JP2776381B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は長距離大容量光伝
送、コヒーレント通信等に必要な光源である高性能半導
体レーザ装置に関する。
送、コヒーレント通信等に必要な光源である高性能半導
体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光通信の長距離大容量化に伴い、
光源として高速でかつ変調によるチャーピングの少ない
高性能半導体レーザの開発が望まれている。さらに将来
の光通信技術といわれているコヒーレント通信において
は非常に狭いスペクト幅のレーザが必要となる。分布帰
還型レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ）は高速変調時においても安
定な単一軸モード発振が得られ、従来のファブリーペロ
型レーザに比べて伝送特性に大きな改善を果たしてき
た。しかしながらＤＦＢ−ＬＤにおいてもチャーピング
抑制、スペクトル幅は十分でない。
光源として高速でかつ変調によるチャーピングの少ない
高性能半導体レーザの開発が望まれている。さらに将来
の光通信技術といわれているコヒーレント通信において
は非常に狭いスペクト幅のレーザが必要となる。分布帰
還型レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ）は高速変調時においても安
定な単一軸モード発振が得られ、従来のファブリーペロ
型レーザに比べて伝送特性に大きな改善を果たしてき
た。しかしながらＤＦＢ−ＬＤにおいてもチャーピング
抑制、スペクトル幅は十分でない。
【０００３】この問題を解決する方法として光導波路
（外部変調器）をモノリシックに一体化したＤＦＢ−Ｌ
Ｄが注目されている。図３はこの一体化素子の光軸方向
の断面基本構造を示すものである。これはｎ−ＩｎＰ基
板１上の第１の領域２１にＩｎＧａＡｓＰ活性層１３、
ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波層３、ｐ−ＩｎＰクラッド層
４、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層５、ｐ型電極６を
含み、第２の領域２２において光導波層８、ｐ−ＩｎＰ
クラッド層９、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１０、
ｐ型電極１１を含む構造である。ここで活性（発光）域
である第１の領域２１における光導波層３上にはレーザ
発振に必要な回折格子７が、ＩｎＰ基板１の裏面にはｎ
型電極１２が形成されている。また光変調域である第２
の領域２２の光導波層８は第１の領域２１からの出射光
１０と同一光軸上に位置し、両領域は分離領域１３によ
り電気的に分離されている。
（外部変調器）をモノリシックに一体化したＤＦＢ−Ｌ
Ｄが注目されている。図３はこの一体化素子の光軸方向
の断面基本構造を示すものである。これはｎ−ＩｎＰ基
板１上の第１の領域２１にＩｎＧａＡｓＰ活性層１３、
ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ光導波層３、ｐ−ＩｎＰクラッド層
４、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層５、ｐ型電極６を
含み、第２の領域２２において光導波層８、ｐ−ＩｎＰ
クラッド層９、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１０、
ｐ型電極１１を含む構造である。ここで活性（発光）域
である第１の領域２１における光導波層３上にはレーザ
発振に必要な回折格子７が、ＩｎＰ基板１の裏面にはｎ
型電極１２が形成されている。また光変調域である第２
の領域２２の光導波層８は第１の領域２１からの出射光
１０と同一光軸上に位置し、両領域は分離領域１３によ
り電気的に分離されている。
【０００４】第１の領域２１からの出射光１０は第２の
領域２２の光導波層を低損失で伝搬される。ここで発光
域２１の電極６−１２間に順方向電流を流してレーザ発
振をさせた状態で、光変調域２２の電極１１−１２間に
逆バイアス印加することフランツーケルディシュ効果に
