JPH0770791B2 - 半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents
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- JPH0770791B2 JPH0770791B2 JP4341745A JP34174592A JPH0770791B2 JP H0770791 B2 JPH0770791 B2 JP H0770791B2 JP 4341745 A JP4341745 A JP 4341745A JP 34174592 A JP34174592 A JP 34174592A JP H0770791 B2 JPH0770791 B2 JP H0770791B2
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- H01S5/34306—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000nm, e.g. InP based 1300 and 1500nm lasers
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光通信に用いられる分布
帰還型の半導体レーザ及びその製造方法に関する。
帰還型の半導体レーザ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】コヒーレント光伝送方式は、直接検波方
式に比べて受信感度が高くとれることから長距離の伝送
方式として注目されている。その中でも実現性の高いＦ
ＳＫ方式においては、半導体レーザを直接変調して、発
振周波数を変化させる。コヒーレント伝送用の光源とし
ては、高出力まで単一波長で安定に発振すること、周波
数変調（ＦＭ）の変調効率が高いこと、ＦＭ応答特性が
広い変調周波帯域に渡って平坦であること、発振スペク
トル線幅が狭いことなどが要求される。
式に比べて受信感度が高くとれることから長距離の伝送
方式として注目されている。その中でも実現性の高いＦ
ＳＫ方式においては、半導体レーザを直接変調して、発
振周波数を変化させる。コヒーレント伝送用の光源とし
ては、高出力まで単一波長で安定に発振すること、周波
数変調（ＦＭ）の変調効率が高いこと、ＦＭ応答特性が
広い変調周波帯域に渡って平坦であること、発振スペク
トル線幅が狭いことなどが要求される。
【０００３】コヒーレント伝送用の光源として分布帰還
型半導体レーザ（以下ＤＦＢ−ＬＤと略す）が主に用い
られ、上記の性能を得るため、従来以下のようなものが
報告されている。
型半導体レーザ（以下ＤＦＢ−ＬＤと略す）が主に用い
られ、上記の性能を得るため、従来以下のようなものが
報告されている。
【０００４】（１）安定な単一波長動作を得るために
は、共振器構造の中央付近に光の位相がπ変化するよう
な機構が必要であり、通常は素子中央で、回折格子の位
相をπだけずらした構造が用いられている（λ／４位相
シフトＤＦＢ−ＬＤ）。このλ／４位相シフトＤＦＢ−
ＬＤでは、発振スペクトル線幅１ＭＨｚ以下、光出力３
０ｍＷ以上、ＦＭ変調効率は約２００ＭＨｚ／ｍＡ等の
特性が得られている。
は、共振器構造の中央付近に光の位相がπ変化するよう
な機構が必要であり、通常は素子中央で、回折格子の位
相をπだけずらした構造が用いられている（λ／４位相
シフトＤＦＢ−ＬＤ）。このλ／４位相シフトＤＦＢ−
ＬＤでは、発振スペクトル線幅１ＭＨｚ以下、光出力３
０ｍＷ以上、ＦＭ変調効率は約２００ＭＨｚ／ｍＡ等の
特性が得られている。
【０００５】この例が、アイイーイーイー フォトニク
ス テクノロジー レターズ（ＩＥＥＥ Ｐｈｏｔｏｎ
ｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ）Ｖｏ
ｌ．３ Ｎｏ．４、３０５〜３０７頁（１９９１年）に
記載されている。
ス テクノロジー レターズ（ＩＥＥＥ Ｐｈｏｔｏｎ
ｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ）Ｖｏ
ｌ．３ Ｎｏ．４、３０５〜３０７頁（１９９１年）に
記載されている。
【０００６】（２）位相シフトＤＦＢ−ＬＤにおいて、
平坦なＦＭ変調特性や高出力時まで安定な単一波長動作
を得るには、共振方向の光の電界分布を平坦にすること
が重要である。そのため、素子中央の１００μｍ程度の
領域に渡って周囲よりも回折格子周期を大きく設定した
回折格子周期変調型位相シフトＤＦＢ−ＬＤ（以下ＣＰ
Ｍ−ＤＦＢ−ＬＤと略する）が開発された。このＣＰＭ
−ＤＦＢ−ＬＤでは、約１００ｋＨｚ以下の発振スペク
トル線幅、光出力約３０ｍＷが報告されている。（クレ
オ（ＣＬＥＯ：Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｌａｓｅ
ｒ ａｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｏｐｔｉｃｓ）ポテトデ
ッドラインペーパー、ＣＰＤＰ４０（１９９１年）参
照） （３）共振軸方向の光強度分布を制御するため、共振器
軸方向に電極を三つに分離した３電極ＤＦＢ−ＬＤが開
発された。これによって、発振スペクトル線幅約１ＭＨ
ｚ以下、光出力約２０ｍＷ、ＦＭ変調帯域１５ＧＨｚ以
下、ＦＭ変調効率約６００ＭＨｚ／ｍＡが報告されてい
る。この例はアイイーイーイー フォトニクス テクノ
ロジ レターズ（ＩＥＥＥ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｔｅ
ｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ）Ｖｏｌ．２、Ｎ
ｏ．３、１６５−１６６頁（１９９０）年に記載されて
いる。また、３電極ＣＰＭ−ＤＦＢ−ＬＤでは、発振ス
ペクトル線幅１００ｋＨｚ以下、波長可変幅約１ｎｍが
報告されている。（フォース・オプトエレクトロニクス
