JP5460320B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
2…ゲート絶縁膜
3…ゲート電極
4…ソース層
5…層間絶縁膜
6…ベース層
8…エピタキシャル成長層
9…AuSb層
10…半導体基板
11,12,14,16,18…金属層
20…金属積層構造
(素子構造)
本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置は、図1に示すように、第1導電型を有し、ドレイン層を形成する半導体基板10と、半導体基板10の表面上に配置され、第2導電型を有するベース層6と、ベース層6上に配置され、第1導電型を有するソース層4と、ベース層6およびソース層4上に配置されたゲート絶縁膜2と、ゲート絶縁膜2上に配置されたゲート電極3と、ベース層6およびソース層4に接続されたソース電極1とを備える。また、第1の実施の形態に係る半導体装置は、図2乃至図3に示すように、半導体基板10の裏面上に配置され、半導体基板10とアロイ処理された金属層11と、金属層11上に配置された金属層12と、金属層12上に配置された金属層14と、金属層14上に配置された金属層16とを備える。なお、ゲート電極3を取り囲み層間絶縁膜5が配置されている。
第1の実施の形態の変形例1に係る半導体装置は、金属積層構造20の構成が、第1の実施の形態に係る半導体装置と異なるのみであり、その他の構成は、第1の実施の形態に係る半導体装置と同様である。すなわち、図4に示すように、シリコン半導体基板10の裏面に配置された金属層11はシリコン半導体基板10とアロイ処理された第1Au層で形成され、金属層11上に配置された金属層12はTi層もしくはCr層で形成され、金属層12上に配置された金属層14はNi層で形成され、金属層14上に配置された金属層18はAg層で形成される。
第1の実施の形態の変形例2に係る半導体装置は、金属積層構造20の構成が、第1の実施の形態に係る半導体装置と異なるのみであり、その他の構成は、第1の実施の形態に係る半導体装置と同様である。すなわち、図5に示すように、シリコン半導体基板10の裏面に配置された金属層11はシリコン半導体基板10とアロイ処理された第1Au層で形成され、金属層11第上に配置された金属層12はTi層もしくはCr層で形成され、金属層12上に配置された金属層14はNi層で形成され、金属層14上に配置された金属層16は第2Au層で形成され、金属層16上に配置された金属層18はAg層で形成される。
第1の実施の形態の変形例3に係る半導体装置は、金属積層構造20の構成が、第1の実施の形態に係る半導体装置と異なるのみであり、その他の構成は、第1の実施の形態に係る半導体装置と同様である。すなわち、図6に示すように、シリコン半導体基板10の裏面に配置された金属層11はシリコン半導体基板10とアロイ処理された第1Au層で形成され、金属層11第上に配置された金属層12はTi層もしくはCr層で形成され、金属層12上に配置された金属層14はNi層で形成され、金属層14上に配置された金属層18はAg層で形成され、金属層18上に配置された金属層16は第2Au層で形成される。
第1の実施の形態およびその変形例に係るに係る半導体装置において、縦型構造のnチャンネルMOSFETはプレーナゲート構造を備えていても良く、或いは縦型トレンチゲート構造を備えていても良い。
第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一工程を示す図であって、半導体基板10を準備する工程を示す模式的断面構造は、図1(a)に示すように表される。また、半導体基板10上にn型エピタキシャル成長層8を形成する工程を示す模式的断面構造は、図1(b)に示すように表される。さらに、n型エピタキシャル成長層8の表面に、プレーナ構造のnチャンネルMOSFETを形成した構造を示す模式的断面構造は、図1(c)に示すように表される。
図2(c)の一工程において、Au層からなる金属層11の表面にTi層もしくはCr層からなる金属層12、Ni層からなる金属層14、Ag層からなる金属層18を順次形成する工程を示す部分的な模式的断面構造は、図4に示すように表される。金属層18もスパッタリング技術若しくは蒸着技術によって形成することができる。
図2(c)の一工程において、第1Au層からなる金属層11の表面にTi層もしくはCr層からなる金属層12、Ni層からなる金属層14、第2Au層からなる金属層16、Ag層からなる金属層18を順次形成する工程を示す部分的な模式的断面構造は、図5に示すように表される。
図2(c)の一工程において、Au層からなる金属層11の表面にTi層もしくはCr層からなる金属層12、Ni層からなる金属層14、Ag層からなる金属層18、Au層からなる金属層16を順次形成する工程を示す部分的な模式的断面構造は、図6に示すように表される。
本発明の比較例に係るMOSFETの模式的回路構成は、図7(a)に示すように表される。また、比較例に係るMOSFETの模式的断面構造は、図7(b)に示すように表される。
第1の実施の形態に係る半導体装置の模式的回路構成は、図8(a)に示すように表される。また、第1の実施の形態に係る半導体装置の模式的断面構造は、図8(b)に示すように表される。
第1の実施の形態に係る半導体装置において、ドレイン端子Dとソース端子S間にFRDを備える基本回路の構成は、図9(a)に示すように表される。
インバータ回路に適用される半導体装置の回路構成図であって、寄生ダイオードDiを備えるMOSFETの例は、図10(a)に示すように表される。また、寄生ダイオードDi、およびFRDを備えるMOSFETの例は、図10(b)に示すように表される。
第1の実施の形態に係る半導体装置(SBDMOSFET)と、MOSFETおよびMOSFET+FRDのオン抵抗RDS(on)(Ω)と順方向電圧VF(V)の関係を示す比較図は、図12に示すように表される。順方向電流IFの値は5(A)の時を基準としている。
MOSFETの逆回復波形例は図13に示すように表される。図13には、寄生ダイオードDiの寄生損失に伴い、逆回復損失が大きい様子を示す。
第1の実施の形態およびその変形例に係る半導体装置は、インダクタンスを負荷とする電気機器の適用することができる。インダクタンスを負荷とする電気機器の例としては、液晶ディスプレイ(LCD)のバックライトインバータ回路、エアコン用インバータ回路、照明装置などの駆動用インバータ回路などがある。
上記のように、本発明は第1の実施の形態及びその変更例によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面は例示的なものであり、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
Claims (9)
- 第1導電型を有し、ドレイン層を形成する半導体基板と、前記半導体基板の表面上に配置され、第2導電型を有するベース層と、前記ベース層上に配置され、第1導電型を有するソース層と、前記半導体基板、前記ベース層および前記ソース層上に配置されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極と、前記ベース層および前記ソース層に接続されたソース電極とを備える絶縁ゲート電界効果トランジスタと、
前記半導体基板の裏面上に配置され、前記半導体基板とアロイ処理された第1金属層上に配置された第2金属層と、前記第2金属層上に配置された第3金属層と、前記第3金属層上に配置された第4金属層とを有する金属積層構造を有し、前記金属積層構造をアノード、前記半導体基板をカソードとするショットキーダイオードと、
前記絶縁ゲート電界効果トランジスタと前記ショットキーダイオードとの直列回路に対して並列接続され、前記ソース電極にアノード、前記ショットキーダイオードのアノードにカソードが接続されるリカバリーダイオードと
を備え、
前記リカバリーダイオードの順方向電圧は、前記ベース層と前記半導体基板間の寄生ダイオードの順方向電圧よりも小さく、
前記第1金属層は第1Au層で形成され、前記第2金属層はTi層もしくはCr層で形成され、前記第3金属層はNi層で形成され、前記第4金属層は第2Au層で形成されることを特徴とする半導体装置。 - 第1導電型を有し、ドレイン層を形成する半導体基板と、前記半導体基板の表面上に配置され、第2導電型を有するベース層と、前記ベース層上に配置され、第1導電型を有するソース層と、前記半導体基板、前記ベース層および前記ソース層上に配置されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極と、前記ベース層および前記ソース層に接続されたソース電極とを備える絶縁ゲート電界効果トランジスタと、
前記半導体基板の裏面上に配置され、前記半導体基板とアロイ処理された第1金属層上に配置された第2金属層と、前記第2金属層上に配置された第3金属層と、前記第3金属層上に配置された第4金属層とを有する金属積層構造を有し、前記金属積層構造をアノード、前記半導体基板をカソードとするショットキーダイオードと、
前記絶縁ゲート電界効果トランジスタと前記ショットキーダイオードとの直列回路に対して並列接続され、前記ソース電極にアノード、前記ショットキーダイオードのアノードにカソードが接続されるリカバリーダイオードと
を備え、
前記リカバリーダイオードの順方向電圧は、前記ベース層と前記半導体基板間の寄生ダイオードの順方向電圧よりも小さく、
前記第1金属層は第1Au層で形成され、前記第2金属層はTi層もしくはCr層で形成され、前記第3金属層はNi層で形成され、前記第4金属層はAg層で形成されることを特徴とする半導体装置。 - 第1導電型を有し、ドレイン層を形成する半導体基板と、前記半導体基板の表面上に配置され、第2導電型を有するベース層と、前記ベース層上に配置され、第1導電型を有するソース層と、前記半導体基板、前記ベース層および前記ソース層上に配置されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極と、前記ベース層および前記ソース層に接続されたソース電極とを備える絶縁ゲート電界効果トランジスタと、
前記半導体基板の裏面上に配置され、前記半導体基板とアロイ処理された第1金属層上に配置された第2金属層と、前記第2金属層上に配置された第3金属層と、前記第3金属層上に配置された第4金属層と、前記第4金属層上に配置された第5金属層とを有する金属積層構造を有し、前記金属積層構造をアノード、前記半導体基板をカソードとするショットキーダイオードと、
前記絶縁ゲート電界効果トランジスタと前記ショットキーダイオードとの直列回路に対して並列接続され、前記ソース電極にアノード、前記ショットキーダイオードのアノードにカソードが接続されるリカバリーダイオードと
を備え、
前記リカバリーダイオードの順方向電圧は、前記ベース層と前記半導体基板間の寄生ダイオードの順方向電圧よりも小さく、
前記第1金属層は第1Au層で形成され、前記第2金属層はTi層もしくはCr層で形成され、前記第3金属層はNi層で形成され、前記第4金属層は第2Au層で形成され、前記第5金属層はAg層で形成されることを特徴とする半導体装置。 - 第1導電型を有し、ドレイン層を形成する半導体基板と、前記半導体基板の表面上に配置され、第2導電型を有するベース層と、前記ベース層上に配置され、第1導電型を有するソース層と、前記半導体基板、前記ベース層および前記ソース層上に配置されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極と、前記ベース層および前記ソース層に接続されたソース電極とを備える絶縁ゲート電界効果トランジスタと、
前記半導体基板の裏面上に配置され、前記半導体基板とアロイ処理された第1金属層上に配置された第2金属層と、前記第2金属層上に配置された第3金属層と、前記第3金属層上に配置された第4金属層と、前記第4金属層上に配置された第5金属層とを有する金属積層構造を有し、前記金属積層構造をアノード、前記半導体基板をカソードとするショットキーダイオードと、
前記絶縁ゲート電界効果トランジスタと前記ショットキーダイオードとの直列回路に対して並列接続され、前記ソース電極にアノード、前記ショットキーダイオードのアノードにカソードが接続されるリカバリーダイオードと
を備え、
前記リカバリーダイオードの順方向電圧は、前記ベース層と前記半導体基板間の寄生ダイオードの順方向電圧よりも小さく、
前記第1金属層は第1Au層で形成され、前記第2金属層はTi層もしくはCr層で形成され、前記第3金属層はNi層で形成され、前記第4金属層はAg層で形成され、前記第5金属層は第2Au層で形成されることを特徴とする半導体装置。 - 第1導電型を有し、ドレイン層となる半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板の表面上に、第2導電型を有するベース層を形成する工程と、
前記ベース層上に、第1導電型を有するソース層を形成する工程と、
前記ベース層および前記ソース層上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
前記ベース層および前記ソース層に接続されたソース電極を形成する工程と、
前記半導体基板の裏面上に、前記半導体基板とアロイ処理された第1金属層を形成する工程と、
前記第1金属層上に第2金属層を形成する工程と、
前記第2金属層上に第3金属層を形成する工程と、
前記第3金属層上に第4金属層を形成して、前記第1金属層、前記第2金属層、前記第3金属層、および前記第4金属層からなる金属積層構造をアノード、前記半導体基板をカソードとするショットキーダイオードを形成する工程と、
前記絶縁ゲート電界効果トランジスタと前記ショットキーダイオードとの直列回路に対して並列接続され、前記ソース電極にアノード、前記ショットキーダイオードのアノードにカソードが接続されるリカバリーダイオードを形成する工程と
を有し、
前記リカバリーダイオードの順方向電圧は、前記ベース層と前記半導体基板間の寄生ダイオードの順方向電圧よりも小さく、
前記第1金属層は第1Au層で形成され、前記第2金属層はTi層もしくはCr層で形成され、前記第3金属層はNi層で形成され、前記第4金属層は第2Au層で形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 第1導電型を有し、ドレイン層となる半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板の表面上に、第2導電型を有するベース層を形成する工程と、
前記ベース層上に、第1導電型を有するソース層を形成する工程と、
前記ベース層および前記ソース層上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
前記ベース層および前記ソース層に接続されたソース電極を形成する工程と、
前記半導体基板の裏面上に、前記半導体基板とアロイ処理された第1金属層を形成する工程と、
