JPH04105386A - 波長可変半導体レーザ - Google Patents
波長可変半導体レーザInfo
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- JPH04105386A JPH04105386A JP22293290A JP22293290A JPH04105386A JP H04105386 A JPH04105386 A JP H04105386A JP 22293290 A JP22293290 A JP 22293290A JP 22293290 A JP22293290 A JP 22293290A JP H04105386 A JPH04105386 A JP H04105386A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
- H01S5/06255—Controlling the frequency of the radiation
- H01S5/06258—Controlling the frequency of the radiation with DFB-structure
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光通信などの光源として用いられる波長可変
半導体レーザに関する。
半導体レーザに関する。
光フアイバ通信技術としては、直接変調、直接検波方式
がすでに実用化されているが、さらに高感度化が期待で
きるコヒーレント光通信か将来の実用化を目積してさか
んに研究されている。コヒーレント光通信は光の周波数
や位相に情報を乗せて伝送する技術であり、送信側の光
源としては発振スペクトル線幅が狭＜ＦＭ変調の周波数
特性が平坦なものが要求される。伝送容量の大幅な拡大
をもたらす周波数多重コヒーレント光通信を考えた場合
、多くの素子から波長の異なった光源の選別を行うこと
も可能であるか、発振周波数を数ＧＨｚの周波数間隔に
そろえるには可変波長し一ザか不可欠である。このよう
な用途にはＦＭ変調特性が平坦でかつ、この状態を維持
したままての波長可変動作が要求される。もちろんその
場合には局発光源としてビートを取ることのできる波長
範囲の広い波長可変半導体レーザが必要となる。
がすでに実用化されているが、さらに高感度化が期待で
きるコヒーレント光通信か将来の実用化を目積してさか
んに研究されている。コヒーレント光通信は光の周波数
や位相に情報を乗せて伝送する技術であり、送信側の光
源としては発振スペクトル線幅が狭＜ＦＭ変調の周波数
特性が平坦なものが要求される。伝送容量の大幅な拡大
をもたらす周波数多重コヒーレント光通信を考えた場合
、多くの素子から波長の異なった光源の選別を行うこと
も可能であるか、発振周波数を数ＧＨｚの周波数間隔に
そろえるには可変波長し一ザか不可欠である。このよう
な用途にはＦＭ変調特性が平坦でかつ、この状態を維持
したままての波長可変動作が要求される。もちろんその
場合には局発光源としてビートを取ることのできる波長
範囲の広い波長可変半導体レーザが必要となる。
素子の互換性を考慮すると送信用局発光源として同じ構
造であるのか望ましい。すなわちＦＭ変調特性が平坦で
かつ、広範囲な波長可変動作が可能なレーザか望まれる
。
造であるのか望ましい。すなわちＦＭ変調特性が平坦で
かつ、広範囲な波長可変動作が可能なレーザか望まれる
。
このような平坦なＦＭ変調の周波数特性を得る方法とし
て、３電極ＤＦＢ−ＬＤかエレクトロニクス・レター（
Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）誌、第２
３巻、第１６号、８２６ページから８２８ページにナカ
ノ（Ｙ、Ｎａｋａｎ。
て、３電極ＤＦＢ−ＬＤかエレクトロニクス・レター（
Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）誌、第２
３巻、第１６号、８２６ページから８２８ページにナカ
ノ（Ｙ、Ｎａｋａｎ。
他）により報告されている。これはλ／４位相シフトＤ
ＦＢ構造の共振器方向に電極を３つに分割し、両側の電
極はバイアスしておき、中央の電極のみに変調電流を流
すことによって平坦なＦＭ変調特性を得るものである。
ＦＢ構造の共振器方向に電極を３つに分割し、両側の電
極はバイアスしておき、中央の電極のみに変調電流を流
すことによって平坦なＦＭ変調特性を得るものである。
この方法と用いるとキャリアの注入による生しる波長変
化を発熱により生じる波長変化を注入電流の増加に対し
て同し方向にする事かできることから、ＦＭ変調の周波
数特性を平坦にすることかてきる。これは３電極ＤＦＢ
−ＬＤでは中央の電極に変調電流を流すことにより位相
シフト部付近に電界か集中することにより生じる空間的