より導波光の変調を行なうことができる。また光導波層
８が多重量子井戸（ＭＱＷ）構造であれば量子閉じ込め
シュタルク効果が利用できより大きい光変調効果を得る
事ができる。このような外部変調器一体化ＬＤではＬＤ
の直接変調時に問題となる注入キャリヤ変化による変調
光のチャーピングやスペクトル幅の拡がりは大きく抑圧
できる。
領域２２の光導波層を低損失で伝搬される。ここで発光
域２１の電極６−１２間に順方向電流を流してレーザ発
振をさせた状態で、光変調域２２の電極１１−１２間に
逆バイアス印加することフランツーケルディシュ効果に
より導波光の変調を行なうことができる。また光導波層
８が多重量子井戸（ＭＱＷ）構造であれば量子閉じ込め
シュタルク効果が利用できより大きい光変調効果を得る
事ができる。このような外部変調器一体化ＬＤではＬＤ
の直接変調時に問題となる注入キャリヤ変化による変調
光のチャーピングやスペクトル幅の拡がりは大きく抑圧
できる。
【０００５】しかしながらこのような素子は、活性域の
活性層３と光変調域の光導波層は異なるバンドギャプを
有するエピタキシャル層である必要があり、通常は複数
回のエピタキシャル成長を含む非常に複雑な工程によっ
てのみ作成できるものである。このような複雑な工程は
素子作製の歩留まりのみならず素子特性に悪影響を及ぼ
す。特に複数回のエピタキシャル成長によって生じる境
界部での異常成長や再成長層の軸ずれ等により発光域と
光変調域間の光波の結合効率は小さく、光出力の低下等
の問題がある。
活性層３と光変調域の光導波層は異なるバンドギャプを
有するエピタキシャル層である必要があり、通常は複数
回のエピタキシャル成長を含む非常に複雑な工程によっ
てのみ作成できるものである。このような複雑な工程は
素子作製の歩留まりのみならず素子特性に悪影響を及ぼ
す。特に複数回のエピタキシャル成長によって生じる境
界部での異常成長や再成長層の軸ずれ等により発光域と
光変調域間の光波の結合効率は小さく、光出力の低下等
の問題がある。
【０００６】一方、低チャーピング・狭スペクトル幅の
ＬＤとしては他に分布ブラッグ反射型レーザ（ＤＢＲ−
ＬＤ）がある。図４はその基本構造の光軸方向の断面図
である。その層構造は第３図の外部変調型ＤＦＢ−ＬＤ
とほとんど同一であるが、この素子においては回折格子
７は光帰還域（ＤＢＲ域）２３の光導波層８上に形成さ
れている。このＬＤは活性域２１に電流注入することに
より、光帰還域２３の回折格子で決まる成長で発振が得
られる。従って変調による注入キャリヤの変化によるチ
ャーピングは小さく、またＤＢＲ域２３からの光のフィ
ードバックによる狭スペクトルを得ることができる。ま
たこの素子の場合、ＤＢＲ域２３に別個の電極１１を形
成し電流注入等の手段で光導波層８の屈折率を変化させ
ることにより波長を可変にすることができる。
ＬＤとしては他に分布ブラッグ反射型レーザ（ＤＢＲ−
ＬＤ）がある。図４はその基本構造の光軸方向の断面図
である。その層構造は第３図の外部変調型ＤＦＢ−ＬＤ
とほとんど同一であるが、この素子においては回折格子
７は光帰還域（ＤＢＲ域）２３の光導波層８上に形成さ
れている。このＬＤは活性域２１に電流注入することに
より、光帰還域２３の回折格子で決まる成長で発振が得
られる。従って変調による注入キャリヤの変化によるチ
ャーピングは小さく、またＤＢＲ域２３からの光のフィ
ードバックによる狭スペクトルを得ることができる。ま
たこの素子の場合、ＤＢＲ域２３に別個の電極１１を形
成し電流注入等の手段で光導波層８の屈折率を変化させ
ることにより波長を可変にすることができる。
【０００７】しかしながら、ＤＢＲ−ＬＤの場合も外部
変調型ＤＦＢ−ＬＤの場合と同じく複数回のエピ成長を
含む複雑な作製プロセスを必要とし、各領域間での十分
な光波の結合効率が得られず発振しきい値の上昇等の特
性の劣化が問題となる。
変調型ＤＦＢ−ＬＤの場合と同じく複数回のエピ成長を
含む複雑な作製プロセスを必要とし、各領域間での十分
な光波の結合効率が得られず発振しきい値の上昇等の特
性の劣化が問題となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】以上、従来の技術にお
ける半導体レーザにおいては、工程の複雑さや境界部の
