JPH0626268B2 - 波長可変半導体レ−ザ - Google Patents
波長可変半導体レ−ザInfo
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- JPH0626268B2 JPH0626268B2 JP20611787A JP20611787A JPH0626268B2 JP H0626268 B2 JPH0626268 B2 JP H0626268B2 JP 20611787 A JP20611787 A JP 20611787A JP 20611787 A JP20611787 A JP 20611787A JP H0626268 B2 JPH0626268 B2 JP H0626268B2
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- Japan
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- oscillation
- wavelength
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- semiconductor laser
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
- H01S5/06255—Controlling the frequency of the radiation
- H01S5/06256—Controlling the frequency of the radiation with DBR-structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/125—Distributed Bragg reflector [DBR] lasers
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業状の利用分野） 本発明は光ヘテロダイン通信局部発振光源などに用いら
れる波長可変半導体レーザに関する。
れる波長可変半導体レーザに関する。
（従来の技術） 最近、光の周波数や位相などを変調し信号とする光ヘテ
ロダイン通信の研究開発が盛んになってきている。これ
は直接検波の通信システムに比べ高い受信感度が得られ
ることから、中継間隔の長距離化が期待できることによ
る。また、光ヘテロダイン通信システムでは、数GHz の
単位で発振周波数が異なる複数の信号を束ねて伝送する
周波数多重伝送、ＦＤＭ（Frequency Division Multipl
exing）が可能となるため、より多くの信号を伝送する
ことが可能になる。
ロダイン通信の研究開発が盛んになってきている。これ
は直接検波の通信システムに比べ高い受信感度が得られ
ることから、中継間隔の長距離化が期待できることによ
る。また、光ヘテロダイン通信システムでは、数GHz の
単位で発振周波数が異なる複数の信号を束ねて伝送する
周波数多重伝送、ＦＤＭ（Frequency Division Multipl
exing）が可能となるため、より多くの信号を伝送する
ことが可能になる。
光ヘテロダインシステムにおいては、受信部に局部発振
光源を必要とする。これは信号光の周波数にたいして一
定の周波数差（中間周波数）で発振する光源である。信
号光と局部発振光を混合することで中間周波数のビート
信号が発生する。このビート信号を受信し、信号として
識別する方式が光ヘテロダイン検波方式である。信号で
ある半導体レーザ発振周波数は、周囲温度などで変動す
る。従って、中間周波数を一定に保つため局部発振光源
の発振周波数もこの周波数変動に追従して変動させる必
要がある。また、ＦＤＭ方式を考えた場合、送信されて
きた信号の内の一つのみを選択するために、局部発振光
源の周波数を選択する信号光に対応して切り換える必要
がある。このように、光ヘテロダイン通信システムの局
部発振光源には、発振周波数、即ち発振波長が変化でき
る特性が要求される。
光源を必要とする。これは信号光の周波数にたいして一
定の周波数差（中間周波数）で発振する光源である。信
号光と局部発振光を混合することで中間周波数のビート
信号が発生する。このビート信号を受信し、信号として