ホールバーニンクを抑制し、それによってキャリア密度
の平均値が低減することから発振波長が長波長側にシフ
トしレッドシフ）ＦＭ変調となるためである。
化を発熱により生じる波長変化を注入電流の増加に対し
て同し方向にする事かできることから、ＦＭ変調の周波
数特性を平坦にすることかてきる。これは３電極ＤＦＢ
−ＬＤでは中央の電極に変調電流を流すことにより位相
シフト部付近に電界か集中することにより生じる空間的
ホールバーニンクを抑制し、それによってキャリア密度
の平均値が低減することから発振波長が長波長側にシフ
トしレッドシフ）ＦＭ変調となるためである。
一方、広い波長範囲において任意の波長を設定できる波
長可変レーザとしてはＥＣ０Ｃ’ ８９予稿、第３巻、
８２６ページにＭ、Ｃ，Ａｍａｎｎ他によって報告され
ているチューナプル・ツインガイド構造の可変波長レー
ザかある。第３区にこれの断面構造を示す。ＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層４を流れる電流はｎ電極１１から順にｐ−Ｉ
ｎＰ基板１、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層１２、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ活性層４、ｎ−ＩｎＰ層３、ｎ電極１０とい
う経路をたどって流れる。一方、チューニング電流はｐ
電極８からｐ−ＩｎＰ層６、ｐＩｎＰ層５、ＩｎＧａＡ
ｓＰチューニング層２、ｎ−ＩｎＰ層３、ｎ電極１０と
いう経路をたどって流れる。チューニング電流を変化さ
せることによって６０八程度の波長チューニングを行っ
ている。
長可変レーザとしてはＥＣ０Ｃ’ ８９予稿、第３巻、
８２６ページにＭ、Ｃ，Ａｍａｎｎ他によって報告され
ているチューナプル・ツインガイド構造の可変波長レー
ザかある。第３区にこれの断面構造を示す。ＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層４を流れる電流はｎ電極１１から順にｐ−Ｉ
ｎＰ基板１、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層１２、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ活性層４、ｎ−ＩｎＰ層３、ｎ電極１０とい
う経路をたどって流れる。一方、チューニング電流はｐ
電極８からｐ−ＩｎＰ層６、ｐＩｎＰ層５、ＩｎＧａＡ
ｓＰチューニング層２、ｎ−ＩｎＰ層３、ｎ電極１０と
いう経路をたどって流れる。チューニング電流を変化さ
せることによって６０八程度の波長チューニングを行っ
ている。
３電極ＤＦＢ−ＬＤは各電極の注入電流を調整すること
により、平坦なＦＭ変調特性が得られる反面、平坦なＦ
Ｍ変調特性を維持しての波長可変動作は困難である。ま
た、第３図に示したツイン・ガイド構造では可変波長範
囲が広くなる反面、平坦なＦＭ変調特性実現は不可能で
ある。すなわち、上述した二つの構造ではコヒーレント
光通信の光源に要求される平坦なＦＭ変調特性の状態で
広範囲の可変波長動作を得ることはできない。
により、平坦なＦＭ変調特性が得られる反面、平坦なＦ
Ｍ変調特性を維持しての波長可変動作は困難である。ま
た、第３図に示したツイン・ガイド構造では可変波長範
囲が広くなる反面、平坦なＦＭ変調特性実現は不可能で
ある。すなわち、上述した二つの構造ではコヒーレント
光通信の光源に要求される平坦なＦＭ変調特性の状態で
広範囲の可変波長動作を得ることはできない。
本発明の目的は平坦なＦＭ変調特性を維持したままで、
広範囲な波長可変動作が可能なレーザの実現にある。
広範囲な波長可変動作が可能なレーザの実現にある。
本発明は２つあり、その第１は、チューニング層、第２
導電型半導体層、活性層、および第１導電型半導体層を
順次積層した多層構造がメサ状に形成され、少なくとも
前記第２導電型半導体層に接触した部分に第２導電型半
導体コンタクト層が形成され、前記第１導電型半導体層
上の電極がストライプ長手方向に複数に分割され、チュ
ーニング層または活性層に隣接して回折格子が形成され
ているのを特徴とする波長可変半導体レーザである。
導電型半導体層、活性層、および第１導電型半導体層を
順次積層した多層構造がメサ状に形成され、少なくとも
前記第２導電型半導体層に接触した部分に第２導電型半
導体コンタクト層が形成され、前記第１導電型半導体層
上の電極がストライプ長手方向に複数に分割され、チュ
ーニング層または活性層に隣接して回折格子が形成され
ているのを特徴とする波長可変半導体レーザである。
第２は、活性層、第２導電型半導体層、チューニング層
、および第１導電型半導体層を順次積層した多層構造が
メサ状に形成され、少なくとも前記第２導電型半導体層