不連続性等により十分な特性が得られなかった。
ける半導体レーザにおいては、工程の複雑さや境界部の
不連続性等により十分な特性が得られなかった。
【０００９】そこで本発明は、非常に安易な作製プロセ
スで高性能の半導体レーザ装置を提供することを目的と
する。
スで高性能の半導体レーザ装置を提供することを目的と
する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の目的を達
成すべく、第１の導電型の同一半導体基板上に活性層、
回折格子、第２の導電型のエピタキシャル層、第２の導
電型の第１の電極を含む第１の領域と、前記第１の領域
から発した光に対する光導波層を含む第２の領域とを有
し、前記基板上には、前記第１の領域と前記第２の領域
で幅の異なるストライプが形成され、前記第１の領域の
活性層と前記第２の領域の光導波層が同一成長層の多重
量子井戸層で構成され、かつ第１の領域における前記量
子井戸層の井戸層厚が第２の領域における井戸層厚より
も大きい半導体レーザ装置とする。
成すべく、第１の導電型の同一半導体基板上に活性層、
回折格子、第２の導電型のエピタキシャル層、第２の導
電型の第１の電極を含む第１の領域と、前記第１の領域
から発した光に対する光導波層を含む第２の領域とを有
し、前記基板上には、前記第１の領域と前記第２の領域
で幅の異なるストライプが形成され、前記第１の領域の
活性層と前記第２の領域の光導波層が同一成長層の多重
量子井戸層で構成され、かつ第１の領域における前記量
子井戸層の井戸層厚が第２の領域における井戸層厚より
も大きい半導体レーザ装置とする。
【００１１】また、第１の導電型の同一半導体基板上に
活性層と第２の導電型のエピタキシャル層と第２の導電
型の第１の電極を含む第１の領域と前記第１の領域から
発した光に対する光導波層と回折格子を含む第２の領域
とを有し、前記基板上には、前記第１の領域と前記第２
の領域で幅の異なるストライプが形成され、前記第１の
領域の活性層と前記第２の領域の光導波層が同一成長層
の多重量子井戸層で構成され、かつ第１の領域における
前記量子井戸層の井戸層厚が第２の領域における井戸層
厚よりも大きい半導体レーザ装置とする。
活性層と第２の導電型のエピタキシャル層と第２の導電
型の第１の電極を含む第１の領域と前記第１の領域から
発した光に対する光導波層と回折格子を含む第２の領域
とを有し、前記基板上には、前記第１の領域と前記第２
の領域で幅の異なるストライプが形成され、前記第１の
領域の活性層と前記第２の領域の光導波層が同一成長層
の多重量子井戸層で構成され、かつ第１の領域における
前記量子井戸層の井戸層厚が第２の領域における井戸層
厚よりも大きい半導体レーザ装置とする。
【００１２】上述の手段により、非常に安易な作製プロ
セスで高性能の外部変調型ＤＦＢレーザおよびＤＢＲレ
ーザを得ることができる。
セスで高性能の外部変調型ＤＦＢレーザおよびＤＢＲレ
ーザを得ることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例をＩｎＧａ
ＡｓＰ／ＩｎＰ系材料を用いた場合について述べる。
ＡｓＰ／ＩｎＰ系材料を用いた場合について述べる。
【００１４】図１は本発明による第１の実施例としての
ＤＦＢレーザの光軸方向の断面基板構造図を示す。この
素子は発光機能と波長選択機能を有する活性領域２１と
光変調機能を有する光変調領域２２で構成される。ここ
で、１はｎ−ＩｎＰ基板、２はＩｎＧａＡｓＰ多重量子
井戸（ＭＱＷ）層、３はＩｎＧａＡｓＰ光導波層、４は
ｐ−ＩｎＰクラッド層、５はｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタ
クト層、６および１１はｐ型電極、および１２はｎ型電
極である。ここで活性領域２１内の光導波層上にはピッ
チ４０００Åの回折格子が形成されている。また活性領
域２１と光変調領域２２間はプロトン注入層１３により
電気的に分離されている。ＭＱＷ層２は活性領域２１に
おいては井戸層厚（Ｌｚ）が２００Å、障壁層厚２００
Åであるのに対し、光変調領域２２においては井戸層厚
（Ｌｚ）が１００Å障壁層厚１００Åと領域２１と２３
で膜厚が異なる。量子シフト量の差異によりＭＱＷ層の
バンドギャップ波長は領域２１で１．２９μｍであるの