コンファレンス（Ｆｏｕｒｔｈ Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔ
ｒｏｎｉｃｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ＯＥＣ’９２、
テクニカルダイジェスト、５８−５９頁（１９９２年）
参照。） （４）ＦＭ変調効率を向上させる一つ方法として利得レ
バー効果があり、ＧａＡｓ系のＦＰ−ＬＤでは約２０
（ＧＨｚ／ｍＡ）という高いＦＭ変調効率が報告されて
いる。これはアプライド フィジクス レターズ（Ａｐ
ｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）５７巻
２０号 ２０６８−２０７０頁（１９９１年）に記載
されている。また活性層の組成が一様な半導体レーザに
おいて、電極を二つに分離し二つの領域への注入電流を
非対称にすると、発振波長での微分利得計数のキャリア
密度依存性によって、低い注入電流に設定した領域と高
い注入電流に設定した領域での微分利得計数はそれぞれ
高く、低くなる。従って、高い微分利得を有する低注入
領域で注入電流の変調を行なうと高注入領域でのキャリ
ア密度の変動が大きくなり、ＦＭ変調効率を高くするこ
とができる（利得レバー効果）。この様な利得レバー効
果を用いた２電極ＤＦＢ−ＬＤでは、ＦＭ変調効率は約
２ＧＨｚ／ｍＡ、数百ＭＨｚのＦＭ変調帯域が報告され
ている。これはアプライド フィジクス レターズ（Ａ
ｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）５５
巻 １８号 １８２６−１８２８頁（１９８９年）に記
載されている。
平坦なＦＭ変調特性や高出力時まで安定な単一波長動作
を得るには、共振方向の光の電界分布を平坦にすること
が重要である。そのため、素子中央の１００μｍ程度の
領域に渡って周囲よりも回折格子周期を大きく設定した
回折格子周期変調型位相シフトＤＦＢ−ＬＤ（以下ＣＰ
Ｍ−ＤＦＢ−ＬＤと略する）が開発された。このＣＰＭ
−ＤＦＢ−ＬＤでは、約１００ｋＨｚ以下の発振スペク
トル線幅、光出力約３０ｍＷが報告されている。（クレ
オ（ＣＬＥＯ：Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｌａｓｅ
ｒ ａｎｄ Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｏｐｔｉｃｓ）ポテトデ
ッドラインペーパー、ＣＰＤＰ４０（１９９１年）参
照） （３）共振軸方向の光強度分布を制御するため、共振器
軸方向に電極を三つに分離した３電極ＤＦＢ−ＬＤが開
発された。これによって、発振スペクトル線幅約１ＭＨ
ｚ以下、光出力約２０ｍＷ、ＦＭ変調帯域１５ＧＨｚ以
下、ＦＭ変調効率約６００ＭＨｚ／ｍＡが報告されてい
る。この例はアイイーイーイー フォトニクス テクノ
ロジ レターズ（ＩＥＥＥ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｔｅ
ｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ）Ｖｏｌ．２、Ｎ
ｏ．３、１６５−１６６頁（１９９０）年に記載されて
いる。また、３電極ＣＰＭ−ＤＦＢ−ＬＤでは、発振ス
ペクトル線幅１００ｋＨｚ以下、波長可変幅約１ｎｍが
報告されている。（フォース・オプトエレクトロニクス
コンファレンス（Ｆｏｕｒｔｈ Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔ
ｒｏｎｉｃｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ＯＥＣ’９２、
テクニカルダイジェスト、５８−５９頁（１９９２年）
参照。） （４）ＦＭ変調効率を向上させる一つ方法として利得レ
バー効果があり、ＧａＡｓ系のＦＰ−ＬＤでは約２０
（ＧＨｚ／ｍＡ）という高いＦＭ変調効率が報告されて
いる。これはアプライド フィジクス レターズ（Ａｐ
ｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）５７巻
２０号 ２０６８−２０７０頁（１９９１年）に記載
されている。また活性層の組成が一様な半導体レーザに
おいて、電極を二つに分離し二つの領域への注入電流を
非対称にすると、発振波長での微分利得計数のキャリア
密度依存性によって、低い注入電流に設定した領域と高
い注入電流に設定した領域での微分利得計数はそれぞれ
高く、低くなる。従って、高い微分利得を有する低注入
領域で注入電流の変調を行なうと高注入領域でのキャリ
ア密度の変動が大きくなり、ＦＭ変調効率を高くするこ
とができる（利得レバー効果）。この様な利得レバー効
果を用いた２電極ＤＦＢ−ＬＤでは、ＦＭ変調効率は約
２ＧＨｚ／ｍＡ、数百ＭＨｚのＦＭ変調帯域が報告され
ている。これはアプライド フィジクス レターズ（Ａ
ｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）５５
巻 １８号 １８２６−１８２８頁（１９８９年）に記
載されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来例にはそ
れぞれ以下のような問題がある。
れぞれ以下のような問題がある。
【０００８】（１）通常のλ／４位相シフトＤＦＢ−Ｌ
Ｄでは、共振器の中央付近に回折格子の位相をπすらし
た構造が必要となる。位相シフト回折格子は多層レジス
ト、マスク、電子ビームなどを用いて作製可能である
が、何れの方法でも位相シフト回折格子の作製は容易で
はないのが現状である。また、光の強度が位相シフト領
域付近に集中するため、光出力を増すと、そこでのキャ
リア密度が周囲に比べて減少し、安定な単一波長動作が
得られなくなったり、１ＧＨｚ付近の高変調周波領域か
らＦＭ変調効率が急激に低減したり、発振線幅が大きく