に接触した部分に第２導電型半導体コンタクト層が形成
され、前記第１導電型半導体層上の電極がストライプ長
手方向に複数に分割され、チューニング層または活性層
に隣接して回折格子が形成されているのを特徴とする波
長可変半導体レーザである。
、および第１導電型半導体層を順次積層した多層構造が
メサ状に形成され、少なくとも前記第２導電型半導体層
に接触した部分に第２導電型半導体コンタクト層が形成
され、前記第１導電型半導体層上の電極がストライプ長
手方向に複数に分割され、チューニング層または活性層
に隣接して回折格子が形成されているのを特徴とする波
長可変半導体レーザである。
（′作用〕
第１図に本発明の波長可変半導体レーザ構造３表す断面
図を示す。第３図と異なるのは、波長チューニングに用
いる電極、すなわちストライプ上部に接触している電極
か分割されている点である。通常の３電極ＤＦＢ−ＬＤ
ては各電極の電流比を調整することにより平坦なＦＭ変
調特性を得るか、この状態を維持したまま波長チューニ
ングするのは困難である。一方、第１図に示した本発明
の可変波長レーザは３電極ＤＦＢ−ＬＤ槽構造チューナ
プルツイン・ガイド構造の両方を備えた構造であるため
、活性層に供給される電流の経路とチューニング層に供
給される電流の経路が異なっており、双方独立に制御可
能となる。従って、平坦なＦＭ変調特性となるようｐ電
極８の電流比を調整した上でのｐ電極１１による波長可
変動作が可能となる。
図を示す。第３図と異なるのは、波長チューニングに用
いる電極、すなわちストライプ上部に接触している電極
か分割されている点である。通常の３電極ＤＦＢ−ＬＤ
ては各電極の電流比を調整することにより平坦なＦＭ変
調特性を得るか、この状態を維持したまま波長チューニ
ングするのは困難である。一方、第１図に示した本発明
の可変波長レーザは３電極ＤＦＢ−ＬＤ槽構造チューナ
プルツイン・ガイド構造の両方を備えた構造であるため
、活性層に供給される電流の経路とチューニング層に供
給される電流の経路が異なっており、双方独立に制御可
能となる。従って、平坦なＦＭ変調特性となるようｐ電
極８の電流比を調整した上でのｐ電極１１による波長可
変動作が可能となる。
第２図にストライプ部分の積層構造が第１区と異り、チ
ューニング層の下方に活性層を設けた構造の例を示す。
ューニング層の下方に活性層を設けた構造の例を示す。
ストライプ上部に接触する電極８及びストライプの脇に
あるコンタクト層に接触する電極１０の構造は第１図と
同しである。二の構造てはＩｎＧａＡｓＰチューニング
層２に流す電流を調整することにより共振器方向の屈折
率分布を調整できる。それによって電界分布を平坦化し
てキャリア密度の平均値を低減できるので、第１図と同
様に全周波数でレッドシフトとなる平坦なＦＭ変調特性
を実現することができる。
あるコンタクト層に接触する電極１０の構造は第１図と
同しである。二の構造てはＩｎＧａＡｓＰチューニング
層２に流す電流を調整することにより共振器方向の屈折
率分布を調整できる。それによって電界分布を平坦化し
てキャリア密度の平均値を低減できるので、第１図と同
様に全周波数でレッドシフトとなる平坦なＦＭ変調特性
を実現することができる。
チューニング層の上方に活性層を形成した積層構造の例
を第１図に示す。
を第１図に示す。
結晶成長はすべてＭＯＶＰＥ （有機金属気相成長法）
を用いる。まず、（１００）ｐ型ＩｎＰ基板１（キャリ
ア濃度ｐ ” Ｉ Ｘ １０１８ｃｍ−’）表面に周期
２４０ＯＡの回折格子を形成する。Ｉ ｎＧａＡｓＰチ
ューニング層２（波長１．３μｍ組成、層厚０．１μｍ
）、ｎ−ＩｎＰ半導体層３（層厚０．３μｍ、キャリア
濃度ｎ ＝ Ｉ Ｘ １０ ”ｃｍ−３）、ＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層４（波長１．５５μｍ５μｍ組成０．１μｍ
）、ｐ−ＩｎＰクラッド層５く層厚１μｍ、キャリア濃
度５ｘ １０１７ｃｍ−３）を順次成長する。次に、＜
：０１１＞方向に形成したＳｉＣ２膜をマスクとして用
いて、ｐ−ｒｎＰ基板１に達するまでメサエッチングす
る。メサ形状は幅２μｍ、高さ３．５μｍになるように
する。
を用いる。まず、（１００）ｐ型ＩｎＰ基板１（キャリ
ア濃度ｐ ” Ｉ Ｘ １０１８ｃｍ−’）表面に周期
２４０ＯＡの回折格子を形成する。Ｉ ｎＧａＡｓＰチ
ューニング層２（波長１．３μｍ組成、層厚０．１μｍ
）、ｎ−ＩｎＰ半導体層３（層厚０．３μｍ、キャリア
濃度ｎ ＝ Ｉ Ｘ １０ ”ｃｍ−３）、ＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層４（波長１．５５μｍ５μｍ組成０．１μｍ
）、ｐ−ＩｎＰクラッド層５く層厚１μｍ、キャリア濃
度５ｘ １０１７ｃｍ−３）を順次成長する。次に、＜