識別する方式が光ヘテロダイン検波方式である。信号で
ある半導体レーザ発振周波数は、周囲温度などで変動す
る。従って、中間周波数を一定に保つため局部発振光源
の発振周波数もこの周波数変動に追従して変動させる必
要がある。また、ＦＤＭ方式を考えた場合、送信されて
きた信号の内の一つのみを選択するために、局部発振光
源の周波数を選択する信号光に対応して切り換える必要
がある。このように、光ヘテロダイン通信システムの局
部発振光源には、発振周波数、即ち発振波長が変化でき
る特性が要求される。
（発明が解決しようとする問題点） 半導体レーザの発振波長は、動作温度を変えることで、
１度当たり約１Å（即ち12−15GHz ）の割合で変化す
る。従って温度変化により局部発振光源の周波数を変化
させることも可能であるが、応答が遅い。そこで、電子
制御により、発振周波数を制御する方法の研究が開始さ
れている。村田等は、1987年４月発行のエレクトロニク
ス・レターズ誌（Electoronics Letters）の第23巻８号
の403-405 頁に、電流で発振波長を58Å(720GHz )に渡
って変化できる半導体レーザを報告している。このよう
な広い範囲で発振波長を変化できれば、大抵の光ヘテロ
ンダイン通信システムの光源に適用することができる。
ところが、この半導体レーザでは発振波長を変化させる
ための電流を流すと発振しきい値が増大してしまうとい
う欠点があった。これは、電流を流し、半導体層中のキ
ャリア濃度を増加させると、フリーキャリア吸収や価電
子帯内吸収が増加することによると考えられる。発振し
きい値が上昇すると、動作電流が増加するのみならず、
光ヘテロダイン通信システムを構成する上で基本的に重
要な特性である発振スペクトル線幅に関し、20MHz 程度
から100MHz以上にまで増加させることになるという大き
な問題を引き起こしてしまっている。100MHz程度にも線
幅が広くなると正常なヘテロダイン通信システムを構成
できなくなる。従って、波長変化の特性を有すととも
に、発振スペクトル線幅が数10MHz 以下に抑えられてい
る波長可変半導体レーザが必要とされる。
１度当たり約１Å（即ち12−15GHz ）の割合で変化す
る。従って温度変化により局部発振光源の周波数を変化
させることも可能であるが、応答が遅い。そこで、電子
制御により、発振周波数を制御する方法の研究が開始さ
れている。村田等は、1987年４月発行のエレクトロニク
ス・レターズ誌（Electoronics Letters）の第23巻８号
の403-405 頁に、電流で発振波長を58Å(720GHz )に渡
って変化できる半導体レーザを報告している。このよう
な広い範囲で発振波長を変化できれば、大抵の光ヘテロ
ンダイン通信システムの光源に適用することができる。
ところが、この半導体レーザでは発振波長を変化させる
ための電流を流すと発振しきい値が増大してしまうとい
う欠点があった。これは、電流を流し、半導体層中のキ
ャリア濃度を増加させると、フリーキャリア吸収や価電
子帯内吸収が増加することによると考えられる。発振し
きい値が上昇すると、動作電流が増加するのみならず、
光ヘテロダイン通信システムを構成する上で基本的に重
要な特性である発振スペクトル線幅に関し、20MHz 程度
から100MHz以上にまで増加させることになるという大き
な問題を引き起こしてしまっている。100MHz程度にも線
幅が広くなると正常なヘテロダイン通信システムを構成
できなくなる。従って、波長変化の特性を有すととも
に、発振スペクトル線幅が数10MHz 以下に抑えられてい
る波長可変半導体レーザが必要とされる。
第４図は従来の波長可変半導体レーザの模式図である。
この半導体レーザは基本的に、発光領域100 ，位相制御
領域200 ，ＤＢＲ領域300 の３領域から構成される。発
光領域100 は活性層４を含みレーザ発振に必要な利得を
得る領域である。ＤＢＲ領域300 は１次の回折格子80の
周期Λに対応した波長の光を反射する領域である。この
領域の屈折率をｎｄとすると、波長λ＝ｎｄΛの光の反
射率が最も大きくなる。従ってこの波長λの付近に発振
する。ＤＢＲ電流Ｉｄを流しＤＢＲ領域300 の部分の光
導波路２にキャリアを蓄えると、この領域の屈折率ｎｄ
がプラズマ効果を受けて減少する。従って発振波長λが
