JP5431014B2 - しゅう酸インジウム溶解剤組成物 - Google Patents

しゅう酸インジウム溶解剤組成物 Download PDF

Info

Publication number
JP5431014B2
JP5431014B2 JP2009112330A JP2009112330A JP5431014B2 JP 5431014 B2 JP5431014 B2 JP 5431014B2 JP 2009112330 A JP2009112330 A JP 2009112330A JP 2009112330 A JP2009112330 A JP 2009112330A JP 5431014 B2 JP5431014 B2 JP 5431014B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acid
solubilizer
aminopolycarboxylic
indium oxalate
solubilizer composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2009112330A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010261070A (ja
Inventor
隆雄 山口
典夫 石川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kanto Chemical Co Inc
Original Assignee
Kanto Chemical Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kanto Chemical Co Inc filed Critical Kanto Chemical Co Inc
Priority to JP2009112330A priority Critical patent/JP5431014B2/ja
Priority to CN201010165519.7A priority patent/CN101876076B/zh
Priority to KR1020100040745A priority patent/KR101686007B1/ko
Priority to TW099113909A priority patent/TWI493030B/zh
Publication of JP2010261070A publication Critical patent/JP2010261070A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5431014B2 publication Critical patent/JP5431014B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10Etching compositions
    • C23F1/14Aqueous compositions
    • C23F1/16Acidic compositions
    • C23F1/30Acidic compositions for etching other metallic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22Organic compounds
    • C11D7/32Organic compounds containing nitrogen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/08Apparatus, e.g. for photomechanical printing surfaces
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10Etching compositions
    • C23F1/14Aqueous compositions
    • C23F1/32Alkaline compositions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F17/00Multi-step processes for surface treatment of metallic material involving at least one process provided for in class C23 and at least one process covered by subclass C21D or C22F or class C25
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Weting (AREA)

