JP5420472B2 - プラント構成部材へのフェライト皮膜形成方法 - Google Patents
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Description
そこで、発明者らは、クロムイオンを含む第1の薬剤、鉄(II)イオンを含む第2薬剤、酸化剤(第3薬剤)及びpH調整剤(第4薬剤)を含む皮膜形成液を、原子力プラントのステンレス鋼製の構成部材を模擬したステンレス鋼製の試験片の表面に接触させ、試験片の表面にクロムフェライト(FeCr2O4)皮膜(以下、クロムフェライト皮膜をFeCr2O4皮膜と称する)を形成することを実験により試みた。しかしながら、皮膜形成液の温度が100℃以下では、FeCr2O4皮膜を試験片表面に形成することができなかった。上記の皮膜形成液を炭素鋼製の試験片の表面に接触させても、皮膜形成液の温度が100℃以下では、同様に、FeCr2O4皮膜を試験片表面に形成することができなかった。これは、皮膜形成液の温度が100℃以下では、プラント構成部材の表面にFeCr2O4皮膜を形成するために必要な熱力学的なエネルギーが不足するためである。
クロムを含むフェライト皮膜は、FeCr2O4皮膜ではなく、Fe3−XCrXO4皮膜(ただし、0<X≦0.1)を意味する。
つまり、皮膜形成液中でのフェライトの析出量は、不純物係数Kを小さくすることにより抑制することができる。皮膜形成液中でのフェライトの成長を抑制する物質(皮膜成長抑制物質)としは、pH調整剤(例えば、ヒドラジン)が考えられる。pH調整剤等を用いて皮膜形成液中におけるフェライトの析出を抑制しなければ、皮膜形成液中でのフェライトの生成及び析出が促進され、クロムを含むフェライト皮膜を形成しなければならないプラントの構成部材の表面におけるその皮膜の形成が妨げられる。皮膜形成液中でのフェライトの成長を抑制する物質、例えば、ヒドラジンを皮膜形成液に加えることによって、皮膜形成液中でのフェライトの成長が抑制され、プラントの構成部材の表面にフェライト皮膜が形成されやすくなる。
Claims (18)
- クロムイオン、鉄(II)イオン、酸化剤及びpH調整剤を含み、pHが5.5〜9.0の範囲内に調節された皮膜形成液を、プラント構成部材の表面に接触させ、前記プラント構成部材の前記表面に、Fe3−XCrXO4皮膜(ただし、0<X≦0.1)を形成することを特徴とするプラント構成部材へのフェライト皮膜形成方法。
- 前記皮膜形成液に含まれるpH調整剤の濃度が100ppmより大きく50000ppm未満の範囲内の濃度に調節されている請求項1に記載のプラント構成部材へのフェライト皮膜形成方法。
- 前記皮膜形成液に含まれるpH調整剤の濃度が10000〜40000ppmの範囲内の濃度に調節されている請求項2に記載のプラント構成部材へのフェライト皮膜形成方法。
- 前記プラント構成部材の前記表面に接触する前記皮膜形成液の温度が、60℃〜100℃の範囲内に調節される請求項1ないし3のいずれか1項に記載のプラント構成部材へのフェライト皮膜形成方法。
- 前記皮膜形成液の前記プラント構成部材の表面への接触、及び前記表面への前記Fe3−XCrXO4皮膜の形成が、前記プラント構成部材を有するプラントの運転停止後で前記プラントの運転開始前に行われる請求項1ないし4のいずれか1項に記載のプラント構成部材へのフェライト皮膜形成方法。
- 前記皮膜形成液の前記プラント構成部材の前記表面への接触が、前記プラント構成部材の前記表面の化学除染を実施した後に行われる請求項5に記載のプラント構成部材へのフェライト皮膜形成方法。
- 前記皮膜形成液の、皮膜形成対象物である前記プラント構成部材の表面への接触、及び前記表面への前記Fe3−XCrXO4皮膜の形成が、前記皮膜形成対象物である前記プラント構成部材を有するプラントの設置が終了した後で前記プラントの最初の試運転が開始される前に行われる請求項1ないし4のいずれか1項に記載のプラント構成部材へのフェライト皮膜形成方法。
- 加熱装置を有する配管を、プラントの、プラント構成部材である配管系に接続し、
クロムイオン、鉄(II)イオン、酸化剤及びpH調整剤を含み、pHが5.5〜9.0の範囲内に調節された皮膜形成液を、前記配管を通して前記配管系内に供給し、
前記皮膜形成液を前記配管系の内面に接触させて、この内面に、Fe3−XCrXO4皮膜(ただし、0<X≦0.1)を形成することを特徴とするプラント構成部材へのフェライト皮膜形成方法。 - 前記配管系及び前記配管により閉ループが形成され、前記皮膜形成液が前記閉ループ内を循環する請求項8に記載のプラント構成部材へのフェライト皮膜形成方法。
- 前記クロムイオン及びカルボン酸を含む第1薬剤を、第1注入装置より前記配管内に注入し、前記鉄(II)イオン及び前記カルボン酸を含む第2薬剤を、第2注入装置より前記配管内に注入し、前記酸化剤を第3注入装置より前記配管内に注入し、前記pH調整剤を第4注入装置より前記配管内に注入する請求項8または9に記載のプラント構成部材へのフェライト皮膜形成方法。
- クロムイオン、鉄(II)イオン、カルボン酸、酸化剤及びpH調整剤を含み、pHが5.5〜9.0の範囲内に調節された前記皮膜形成液を、注入装置より前記配管内に注入する請求項8ないし10のいずれか1項に記載のプラント構成部材へのフェライト皮膜形成方法。