短い波長に変化する。レーザ発振が起きる波長はＤＢＲ
領域300 での反射率が高いだけでなく、ＤＢＲ領域300
での反射されてくる光の位相と、発光領域100 と位相制
御領域200 とで決まる位相が整合する条件を満たす必要
がある。ＤＢＲ領域300 に電流を流しただけでは、位相
整合条件が大きく変化するため発振波長はモードジャン
プを起こしながら短波長に変化する。これに対しＤＢＲ
領域300 に電流を流すと同時に位相制御領域200 に電流
を流し位相制御領域200 の屈折率ｎｐを変化させてやる
と位相整合条件を変えずに発振波長を変化させることが
でき、連続的に波長変化を行うことができる。このよう
にして村田等は31Åの連続波長可変を実現している。と
ころが、位相制御領域200 に電流を流しキャリアを蓄え
ると、このキャリアによりフリーキャリア吸収および価
電子帯間吸収が生じる。この結果、発振しきい値が増加
する。また同時に第５図に示す様に発振スペクトルの線
幅が増加する。この増加した線幅は100MHz以上になり非
常に大きい。線幅の増加を抑制するには発振しきい値の
増加を抑えることが必要である。
この半導体レーザは基本的に、発光領域100 ，位相制御
領域200 ，ＤＢＲ領域300 の３領域から構成される。発
光領域100 は活性層４を含みレーザ発振に必要な利得を
得る領域である。ＤＢＲ領域300 は１次の回折格子80の
周期Λに対応した波長の光を反射する領域である。この
領域の屈折率をｎｄとすると、波長λ＝ｎｄΛの光の反
射率が最も大きくなる。従ってこの波長λの付近に発振
する。ＤＢＲ電流Ｉｄを流しＤＢＲ領域300 の部分の光
導波路２にキャリアを蓄えると、この領域の屈折率ｎｄ
がプラズマ効果を受けて減少する。従って発振波長λが
短い波長に変化する。レーザ発振が起きる波長はＤＢＲ
領域300 での反射率が高いだけでなく、ＤＢＲ領域300
での反射されてくる光の位相と、発光領域100 と位相制
御領域200 とで決まる位相が整合する条件を満たす必要
がある。ＤＢＲ領域300 に電流を流しただけでは、位相
整合条件が大きく変化するため発振波長はモードジャン
プを起こしながら短波長に変化する。これに対しＤＢＲ
領域300 に電流を流すと同時に位相制御領域200 に電流
を流し位相制御領域200 の屈折率ｎｐを変化させてやる
と位相整合条件を変えずに発振波長を変化させることが
でき、連続的に波長変化を行うことができる。このよう
にして村田等は31Åの連続波長可変を実現している。と
ころが、位相制御領域200 に電流を流しキャリアを蓄え
ると、このキャリアによりフリーキャリア吸収および価
電子帯間吸収が生じる。この結果、発振しきい値が増加
する。また同時に第５図に示す様に発振スペクトルの線
幅が増加する。この増加した線幅は100MHz以上になり非
常に大きい。線幅の増加を抑制するには発振しきい値の
増加を抑えることが必要である。
（問題点を解決するための手段） 前述の問題点を解決するために本発明が提供する波長可
変半導体レーザは、発光領域と位相制御領域と回折格子
の形成されたブラッグ反射領域との３つの領域からな
り、これら３つの領域にはこれら領域を直列に接続する
光導波路が設けてあり、前記発光領域および前記ブラッ
グ反射領域には利得を有する活性層が設けてあり、前記
３つの領域には互いに独立に電流が供給される電極がそ
れぞれ設けてあることを特徴とする。
変半導体レーザは、発光領域と位相制御領域と回折格子
の形成されたブラッグ反射領域との３つの領域からな
り、これら３つの領域にはこれら領域を直列に接続する
光導波路が設けてあり、前記発光領域および前記ブラッ
グ反射領域には利得を有する活性層が設けてあり、前記
３つの領域には互いに独立に電流が供給される電極がそ
れぞれ設けてあることを特徴とする。
（作用） 第１図は、第４図の従来例を改良し発振しきい値の増加
を抑制することができる本発明の構造を模式的に示す図
である。第４図の従来の半導体レーザとの相違は、第１
図にＤＢＲ領域300 に活性層４が形成されていることで
ある。このような構造にすると、発振波長を変化させる
ため位相制御領域200 ，ＤＢＲ領域30 に電流を流した
場合、第２図に示すように、位相制御領域200 では第４
図の場合と同様にこの領域でのキャリア密度Ｎｐの増加