：０１１＞方向に形成したＳｉＣ２膜をマスクとして用
いて、ｐ−ｒｎＰ基板１に達するまでメサエッチングす
る。メサ形状は幅２μｍ、高さ３．５μｍになるように
する。
また、メサ側面は表面に垂直な（０１１）面が形成され
るよう、塩酸系および硫酸系のエツチング溶液を併用す
る。続いて、メサストライプを両側にｎ〜ＩｎＰ層３（
層厚３．５μｍ、キャリア濃度ｎ ＝ Ｉ Ｘ １０１
８ｃｍ−３）を成長する。さらに、マスクとして用いた
ＳｉＣ２膜をフッ酸で除去する。次に再度ＳｉＣ２膜７
を堆積した後、パターニングを行ない、電極を蒸着する
。ホトレジスト工程を経て電極のエツチングを行ない、
図示の如くｐ電極８、ｎ電極１０を形成し、ｐ型ＩｎＰ
基板１を研磨した後、ｐ電極１１を基板裏面に形成する
。
るよう、塩酸系および硫酸系のエツチング溶液を併用す
る。続いて、メサストライプを両側にｎ〜ＩｎＰ層３（
層厚３．５μｍ、キャリア濃度ｎ ＝ Ｉ Ｘ １０１
８ｃｍ−３）を成長する。さらに、マスクとして用いた
ＳｉＣ２膜をフッ酸で除去する。次に再度ＳｉＣ２膜７
を堆積した後、パターニングを行ない、電極を蒸着する
。ホトレジスト工程を経て電極のエツチングを行ない、
図示の如くｐ電極８、ｎ電極１０を形成し、ｐ型ＩｎＰ
基板１を研磨した後、ｐ電極１１を基板裏面に形成する
。
素子は共振器長４００μｍに切り出し、ヒートシンクに
基板を融着してマウントし、ｐ電極８およびｎ電極１０
にそれぞれボンディングする。
基板を融着してマウントし、ｐ電極８およびｎ電極１０
にそれぞれボンディングする。
しきい値電流は４０ｍＡ程度、最大光出力は２０ｍＷ程
度が見込まれる。ＦＭ変調の周波数特性が平坦になるよ
う電流比を調整した上で、１０ｍｎ程度の広範囲な可変
波長動作が可能となる。
度が見込まれる。ＦＭ変調の周波数特性が平坦になるよ
う電流比を調整した上で、１０ｍｎ程度の広範囲な可変
波長動作が可能となる。
第２図はチューニング層の下方に活性層を形成してチュ
ーニング層に近い側の電極を分割した場合の図で、スト
ライプ中心軸に沿って切断した断面構造図である。素子
作製においては、ｐ−１ｎＰ基板ｌ上にＭＯＶＰＥ法を
用いてＩｎＧａＡｓＰ活性層４（波長１．５５μｍ５μ
ｍ組成０．１μｍ） 、ｎ−ＴｎＰ半導体層３（層厚０
．３ａｍ、キャリア濃度ｎ ＝ Ｉ Ｘ １０１８ｃｍ
−’）、Ｉ ｎＧａＡｓＰチューニング層２（波長１．
３μｍ組成、層厚０．１μｍ＞、ｐ−丁ｎＰクラッド層
５（層厚１μｍ、キャリア濃度５ Ｘ １０ ”ｃｍ−
３）を順次成長し、ストライプ上部に接触するチューニ
ング層側のｐ電極８を分割構造とする。
ーニング層に近い側の電極を分割した場合の図で、スト
ライプ中心軸に沿って切断した断面構造図である。素子
作製においては、ｐ−１ｎＰ基板ｌ上にＭＯＶＰＥ法を
用いてＩｎＧａＡｓＰ活性層４（波長１．５５μｍ５μ
ｍ組成０．１μｍ） 、ｎ−ＴｎＰ半導体層３（層厚０
．３ａｍ、キャリア濃度ｎ ＝ Ｉ Ｘ １０１８ｃｍ
−’）、Ｉ ｎＧａＡｓＰチューニング層２（波長１．
３μｍ組成、層厚０．１μｍ＞、ｐ−丁ｎＰクラッド層
５（層厚１μｍ、キャリア濃度５ Ｘ １０ ”ｃｍ−
３）を順次成長し、ストライプ上部に接触するチューニ
ング層側のｐ電極８を分割構造とする。
このような構造とすることで軸方向の電界分布を平坦に
することが可能となり、第１の実施例と同様に平坦なＦ
Ｍ変調特徴を維持した状態での可変波長動作が可能とな
る。
することが可能となり、第１の実施例と同様に平坦なＦ
Ｍ変調特徴を維持した状態での可変波長動作が可能とな
る。
なお実施例においては、Ｉ ｎＧａＡｓＰ系の材料を想
定したか本発明はＧａＡｓ系など他の材料系にも適用可
能である。
定したか本発明はＧａＡｓ系など他の材料系にも適用可
能である。
以上述べたように、本発明の波長可変半導体レーサ構造
を用いることによって、平坦なＦＭ変調特性と広い波長
可変特性を同時に実現することができ、コヒーレント光
通信用光源として有望であることを示した。活性層を量
子井戸構造にすれば狭スペクトル線幅を実現できるので
、さらに高性能な素子を作製することができる。また、
チューニング層を歪超格子とする事により、さらなる可
変波長範囲の拡大が可能となる。
を用いることによって、平坦なＦＭ変調特性と広い波長
可変特性を同時に実現することができ、コヒーレント光
通信用光源として有望であることを示した。活性層を量
子井戸構造にすれば狭スペクトル線幅を実現できるので
、さらに高性能な素子を作製することができる。また、
チューニング層を歪超格子とする事により、さらなる可
変波長範囲の拡大が可能となる。
図中、１・・ｐ−Ｉｎ
Ｐチューニング層、３
ＧａＡｓＰ活性層、５・・
ＩｎＰ層、７・＝ＳｉＯ２
電極、１１・・ｐ電極、１
光ガイド層を表す。
Ｐ基板、２− ｒ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ・ｎ−１ｎＰ、
４−＝Ｉｎ ｐ−ＴｎＰ層、６・・ｐ 、８・ｐ電極、１０・・ｎ ２・・ ｐ−Ｉ ｎＧａＡＳｐ
４−＝Ｉｎ ｐ−ＴｎＰ層、６・・ｐ 、８・ｐ電極、１０・・ｎ ２・・ ｐ−Ｉ ｎＧａＡＳｐ
Claims (2)
- １．チューニング層、第２導電型半導体層、活性層、お
よび第１導電型半導体層を順次積層した多層構造がメサ
状に形成され、少なくとも前記第２導電型半導体層に接
触した部分に第２導電型半導体コンタクト層が形成され
、前記第１導電型半導体層上の電極がストライプ長手方
向に複数に分割され、チューニング層または活性層に隣
接して回折格子が形成されているのを特徴とする波長可
変半導体レーザ。 - ２．活性層、第２導電型半導体層、チューニング層、お
よび第１導電型半導体層を順次積層した多層構造がメサ
状に形成され、少なくとも前記第２導電型半導体層に接
触した部分に第２導電型半導体コンタクト層が形成され
、前記第１導電型半導体層上の電極がストライプ長手方
向に複数に分割され、チューニング層または活性層に隣
接して回折格子が形成されているのを特徴とする波長可
変半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22293290A JPH04105386A (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | 波長可変半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22293290A JPH04105386A (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | 波長可変半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04105386A true JPH04105386A (ja) | 1992-04-07 |
Family
ID=16790131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22293290A Pending JPH04105386A (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | 波長可変半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04105386A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05315706A (ja) * | 1992-05-11 | 1993-11-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
| JPH0653606A (ja) * | 1992-07-27 | 1994-02-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザ |
| FR2720556A1 (fr) * | 1994-05-30 | 1995-12-01 | Mitsubishi Electric Corp | Dispositif à laser à semi-conducteurs dont la longueur d'onde est accordable. |
| JP2003234540A (ja) * | 2002-02-12 | 2003-08-22 | Mitsubishi Electric Corp | 分布帰還型レーザ装置、半導体光装置および分布帰還型レーザ装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01272176A (ja) * | 1987-06-17 | 1989-10-31 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| JPH02203584A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体発光装置 |
-
1990
- 1990-08-24 JP JP22293290A patent/JPH04105386A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2003234540A (ja) * | 2002-02-12 | 2003-08-22 | Mitsubishi Electric Corp | 分布帰還型レーザ装置、半導体光装置および分布帰還型レーザ装置の製造方法 |
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