に対し、領域２２においては１．２７μｍと各領域で異
なっている。このようなウエハー内で同一成長層の膜厚
を変化させることは領域間で幅の異なるメサストライプ
の形成された基板上に液相エピタキシャル成長を行なう
ことにより可能で、ストライプ幅によって制御性良く井
戸層厚を変化させることができる。この場合ＩｎＰ基板
１の光変調域２２にのみ光軸方向に沿って幅８μｍのメ
サストライプを形成して成長を行なった。
ＤＦＢレーザの光軸方向の断面基板構造図を示す。この
素子は発光機能と波長選択機能を有する活性領域２１と
光変調機能を有する光変調領域２２で構成される。ここ
で、１はｎ−ＩｎＰ基板、２はＩｎＧａＡｓＰ多重量子
井戸（ＭＱＷ）層、３はＩｎＧａＡｓＰ光導波層、４は
ｐ−ＩｎＰクラッド層、５はｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタ
クト層、６および１１はｐ型電極、および１２はｎ型電
極である。ここで活性領域２１内の光導波層上にはピッ
チ４０００Åの回折格子が形成されている。また活性領
域２１と光変調領域２２間はプロトン注入層１３により
電気的に分離されている。ＭＱＷ層２は活性領域２１に
おいては井戸層厚（Ｌｚ）が２００Å、障壁層厚２００
Åであるのに対し、光変調領域２２においては井戸層厚
（Ｌｚ）が１００Å障壁層厚１００Åと領域２１と２３
で膜厚が異なる。量子シフト量の差異によりＭＱＷ層の
バンドギャップ波長は領域２１で１．２９μｍであるの
に対し、領域２２においては１．２７μｍと各領域で異
なっている。このようなウエハー内で同一成長層の膜厚
を変化させることは領域間で幅の異なるメサストライプ
の形成された基板上に液相エピタキシャル成長を行なう
ことにより可能で、ストライプ幅によって制御性良く井
戸層厚を変化させることができる。この場合ＩｎＰ基板
１の光変調域２２にのみ光軸方向に沿って幅８μｍのメ
サストライプを形成して成長を行なった。
【００１５】ここで領域１の電極６−１２間に順方向直
流電流を印加すると波長１．３０μｍのレーザ発振が得
られる。光変調領域２２内のＭＱＷ光導波層２において
はこのレーザ光はほとんど吸収されず１ｃｍ-1以下の低
損失で導波できる。なぜならＭＱＷ構造においては吸収
端はバルク構造に比べ急峻であり、導波光がバンドギャ
ップ波長より３０ｎｍも長波側に位置すれば吸収による
損失はほとんどないからである。
流電流を印加すると波長１．３０μｍのレーザ発振が得
られる。光変調領域２２内のＭＱＷ光導波層２において
はこのレーザ光はほとんど吸収されず１ｃｍ-1以下の低
損失で導波できる。なぜならＭＱＷ構造においては吸収
端はバルク構造に比べ急峻であり、導波光がバンドギャ
ップ波長より３０ｎｍも長波側に位置すれば吸収による
損失はほとんどないからである。
【００１６】一方、光変調領域２２の電極１１−１２間
に逆バイアスを印加することにより、光変調を行なうこ
とができる。ＭＱＷ層においては量子閉じ込めシュタル
ク効果等により通常のバルクよりも大きい電解印加光吸
収効果を有し、光変調領域長を２００μｍとして１Ｖの
電圧印加で１００％変調を行なうことができる。また活
性層と光導波層が同一ＭＱＷ層２構成されているので結
合部でのレーザ光の散乱や軸ずれがなく９０％以上の高
い結合効率が得られるので、一体化による光出力の低下
はほとんどない。またこの素子においては活性領域と光
変調領域が分離されているので直接変調の場合に問題と
なる変調時の注入キャリヤ変化によるチャーピングやス
ペクトル幅の拡がりはほとんどなく、高速変調によって
高品質のレーザ光を得ることができる。さらに本構造は
基本的に一回のエピタキシャル成長という非常に簡単な
プロセスで作製でき高い歩留まりが期待できる。
に逆バイアスを印加することにより、光変調を行なうこ
とができる。ＭＱＷ層においては量子閉じ込めシュタル
ク効果等により通常のバルクよりも大きい電解印加光吸
収効果を有し、光変調領域長を２００μｍとして１Ｖの
電圧印加で１００％変調を行なうことができる。また活
性層と光導波層が同一ＭＱＷ層２構成されているので結
合部でのレーザ光の散乱や軸ずれがなく９０％以上の高
い結合効率が得られるので、一体化による光出力の低下
はほとんどない。またこの素子においては活性領域と光