に比例して吸収損失が増大する。しかし、ＤＢＲ領域30
0 では電流が流れキャリア密度Ｎｄが増加すると、屈折
率ｎｄが変化すると同時に利得が生じてくるから、この
領域での損失は次第に小さくなる。これはＤＢＲ領域30
0 に発光領域100 と同じ組成の活性層を有しているから
であり第４図の場合と大きく異なる。波長を変化させる
ためにキャリア密度Ｎｐ，Ｎｄを増加させた場合、位相
制御領域200 での損失増加をＤＢＲ領域 300での損失低
下、あるいは利得の増加で補償することができる。従っ
て全体として発振しきい値の増加を生じさせないで済む
ことになる。ＤＢＲ領域300 で受ける利得の大きさは光
が通過してくる領域の長さに比例するから、ＤＢＲ領域
300 の長さを調節することで、位相制御領域200 での損
失増加の量に整合させることができる。これが本発明の
基本的な考え方である。ＤＢＲ領域300 に活性層４を含
ませること自体は既に山口等により、1985年のエレクト
ロニクス・レターズ誌，（Electronics Letters）第21
巻の68−69頁に記載されている。本発明はこの構造に活
性層４を含まない位相制御領域をあらたに加えた構造と
も言える。
を抑制することができる本発明の構造を模式的に示す図
である。第４図の従来の半導体レーザとの相違は、第１
図にＤＢＲ領域300 に活性層４が形成されていることで
ある。このような構造にすると、発振波長を変化させる
ため位相制御領域200 ，ＤＢＲ領域30 に電流を流した
場合、第２図に示すように、位相制御領域200 では第４
図の場合と同様にこの領域でのキャリア密度Ｎｐの増加
に比例して吸収損失が増大する。しかし、ＤＢＲ領域30
0 では電流が流れキャリア密度Ｎｄが増加すると、屈折
率ｎｄが変化すると同時に利得が生じてくるから、この
領域での損失は次第に小さくなる。これはＤＢＲ領域30
0 に発光領域100 と同じ組成の活性層を有しているから
であり第４図の場合と大きく異なる。波長を変化させる
ためにキャリア密度Ｎｐ，Ｎｄを増加させた場合、位相
制御領域200 での損失増加をＤＢＲ領域 300での損失低
下、あるいは利得の増加で補償することができる。従っ
て全体として発振しきい値の増加を生じさせないで済む
ことになる。ＤＢＲ領域300 で受ける利得の大きさは光
が通過してくる領域の長さに比例するから、ＤＢＲ領域
300 の長さを調節することで、位相制御領域200 での損
失増加の量に整合させることができる。これが本発明の
基本的な考え方である。ＤＢＲ領域300 に活性層４を含
ませること自体は既に山口等により、1985年のエレクト
ロニクス・レターズ誌，（Electronics Letters）第21
巻の68−69頁に記載されている。本発明はこの構造に活
性層４を含まない位相制御領域をあらたに加えた構造と
も言える。
（実施例） 第３図（ａ）は本発明の一実施例を示す斜視図、同図
（ｂ）は共振器軸に垂直な面におけるその実施例の位相
制御領域200 の断面図である。素子作製は液相エピタキ
シャル成長で行っている。最初にｎ−ＩｎＰ基板１（(1
00)面方位，Ｓｎドープ，キャリア濃度２×1018cm-3）
の上に、ＤＢＲ領域300 だけに選択的に、周期が2400Å
の回折格子80を形成する。回折格子80の形成は、Ｈｅ−
Ｃｄガスレーザを光源とし、二光束干渉露光法で形成す
る。この基板１上に、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波層２
（発光波長にして1.3 μｍ組成，膜厚0.3 μｍ，Ｓｎド
ープ，キャリア濃度１×1018cm-3）、ｎ−ＩｎＰ層バリ
ア層３（膜厚0.07μｍ，Ｓｎドープ，キャリア濃度１×
1018cm-3）、ＩｎＧａＡｓＰ活性層４（発光波長にして
1.55μｍ組成，膜厚0.1 μｍ，ノンドープ）、ｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層５（膜厚0.3 μｍ、Ｚｎドープ，キャリア
濃度１×1018cm-3）を積層する。次に発光領域100 ，Ｄ
ＢＲ領域 300となる部分を除きｐ−ＩｎＰクラッド層
５，ＩｎＧａＡｓＰ活性層４，ｎ−ＩｎＰ層バリア層３
を選択的に除去する。第２回目のエピタキシャル成長で
は、全体を覆ってｐ−ＩｎＰ第２クラッド層10（膜厚0.