Description

本発明は、ITO(酸化インジウム錫)、IZO(酸化インジウム亜鉛)などのエッチング装置内に析出した、しゅう酸インジウムを溶解除去することが可能な溶解剤に関する。
LCD(液晶ディスプレイ)やELD(エレクトロルミネッセンスディスプレイ)などのFPD(フラットパネルディスプレイ)表示装置において、画素の表示電極などに透明導電膜が使用されている。これら透明導電膜の材料として、ITO(酸化インジウム錫)、IZO(酸化インジウム亜鉛)などが広く使用されている。通常、ITO、IZOを用いた表示電極の加工は、しゅう酸を主成分としたエッチング液が用いられ(例えば特許文献1)、フォトリソグラフィによりパターンニングされたレジストをマスクとしてITO、IZOをウエットエッチングすることにより、目的のITO、IZO表示電極パターンが形成される。
しゅう酸を主成分としたエッチング液によるITO膜またはIZO膜のウエットエッチングは、しゅう酸のキレート効果により、ITO、IZOの主成分であるインジウムを錯体化することにより、しゅう酸インジウムとして溶解することでエッチングが進行している。これらしゅう酸を主成分としたエッチング液は、長期間に渡る連続使用により、しゅう酸インジウムがエッチング液中に溶解しきれずウェットエッチング装置内に析出する問題がある(例えば特許文献2)。
これらしゅう酸インジウムは、配管、バルブ、フィルター、ポンプ、スプレーノズル、基板搬送ローラー、ウエットエッチング室内壁、バッファータンク内など、ウエットエッチング装置系内に析出し、以下の問題を引き起こしている。
例えば、配管内径の減少、バルブ開閉やポンプ動作の不良、フィルターやスプレーノズルの目詰まりなどの異常が発生する。これらの異常がエッチング処理工程中に発生した場合、面内均一性の低下やエッチング形状不良などのエッチング特性への影響が極めて大きく、製品の歩留まりを低下させる致命的な問題となる。
従来、上記問題点に対して、定期的にウエットエッチング装置系内に析出したしゅう酸インジウムを物理的に回収する方法が対策として行われている。すなわち、水または温水を高い流速で循環洗浄を行うことで、装置内に析出したしゅう酸インジウムを剥離除去している。また、循環洗浄により除去しきれなかったしゅう酸インジウムについては、ウエットエッチング装置系内から完全にエッチング液を排出し、人の手作業によりしゅう酸インジウムを掻き出し除去している。
特開2005−244083号公報 特開2006−77241号公報
本発明は、上記従来の問題点を解決し、酸化インジウム錫(ITO)膜または酸化インジウム亜鉛(IZO)膜よりなる透明導電膜のウエットエッチング装置内に析出したしゅう酸インジウムを化学的に溶解除去するしゅう酸インジウム溶解剤を提供することである。
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、アミノポリカルボン酸を含有するアルカリ水溶液が、しゅう酸インジウムを効率的に溶解除去可能であることを見出した。さらに研究を進めた結果、さらにアミノポリカルボン酸アミン塩からなる化合物を含有させることによりしゅう酸インジウムの最大溶解量を高めることが可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、エッチング装置系内に析出するしゅう酸インジウムを溶解除去するために用いる溶解剤組成物であって、アルカリ成分と、アミノポリカルボン酸およびその塩から選択される1種または2種以上とを含有する水溶液であることを特徴とする、前記溶解剤組成物に関する。
また本発明は、pHが9〜11の範囲である、上記の溶解剤組成物に関する。
さらに本発明は、アミノポリカルボン酸およびその塩から選択される1種または2種以上の化合物の濃度が、合計で1〜40重量%である、上記の溶解剤組成物に関する。
さらにまた本発明は、少なくともアミノポリカルボン酸から選択される化合物を1種または2種以上含有する、上記の溶解剤組成物に関する。
本発明は、また、アミノポリカルボン酸から選択される化合物およびアミノポリカルボン酸アミン塩から選択される化合物をそれぞれ少なくとも1種含有する、上記の溶解剤組成物に関する。
本発明は、さらに、アミノポリカルボン酸から選択される化合物の濃度が1〜20重量%、アミノポリカルボン酸アミン塩からなる群から選択される化合物の濃度が1〜20重量%である、上記の溶解剤組成物に関する。
本発明は、さらにまた、アミノポリカルボン酸が、エチレンジアミン二酢酸、エチレンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、トリエチレンテトラアミン六酢酸、trans−1,2−シクロヘキサンジアミン四酢酸から選択されることを特徴とする、上記の溶解剤組成物に関する。