なったりする現象が観測された（軸方向ホールバーニン
グ効果）。この共振方向での光の強度分布を平坦にする
ことが重要である。
Ｄでは、共振器の中央付近に回折格子の位相をπすらし
た構造が必要となる。位相シフト回折格子は多層レジス
ト、マスク、電子ビームなどを用いて作製可能である
が、何れの方法でも位相シフト回折格子の作製は容易で
はないのが現状である。また、光の強度が位相シフト領
域付近に集中するため、光出力を増すと、そこでのキャ
リア密度が周囲に比べて減少し、安定な単一波長動作が
得られなくなったり、１ＧＨｚ付近の高変調周波領域か
らＦＭ変調効率が急激に低減したり、発振線幅が大きく
なったりする現象が観測された（軸方向ホールバーニン
グ効果）。この共振方向での光の強度分布を平坦にする
ことが重要である。
【０００９】（２）軸方向ホールバーニング効果を抑制
するため考えられたＣＰＭ−ＤＦＢ−ＬＤでは、Ａ（オ
ングストローム）オーダーのわずかな周期差の回折格子
を形成する必要がある。そのために、電子ビームリソグ
ラフィやルーリングエンジンと呼ばれる特殊な手法が必
要であり、生産性の点で問題がある。
するため考えられたＣＰＭ−ＤＦＢ−ＬＤでは、Ａ（オ
ングストローム）オーダーのわずかな周期差の回折格子
を形成する必要がある。そのために、電子ビームリソグ
ラフィやルーリングエンジンと呼ばれる特殊な手法が必
要であり、生産性の点で問題がある。
【００１０】（３）共振器方向に電極を３分割した３電
極の位相シフトＤＦＢレーザでは、各々電極のバイアス
条件によって発振特性が大きく変化するため、バイアス
条件が厳しい。さらに、今後１０Ｇｂ／ｓを越える高速
システムへの適用を考慮した場合、変調周波数と同程度
の周波数偏移を、高速ＩＣで十分駆動できる程度の電流
振幅で生じさせる必要があり、より高いＦＭ変調効率を
有し、かつ広帯域な応答特性が要求されている。
極の位相シフトＤＦＢレーザでは、各々電極のバイアス
条件によって発振特性が大きく変化するため、バイアス
条件が厳しい。さらに、今後１０Ｇｂ／ｓを越える高速
システムへの適用を考慮した場合、変調周波数と同程度
の周波数偏移を、高速ＩＣで十分駆動できる程度の電流
振幅で生じさせる必要があり、より高いＦＭ変調効率を
有し、かつ広帯域な応答特性が要求されている。
【００１１】（４）従来の利得レバー効果を用いた２電
極ＤＦＢ−ＬＤでは、活性層媒質が一様であるため、高
いＦＭ変調効率を得るためには二つの領域への注入電流
を非対称にする必要がある。この様な通常の利得レバー
効果を用いたレーザにおいては、低注入領域のキャリア
寿命時間が長く、また光強度が弱くなることからＦＭ変
調帯域が狭くなる問題がある。
極ＤＦＢ−ＬＤでは、活性層媒質が一様であるため、高
いＦＭ変調効率を得るためには二つの領域への注入電流
を非対称にする必要がある。この様な通常の利得レバー
効果を用いたレーザにおいては、低注入領域のキャリア
寿命時間が長く、また光強度が弱くなることからＦＭ変
調帯域が狭くなる問題がある。
【００１２】本発明の目的は上記の観点にたって、高出
力、狭発振スペクトル線幅、広い周波数範囲、かつ高い
ＦＭ変調効率を有する単一波長ＬＤを安定に実現するた
めの半導体レーザ構造及びその作製方法を提供すること
にある。
力、狭発振スペクトル線幅、広い周波数範囲、かつ高い
ＦＭ変調効率を有する単一波長ＬＤを安定に実現するた
めの半導体レーザ構造及びその作製方法を提供すること
にある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明が提供する半導体レーザ及びその作製方法は
以下の通りである。
めに本発明が提供する半導体レーザ及びその作製方法は
以下の通りである。
【００１４】（１）半導体基板上に少なくとも活性層、
回折格子の形成されたガイド層を有する分布帰還型半導
体レーザにおいて、光の共振方向にそって、前記活性層
のバンドギャップエネルギーの異なる領域が形成されて
いることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。
回折格子の形成されたガイド層を有する分布帰還型半導
体レーザにおいて、光の共振方向にそって、前記活性層
のバンドギャップエネルギーの異なる領域が形成されて
いることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。
【００１５】（２）第（１）項記載の分布帰還型半導体
レーザにおいて、活性層のバンドギャップエネルギーの
異なる領域に独立した電極が形成されていることを特徴
とする分布帰還型半導体レーザ。
レーザにおいて、活性層のバンドギャップエネルギーの
異なる領域に独立した電極が形成されていることを特徴
とする分布帰還型半導体レーザ。
【００１６】（３）第（１）項記載の分布帰還型半導体
レーザにおいて、活性層のバンドギャップエネルギーが
素子中央部分と、両端部分とで異なることを特徴とする
分布帰還型半導体レーザ。
レーザにおいて、活性層のバンドギャップエネルギーが
素子中央部分と、両端部分とで異なることを特徴とする
分布帰還型半導体レーザ。
【００１７】（４）第（１）項記載の分布帰還型半導体
レーザにおいて、活性層のバンドギャップエネルギー
が、素子の両端部分で異なることを特徴とする分布帰還
型半導体レーザ。
レーザにおいて、活性層のバンドギャップエネルギー
が、素子の両端部分で異なることを特徴とする分布帰還
型半導体レーザ。
【００１８】あるいは上記（１）、（２）、（３）また
は（４）のレーザであって、発振波長が、ハンドギャッ
プが異なる領域のそれぞれの利得波長の中間領域に設定
されていることを特徴とする半導体レーザである。
は（４）のレーザであって、発振波長が、ハンドギャッ
プが異なる領域のそれぞれの利得波長の中間領域に設定
されていることを特徴とする半導体レーザである。
【００１９】（５）回折格子が形成された半導体基板上
に異なる幅を持つストライプ状の絶縁膜を形成し、該ス