8 μｍ，Ｚｎドープ，キャリア濃度１×1018cm-3）を積
層する。この基板に＜110＞方向に発光領域となる幅約
1.5 μｍのメサストライプ50を挟み平行な幅５μｍ２本
の溝51，52を形成する。第３回目のエピタキシャル成長
では、ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層６（平坦部での膜厚0.
5 μｍ，Ｚｎドープ，キャリア濃度１×1018cm-3）、ｎ
−ＩｎＰ電流閉じ込め層７（平坦部での膜厚0.5 μｍ，
Ｔｅドープ，キャリア濃度５×1018cm-3）、ｐ−ＩｎＰ
埋め込み層８（平坦部での膜厚1.5 μｍ，Ｚｎドープ，
キャリア濃度１×1018cm-3）、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコン
タクト層９（発光波長にして 1.3μｍ組成，膜厚0.3 μ
ｍ，Ｚｎドープ，キャリア濃度８×1018cm-3）、を形成
する。ｎ−ＩｎＰ基板１側，ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタ
クト層９側にｐ側電極20，21，22を形成するが、３領域
に独立に電流を流せるように、各層の間を20μｍ幅で電
極を取り除く。これだけではｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタ
クト層９を介して流れる電流が有るためこの部分のコン
タクト層とメサストライプ周辺の半導体層を除去した。
各領域の間で光は光導波層２で接続されるが、電気的に
は十分な分離抵抗、約600 Ωが得られるようにした。各
領域の長さは、発光領域100 が200 μｍ、位相制御領域
200 が100 μｍ、ＤＢＲ領域300 が700 μｍである。素
子をｐ側電極側を上部にしてヒートシンクにマウントし
て特性を測定した。
（ｂ）は共振器軸に垂直な面におけるその実施例の位相
制御領域200 の断面図である。素子作製は液相エピタキ
シャル成長で行っている。最初にｎ−ＩｎＰ基板１（(1
00)面方位，Ｓｎドープ，キャリア濃度２×1018cm-3）
の上に、ＤＢＲ領域300 だけに選択的に、周期が2400Å
の回折格子80を形成する。回折格子80の形成は、Ｈｅ−
Ｃｄガスレーザを光源とし、二光束干渉露光法で形成す
る。この基板１上に、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波層２
（発光波長にして1.3 μｍ組成，膜厚0.3 μｍ，Ｓｎド
ープ，キャリア濃度１×1018cm-3）、ｎ−ＩｎＰ層バリ
ア層３（膜厚0.07μｍ，Ｓｎドープ，キャリア濃度１×
1018cm-3）、ＩｎＧａＡｓＰ活性層４（発光波長にして
1.55μｍ組成，膜厚0.1 μｍ，ノンドープ）、ｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層５（膜厚0.3 μｍ、Ｚｎドープ，キャリア
濃度１×1018cm-3）を積層する。次に発光領域100 ，Ｄ
ＢＲ領域 300となる部分を除きｐ−ＩｎＰクラッド層
５，ＩｎＧａＡｓＰ活性層４，ｎ−ＩｎＰ層バリア層３
を選択的に除去する。第２回目のエピタキシャル成長で
は、全体を覆ってｐ−ＩｎＰ第２クラッド層10（膜厚0.