また本発明は、アミノポリカルボン酸の塩が、エチレンジアミン二酢酸、エチレンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、トリエチレンテトラアミン六酢酸、trans−1,2−シクロヘキサンジアミン四酢酸のアミン塩であることを特徴とする、上記の溶解剤組成物に関する。
さらに本発明は、アルカリ成分が、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化テトラメチルアンモニウムのいずれかであることを特徴とする、上記の溶解剤組成物に関する。
さらにまた本発明は、エッチング装置系内の洗浄方法であって、
(1)系内からエッチング液を排出した後、pHが中性になるまで水で洗浄する工程、
(2)上記の溶解剤を用いて、装置内に析出したしゅう酸インジウムを化学的に溶解除去する工程、
(3)溶解剤を除去した後、pHが中性になるまで水で洗浄する工程
を含む、前記洗浄方法に関する。
本発明は、また、溶解除去に利用した後の上記の溶解剤組成物を回収する工程をさらに含む、上記の洗浄方法に関する。
本発明は、さらに、エッチング装置が、ITO膜またはIZO膜よりなる透明導電膜のウェットエッチングの装置である、上記の洗浄方法に関する。
本発明は、さらにまた、配管、バルブ、フィルター、ポンプ、スプレーノズル、基板搬送ローラー、ウエットエッチング室内壁、バッファータンク内から選択される1または2以上の箇所に析出したしゅう酸インジウムを溶解除去する、上記の洗浄方法に関する。
本発明により、アミノポリカルボン酸がそのキレート効果により、しゅう酸インジウムを水溶液中に効率的に溶解する作用があることが分かった。また、アミノポリカルボン酸とアミノポリカルボン酸アミン塩との組み合わせにより、水溶液中へのしゅう酸インジウムの最大溶解量を増加させることも可能であることが分かった。
以下に本発明の実施形態について詳述する。
本発明のしゅう酸インジウム溶解剤は、アミノポリカルボン酸およびその塩から選択される1種または2種以上のキレート剤とアルカリ成分を含む組成物である。キレート剤とは、金属イオンに配位結合する能力を持った電子供与体(配位子)を複数有する化合物であり、2座配位子以上を有する化合物を総称して多座配位子(キレート剤)と呼ぶ。キレート剤は、溶液中の金属イオンを自らの配位子によって包み込むような形で水溶性の金属キレート化合物を生成する特徴がある。
本発明のしゅう酸インジウム溶解剤に使用されるアミノポリカルボン酸としては、例えばエチレンジアミン二酢酸、エチレンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、トリエチレンテトラアミン六酢酸、trans−1,2−シクロヘキサンジアミン四酢酸などが挙げられる。入手コストやキレート能力の観点から、好ましくは、エチレンジアミン四酢酸である。
本発明のしゅう酸インジウム溶解剤に適宜使用されるアミノポリカルボン酸塩としては、例えばアンモニウム塩、アミン塩、ナトリウム塩、カリウム塩、カルシウム塩などが挙げられる。電子工業用として使用する場合には、ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属を含有する物はデバイスの電気的特性の劣化因子になり得るため、好ましくは、アンモニウム塩、アミン塩である。
本発明のしゅう酸インジウム溶解剤に使用されるアルカリ成分としては、例えばアンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化テトラメチルアンモニウムなどが挙げられる。電子工業用として使用する場合には、ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属を含有する物はデバイスの電気的特性の劣化因子になる得るため、好ましくは、アンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウムであり、入手コストなどの観点から、もっとも好ましくはアンモニアである。
本発明のアミノポリカルボン酸およびその塩の濃度は、好ましくは合計で1〜40重量%であり、さらに好ましくは1〜20重量%、もっとも好ましくは1〜10重量%である。1重量%未満では、充分なキレート効果が得られずしゅう酸インジウム溶解量は極僅かである。また、40重量%を超える添加量では、添加量に見合う効果が得られない上、経済的ではない。
本発明のしゅう酸インジウム溶解剤は、キレート能力の観点から、好ましくは、少なくともアミノポリカルボン酸からなる群から選択される化合物を含む。