トライプ状絶縁膜の間の挟まれた領域に気相成長法によ
り選択的に活性層等の半導体導波路層を成長する工程を
含む半導体レーザの製造方法において、共振器方向で部
分的に前記絶縁膜の幅が異なることを特徴とする半導体
レーザの製造方法。
に異なる幅を持つストライプ状の絶縁膜を形成し、該ス
トライプ状絶縁膜の間の挟まれた領域に気相成長法によ
り選択的に活性層等の半導体導波路層を成長する工程を
含む半導体レーザの製造方法において、共振器方向で部
分的に前記絶縁膜の幅が異なることを特徴とする半導体
レーザの製造方法。
【００２０】（６）第（５）項記載の半導体レーザの製
造方法において、前記絶縁膜の幅の異なる領域に独立し
た電極を形成する工程を含むことを特徴とする半導体レ
ーザの製造方法。
造方法において、前記絶縁膜の幅の異なる領域に独立し
た電極を形成する工程を含むことを特徴とする半導体レ
ーザの製造方法。
【００２１】（７）第（５）項記載の半導体レーザの製
造方法において、前記絶縁膜の幅を素子中央で他の領域
よりも広く形成することを特徴とする半導体レーザの製
造方法。
造方法において、前記絶縁膜の幅を素子中央で他の領域
よりも広く形成することを特徴とする半導体レーザの製
造方法。
【００２２】（８）第（５）項記載の半導体レーザの製
造方法において、前記絶縁膜の幅を、共振器方向に一方
の側で広く形成することを特徴とする半導体レーザの製
造方法。
造方法において、前記絶縁膜の幅を、共振器方向に一方
の側で広く形成することを特徴とする半導体レーザの製
造方法。
【００２３】
【作用】我々はこれまで、半導体結晶成長技術におい
て、成長された結晶のバンドギャップエネルギや導波路
屈折率を部分的に変化させる技術を開発してきた。半導
体基板上にストライプ状の絶縁膜を形成し、そのストラ
イプ状絶縁膜の間の挟まれた領域にＭＯＶＰＥ法により
選択的に活性層などの半導体導波路層を成長する技術
（以下選択ＭＯＶＰＥ成長と略する）は、導波路層を挟
んでいる絶縁膜の幅によって成長された導波路層の組成
や層厚が変化することから光集積回路の作製方法として
有望視されている。これまでに、活性領域と受動領域で
構成されたＤＦＢレーザと変調器の集積光源等を作製し
てきた。
て、成長された結晶のバンドギャップエネルギや導波路
屈折率を部分的に変化させる技術を開発してきた。半導
体基板上にストライプ状の絶縁膜を形成し、そのストラ
イプ状絶縁膜の間の挟まれた領域にＭＯＶＰＥ法により
選択的に活性層などの半導体導波路層を成長する技術
（以下選択ＭＯＶＰＥ成長と略する）は、導波路層を挟
んでいる絶縁膜の幅によって成長された導波路層の組成
や層厚が変化することから光集積回路の作製方法として
有望視されている。これまでに、活性領域と受動領域で
構成されたＤＦＢレーザと変調器の集積光源等を作製し
てきた。
【００２４】選択ＭＯＶＰＥ成長法を用いたコヒーレン
トＭＱＷ−ＤＦＢレーザの研究を通じて以下の（１）、
（２）の新たな知見が得られた。
トＭＱＷ−ＤＦＢレーザの研究を通じて以下の（１）、
（２）の新たな知見が得られた。
【００２５】（１）図１を用いて本発明の第１の作用を
説明する。一定の周期の回折格子が形成された半導体基
板状にストライプ状の絶縁膜を形成し、該ストライプ状
絶縁膜の間の挟まれた領域に気相成長法により選択的に
活性層等の半導体導波路層を図１のように成長すると、
前記の絶縁膜幅が異なる領域においては成長層厚と組成
が変わり、二つの領域の間には伝搬定数差Δβ1 2 が生
じる。ここで、Δβ12 は領域Ｉの伝搬定数β1 と領域
ＩＩの伝搬定数β2 の差（Δβ1 2 ＝β1 −β2 ）であ
る。例えば、図１のように構成された半導体レーザでの
位相シフト量は近似的に、伝搬定数差Δβ1 2 と領域Ｉ
の長さＬ1 の積（φs h ＝Δβ1 2 ・Ｌ1 ）になる。
説明する。一定の周期の回折格子が形成された半導体基
板状にストライプ状の絶縁膜を形成し、該ストライプ状
絶縁膜の間の挟まれた領域に気相成長法により選択的に
活性層等の半導体導波路層を図１のように成長すると、
前記の絶縁膜幅が異なる領域においては成長層厚と組成
が変わり、二つの領域の間には伝搬定数差Δβ1 2 が生
じる。ここで、Δβ12 は領域Ｉの伝搬定数β1 と領域
ＩＩの伝搬定数β2 の差（Δβ1 2 ＝β1 −β2 ）であ
る。例えば、図１のように構成された半導体レーザでの
位相シフト量は近似的に、伝搬定数差Δβ1 2 と領域Ｉ
の長さＬ1 の積（φs h ＝Δβ1 2 ・Ｌ1 ）になる。
【００２６】この作製方法は素子中央の１００μｍ程度
の領域に渡って周囲よりも回折格子周期を大きく設定し
た回折格子周期変調型位相シフトＤＦＢ−ＬＤと動作原
理は同じであるが、従来のフォトリソグラフィと１回の
ＭＯＶＰＥ成長で簡単に作製可能な事から生産性に優れ
ている技術だと言える。また、位相シフト領域（ここで
は領域Ｉ）が約１００μｍ程度に分布されていることか
ら、位相シフト領域での光強度の集中が 緩和され、軸
方向ホールバーニング効果が改善される。その結果、平
坦なＦＭ応答特性や狭い発振スペクトル線幅などが期待
される。
の領域に渡って周囲よりも回折格子周期を大きく設定し
た回折格子周期変調型位相シフトＤＦＢ−ＬＤと動作原
理は同じであるが、従来のフォトリソグラフィと１回の
ＭＯＶＰＥ成長で簡単に作製可能な事から生産性に優れ
ている技術だと言える。また、位相シフト領域（ここで
は領域Ｉ）が約１００μｍ程度に分布されていることか
ら、位相シフト領域での光強度の集中が 緩和され、軸
方向ホールバーニング効果が改善される。その結果、平
坦なＦＭ応答特性や狭い発振スペクトル線幅などが期待
される。
【００２７】（２）ＦＭ変調効率を向上させる新たな方
法として利得レバー効果がある。活性層組成が一様な半
導体レーザでは、発振波長での注入キャリアに対する利
得系数が非線形になる。従来の利得レバー効果は、活性
層の組成が一様な半導体レーザにおいて、電極を二つに
分離し二つの領域への注入電流を非対称に設定すること