8 μｍ，Ｚｎドープ，キャリア濃度１×1018cm-3）を積
層する。この基板に＜110＞方向に発光領域となる幅約
1.5 μｍのメサストライプ50を挟み平行な幅５μｍ２本
の溝51，52を形成する。第３回目のエピタキシャル成長
では、ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層６（平坦部での膜厚0.
5 μｍ，Ｚｎドープ，キャリア濃度１×1018cm-3）、ｎ
−ＩｎＰ電流閉じ込め層７（平坦部での膜厚0.5 μｍ，
Ｔｅドープ，キャリア濃度５×1018cm-3）、ｐ−ＩｎＰ
埋め込み層８（平坦部での膜厚1.5 μｍ，Ｚｎドープ，
キャリア濃度１×1018cm-3）、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコン
タクト層９（発光波長にして 1.3μｍ組成，膜厚0.3 μ
ｍ，Ｚｎドープ，キャリア濃度８×1018cm-3）、を形成
する。ｎ−ＩｎＰ基板１側，ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタ
クト層９側にｐ側電極20，21，22を形成するが、３領域
に独立に電流を流せるように、各層の間を20μｍ幅で電
極を取り除く。これだけではｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタ
クト層９を介して流れる電流が有るためこの部分のコン
タクト層とメサストライプ周辺の半導体層を除去した。
各領域の間で光は光導波層２で接続されるが、電気的に
は十分な分離抵抗、約600 Ωが得られるようにした。各
領域の長さは、発光領域100 が200 μｍ、位相制御領域
200 が100 μｍ、ＤＢＲ領域300 が700 μｍである。素
子をｐ側電極側を上部にしてヒートシンクにマウントし
て特性を測定した。
位相制御領域200 ，ＤＢＲ領域300 に電流を流さない時
の発振しきい値は20mAで微分効率は0.14W/A ，10mW以上
の単一波長発振の光出力が得られた。発振波長は1550ｎ
ｍであった。位相制御領域200 とＤＢＲ領域300 に流す
電流の配分を１：４にして波長変化を行ったところ40Å
の範囲で連続的に波長が変化した。この時発振しきい値
は25mAに増加したが、第４図の従来素子に比べて増加量
は大きく減少した。またこの時の発振スペクトルの線幅
は10MHz から15MHz の変化であり変動は大幅に抑制され
た。これは発振しきい値の増加が抑えられ、共振器内の
光密度の変化が小さくなったからである。
の発振しきい値は20mAで微分効率は0.14W/A ，10mW以上
の単一波長発振の光出力が得られた。発振波長は1550ｎ
ｍであった。位相制御領域200 とＤＢＲ領域300 に流す
電流の配分を１：４にして波長変化を行ったところ40Å
の範囲で連続的に波長が変化した。この時発振しきい値
は25mAに増加したが、第４図の従来素子に比べて増加量
は大きく減少した。またこの時の発振スペクトルの線幅
は10MHz から15MHz の変化であり変動は大幅に抑制され
た。これは発振しきい値の増加が抑えられ、共振器内の
光密度の変化が小さくなったからである。
（発明の効果） 本発明の素子では、発振波長を30Å以上の範囲で連続的
に変化させることができ、この時の発振しきい値の変動
が少ない。その結果従来素子に比べ発振スペクトルの線
幅の増加を大きく減少させることが可能になった。
に変化させることができ、この時の発振しきい値の変動
が少ない。その結果従来素子に比べ発振スペクトルの線
幅の増加を大きく減少させることが可能になった。
第１図は本発明の基本的な構造を示す模式図、第２図は
位相制御領域200 ，ＤＢＲ領域300 に電流を流したとき
におけるキャリア密度に対する損失および利得を示す特
性図、第３図（ａ）は本発明の一実施例を示す斜視図、
第３図（ｂ）はこの実施例の断面図、第４図は従来例の
模式図、第５図は従来例の素子の発振スペクトルの線幅
が波長変化に応じて広がって行く様子を示した図であ
る。 図中、１はｎ−ＩｎＰ基板、２はｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光
導波層、３はｎ−ＩｎＰ層バリア層、４はＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層、５はｐ−ＩｎＰクラッド層、６はｐ−ＩｎＰ
電流ブロック層、７はｎ−ＩｎＰ電流閉じ込め層、８は
ｐ−ＩｎＰ埋め込み層、９はｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタ
クト層、10はｐ−ＩｎＰ第２クラッド層、20，21，22は
分割されたｐ側電極、25はｎ側電極、50はメサストライ
プ、51，52は平行な２本の溝、80は回折格子、100 は発
光領域、200 は位相制御領域、300 はＤＢＲ領域を表
す。
位相制御領域200 ，ＤＢＲ領域300 に電流を流したとき
におけるキャリア密度に対する損失および利得を示す特