変調領域が分離されているので直接変調の場合に問題と
なる変調時の注入キャリヤ変化によるチャーピングやス
ペクトル幅の拡がりはほとんどなく、高速変調によって
高品質のレーザ光を得ることができる。さらに本構造は
基本的に一回のエピタキシャル成長という非常に簡単な
プロセスで作製でき高い歩留まりが期待できる。
【００１７】次に本発明の第２の実施例としてのＤＢＲ
レーザについて述べる。図２はこの素子の光軸方向の基
本断面構成図である。この素子は活性域２１と帰還域２
３で構成される。層構造および電極構造は第１図におけ
るＤＦＢレーザと同一であるが、この素子においては回
折格子は帰還域２２の光導波層上に形成されている。ま
たこの場合もＭＱＷ層２は活性領域２１において井戸層
厚（Ｌｚ）が２００Å、障壁層厚２００Åであるのに対
し、光変調領域２２においては井戸層厚（Ｌｚ）が１０
０Å障壁層厚１００Åと領域２１と２３で膜厚が異な
り、光帰還域において低損失で光結合効率の光導波路が
得られる。
レーザについて述べる。図２はこの素子の光軸方向の基
本断面構成図である。この素子は活性域２１と帰還域２
３で構成される。層構造および電極構造は第１図におけ
るＤＦＢレーザと同一であるが、この素子においては回
折格子は帰還域２２の光導波層上に形成されている。ま
たこの場合もＭＱＷ層２は活性領域２１において井戸層
厚（Ｌｚ）が２００Å、障壁層厚２００Åであるのに対
し、光変調領域２２においては井戸層厚（Ｌｚ）が１０
０Å障壁層厚１００Åと領域２１と２３で膜厚が異な
り、光帰還域において低損失で光結合効率の光導波路が
得られる。
【００１８】ここで活性域２１の電極６−１２間に順方
向電流を印加することにより、光帰還域２３の回折格子
で決まる波長レーザ発振が得られる。光波の結合効率お
よび導波損失の改善により光の帰還量が増大し１５ｍＡ
以下のしきい値で発振が得られているまたこの素子にお
いては発振スペクトルは基本的に不活性な光帰還域によ
って決まるので活性域での直接変調によっても低チャー
ピング・狭スペクトル特性が得られている。さらにこの
ＤＢＲレーザの光帰還域２２の電極１１−１２間に電流
注入もしくは電界印加によって光導波路の屈折率を変化
させることにより、光出力の大きな変化なく最大３０ｎ
ｍの広範囲にわたって連続的に発振波長を変化させるこ
とができる。
向電流を印加することにより、光帰還域２３の回折格子
で決まる波長レーザ発振が得られる。光波の結合効率お
よび導波損失の改善により光の帰還量が増大し１５ｍＡ
以下のしきい値で発振が得られているまたこの素子にお
いては発振スペクトルは基本的に不活性な光帰還域によ
って決まるので活性域での直接変調によっても低チャー
ピング・狭スペクトル特性が得られている。さらにこの
ＤＢＲレーザの光帰還域２２の電極１１−１２間に電流
注入もしくは電界印加によって光導波路の屈折率を変化
させることにより、光出力の大きな変化なく最大３０ｎ
ｍの広範囲にわたって連続的に発振波長を変化させるこ
とができる。
【００１９】
【発明の効果】以上のように本発明は、第１の領域の活
性層と第２の領域の光導波層が同一成長層の多重量子井
戸層で構成し、かつ第１の領域における量子井戸層の井
戸層厚が第２の領域における井戸層厚よりも大きくする
構造により、非常に簡単な製造プロセスにより良好な発
振特性・変調特性を有する分布帰還型レーザを高歩留ま
りで提供できるものである。
性層と第２の領域の光導波層が同一成長層の多重量子井
戸層で構成し、かつ第１の領域における量子井戸層の井
戸層厚が第２の領域における井戸層厚よりも大きくする
構造により、非常に簡単な製造プロセスにより良好な発
振特性・変調特性を有する分布帰還型レーザを高歩留ま
りで提供できるものである。
【００２０】さらに本発明は、第１の領域の活性層と前
記第２の領域の光導波層が同一成長層の多重量子井戸層
で構成し、かつ第１の領域における前記量子井戸層の井
戸層厚が第２の領域における井戸層厚よりも大きくする
構造より、非常に簡単な構造プロセスで良好な発振特性
・変調特性を有する分布ブラック反射型レーザを歩留ま
りで提供できるものである。
記第２の領域の光導波層が同一成長層の多重量子井戸層
で構成し、かつ第１の領域における前記量子井戸層の井
戸層厚が第２の領域における井戸層厚よりも大きくする