によって微分利得系数のキャリア密度依存性による二つ
の領域での微分利得差を利用したものである。しかし、
この様な通常のレーザにおいては、低注入領域のキャリ
ア寿命時間が長くなり、また光強度が弱くなることから
ＦＭ変調帯域が狭くなる問題がある。
法として利得レバー効果がある。活性層組成が一様な半
導体レーザでは、発振波長での注入キャリアに対する利
得系数が非線形になる。従来の利得レバー効果は、活性
層の組成が一様な半導体レーザにおいて、電極を二つに
分離し二つの領域への注入電流を非対称に設定すること
によって微分利得系数のキャリア密度依存性による二つ
の領域での微分利得差を利用したものである。しかし、
この様な通常のレーザにおいては、低注入領域のキャリ
ア寿命時間が長くなり、また光強度が弱くなることから
ＦＭ変調帯域が狭くなる問題がある。
【００２８】半導体レーザにおいて微分利得は注入キャ
リアの量と発振波長（利得帯域内での発振波長位置）に
よって変化する。図２を用いて本発明の第２の作用を説
明する。選択ＭＯＶＰＥ成長では、絶縁膜の幅が異なる
二つの領域では導波路組成と層厚が変化するため、図２
の（ａ）のように二つの領域で利得分布の波長依存性が
違うことになる。また、回折格子の周期を制御すること
により発振波長を二つの領域の中央付近に設定するのが
可能であり、その結果絶縁膜の幅が異なる二つの領域で
は図２の（ｂ）のように微分利得に差が生じる。
リアの量と発振波長（利得帯域内での発振波長位置）に
よって変化する。図２を用いて本発明の第２の作用を説
明する。選択ＭＯＶＰＥ成長では、絶縁膜の幅が異なる
二つの領域では導波路組成と層厚が変化するため、図２
の（ａ）のように二つの領域で利得分布の波長依存性が
違うことになる。また、回折格子の周期を制御すること
により発振波長を二つの領域の中央付近に設定するのが
可能であり、その結果絶縁膜の幅が異なる二つの領域で
は図２の（ｂ）のように微分利得に差が生じる。
【００２９】半導体レーザの発振モード対しては、全モ
ード利得Ｇは全損失と同じでなければならない。つま
り、半導体レーザで電流変調を行なうと全モード利得の
変動分ΔＧは零にならなければならない。いま、微分利
得が異なる領域を持つ半導体レーザにおいて、高い微分
利得を持つ領域Ｉで活性層でのキャリア密度ΔＮI で変
調を行なうと図２の（ｂ）のようにモード利得の変化分
ΔＧI の変化が起こる。その時、低い微分利得を持つ領
域ＩＩでは、領域Ｉでのモード利得の変化分ΔＧI を補
うように変化する（ΔＧI ＝−ΔＧI I ）。領域ＩＩで
は微分利得が低いため、ΔＧI I のモード利得の変化を
得るためには、大きな活性層でのキャリア密度の変化Δ
ＮI I が必要となる。活性層内部での大きなキャリア密
度の変化ΔＮI I は、大きな屈折率の変化を起こさせる
ため、発振する光の周波数が大きく変わることになる。
つまり、半導体レーザに微分利得が異なる二つの領域を
設け高い微分利得を持つ領域Ｉで変調を行なうと、高い
ＦＭ変調効率（単位＝Ｈｚ／ｍＡ）が得られる。
ード利得Ｇは全損失と同じでなければならない。つま
り、半導体レーザで電流変調を行なうと全モード利得の
変動分ΔＧは零にならなければならない。いま、微分利
得が異なる領域を持つ半導体レーザにおいて、高い微分
利得を持つ領域Ｉで活性層でのキャリア密度ΔＮI で変
調を行なうと図２の（ｂ）のようにモード利得の変化分
ΔＧI の変化が起こる。その時、低い微分利得を持つ領
域ＩＩでは、領域Ｉでのモード利得の変化分ΔＧI を補
うように変化する（ΔＧI ＝−ΔＧI I ）。領域ＩＩで
は微分利得が低いため、ΔＧI I のモード利得の変化を
得るためには、大きな活性層でのキャリア密度の変化Δ
ＮI I が必要となる。活性層内部での大きなキャリア密
度の変化ΔＮI I は、大きな屈折率の変化を起こさせる
ため、発振する光の周波数が大きく変わることになる。
つまり、半導体レーザに微分利得が異なる二つの領域を
設け高い微分利得を持つ領域Ｉで変調を行なうと、高い
ＦＭ変調効率（単位＝Ｈｚ／ｍＡ）が得られる。
【００３０】このような選択ＭＯＶＰＥ成長による利得
レバーでは利得分布の波長依存性を用いることによっ
て、二つの領域に同時にキャリア密度の高い状態に注入
しても微分利得差が生じ、高いＦＭ変調効率、広いＦＭ
変調帯域、同時に狭い発振線幅が期待される。さらに、
従来の利得レバー効果では電極を分離しなければならな
かったが、選択ＭＯＶＰＥ成長による利得レバー効果は
単一電極でも効果が期待できる。
レバーでは利得分布の波長依存性を用いることによっ
て、二つの領域に同時にキャリア密度の高い状態に注入
しても微分利得差が生じ、高いＦＭ変調効率、広いＦＭ
変調帯域、同時に狭い発振線幅が期待される。さらに、
従来の利得レバー効果では電極を分離しなければならな
かったが、選択ＭＯＶＰＥ成長による利得レバー効果は
単一電極でも効果が期待できる。
【００３１】以上のことから選択ＭＯＶＰＥ成長法を用
いたコヒーレントＭＱＷ−ＤＦＢ−ＬＤは作製工程が簡
単で、かつ高性能動作が実現できる。位相シフト領域で
の光強度の集中が緩和され、軸方向ホールバーニング効
果が低減される。その結果、平坦なＦＭ応答特性や狭い
発振スペクトル線幅などが期待される。また、選択成長
による新しい利得レバー効果によって高いＦＭ変調効率
と同時に広いＦＭ変調帯域が実現可能である。
いたコヒーレントＭＱＷ−ＤＦＢ−ＬＤは作製工程が簡
単で、かつ高性能動作が実現できる。位相シフト領域で
の光強度の集中が緩和され、軸方向ホールバーニング効
果が低減される。その結果、平坦なＦＭ応答特性や狭い
発振スペクトル線幅などが期待される。また、選択成長
による新しい利得レバー効果によって高いＦＭ変調効率
と同時に広いＦＭ変調帯域が実現可能である。
【００３２】
【実施例】以下実施例を示す図面を用いて本発明をより
詳細に説明する。まず請求項２、３、６、７の発明を適
用した例を図３を用いて説明する。
詳細に説明する。まず請求項２、３、６、７の発明を適
用した例を図３を用いて説明する。