さらに好ましくは、追加のキレート剤として、アミノポリカルボン酸アミン塩をさらに含む。本発明者らは、アミノポリカルボン酸およびその塩からなる群から選択されるキレート剤にアミノポリカルボン酸アミン塩からなる群から選択される追加のキレート剤を添加することで、キレート剤単独で使用するよりも高いキレート効果を発揮できることを見出した。
アミノポリカルボン酸アミン塩としては、例えばエチレンジアミン二酢酸、エチレンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、トリエチレンテトラアミン六酢酸、trans−1,2−シクロヘキサンジアミン四酢酸、それらのアミン塩が挙げられる。その中でも、入手コストやキレート能力の面からエチレンジアミン四酢酸アミン塩が好ましいものである。
これらアミノポリカルボン酸アミン塩に用いられているアミン類には、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン等に代表されるアルカノールアミン類や、モノメチルアミン、モノエチルアミン、イソプロピルアミン、モノ−n−ブチルアミン等に代表されるアルキルアミン類がある。特にアルカノールアミン類は、配位子を複数有し、金属キレートを生成する能力を有しており、インジウムと安定したキレート化合物を生成しやすいと考えられる。
アミノポリカルボン酸アミン塩とともに使用されるアミノポリカルボン酸の濃度は、好ましくは1〜20重量%、さらに好ましくは1〜10重量%である。アミノポリカルボン酸の濃度が、1重量%未満では、充分なキレート効果が得られずしゅう酸インジウム溶解量は極僅かである。また、20重量%を超える添加量では、添加量に見合う効果が得られない上、経済的ではない。
追加のキレート剤として使用されるアミノポリカルボン酸アミン塩の濃度は、1〜20重量%、好ましい濃度は1〜10重量%である。アミノポリカルボン酸アミン塩の濃度が、1重量%未満では、充分なキレート効果が得られずしゅう酸インジウム溶解量の向上は僅かである。また、20重量%を超える添加量では、添加量に見合う効果が得られない上、経済的ではない。
本発明のしゅう酸インジウム溶解剤に使用されるアルカリ水溶液の濃度は、アミノポリカルボン酸のキレート剤が最も効果的に働くpH領域に調整する必要がある。アミノポリカルボン酸アミン塩を含ませた本発明のしゅう酸インジウム溶解剤においても、キレート剤が最も効果的に働くpH領域に調整する必要がある。アルカリ水溶液は、pHが9〜11の範囲内に収まる添加量が好ましく、更に好ましくは、pHが10〜11の範囲内である。pHが9未満の場合、充分なキレート効果が得られずしゅう酸インジウム溶解量は極僅かである。更にpHが1に近づくにつれ、キレート剤自身の溶解量が低下し溶液中に析出する。pHが11を超える添加量では、充分なキレート効果が得られずしゅう酸インジウム溶解量は極僅かな上、経済的ではない。
本発明に係わるしゅう酸インジウム溶解剤の好ましい使用方法については、酸化インジウム錫(ITO)膜または酸化インジウム亜鉛(IZO)膜よりなる透明導電膜のウエットエッチング装置系内を洗浄する方法がある。まず酸化インジウム錫(ITO)膜または酸化インジウム亜鉛(IZO)膜よりなる透明導電膜のウエットエッチング装置系内より完全にITOエッチング液を排出し、pHが中性になるまで、水または温水による循環洗浄を繰返し行い排出する。次に、本発明のしゅう酸インジウム溶解剤をエッチング装置系内に投入し、循環洗浄を4時間以上行う。洗浄完了後は、しゅう酸インジウム溶解剤を排出し、最終的に水または温水による循環洗浄を行う。
洗浄する温度は、しゅう酸インジウムが溶解する温度であれば何℃でも構わないが、溶解度の観点から、好ましくは30〜50℃、さらに好ましくは約40℃である。
本発明の洗浄方法により、配管、バルブ、フィルター、ポンプ、スプレーノズル、基板搬送ローラー、ウエットエッチング室内壁、バッファータンク内から選択される1または2以上の箇所に析出したしゅう酸インジウムを溶解除去することが可能である。
本発明の溶解剤は、十分に高いしゅう酸インジウムの溶解度を有するため、本発明の使用済み洗浄液から、レアメタルであるインジウムを容易に回収することが可能である。
以下に実施例および比較例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
アルカリ成分濃度としゅう酸インジウム溶解量の関係
表1にエチレンジアミン四酢酸とアンモニアによるpH及びしゅう酸インジウム溶解量との関係を示す。しゅう酸インジウム溶解剤については、表1の割合になるよう原料及び水を加えキレート剤が完全に溶解するまで撹拌し調製する。しゅう酸インジウム溶解量については、調製したしゅう酸インジウム溶解剤を40℃に加温し、その溶解剤中にしゅう酸インジウムを投入後4時間撹拌を行い、その溶解性について検討した。