構造より、非常に簡単な構造プロセスで良好な発振特性
・変調特性を有する分布ブラック反射型レーザを歩留ま
りで提供できるものである。
【００２１】このように本発明による半導体レーザは長
距離・大容量光通信およびコヒーレント光通信用光源と
してその実用価値は大きい。
距離・大容量光通信およびコヒーレント光通信用光源と
してその実用価値は大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例によるＤＦＢ−ＬＤの断
面基本構造図
面基本構造図
【図２】本発明の第２の実施例によるＤＢＲ−ＬＤの断
面基本構造図
面基本構造図
【図３】従来例における外部変調型ＤＦＢ−ＬＤの断面
基本構造図
基本構造図
【図４】従来例におけるＤＢＲ−ＬＤの断面基本構造図
１ ＩｎＰ基板 ２ ＭＱＷ層 ７ 回折格子 ２１ 活性領域 ２２ 光変調領域 ２３ 光帰還域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−168980（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−15875（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−321677（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−186693（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−263787（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−192379（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01S 3/18
Claims (4)
- 【請求項１】第１の導電型の同一半導体基板上に活性
層、回折格子、第２の導電型のエピタキシャル層、第２
の導電型の第１の電極を含む第１の領域と、前記第１の
領域から発した光に対する光導波層を含む第２の領域と
を有し、 前記基板上には、前記第１の領域と前記第２の領域で幅
の異なるストライプが形成され、前記第１の領域の活性
層と前記第２の領域の光導波層とが同一成長層の多重量
子井戸層で構成され、かつ第１の領域における前記量子
井戸層の井戸厚が第２の領域における井戸層厚より大き
い半導体レーザ装置。 - 【請求項２】第１の導電型の同一半導体基板上に活性層
と第２の導電型のエピタキシャル層と第２の導電型の第
１の電極を含む第１の領域と、前記第１の領域から発し
た光に対する光導波層と回折格子を含む第２の領域とを
有し、 前記基板上には、前記第１の領域と前記第２の領域で幅
の異なるストライプが形成され、前記第１の領域の活性
層と前記第２の領域の光導波層とが同一成長層の多重量
子井戸層で構成され、かつ第１の領域における前記量子
井戸層の井戸層厚が第２の領域における井戸層厚よりも
大きい半導体レーザ装置。 - 【請求項３】第２の領域において、第２の導電型の第２
の電極を有する請求項１または２に記載の半導体レーザ
装置。 - 【請求項４】第１，第２の領域の境界域に電気的分離機
能を有する第３の領域を有する請求項１または２に記載
の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20455596A JP2776381B2 (ja) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20455596A JP2776381B2 (ja) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | 半導体レーザ装置 |
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1996
- 1996-08-02 JP JP20455596A patent/JP2776381B2/ja not_active Expired - Fee Related
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