JP2010245132A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010245132A5 JP2010245132A5 JP2009089632A JP2009089632A JP2010245132A5 JP 2010245132 A5 JP2010245132 A5 JP 2010245132A5 JP 2009089632 A JP2009089632 A JP 2009089632A JP 2009089632 A JP2009089632 A JP 2009089632A JP 2010245132 A5 JP2010245132 A5 JP 2010245132A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive layer
- ion conductive
- electrode
- switching element
- state
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 26
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 claims 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000011017 operating method Methods 0.000 claims 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009089632A JP5477687B2 (ja) | 2009-04-01 | 2009-04-01 | スイッチング素子、スイッチング素子の動作方法、スイッチング素子の製造方法、書き換え可能な論理集積回路およびメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009089632A JP5477687B2 (ja) | 2009-04-01 | 2009-04-01 | スイッチング素子、スイッチング素子の動作方法、スイッチング素子の製造方法、書き換え可能な論理集積回路およびメモリ素子 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010245132A JP2010245132A (ja) | 2010-10-28 |
| JP2010245132A5 true JP2010245132A5 (enExample) | 2012-05-10 |
| JP5477687B2 JP5477687B2 (ja) | 2014-04-23 |
Family
ID=43097862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009089632A Expired - Fee Related JP5477687B2 (ja) | 2009-04-01 | 2009-04-01 | スイッチング素子、スイッチング素子の動作方法、スイッチング素子の製造方法、書き換え可能な論理集積回路およびメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5477687B2 (enExample) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9006698B2 (en) | 2011-01-20 | 2015-04-14 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Variable resistance element and method of manufacturing the same |
| JP5547111B2 (ja) * | 2011-02-15 | 2014-07-09 | 株式会社東芝 | 不揮発性抵抗変化素子および不揮発性抵抗変化素子の製造方法 |
| WO2012153818A1 (ja) * | 2011-05-10 | 2012-11-15 | 日本電気株式会社 | 抵抗変化素子、それを含む半導体装置およびそれらの製造方法 |
| US10103329B2 (en) * | 2012-06-22 | 2018-10-16 | Nec Corporation | Switching element and method for manufacturing switching element |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI233204B (en) * | 2002-07-26 | 2005-05-21 | Infineon Technologies Ag | Nonvolatile memory element and associated production methods and memory element arrangements |
| JP5066918B2 (ja) * | 2004-12-28 | 2012-11-07 | 日本電気株式会社 | スイッチング素子、書き換え可能な論理集積回路、およびメモリ素子 |
| JP5054936B2 (ja) * | 2005-06-22 | 2012-10-24 | パナソニック株式会社 | 電気機械メモリ、それを用いた電気回路及び電気機械メモリの駆動方法 |
| JP4792009B2 (ja) * | 2007-06-12 | 2011-10-12 | 株式会社東芝 | 情報記録再生装置 |
| JP2009043873A (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-26 | Sony Corp | 記憶素子および記憶装置 |
-
2009
- 2009-04-01 JP JP2009089632A patent/JP5477687B2/ja not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2015147801A8 (en) | Techniques for forming non-planar resistive memory cells | |
| JP2013062529A5 (enExample) | ||
| JP2013009297A5 (ja) | 記憶装置 | |
| WO2011159582A3 (en) | Memory cell with resistance- switching layers and lateral arrangement | |
| WO2008142919A1 (ja) | 可変抵抗素子とその製造方法及び不揮発性半導体記憶装置 | |
| WO2010081151A3 (en) | Memory cell having dielectric memory element | |
| TW200701222A (en) | Thin film fuse phase change ram and manufacturing method | |
| EP1873758A3 (en) | Magnetoresistive sensor having a structure for activating and deactivating electrostatic discharge prevention circuitry | |
| JPWO2012043502A1 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2010228464A5 (enExample) | ||
| WO2009135072A3 (en) | Non-volatile resistive-switching memories | |
| JP2006121088A5 (enExample) | ||
| WO2011016794A3 (en) | Memristors with asymmetric electrodes | |
| JP6550135B2 (ja) | 幾何学的に改良された抵抗変化型メモリ(rram)セル及びその形成方法 | |
| US9502647B2 (en) | Resistive random-access memory (RRAM) with a low-K porous layer | |
| JP2006319028A (ja) | スイッチング素子、書き換え可能な論理集積回路、およびメモリ素子 | |
| JP2015135927A5 (enExample) | ||
| CN105206743B (zh) | 具有多层器件结构的电阻式随机存取存储器(rram) | |
| JP2012142066A5 (enExample) | ||
| JP2010245132A5 (enExample) | ||
| JP2009021436A5 (enExample) | ||
| US9911788B2 (en) | Selectors with oxide-based layers | |
| JP4959596B2 (ja) | 絶縁膜の評価方法および測定回路 | |
| JP2011124562A5 (ja) | 非線形素子、及び表示装置 | |
| JP5477687B2 (ja) | スイッチング素子、スイッチング素子の動作方法、スイッチング素子の製造方法、書き換え可能な論理集積回路およびメモリ素子 |