用于功率转换的电路，包括：
升压转换器，具有：
输入节点；
输出节点；
整流晶体管，耦合在所述输入节点和所述输出节点之间并且具有本体端子；
第一晶体管，耦合在所述输入节点和所述本体端子之间；和
第二晶体管，耦合在所述本体端子和所述输出节点之间；
软启动电路，被配置为接收软启动信号并且响应于所述软启动信号而生成应用于该整流晶体管的控制端子的第一控制信号；以及
驱动电路，被配置为生成应用于所述第一晶体管的控制端子的第二控制信号，并且进一步被配置为接收所述软启动信号并且响应于所述软启动信号而生成应用于所述第二晶体管的控制端子的第三控制信号；
第一反相器电路，所述第一反相器电路具有作为第三控制信号而耦合至所述第二晶体管的所述控制端子的输出并且具有第一供电端子和第二供电端子；
电压控制电路，被配置为响应于所述第一反相器电路的输出而将所述输入节点处的电压或所述输出节点处的电压之一应用于所述第一供电端子；以及
钳位电路，被配置为将从所述本体端子处的电压得出的电压应用于所述第二供电端子。
11.根据权利要求10所述的电路，其中所述输入节点被配置用于连接至电感器并且所述输出节点被配置用于连接至电容器。
12.根据权利要求10所述的电路，其中所述软启动信号包括：
第一启动信号，所述软启动电路响应于所述第一启动信号而通过所述第一控制信号激励所述整流晶体管以对所述输出节点充电；以及
第二启动信号，所述软启动电路响应于所述第二启动信号而允许通过所述第一控制信号反复激励所述整流晶体管以对所述输出节点处的电压进行升压，
其中所述驱动电路被配置为在所述第一启动信号和所述第二启动信号都有效时通过所述第三控制信号激励所述第二晶体管。
13.根据权利要求10所述的电路，其中所述第一晶体管的控制端子由所述输出节点处的电压通过所述第二控制信号进行控制。
14.根据权利要求10所述的电路，其中所述软启动信号包括第一软启动信号和第二软启动信号，其中所述钳位电路响应于所述第一软启动信号而被控制并且其中所述第一反相器电路响应于所述第二软启动信号而被控制。
15.根据权利要求14所述的电路，进一步包括第二反相器电路，所述第二反相器电路具有耦合至所述第一反相器电路的输入的输出，其中所述电压控制电路进一步对所述第二反相器电路的输出进行响应并且其中所述第二反相器电路响应于所述第二软启动信号而被控制。
16.根据权利要求13所述的电路，其中所述第一供电端子是逻辑高信号供应端子并且所述第二供电端子是逻辑低信号供应端子，所述第三控制信号在激励所述第二晶体管时具有来自所述逻辑低信号供应端子的电压。
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