JP5432332B2 - 化学蒸着用の有機ルテニウム化合物のリサイクル方法 - Google Patents
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Description
(b)前記使用済み原料と吸着剤とを接触させることにより、使用済み原料中の不純物を除去する吸着工程。
(c)前記使用済み原料を、有機ルテニウム化合物の分解温度に対して−100℃以上でありかつ−10℃以下の温度で、8時間以上加熱して、使用済み原料中の有機ルテニウム化合物における異性体の比率を調整する復元工程。
使用済み原料100gとパラジウム触媒(カーボン担体)2gにヘキサン2Lを加え、これを50℃で攪拌しつつ水素ガス2時間バブリングさせ水素添加処理を行った。反応液をろ過してパラジウム触媒を除去した後、ロータリーエバポレータでヘキサンを減圧留去した。この改質処理後の使用済み原料をGC−MS、1H−NMR測定を行ったところ、いずれの分析においても不純物α由来のピークが消失した。但し、不純物βのピークは残存していた。
次に、改質工程後の使用済み原料100gをヘキサン2Lに溶解させた。そして、100gの活性炭(商品名:SX−plus、比表面積1100m2/g)が充填されたカラムフィルターに使用済み原料のヘキサン溶液を通過させて吸着処理した。その後ロータリーエバポレータでヘキサンを減圧留去した。吸着処理後の使用済み原料をGC−MS、1H−NMR測定を行ったところ、いずれの分析においても不純物β由来のピークが消失した。
以上の改質工程、吸着工程後の使用済み原料について、加熱処理による復元工程に供した。使用済み原料100gをアルゴンガスの雰囲気中、150℃に加熱した。この処理温度は、Carishの分解温度200℃を考慮するものである。ここでは、加熱開始から2時間、8時間、24時間経過した段階で使用済み原料について1H−NMR測定を行い、時間経過による異性体比率の変化を測定した。この測定結果を図4に示す。
原料溶液温度 :140℃
基板温度 :230℃
反応容器バ圧力:5.0torr
キャリアガス :アルゴン(流量200sccm)
反応ガス :酸素(流量50sccm)
Claims (5)
- 薄膜形成工程を経た使用済みの原料から未反応の有機ルテニウム化合物を抽出する化学蒸着用の有機ルテニウム化合物のリサイクル方法であって、
前記使用済み原料は、下記の化1〜化3で示される有機ルテニウム化合物のいずれかを含むものであり、
下記(a)〜(c)の工程を含む方法(但し、(a)〜(c)工程の処理順序は任意である。また、(a)工程と(b)工程とは同時に行っても良い。)。
(a)水素雰囲気中、前記使用済み原料と水添触媒とを接触させ、使用済み原料中の酸化した有機ルテニウム化合物に水素添加する改質工程。
(b)前記使用済み原料と吸着剤とを接触させることにより、使用済み原料中の不純物を除去する吸着工程。
(c)前記使用済み原料を、有機ルテニウム化合物の分解温度に対して−100℃以上でありかつ−10℃以下の温度で、8時間以上加熱して、使用済み原料中の有機ルテニウム化合物における異性体の比率を調整する復元工程。
- (a)工程の水添触媒は、パラジウム触媒、白金触媒、ルテニウム触媒、ラネーニッケル触媒のいずれかである請求項1記載の有機ルテニウム化合物のリサイクル方法。
- (b)工程の吸着剤は、活性炭、シリカゲル、ゼオライト、アルミナのいずれかである請求項1又は請求項2記載の有機ルテニウム化合物のリサイクル方法。
- (b)工程の吸着剤との反応条件として、比表面積が500m2/g〜1500m2/gの吸着剤を用い、その使用量を使用済み原料の重量に対して10分の1〜10倍とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の有機ルテニウム化合物のリサイクル方法。
- (a)〜(c)工程による処理後、蒸留により有機ルテニウム化合物を抽出する請求項1〜請求項4のいずれかに記載の有機ルテニウム化合物のリサイクル方法。
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