【００３３】図３は本発明の第１の実施例であるＭＱＷ
−ＤＦＢ−ＬＤの作製工程を示すための平面図、及び素
子断面図である。このようなＤＦＢ−ＬＤを作製するに
はまず、発振波長が領域Ｉと領域ＩＩの利得ピークの間
になるように回折格子８（周期２４００オングストロー
ム（以下Ａとする））を（１００）面方位を有するｎ−
ＩｎＰ基板１の表面に形成する。ＣＶＤ法により厚さ約
２０００ＡのＳｉＯ2膜を形成し、図３（ａ）に示すよ
うに広い部分で幅１２μｍ、狭い部分で６μｍとなる平
行なストライプ状に間隔２μｍでパターニングし、Ｓｉ
Ｏ2 マスク２を形成する。ここでマスク２の長手方向は
回折格子の繰り返し方向と同じ方向とし、広い部分は長
さ約５０μｍ、繰り返し９００μｍとした。位相シフト
領域はマスクの幅の狭い部分の中央に位置するようにし
た。
−ＤＦＢ−ＬＤの作製工程を示すための平面図、及び素
子断面図である。このようなＤＦＢ−ＬＤを作製するに
はまず、発振波長が領域Ｉと領域ＩＩの利得ピークの間
になるように回折格子８（周期２４００オングストロー
ム（以下Ａとする））を（１００）面方位を有するｎ−
ＩｎＰ基板１の表面に形成する。ＣＶＤ法により厚さ約
２０００ＡのＳｉＯ2膜を形成し、図３（ａ）に示すよ
うに広い部分で幅１２μｍ、狭い部分で６μｍとなる平
行なストライプ状に間隔２μｍでパターニングし、Ｓｉ
Ｏ2 マスク２を形成する。ここでマスク２の長手方向は
回折格子の繰り返し方向と同じ方向とし、広い部分は長
さ約５０μｍ、繰り返し９００μｍとした。位相シフト
領域はマスクの幅の狭い部分の中央に位置するようにし
た。
【００３４】次に基板１上にＭＯＶＰＥ法により、マス
ク２によって挟まれた領域に、発光波長１．１５μｍ組
成のＧａＩｎＡｓＰガイド層３を厚さ１５００Ａ、ノン
ドープＩｎＰスペーサ層４を厚さ５００Ａ、両脇のガイ
ド層を含むＭＱＷ活性導波路層５、ｐ−ＩｎＰクラッド
層６を厚さ３０００Ａ成長する（図３（ｂ））。成長後
の回折格子深さは約２５０Ａ、結合係数としては約３０
ｃｍ- 1 とした。ＭＱＷ活性導波路層５は７０Ａ厚のＩ
ｎＧａＡｓウェル層を厚さ１００Ａのバリア層（１．１
５μｍ組成ＩｎＧａＡｓＰ）で挟み、さらにその両わき
を１５００Ａ層のガイド層（１．１５μｍ組成ＩｎＧａ
ＡｓＰ）で挟んだ構造とした。
ク２によって挟まれた領域に、発光波長１．１５μｍ組
成のＧａＩｎＡｓＰガイド層３を厚さ１５００Ａ、ノン
ドープＩｎＰスペーサ層４を厚さ５００Ａ、両脇のガイ
ド層を含むＭＱＷ活性導波路層５、ｐ−ＩｎＰクラッド
層６を厚さ３０００Ａ成長する（図３（ｂ））。成長後
の回折格子深さは約２５０Ａ、結合係数としては約３０
ｃｍ- 1 とした。ＭＱＷ活性導波路層５は７０Ａ厚のＩ
ｎＧａＡｓウェル層を厚さ１００Ａのバリア層（１．１
５μｍ組成ＩｎＧａＡｓＰ）で挟み、さらにその両わき
を１５００Ａ層のガイド層（１．１５μｍ組成ＩｎＧａ
ＡｓＰ）で挟んだ構造とした。
【００３５】さらにマスク２の一部をストライプ上にエ
ッチングし、ＭＱＷ活性導波路層を覆うように幅６μｍ
の領域にｐ−ＩｎＰクラッド層７を厚さ２μｍ、ｐ−Ｇ
ａＩｎＡｓコンタクト層９を厚さ０．５μｍ成長した
（図３（ｃ））。この時、素子中央の位相シフト領域と
両脇の領域との伝搬定数差による位相シフトはλ／４に
等価になるようになる。また、中央の位相シフト領域で
は軸方向の光強度分布が拡がり、軸方向ホールバーニン
グが制御された構造となっている。
ッチングし、ＭＱＷ活性導波路層を覆うように幅６μｍ
の領域にｐ−ＩｎＰクラッド層７を厚さ２μｍ、ｐ−Ｇ
ａＩｎＡｓコンタクト層９を厚さ０．５μｍ成長した
（図３（ｃ））。この時、素子中央の位相シフト領域と
両脇の領域との伝搬定数差による位相シフトはλ／４に
等価になるようになる。また、中央の位相シフト領域で
は軸方向の光強度分布が拡がり、軸方向ホールバーニン
グが制御された構造となっている。
【００３６】以上のように成長したレーザのウェハに全
面にＳｉＯ2 膜１１を形成し、各々の領域に独立に電流
制御できるようにコンタクト層９上に電極１２を形成
し、所望のＭＱＷ−ＤＦＢ−ＬＤを得る。中央部分が位
相シフト領域である。（図１の領域Ｉに対応）図４にこ
の様に作製されたＭＱＷ−ＤＦＢ−ＬＤの立体図を示し
た。この図ではそれぞれの領域に独立な電極１２、１
３、１４を設けた例を示した。このような素子において
は、光出力３０ｍＷと高出力動作条件下で１ＭＨｚ以下
のスペクトル線幅を得た。また微分利得の高い中央領域
の電流を変調してＦＭ応答を測定したところ１ＧＨｚ／
ｍＡの高いＦＭ変調効率、変調帯域５ＧＨｚと優れた特
性が実現できた。
面にＳｉＯ2 膜１１を形成し、各々の領域に独立に電流
制御できるようにコンタクト層９上に電極１２を形成
し、所望のＭＱＷ−ＤＦＢ−ＬＤを得る。中央部分が位
相シフト領域である。（図１の領域Ｉに対応）図４にこ
の様に作製されたＭＱＷ−ＤＦＢ−ＬＤの立体図を示し
た。この図ではそれぞれの領域に独立な電極１２、１
３、１４を設けた例を示した。このような素子において
は、光出力３０ｍＷと高出力動作条件下で１ＭＨｚ以下
のスペクトル線幅を得た。また微分利得の高い中央領域
の電流を変調してＦＭ応答を測定したところ１ＧＨｚ／
ｍＡの高いＦＭ変調効率、変調帯域５ＧＨｚと優れた特
性が実現できた。
【００３７】実施例１では素子中央の位相シフト領域と
両脇の領域との伝搬定数差による位相シフト量はλ／４
としたが、その位相シフト量を３λ／８に大きく設定し
た素子を試作したところ約１．５ＭＨｚ／ｍＡ程度の大
きなＦＭ変調効率が得られることが分かった。位相シフ
ト量としては０．２５λ〜０．４０λ程度とすると１〜
２ＧＨｚ／ｍＡの高いＦＭ変調効率が得られた。これよ
り位相シフト量が大きいとＦＭ変調効率は大きくなる
が、多モード発振しやすくなる。
両脇の領域との伝搬定数差による位相シフト量はλ／４
としたが、その位相シフト量を３λ／８に大きく設定し
た素子を試作したところ約１．５ＭＨｚ／ｍＡ程度の大