Figure 0005431014
表1より、アンモニア濃度増加に伴いpHも上昇傾向となることが分かる。一方、しゅう酸インジウム溶解量については、pHが10.0〜11.0付近となるアンモニア濃度が5.0〜10.0重量%領域にて最大値を示した。
比較例1
表1、比較例1よりアンモニアを含有せしめない組成として、エチレンジアミン四酢酸5.0重量%となるよう原料及び水を加え調製を試みたが、キレート剤自体の水に対する溶解性が低く溶解させることが出来なかった。
比較例1より、エチレンジアンミン四酢酸を溶解するには、アンモニア水等のアルカリ溶液が必要であることが分かる。
キレート剤濃度としゅう酸インジウム溶解量の関係
表2は、アンモニア添加濃度を、表1の実施例2においてしゅう酸インジウム溶解量が最大値を示した5.0重量%に固定して、エチレンジアミン四酢酸添加量を増減した場合の、pHおよびしゅう酸インジウム溶解量の変化を示す。
Figure 0005431014
表2より、キレート剤であるエチレンジアミン四酢酸添加量が増加する程、しゅう酸インジウム溶解量が増大する傾向となった。
エチレンジアミン四酢酸塩のキレート剤
表3は、アンモニアを5.0重量%に固定して、エチレンジアミン四酢酸アンモニウム塩添加量を増減した場合の、pHおよびしゅう酸インジウム溶解量の変化を示す。しゅう酸インジウム溶解剤については、表3の割合になるよう原料及び水を加えキレート剤が完全に溶解するまで撹拌し調製する。しゅう酸インジウム溶解量については、調製したしゅう酸インジウム溶解剤を40℃に加温し、その溶解剤中にしゅう酸インジウムを投入後4時間撹拌を行い、その溶解性について検討した。
Figure 0005431014
表3より、エチレンジアミン四酢酸アンモニウム塩を使用した場合においてもしゅう酸インジウム溶解効果がある事が分かる。また、キレート剤であるエチレンジアミン四酢酸アンモニウム塩添加量が増加する程、しゅう酸インジウム溶解量が増大する傾向となった。
表4にエチレンジアミン四酢酸アミン塩とアンモニアによるpH及びしゅう酸インジウム溶解量との関係を示す。エチレンジアミン四酢酸アミン塩は、キレート剤メーカーにて数多く市販されている。例えば、キレスト株式会社よりキレストM、キレストM−50、キレストOH等の商品名で市販されている。その中でもキレストM−50はキレート効果が大きく、かつ溶液状であることから容易に溶解剤を調製することが出来、特に好ましいものである。
しゅう酸インジウム溶解剤については、表4の割合になるよう原料及び水を加えキレート剤が完全に溶解するまで撹拌し調製する。しゅう酸インジウム溶解量については、調製したしゅう酸インジウム溶解剤を40℃に加温し、その溶解剤中にしゅう酸インジウムを投入後4時間撹拌を行い、その溶解性について検討した。
Figure 0005431014
表4より、エチレンジアミン四酢酸アミン塩を使用した場合においてもしゅう酸インジウム溶解効果がある事が分かる。また、キレート剤であるキレストM−50添加量が増加する程、しゅう酸インジウム溶解量が増大する傾向となった。
エチレンジアミン四酢酸系以外のキレート剤
trans−1,2−シクロヘキサンジアミン四酢酸5.0重量%、アンモニア7.0重量%を水に溶解し、溶解剤を調製した。溶液のpHは10.1となる。
調製した溶解剤を40℃に加温し、その溶解剤中にしゅう酸インジウムを投入後4時間攪拌し、その溶解性について調査した。その結果、しゅう酸インジウムは最大2.9重量%溶解させることが可能であった。
この結果、エチレンジアミン四酢酸以外のキレート剤を使用した場合においてもしゅう酸インジウム溶解効果がある事が分かる。
追加のキレート剤としてのアミン塩の効果
キレート剤としてエチレンジアミン四酢酸を用いた組成に、追加のキレート剤としてエチレンジアミン四酢酸アミン塩であるキレストM−50を加えた。エチレンジアミン四酢酸が5.0重量%、キレストM−50が5.0重量%、アンモニアが5.0重量%、となるように水に溶解した。溶液のpHは10.2となる。
調製した溶解剤を40℃に加温し、その溶解剤中にしゅう酸インジウムを投入後4時間攪拌し、その溶解性について調査した。その結果、しゅう酸インジウムは最大6.5重量%溶解させることが可能であった。
エチレンジアミン四酢酸とエチレンジアミン四酢酸アミン塩との併用により、しゅう酸インジウムの最大溶解量が増加する結果となった。
以上のように、従来は水または温水の強い流れによる物理的な力を利用した循環洗浄によりしゅう酸インジウムを剥離除去していたが、本発明に係る溶解剤組成物は、しゅう酸インジウムを化学的に溶解除去が可能な優れた洗浄効果を示す。

Claims (13)

  1. エッチング装置系内に析出するしゅう酸インジウムを溶解除去するために用いる溶解剤組成物であって、アルカリ成分と、アミノポリカルボン酸およびその塩から選択される1種または2種以上とを含有する水溶液であることを特徴とする、前記溶解剤組成物。
  2. pHが9〜11の範囲である、請求項1に記載の溶解剤組成物。
  3. アミノポリカルボン酸およびその塩から選択される1種または2種以上の化合物の濃度が、合計で1〜40重量%である、請求項1または2に記載の溶解剤組成物。
  4. 少なくともアミノポリカルボン酸から選択される化合物を1種または2種以上含有する、請求項1〜3のいずれかに記載の溶解剤組成物。
  5. アミノポリカルボン酸から選択される化合物およびアミノポリカルボン酸アミン塩から選択される化合物をそれぞれ少なくとも1種含有する、請求項1〜4のいずれかに記載の溶解剤組成物。
  6. アミノポリカルボン酸から選択される化合物の濃度が1〜20重量%、アミノポリカルボン酸アミン塩からなる群から選択される化合物の濃度が1〜20重量%であることを特徴とする、請求項5に記載の溶解剤組成物。
  7. アミノポリカルボン酸が、エチレンジアミン二酢酸、エチレンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、トリエチレンテトラアミン六酢酸、trans−1,2−シクロヘキサンジアミン四酢酸から選択されることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか記載の溶解剤組成物。
  8. アミノポリカルボン酸の塩が、エチレンジアミン二酢酸、エチレンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、トリエチレンテトラアミン六酢酸、trans−1,2−シクロヘキサンジアミン四酢酸のアミン塩であることを特徴とする、請求項1〜7のいずれかに記載の溶解剤組成物。
  9. アルカリ成分が、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化テトラメチルアンモニウムのいずれかであることを特徴とする、請求項1〜8のいずれかに記載の溶解剤組成物。
  10. エッチング装置系内の洗浄方法であって、
    (1)系内からエッチング液を排出した後、pHが中性になるまで水で洗浄する工程、
    (2)請求項1〜9のいずれかに記載の溶解剤組成物を用いて、装置内に析出したしゅう酸インジウムを化学的に溶解除去する工程、
    (3)溶解剤を除去した後、pHが中性になるまで水で洗浄する工程
    を含む、前記洗浄方法。
  11. 溶解除去に利用した後の、請求項1〜9のいずれかに記載の溶解剤組成物を回収する工程をさらに含む、請求項10に記載の洗浄方法。
  12. エッチング装置が、ITO膜またはIZO膜よりなる透明導電膜のウェットエッチングの装置である、請求項10または11に記載の洗浄方法。
  13. 配管、バルブ、フィルター、ポンプ、スプレーノズル、基板搬送ローラー、ウエットエッチング室内壁、バッファータンク内から選択される1または2以上の箇所に析出したしゅう酸インジウムを溶解除去する、請求項10〜12のいずれかに記載の洗浄方法。
JP2009112330A 2009-05-01 2009-05-01 しゅう酸インジウム溶解剤組成物 Expired - Fee Related JP5431014B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009112330A JP5431014B2 (ja) 2009-05-01 2009-05-01 しゅう酸インジウム溶解剤組成物
CN201010165519.7A CN101876076B (zh) 2009-05-01 2010-04-27 草酸铟溶解剂组合物
KR1020100040745A KR101686007B1 (ko) 2009-05-01 2010-04-30 인듐 옥살레이트 용해제 조성물
TW099113909A TWI493030B (zh) 2009-05-01 2010-04-30 草酸銦溶解劑組成物及使用其之蝕刻裝置系統內的洗淨方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009112330A JP5431014B2 (ja) 2009-05-01 2009-05-01 しゅう酸インジウム溶解剤組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010261070A JP2010261070A (ja) 2010-11-18
JP5431014B2 true JP5431014B2 (ja) 2014-03-05

Family

ID=43018755

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009112330A Expired - Fee Related JP5431014B2 (ja) 2009-05-01 2009-05-01 しゅう酸インジウム溶解剤組成物

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5431014B2 (ja)
KR (1) KR101686007B1 (ja)
CN (1) CN101876076B (ja)
TW (1) TWI493030B (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109234072A (zh) * 2018-11-02 2019-01-18 江阴江化微电子材料股份有限公司 一种草酸铟溶解剂组合物及蚀刻设备的清洗工艺
CN113025333B (zh) * 2021-03-01 2022-04-08 四川江化微电子材料有限公司 一种改进的草酸铟溶解剂组合物及蚀刻设备清洗工艺

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MXPA00011391A (es) * 1998-05-18 2005-06-20 Mallinckrodt Inc Composiciones alcalinas que contienen silicato para limpiar substratos microelectronicos.
JP2001181686A (ja) * 1999-12-27 2001-07-03 Lion Corp 液晶セルガラス基板用洗浄剤組成物
JP2002033304A (ja) * 2000-07-14 2002-01-31 Mitsubishi Gas Chem Co Inc エッチング用組成物
TW527442B (en) * 2000-07-14 2003-04-11 Mitsubishi Gas Chemical Co Compositions for etching
US6599370B2 (en) * 2000-10-16 2003-07-29 Mallinckrodt Inc. Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates
JP2003282520A (ja) * 2002-03-22 2003-10-03 Sanyo Electric Co Ltd 容器の洗浄方法及び太陽電池の製造方法
JP2005244083A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Hayashi Junyaku Kogyo Kk 導電膜用エッチング液組成物
US20050205835A1 (en) * 2004-03-19 2005-09-22 Tamboli Dnyanesh C Alkaline post-chemical mechanical planarization cleaning compositions
JP2005314786A (ja) * 2004-03-31 2005-11-10 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd インジウムの回収方法
KR101337263B1 (ko) * 2004-08-25 2013-12-05 동우 화인켐 주식회사 인듐 산화막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법
JP4586628B2 (ja) * 2005-05-19 2010-11-24 和光純薬工業株式会社 半導体基板表面処理剤及び処理方法
TWI421937B (zh) * 2006-09-13 2014-01-01 Nagase Chemtex Corp 蝕刻液組成物
JP5354989B2 (ja) * 2008-08-14 2013-11-27 関東化学株式会社 透明導電膜用エッチング液組成物
JP2010103214A (ja) * 2008-10-22 2010-05-06 Hayashi Junyaku Kogyo Kk 導電膜用エッチング液組成物

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010261070A (ja) 2010-11-18
KR101686007B1 (ko) 2016-12-13
KR20100119728A (ko) 2010-11-10
CN101876076A (zh) 2010-11-03
CN101876076B (zh) 2014-11-12
TWI493030B (zh) 2015-07-21
TW201042033A (en) 2010-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI519627B (zh) 透明導電膜用蝕刻液組成物
JP5462804B2 (ja) キレート化剤を含有する酸性水溶液及び該水溶液の使用
EP1813667A1 (en) Cleaning formulations
JP4678559B2 (ja) エッチング液組成物
KR20010043674A (ko) 세정 조성물 및 잔류물을 제거하는 방법
JP5431014B2 (ja) しゅう酸インジウム溶解剤組成物
JP3165801B2 (ja) 洗浄液
CN102486619A (zh) 清洗液组合物
CN108114608A (zh) 一种处理含油废水管式陶瓷膜的清洗剂及清洗方法
JP2005101479A (ja) 半導体基板用洗浄液
CN113025333B (zh) 一种改进的草酸铟溶解剂组合物及蚀刻设备清洗工艺
JP5015553B2 (ja) 水性アルカリフォトレジスト洗浄組成物及び該組成物を使用する方法
JP6317687B2 (ja) スケール除去剤および当該スケール除去剤を用いたボイラの洗浄方法
CN113926314A (zh) 一种除硫酸钙垢反渗透膜清洗剂及其制备方法
JP2005251936A (ja) 薬液処理装置
JP4116975B2 (ja) 汚染土壌の浄化方法
JP4189158B2 (ja) アルカリ現像装置用洗浄剤組成物
CN104330959A (zh) 光刻胶剥离液制备方法
TWI433925B (zh) 清洗液組成物
CN104932210B (zh) 光阻剥离组合物和剥离方法,平板、平板显示器及其制法
JPH0756357A (ja) アルカリ現像装置の洗浄液と洗浄方法
JP2020079362A (ja) 硫酸スラッジ用洗浄液および硫酸スラッジ洗浄方法
JP2015040290A (ja) アルカリ現像装置用洗浄剤組成物、およびアルカリ現像装置の洗浄方法
KR100898027B1 (ko) 알칼리 현상 장치용 세정제 조성물
JP2005017802A (ja) 感光性平版印刷の製版用現像機の洗浄液

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120220

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130927

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131112

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131204

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5431014

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees