JP5439415B2 - Mmic用パッケージ - Google Patents
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Description
第1の実施の形態に係るMMIC用パッケージ1の模式的鳥瞰構造は、図1に示すように表され、図1のI−I線に沿う模式的断面構造は、図2に示すように表される。また、第1の実施の形態に係るMMIC用パッケージの模式的平面構成は、図3に示すように表される。
第2の実施の形態に係るMMIC用パッケージ1の模式的鳥瞰構造は、図8に示すように表され、図8のII−II線に沿う模式的断面構造は、図9に示すように表される。また、第2の実施の形態に係るMMIC用パッケージ1の模式的平面構成は、図10に示すように表される。
第1〜第2の実施の形態に係るMMIC用パッケージ1のMMIC基板24に搭載される半導体装置140の模式的平面パターン構成の拡大図は、図11(a)に示すように表され、図11(a)のJ部分の拡大図は、図11(b)に示すように表される。また、第1〜第2の実施の形態に係るMMIC用パッケージ1のMMIC基板24に搭載される半導体装置140の構成例1〜4であって、図11(b)のIII−III線に沿う模式的断面構成例1〜4は、それぞれ図12〜図15に示すように表される。
第1〜第2の実施の形態に係るMMIC用パッケージ1のMMIC基板24に搭載される半導体装置140のFETセルの構成例1は、図12に示すように、半絶縁性基板110と、半絶縁性基板110上に配置された窒化物系化合物半導体層112と、窒化物系化合物半導体層112上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)118と、アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)118上に配置されたソースフィンガー電極(S)120、ゲートフィンガー電極(G)124およびドレインフィンガー電極(D)122とを備える。窒化物系化合物半導体層112とアルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)118との界面には、2次元電子ガス(2DEG:Two Dimensional Electron Gas)層116が形成されている。図12に示す構成例1では、高電子移動度トランジスタ(HEMT:High Electron Mobility Transistor)が示されている。
第1〜第2の実施の形態に係るMMIC用パッケージ1のMMIC基板24に搭載される半導体装置140のFETセルの構成例2は、図13に示すように、半絶縁性基板110と、半絶縁性基板110上に配置された窒化物系化合物半導体層112と、窒化物系化合物半導体層112上に配置されたソース領域126およびドレイン領域128と、ソース領域126上に配置されたソースフィンガー電極(S)120、窒化物系化合物半導体層112上に配置されたゲートフィンガー電極(G)124およびドレイン領域128上に配置されたドレインフィンガー電極(D)122とを備える。窒化物系化合物半導体層112とゲートフィンガー電極(G)124との界面には、ショットキーコンタクト(Schottky Contact)が形成されている。図13に示す構成例2では、金属−半導体電界効果トランジスタ(MESFET:Metal Semiconductor Field Effect Transistor)が示されている。
第1〜第2の実施の形態に係るMMIC用パッケージ1のMMIC基板24に搭載される半導体装置140のFETセルの構成例3は、図14に示すように、半絶縁性基板110と、半絶縁性基板110上に配置された窒化物系化合物半導体層112と、窒化物系化合物半導体層112上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)118と、アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)118上に配置されたソースフィンガー電極(S)120およびドレインフィンガー電極(D)122と、アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)118上のリセス部に配置されたゲートフィンガー電極(G)124とを備える。窒化物系化合物半導体層112とアルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)118との界面には、2DEG層116が形成されている。図14に示す構成例3では、HEMTが示されている。
第1〜第2の実施の形態に係るMMIC用パッケージ1のMMIC基板24に搭載される半導体装置140のFETセルの構成例4は、図15に示すように、半絶縁性基板110と、半絶縁性基板110上に配置された窒化物系化合物半導体層112と、窒化物系化合物半導体層112上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)118と、アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)118上に配置されたソースフィンガー電極(S)120およびドレインフィンガー電極(D)122と、アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)118上の2段リセス部に配置されたゲートフィンガー電極124とを備える。窒化物系化合物半導体層112とアルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)118との界面には、2DEG層116が形成されている。図15に示す構成例4では、HEMTが示されている。
実施の形態に係るMMIC用パッケージを説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。この実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
6、61、62…電力分配器(PD)
8、81、82…電力合成器(PC)
12、14、16…ボンディングワイヤ
18i、19i…入力整合回路
18o、19o…出力整合回路
20…増幅ユニット
21a…パッケージ入力端子
21b…パッケージ出力端子
24…MMIC基板
24a…入力端子(Pi)
24b…出力端子(Po)
25、26…結合用基板
25a、26a…結合ライン
110…半絶縁性基板
112…窒化物系化合物半導体層(GaNエピタキシャル成長層)
116…2次元電子ガス(2DEG)層
118…アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)
120…ソースフィンガー電極
122、123…ドレインフィンガー電極
124…ゲートフィンガー電極
126…ソース領域
128…ドレイン領域
140、150…半導体装置(FET)
180…セラミック枠体
200…導体ベースプレート
G,G1,G2,…,G10…ゲート端子電極
S,S11,S12,…,S101,S102…ソース端子電極
D,D1,D2,…,D10…ドレイン端子電極
SC0、SC11,SC12,…,SC91,SC92,SC101,SC102…VIAホール
S0…接地端子電極
SL…信号ライン
GL…入力パッド
DL…出力パッド
LBWM、L1…等価インダクタンス
Claims (1)
- 導体ベースプレートと、
前記導体ベースプレート上に配置され、入力端子および出力端子を有するMMIC基板と、
前記導体ベースプレート上に配置され、前記MMIC基板を囲むセラミック枠体と、
前記セラミック枠体上に配置されたパッケージ入力端子およびパッケージ出力端子と、
前記MMIC基板と前記セラミック枠体との間の前記導体ベースプレート上に配置された結合用基板と、
前記結合用基板上に配置された結合ラインと
を備え、前記パッケージ入力端子と前記結合ライン間、および前記結合ラインと前記入力端子間とが接続されており、
基板と、
前記基板上に配置され、それぞれ複数のフィンガーを有するゲートフィンガー電極、ソースフィンガー電極およびドレインフィンガー電極と、
前記基板上に配置され、前記ゲートフィンガー電極、前記ソースフィンガー電極ごとに複数のフィンガーをそれぞれ束ねて形成したゲート端子電極およびソース端子電極と、
前記基板上に配置され、前記ドレインフィンガー電極の複数のフィンガーをそれぞれオーバーレイコンタクトにより接続したドレイン端子電極と
を備えるトランジスタを搭載したことを特徴とするMMIC用パッケージ。
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Family Applications (1)
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