性図、第３図（ａ）は本発明の一実施例を示す斜視図、
第３図（ｂ）はこの実施例の断面図、第４図は従来例の
模式図、第５図は従来例の素子の発振スペクトルの線幅
が波長変化に応じて広がって行く様子を示した図であ
る。 図中、１はｎ−ＩｎＰ基板、２はｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光
導波層、３はｎ−ＩｎＰ層バリア層、４はＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層、５はｐ−ＩｎＰクラッド層、６はｐ−ＩｎＰ
電流ブロック層、７はｎ−ＩｎＰ電流閉じ込め層、８は
ｐ−ＩｎＰ埋め込み層、９はｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタ
クト層、10はｐ−ＩｎＰ第２クラッド層、20，21，22は
分割されたｐ側電極、25はｎ側電極、50はメサストライ
プ、51，52は平行な２本の溝、80は回折格子、100 は発
光領域、200 は位相制御領域、300 はＤＢＲ領域を表
す。
Claims (1)
- 【請求項１】発光領域と位相制御領域と回折格子の形成
されたブラッグ反射領域との３つの領域からなり、これ
ら３つの領域にはこれら領域を直列に接続する光導波路
が設けてあり、前記発光領域および前記ブラッグ反射領
域には利得を有する活性層が設けてあり、前記３つの領
域には互いに独立に電流が供給される電極がそれぞれ設
けてあることを特徴とする波長可変半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20611787A JPH0626268B2 (ja) | 1987-08-19 | 1987-08-19 | 波長可変半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20611787A JPH0626268B2 (ja) | 1987-08-19 | 1987-08-19 | 波長可変半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6449293A JPS6449293A (en) | 1989-02-23 |
| JPH0626268B2 true JPH0626268B2 (ja) | 1994-04-06 |
Family
ID=16518078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20611787A Expired - Lifetime JPH0626268B2 (ja) | 1987-08-19 | 1987-08-19 | 波長可変半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0626268B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59179510A (ja) * | 1983-03-29 | 1984-10-12 | Toa Nenryo Kogyo Kk | エチレン共重合体の製造法 |
| DE69011921T2 (de) * | 1989-04-04 | 1995-03-02 | Canon Kk | Halbleiterlaser mit veränderbarer Emissionswellenlänge und selektives Wellenlängenfitter und Verfahren zum Betrieb derselben. |
| JPH0332090A (ja) * | 1989-06-28 | 1991-02-12 | Hikari Keisoku Gijutsu Kaihatsu Kk | 可変波長レーザ |
| JP2546387B2 (ja) * | 1989-09-01 | 1996-10-23 | 日本電気株式会社 | 波長可変半導体レーザの駆動方法 |
| JP3220259B2 (ja) * | 1992-10-10 | 2001-10-22 | アンリツ株式会社 | レーザ装置 |
| JP5443660B2 (ja) * | 2000-06-02 | 2014-03-19 | ジェイディーエス ユニフェイス コーポレイション | 高出力で、製造可能な抽出格子分散型ブラッグ反射器レーザー |
| JP6853768B2 (ja) * | 2017-11-24 | 2021-03-31 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
-
1987
- 1987-08-19 JP JP20611787A patent/JPH0626268B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6449293A (en) | 1989-02-23 |
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