JP5477687B2 - スイッチング素子、スイッチング素子の動作方法、スイッチング素子の製造方法、書き換え可能な論理集積回路およびメモリ素子 - Google Patents

スイッチング素子、スイッチング素子の動作方法、スイッチング素子の製造方法、書き換え可能な論理集積回路およびメモリ素子 Download PDF

Info

Publication number
JP5477687B2
JP5477687B2 JP2009089632A JP2009089632A JP5477687B2 JP 5477687 B2 JP5477687 B2 JP 5477687B2 JP 2009089632 A JP2009089632 A JP 2009089632A JP 2009089632 A JP2009089632 A JP 2009089632A JP 5477687 B2 JP5477687 B2 JP 5477687B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
conductive layer
ion conductive
switching element
state
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2009089632A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2010245132A5 (enExample
JP2010245132A (ja
Inventor
幸秀 辻
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2009089632A priority Critical patent/JP5477687B2/ja
Publication of JP2010245132A publication Critical patent/JP2010245132A/ja
Publication of JP2010245132A5 publication Critical patent/JP2010245132A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5477687B2 publication Critical patent/JP5477687B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Semiconductor Memories (AREA)
JP2009089632A 2009-04-01 2009-04-01 スイッチング素子、スイッチング素子の動作方法、スイッチング素子の製造方法、書き換え可能な論理集積回路およびメモリ素子 Expired - Fee Related JP5477687B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009089632A JP5477687B2 (ja) 2009-04-01 2009-04-01 スイッチング素子、スイッチング素子の動作方法、スイッチング素子の製造方法、書き換え可能な論理集積回路およびメモリ素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009089632A JP5477687B2 (ja) 2009-04-01 2009-04-01 スイッチング素子、スイッチング素子の動作方法、スイッチング素子の製造方法、書き換え可能な論理集積回路およびメモリ素子

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2010245132A JP2010245132A (ja) 2010-10-28
JP2010245132A5 JP2010245132A5 (enExample) 2012-05-10
JP5477687B2 true JP5477687B2 (ja) 2014-04-23

Family

ID=43097862

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009089632A Expired - Fee Related JP5477687B2 (ja) 2009-04-01 2009-04-01 スイッチング素子、スイッチング素子の動作方法、スイッチング素子の製造方法、書き換え可能な論理集積回路およびメモリ素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5477687B2 (enExample)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103650142B (zh) * 2011-01-20 2016-05-11 松下知识产权经营株式会社 电阻变化元件及其制造方法
JP5547111B2 (ja) * 2011-02-15 2014-07-09 株式会社東芝 不揮発性抵抗変化素子および不揮発性抵抗変化素子の製造方法
JP5895932B2 (ja) * 2011-05-10 2016-03-30 日本電気株式会社 抵抗変化素子、それを含む半導体装置およびそれらの製造方法
JP6233306B2 (ja) * 2012-06-22 2017-11-22 日本電気株式会社 スイッチング素子およびスイッチング素子の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI233204B (en) * 2002-07-26 2005-05-21 Infineon Technologies Ag Nonvolatile memory element and associated production methods and memory element arrangements
US8203133B2 (en) * 2004-12-28 2012-06-19 Nec Corporation Switching element, reconfigurable logic integrated circuit and memory element
JP5054936B2 (ja) * 2005-06-22 2012-10-24 パナソニック株式会社 電気機械メモリ、それを用いた電気回路及び電気機械メモリの駆動方法
JP4792009B2 (ja) * 2007-06-12 2011-10-12 株式会社東芝 情報記録再生装置
JP2009043873A (ja) * 2007-08-08 2009-02-26 Sony Corp 記憶素子および記憶装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010245132A (ja) 2010-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5218053B2 (ja) スイッチング素子、半導体装置、書き換え可能な論理集積回路、およびメモリ素子
JP5135798B2 (ja) スイッチング素子、スイッチング素子の駆動方法、書き換え可能な論理集積回路、およびメモリ素子
JP6344243B2 (ja) スイッチング素子、および半導体スイッチング装置の製造方法
US8203133B2 (en) Switching element, reconfigurable logic integrated circuit and memory element
CN104659206B (zh) 形成电压特性改进的电阻式随机存取存储器及其形成方法
US20090039336A1 (en) Semiconductor device
US9245924B2 (en) Phase change memory element
JP6112106B2 (ja) 抵抗変化素子、その抵抗変化素子を有する半導体装置、その半導体装置の製造方法およびその抵抗変化素子を用いたプログラミング方法
US10312288B2 (en) Switching element, semiconductor device, and semiconductor device manufacturing method
JP2006319028A (ja) スイッチング素子、書き換え可能な論理集積回路、およびメモリ素子
US9159917B2 (en) Nonvolatile memory element and method of manufacturing nonvolatile memory element
US10074801B2 (en) Resistive random access memory device
JP2010245132A (ja) スイッチング素子、スイッチング素子の動作方法、スイッチング素子の製造方法、書き換え可能な論理集積回路およびメモリ素子
JPWO2007091532A1 (ja) スイッチング素子、書き換え可能な論理集積回路、およびメモリ素子
JP2011211165A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2013077681A (ja) 抵抗変化素子及びそのプログラミング方法
JP7165976B2 (ja) 抵抗変化素子、および抵抗変化素子の製造方法
US7772035B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP2012216724A (ja) 抵抗記憶装置およびその書き込み方法
JP2009267204A (ja) 回路装置および制御方法
JP7572058B2 (ja) 非線形抵抗素子、スイッチング素子、及び非線形抵抗素子の製造方法
JP4575407B2 (ja) 記憶装置
JP2013120845A (ja) メタルブリッジ型記憶装置
JP2006324425A (ja) 記憶素子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120313

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120313

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131024

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131217

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20131226

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140117

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140130

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5477687

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees