JP5443660B2 - 高出力で、製造可能な抽出格子分散型ブラッグ反射器レーザー - Google Patents
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Description
本出願は、35U.S.C.§119(e)の下、同時係属で且つ公開譲渡された2000年6月2日出願の、ラリーAコールドレン他による米国仮特許出願第60/209,068号「高出力の、製造可能な抽出格子DBRレーザー」、代理人事件整理番号122.2−US−P1、の恩典を請求するものであり、この出願を参考文献としてここに援用する。
2000年7月12日出願の、ラリーAコールドレン他による、第09/614,224号「統合型光学増幅器を備えた調整可能なレーザーソースを作る方法」と、
2000年7月12日出願の、ラリーAコールドレンによる第09/614,377号「統合型光電子波長変換器アッセンブリ」と、
2000年7月12日出願の、ラリーAコールドレン他による、第09/614,376号「統合型変調器を備えた光電子レーザーによって光の波長を変える方法」と、
2000年7月12日出願の、ラリーAコールドレン他による、第09/614,378号「統合型変調器を備えた光電子レーザー」と、
2000年7月12日出願の、ラリーAコールドレンによる第09/614,895号「一体式波長変換器アッセンブリを使って光の波長を変換するための方法」と、
2000年7月12日出願の、ラリーAコールドレン他による、第09/614,375号「統合型光学増幅器を備えた調整可能なレーザーソース」と、
2000年7月12日出願の、ラリーAコールドレン他による、第09/614,195号「統合型変調器を備えた光電子レーザーを作る方法」と、
2000年7月12日出願の、ラリーAコールドレン他による、第09/614,665号「統合型光学増幅器を備えた調整可能なレーザーソースによって光信号を生成する方法」と、
2000年7月12日出願の、ラリーAコールドレンによる第09/614,674号「一体式波長変換器アッセンブリを作るための方法」の一部継続出願であり、これら全てを参考文献としてここに援用するが、これら全ては互いに他の一部継続出願となっており、且つこれらは全て、35U.S.C.§119(e)の下、以下の米国仮特許出願、即ち:
1999年9月2日出願の、グレゴリー・フィッシュ他による、第60/152,038号「統合型変調器を備えた光電子レーザー」と、
1999年9月2日出願の、ラリー・コールドレンによる、第60/152,049号「統合型光電子波長変換器」と、
1999年9月2日出願の、ベック・メイソン他による、第60/152,072号「統合型光学増幅器を備えた調整可能なレーザーソース」に恩典を請求するものである。
本発明は、一般的には、広範囲に調整可能半導体レーザー、特定すると、抽出格子分散型ブラッグ反射器(SGDBR)レーザーに関する。
ダイオードレーザーは、光通信、光センサー及び光学コンピュータシステムのような用途に利用されている。このような用途では、広い波長範囲に亘る周波数を出力するように容易に調整できるレーザーを利用すると非常に有用である。広い波長範囲をカバーする選択可能な可変周波数で作動することができるダイオードレーザー、即ち広範囲に調整することができるレーザーは、非常に貴重なツールである。そのようなレーザーが無ければ、所定の波長範囲内でレーザーソースにより互いに切り替えることのできる個々のチャネルの数は大幅に制限されることになる。従って、そのような範囲が限定されているレーザーを利用しているシステム内で切り替えられ、同時に存在できる個々の通信経路の数は、同様に非常に制限される。このように、ダイオードレーザーは、通信、センサー及びコンピュータシステムの設計における多くの問題に解決法を提供してきたが、光ベースのシステムによって与えられる利用可能な帯域幅に基づく可能性を全うしてはいない。多くの将来的用途で光学システムを実現するためには、チャネル数が増加して、それらが選択的に利用できるようになることが重要である。
様々な用途に対処するには、広範囲な波長の内から実質的に1つの波長を出すよう選択的に構成することのできる調整可能なダイオードレーザーを有する必要がある。そのような用途には、コヒーレント光波通信システム内の送信ソース及び局所発振器と、別の多重チャネル光波通信システム用のソースと、周波数変調センサーシステム内で用いられるソースとが含まれる。普通、ある波長範囲に亘って連続的に調整可能であることが求められる。
上に述べた問題に取り組むために、本発明は、概略、ある帯域幅に亘って自発的及び誘発的な放出の既知の現象を通して光線を生成するためのゲイン部と、前記光線を前記帯域幅の中心周波数の周りに制御するための位相部と、比較的低エネルギーバンドギャップの分離閉じ込めヘテロ構造(SCH)を含んでいる空洞内に光線を案内し反射するための導波管と、前記空洞の一方の端部の境界を成す第1又はフロントミラーと、前記空洞の反対側の端部の境界を成す第2又はバックミラーとを備え、ゲインは、位相部、フロントミラー及びバックミラーから成るグループの内の少なくとも1つによって提供されるようになっている調整可能なレーザーを備えている。
図面中、類似の参照番号は同様な部品を示す。
Claims (20)
- 波長可変レーザーにおいて、
光線を案内するための導波管であって、前記光線にゲインを提供するのに十分な低いエネルギーバンドギャップを有する分離閉じ込めへテロ構造(SCH)を含んでいる導波管を備え、
前記導波管が、空洞を含み、
前記空洞が、
該空洞内にあって、前記光線の自然放出を行うと共に前記光線にゲインを提供するためのゲイン部と、
該空洞内にあって、前記光線を或る帯域幅の中心周波数の周りに調整するための位相部と、を有し、
前記導波管内にあって、前記空洞の一方の端部を定めるフロントミラーを備え、
前記導波管内にあって、前記空洞の反対側の端部を定めるバックミラーを備え、
前記ゲイン部は、量子井戸バンドギャップとSCHバンドギャップを有し、前記量子井戸バンドギャップは、前記SCHバンドギャップよりも小さく、
前記SCHを含んでいる前記導波管は、前記ゲイン部、前記位相部、前記フロントミラー及び前記バックミラーに亘って均一であり、
前記レーザーは、レーザー放射閾値を有し、前記SCHは、該SCHの中心にあって前記レーザーがレーザー放射閾値に到達したときに満たされるのに十分な浅い量子井戸を含んでおり、
動作時に、前記位相部、前記フロントミラー及び前記バックミラーの少なくとも1つによって前記光線に更なるゲインが提供され、前記調整に関連する損失が相殺されることを特徴とするレーザー。
- 動作時に、前記位相部、前記フロントミラー及び前記バックミラーの少なくとも1つによって提供される前記ゲインは、実質的に5mWより高い飽和出力を有することを特徴とする請求項1に記載のレーザー。
- 前記SCHは、前記ゲインが、装置の閾値に求められているレベルと実質的に同じレベルにまで迅速に増加するように最適化されていることを特徴とする、請求項1に記載のレーザー。
- 前記ゲイン部、前記位相部、前記フロントミラー及び前記バックミラーのそれぞれは、それぞれ別々に変えられるバイアスによって個々に調節される屈折率を有していることを特徴とする、請求項1に記載のレーザー。
- 正味ゲインを装置閾値に維持しながら、前記屈折率が調節されることを特徴とする、請求項1に記載のレーザー。
- 前記SCHにおけるキャリア密度の増加から生じる自由キャリア吸収損失は、少なくとも部分的には、前記位相部、前記フロントミラー及び前記バックミラーの前記少なくとも1つによって提供されるゲインによって補正されることを特徴とする、請求項1に記載のレーザー。
- 前記位相部、前記フロントミラー及び前記バックミラーの少なくとも1つによって提供される前記ゲインは、調整用電気的接点と組み合わされた電気的接点を通して掛けられることを特徴とする、請求項1に記載のレーザー。
- 半導体レーザーを製作する方法において、
光線を案内するための導波管層を成長させる段階を備え、前記導波管層が、前記光線にゲインを提供するのに十分な低いエネルギーバンドギャップを有する分離閉じ込めへテロ構造(SCH)領域を基板上に含んでおり、
前記導波管層が、空洞を含み、
前記空洞が、
該空洞内にあって、前記光線の自然放出を行うと共に前記光線にゲインを提供するためのゲイン部と、
該空洞内にあって、前記光線を或る帯域幅の中心周波数の周りに調整するための位相部と、を有し、
前記導波管層内に抽出された格子溝をエッチングして、前記導波管内で前記空洞の一方の端部を定めるフロントミラーと、前記導波管内で前記空洞の反対側の端部を定めるバックミラーとを形成する段階を備え、
前記導波管層上に上部クラッディング及び接点層を成長させる段階を備え、
前記ゲイン部は、量子井戸バンドギャップとSCHバンドギャップを有し、前記量子井戸バンドギャップは、前記SCHバンドギャップよりも小さく、
前記SCHを含んでいる前記導波管は、前記ゲイン部、前記位相部、前記フロントミラー及び前記バックミラーに亘って均一であり、
前記レーザーは、レーザー放射閾値を有し、前記SCHは、該SCHの中心にあって前記レーザーがレーザー放射閾値に到達したときに満たされるのに十分な浅い量子井戸を含んでおり、
動作時に、前記位相部、前記フロントミラー及び前記バックミラーの少なくとも1つによって前記光線に更なるゲインが提供され、前記調整に関連する損失が相殺されることを特徴とする方法。
- 前記SCHは、前記ゲインが、装置の閾値に求められているレベルと実質的に同じレベルにまで迅速に増加するように最適化されていることを特徴とする、請求項8に記載の方法。
- 前記位相部、前記フロントミラー及び前記バックミラーの前記少なくとも1つによって提供される前記ゲインは、選択的量子井戸混合、選択的エリア成長、及び異なるバンドギャップの導波管の突き合わせ接合再成長から成るグループから選択されるプロセスによって変更されることを特徴とする、請求項8に記載の方法。
- ゲインは、前記位相部、前記フロントミラー及び前記バックミラーから成るグループの内の2つ以上によって提供され、各ゲインは、選択的量子井戸混合、選択的エリア成長及び異なるバンドギャップの導波管の突き合わせ接合再成長から成るグループから選択されるプロセスによって個々に変更されることを特徴とする、請求項8に記載の方法。
- ゲインは、選択的量子井戸混合によって変更される前記フロントミラーによって提供され、ゲインは、選択的量子井戸混合によって変更される前記バックミラーによって提供され、各混合は異なるバンドギャップ領域を作ることを特徴とする、請求項11に記載の方法。
- 前記位相部、前記フロントミラー及び前記バックミラーは、それぞれ量子井戸バンドギャップとSCHバンドギャップを有し、すべてのバンドギャップの中で、前記ゲイン部の量子井戸バンドギャップが最も低く、前記ゲイン部のSCHバンドギャップが最も高いことを特徴とする、請求項11に記載の方法。
- 抽出格子分散型ブラッグ反射器(SGDBR)レーザーを備えた製品において、前記SGDBRレーザーは、
光線を案内するための導波管であって、前記光線にゲインを提供するのに十分な低いエネルギーバンドギャップを有する分離閉じ込めへテロ構造(SCH)を含んでいる導波管を備え、
前記導波管が、空洞を含み、
前記空洞が、
該空洞内にあって、前記光線の自然放出を行うと共に前記光線にゲインを提供するためのゲイン部と、
該空洞内にあって、前記光線を或る帯域幅の中心周波数の周りに調整するための位相部と、を有し、
前記導波管内にあって、前記空洞の一方の端部を定めるフロントミラーを備え、
前記導波管内にあって、前記空洞の反対側の端部を定めるバックミラーを備え、
前記ゲイン部は、量子井戸バンドギャップとSCHバンドギャップを有し、前記量子井戸バンドギャップは、前記SCHバンドギャップよりも小さく、
前記SCHを含んでいる前記導波管は、前記ゲイン部、前記位相部、前記フロントミラー及び前記バックミラーに亘って均一であり、
前記レーザーは、レーザー放射閾値を有し、前記SCHは、該SCHの中心にあって前記レーザーがレーザー放射閾値に到達したときに満たされるのに十分な浅い量子井戸を含んでおり、
動作時に、前記位相部、前記フロントミラー及び前記バックミラーの少なくとも1つによって前記光線に更なるゲインが提供され、前記調整に関連する損失が相殺されることを特徴とする製品。
- 動作時に、前記位相部、前記フロントミラー及び前記バックミラーの少なくとも1つによって提供される前記ゲインは、実質的に5mWより高い飽和出力を有していることを特徴とする、請求項14に記載の製品。
- 前記SCHは、前記ゲインが、装置の閾値に求められているレベルと実質的に同じレベルにまで迅速に増加するように最適化されていることを特徴とする、請求項14に記載の製品。
- 前記ゲイン部、前記位相部、前記フロントミラー及び前記バックミラーのそれぞれは、それぞれ別々に変えられるバイアスによって個々に調節される屈折率を有していることを特徴とする、請求項14に記載の製品。
- 正味ゲインを装置閾値に維持しながら、前記屈折率が調節されることを特徴とする、請求項17に記載の製品。
- 前記SCHにおけるキャリア密度の増加から生じる自由キャリア吸収損失は、少なくとも部分的には、前記位相部、前記フロントミラー及び前記バックミラーの少なくとも1つによって提供されるゲインによって補正されることを特徴とする、請求項14に記載の製品。
- 前記位相部、前記フロントミラー及び前記バックミラーの少なくとも1つによって提供される前記ゲインは、調整用の電気的接点と組み合わされた電気的接点を通して掛けられることを特徴とする、請求項14に記載の製品。
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