前記第1金属層上に第2金属層を形成する工程と、
前記第2金属層上に第3金属層を形成する工程と、
前記第3金属層上に第4金属層を形成して、前記第1金属層、前記第2金属層、前記第3金属層、および前記第4金属層からなる金属積層構造をアノード、前記半導体基板をカソードとするショットキーダイオードを形成する工程と、
前記絶縁ゲート電界効果トランジスタと前記ショットキーダイオードとの直列回路に対して並列接続され、前記ソース電極にアノード、前記ショットキーダイオードのアノードにカソードが接続されるリカバリーダイオードを形成する工程と
を有し、
前記リカバリーダイオードの順方向電圧は、前記ベース層と前記半導体基板間の寄生ダイオードの順方向電圧よりも小さく、
前記第1金属層は第1Au層で形成され、前記第2金属層はTi層もしくはCr層で形成され、前記第3金属層はNi層で形成され、前記第4金属層はAg層で形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 第1導電型を有し、ドレイン層となる半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板の表面上に、第2導電型を有するベース層を形成する工程と、
前記ベース層上に、第1導電型を有するソース層を形成する工程と、
前記ベース層および前記ソース層上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
前記ベース層および前記ソース層に接続されたソース電極を形成する工程と、
前記半導体基板の裏面上に、前記半導体基板とアロイ処理された第1金属層を形成する工程と、
前記第1金属層上に第2金属層を形成する工程と、
前記第2金属層上に第3金属層を形成する工程と、
前記第3金属層上に第4金属層を形成する工程と、
前記第4金属層上に第5金属層を形成して、前記第1金属層、前記第2金属層、前記第3金属層、前記第4金属層、および前記第5金属層からなる金属積層構造をアノード、前記半導体基板をカソードとするショットキーダイオードを形成する工程と、
前記絶縁ゲート電界効果トランジスタと前記ショットキーダイオードとの直列回路に対して並列接続され、前記ソース電極にアノード、前記ショットキーダイオードのアノードにカソードが接続されるリカバリーダイオードを形成する工程と
を有し、
前記リカバリーダイオードの順方向電圧は、前記ベース層と前記半導体基板間の寄生ダイオードの順方向電圧よりも小さく、
前記第1金属層は第1Au層で形成され、前記第2金属層はTi層もしくはCr層で形成され、前記第3金属層はNi層で形成され、前記第4金属層は第2Au層で形成され、前記第5金属層はAg層で形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 第1導電型を有し、ドレイン層となる半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板の表面上に、第2導電型を有するベース層を形成する工程と、
前記ベース層上に、第1導電型を有するソース層を形成する工程と、
前記ベース層および前記ソース層上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
前記ベース層および前記ソース層に接続されたソース電極を形成する工程と、
前記半導体基板の裏面上に、前記半導体基板とアロイ処理された第1金属層を形成する工程と、
前記第1金属層上に第2金属層を形成する工程と、
前記第2金属層上に第3金属層を形成する工程と、
前記第3金属層上に第4金属層を形成する工程と、
前記第4金属層上に第5金属層を形成して、前記第1金属層、前記第2金属層、前記第3金属層、前記第4金属層、および前記第5金属層からなる金属積層構造をアノード、前記半導体基板をカソードとするショットキーダイオードを形成する工程と、
前記絶縁ゲート電界効果トランジスタと前記ショットキーダイオードとの直列回路に対して並列接続され、前記ソース電極にアノード、前記ショットキーダイオードのアノードにカソードが接続されるリカバリーダイオードを形成する工程と
を有し、
前記リカバリーダイオードの順方向電圧は、前記ベース層と前記半導体基板間の寄生ダイオードの順方向電圧よりも小さく、
前記第1金属層は第1Au層で形成され、前記第2金属層はTi層もしくはCr層で形成され、前記第3金属層はNi層で形成され、前記第4金属層はAg層で形成され、前記第5金属層は第2Au層で形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 負荷にインダクタンスを有し、前記インダクタンスが請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置によって駆動されることを特徴とする電気機器。
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