きなＦＭ変調効率が得られることが分かった。位相シフ
ト量としては０．２５λ〜０．４０λ程度とすると１〜
２ＧＨｚ／ｍＡの高いＦＭ変調効率が得られた。これよ
り位相シフト量が大きいとＦＭ変調効率は大きくなる
が、多モード発振しやすくなる。
【００３８】図５に第２の実施例２を示した。これは、
請求項２、４、６、８の発明を適用した例である。共振
器方向に２つの異なるバンドギャップエネルギーの活性
層が形成されている。作製工程は第１の実施例と同様で
ある。この例では利得分布の波長依存性による利得レバ
ー効果が直接現れる。二つの領域共に高キャリア密度で
バイアスし、微分利得が高い（絶縁マスク幅が広い）領
域でＦＭ変調を行なうことにより、高いＦＭ変調効率が
期待される。第１の実施例とほぼ同等の特性を得た。
請求項２、４、６、８の発明を適用した例である。共振
器方向に２つの異なるバンドギャップエネルギーの活性
層が形成されている。作製工程は第１の実施例と同様で
ある。この例では利得分布の波長依存性による利得レバ
ー効果が直接現れる。二つの領域共に高キャリア密度で
バイアスし、微分利得が高い（絶縁マスク幅が広い）領
域でＦＭ変調を行なうことにより、高いＦＭ変調効率が
期待される。第１の実施例とほぼ同等の特性を得た。
【００３９】図６に第３の実施例の斜視図の示した。こ
れは請求項４、８の発明を適用した例である。図６は図
５と同じ構造であるが素子全体の電極を共通とした。異
なる成長層において電極が一つになっているのが違う。
利得レバーの本質は光導波路で微分利得が異なる二つの
領域を設けることであり、各領域の電極を分離すること
ではない。従来の利得レバーでは、活性層として同一組
成を用いたため、共振器方向に電極を分離し、異なる電
流バイアスのレベルを設定しなければならなかった。し
かし、本発明の様な利得分布の波長依存性を利用したレ
ザーでは電極を一つにしても利得レバー効果が期待でき
る。第３の実施例においても同様な優れた特性を実現し
た。
れは請求項４、８の発明を適用した例である。図６は図
５と同じ構造であるが素子全体の電極を共通とした。異
なる成長層において電極が一つになっているのが違う。
利得レバーの本質は光導波路で微分利得が異なる二つの
領域を設けることであり、各領域の電極を分離すること
ではない。従来の利得レバーでは、活性層として同一組
成を用いたため、共振器方向に電極を分離し、異なる電
流バイアスのレベルを設定しなければならなかった。し
かし、本発明の様な利得分布の波長依存性を利用したレ
ザーでは電極を一つにしても利得レバー効果が期待でき
る。第３の実施例においても同様な優れた特性を実現し
た。
【００４０】変形例として、第１の実施例のレーザにお
いて、各領域の電極を一つにした構造、第１の実施例の
レーザにおいて、位相シフト領域（図１の領域Ｉ）でＳ
ｉＯ2 幅を狭くした構造、さらにそのレーザにおいて、
電極を一つにした構造、等が考えられる。
いて、各領域の電極を一つにした構造、第１の実施例の
レーザにおいて、位相シフト領域（図１の領域Ｉ）でＳ
ｉＯ2 幅を狭くした構造、さらにそのレーザにおいて、
電極を一つにした構造、等が考えられる。
【００４１】実施例の１のＭＱＷ−ＤＦＢ−ＬＤの作製
において、幅が１０μｍと５μｍで異なるＳｉＯ2 マス
ク２を用いた時、形成されたＭＱＷ波長の差は約５０ｎ
ｍであった。また、その時の二つ領域での微分利得には
約４倍程度の差が推定され、大きな利得レバー効果が予
想された。これらの結果に基づいて、実施例１の構造で
は二つの領域での伝搬定数差は約２００ｃｍ- 1 であ
り、λ／４位相シフトの効果を出すためには領域Ｉの長
さは約５０μｍ程度が適当であることが推定された。位
相領域が長さ約５０μｍに渡って分布されていることに
よる共振器内部光強度の平坦性は計算上約５０％改善さ
れることが明らかになった。
において、幅が１０μｍと５μｍで異なるＳｉＯ2 マス
ク２を用いた時、形成されたＭＱＷ波長の差は約５０ｎ
ｍであった。また、その時の二つ領域での微分利得には
約４倍程度の差が推定され、大きな利得レバー効果が予
想された。これらの結果に基づいて、実施例１の構造で
は二つの領域での伝搬定数差は約２００ｃｍ- 1 であ
り、λ／４位相シフトの効果を出すためには領域Ｉの長
さは約５０μｍ程度が適当であることが推定された。位
相領域が長さ約５０μｍに渡って分布されていることに
よる共振器内部光強度の平坦性は計算上約５０％改善さ
れることが明らかになった。
【００４２】なお本発明の実施例においてはＩｎＰを基
板とした発光波長１．２−１．６μｍ帯の素子を示した
が、もちろん用いる材料系はこれに限るものではなく、
ＧａＩｎＡｓ系など、他の材料系を用いて何等差し支え
ない。
板とした発光波長１．２−１．６μｍ帯の素子を示した
が、もちろん用いる材料系はこれに限るものではなく、
ＧａＩｎＡｓ系など、他の材料系を用いて何等差し支え
ない。
【００４３】
【発明の効果】以上述べたように本発明のＭＱＷ−ＤＦ
Ｂ−ＬＤおよびその製造法においては、単一波長動作に
必要な位相シフト領域を一回の選択成長で作製可能であ
り、軸方向ホールバーニングを抑制することができる。
それによって、平坦な周波数応答特性を有するＦＭ変調
特性と狭線幅動作を同時に実現でいる。
Ｂ−ＬＤおよびその製造法においては、単一波長動作に
必要な位相シフト領域を一回の選択成長で作製可能であ
り、軸方向ホールバーニングを抑制することができる。
それによって、平坦な周波数応答特性を有するＦＭ変調
特性と狭線幅動作を同時に実現でいる。
【００４４】また、新たな利得レバー効果が期待され、
高いＦＭ変調効率が達成できる。このような単一波長Ｌ
ＤはＧｂ／ｓコヒーレント伝送方式に適用する上で有用
である。
高いＦＭ変調効率が達成できる。このような単一波長Ｌ
ＤはＧｂ／ｓコヒーレント伝送方式に適用する上で有用
である。
【図１】本発明の新しい位相シフト方法の原理を示す斜
視図。
視図。
【図２】本発明による新しい利得レバー効果を説明する
ための概念図。（ａ）は領域Ｉと領域ＩＩでの光利得の
波長依存性を示す図で、（ｂ）は領域Ｉと領域ＩＩにお
いて、発振波長での注入キャリア密度に対する光利得の
変動を示す図である。
ための概念図。（ａ）は領域Ｉと領域ＩＩでの光利得の
波長依存性を示す図で、（ｂ）は領域Ｉと領域ＩＩにお
いて、発振波長での注入キャリア密度に対する光利得の
変動を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施例でるあるＭＱＷ−ＤＦＢ
−ＬＤの作製工程を示すための平面図（ａ）、及び断面
図（ｂ）、（ｃ）である。
−ＬＤの作製工程を示すための平面図（ａ）、及び断面
図（ｂ）、（ｃ）である。
【図４】本発明の第１の実施例の斜視図。
【図５】本発明の第２の実施例の２電極ＭＱＷ−ＤＦＢ
−ＬＤの構造図。
−ＬＤの構造図。
【図６】本発明の第３の実施例の１電極ＭＱＷ−ＤＦＢ
−ＬＤの構造図。
−ＬＤの構造図。
１ 基板（ｎ−ＩｎＰ） ２ 絶縁膜マスク ３ ガイド層（ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ） ４ スペーサ層（ｎ−ＩｎＰ） ５ ＭＱＷ活性層 ６ ｐ−ＩｎＰ層 ７ クラッド層（ｐ−ＩｎＰ） ８ 回折格子 ９ コンタクト層（ｐ−ＩｎＧａＡｓ） １１ 絶縁膜 １０，１２，１３，１４ 電極
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体基板上に少なくとも活性層、回折
格子の形成されたガイド層を有する分布帰還型半導体レ
ーザにおいて、光の共振方向にそって、前記活性層のバ
ンドギャップエネルギーの異なる領域が形成されている
ことを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。 - 【請求項２】 活性層のバンドギャップエネルギーの異
なる領域に独立した電極が形成されていることを特徴と
する請求項１記載の分布帰還型半導体レーザ。 - 【請求項３】 活性層のバンドギャップエネルギーが素
子中央部と、両端部分とで異なることを特徴とする請求
項１記載の分布帰還型半導体レーザ。 - 【請求項４】 活性層のバンドギャップエネルギーが、
素子の両端部分で異なることを特徴とする請求項１記載
の分布帰還型半導体レーザ。 - 【請求項５】 回折格子が形成された半導体基板上に異
なる幅を持つストライプ状の絶縁膜を形成し、該ストラ
イプ状絶縁膜の間の挟まれた領域に気相成長法により選
択的に活性層等の半導体導波路層を成長する工程を含む
半導体レーザの製造方法において、共振器方向で部分的
に前記絶縁膜の幅が異なることを特徴とする半導体レー
ザの製造方法。 - 【請求項６】 絶縁膜の幅の異なる領域に独立した電極
を形成する工程を含むことを特徴とする請求項５記載の
半導体レーザの製造方法。 - 【請求項７】 絶縁膜の幅を、素子中央で他の領域より
も広く形成することを特徴とする請求項５記載の半導体
レーザの製造方法。 - 【請求項８】 絶縁膜の幅を、共振器方向に一方の側で
広く形成することを特徴とする請求項５記載の半導体レ
ーザの製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP4341745A JPH0770791B2 (ja) | 1992-12-22 | 1992-12-22 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| US08/171,415 US5450437A (en) | 1992-12-22 | 1993-12-22 | Multiple quantum well distributed feedback semiconductor laser device and method for fabricating the same |
| US08/400,568 US5614436A (en) | 1992-12-22 | 1995-03-08 | Multiple quantum well distributed feedback semiconductor laser device and method for fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP4341745A JPH0770791B2 (ja) | 1992-12-22 | 1992-12-22 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
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|---|---|
| JPH06204610A JPH06204610A (ja) | 1994-07-22 |
| JPH0770791B2 true JPH0770791B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=18348442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4341745A Expired - Lifetime JPH0770791B2 (ja) | 1992-12-22 | 1992-12-22 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
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1993
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-
1995
- 1995-03-08 US US08/400,568 patent/US5614436A/en not_active Expired - Fee Related
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