- 前記カルボン酸がギ酸である請求項10または11に記載のプラント構成部材へのフェライト皮膜形成方法。
- 前記配管系内に供給する前記皮膜形成液に含まれるpH調整剤の濃度が、100ppmより大きく50000ppm未満の範囲内の濃度に調節されている請求項8ないし11のいずれか1項に記載のプラント構成部材へのフェライト皮膜形成方法。
- 前記皮膜形成液に含まれるpH調整剤の濃度が10000〜40000ppmの範囲内の濃度に調節されている請求項13に記載のプラント構成部材へのフェライト皮膜形成方法。
- 前記皮膜形成液の前記配管系の内面への接触、及び前記内面への前記Fe3−XCrXO4皮膜の形成が、前記配管系を有するプラントの運転停止後で前記プラントの運転開始前に行われる請求項8ないし14のいずれか1項に記載のプラント構成部材へのフェライト皮膜形成方法。
- 前記皮膜形成液の前記配管系の前記内面への接触が、前記配管系の前記内面の化学除染を実施した後に行われる請求項15に記載のプラント構成部材へのフェライト皮膜形成方法。
- 前記皮膜形成液の、前記皮膜形成対象物である前記配管系の内面への接触、及び前記内面への前記Fe3−XCrXO4皮膜の形成が、前記皮膜形成対象物である前記配管系を有するプラントの設置が終了した後で前記プラントの最初の試運転が開始される前に行われる請求項8ないし14のいずれか1項に記載のプラント構成部材へのフェライト皮膜形成方法。
- 前記クロムを含むフェライト皮膜を形成する前記配管系が、ステンレス鋼製の配管系及び炭素鋼製の配管系のいずれかである請求項8ないし17のいずれか1項に記載のプラント構成部材へのフェライト皮膜形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010112783A JP5420472B2 (ja) | 2010-05-17 | 2010-05-17 | プラント構成部材へのフェライト皮膜形成方法 |
| US13/108,471 US8821973B2 (en) | 2010-05-17 | 2011-05-16 | Method of forming Fe3-xCrxO4 (O<X≦0.1) film on structural member in a plant |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010112783A JP5420472B2 (ja) | 2010-05-17 | 2010-05-17 | プラント構成部材へのフェライト皮膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011242186A JP2011242186A (ja) | 2011-12-01 |
| JP5420472B2 true JP5420472B2 (ja) | 2014-02-19 |
Family
ID=44910430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010112783A Active JP5420472B2 (ja) | 2010-05-17 | 2010-05-17 | プラント構成部材へのフェライト皮膜形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8821973B2 (ja) |
| JP (1) | JP5420472B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5420472B2 (ja) * | 2010-05-17 | 2014-02-19 | 日立Geニュークリア・エナジー株式会社 | プラント構成部材へのフェライト皮膜形成方法 |
| JP6134617B2 (ja) * | 2013-09-06 | 2017-05-24 | 日立Geニュークリア・エナジー株式会社 | 原子力プラントの炭素鋼部材の化学除染方法 |
| JP6322493B2 (ja) * | 2014-06-17 | 2018-05-09 | 日立Geニュークリア・エナジー株式会社 | 原子力プラントの炭素鋼部材への放射性核種付着抑制方法 |
| CN107265515B (zh) * | 2017-07-31 | 2019-02-01 | 苏州热工研究院有限公司 | 一种高含量铬掺杂四氧化三铁粉体的制备方法 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5879196A (ja) | 1981-11-06 | 1983-05-12 | 東京電力株式会社 | 放射性イオン付着抑制方法 |
| JPS62233796A (ja) * | 1986-04-04 | 1987-10-14 | 株式会社日立製作所 | 原子力プラントの放射能低減方法及び原子力プラント |
| JP2000352597A (ja) | 1999-06-10 | 2000-12-19 | Toshiba Corp | 原子力発電プラントおよびその運転方法 |
| JP4067721B2 (ja) | 1999-09-27 | 2008-03-26 | 株式会社東芝 | 沸騰水型原子力発電プラント |
| JP3945780B2 (ja) | 2004-07-22 | 2007-07-18 | 株式会社日立製作所 | 原子力プラント構成部材の放射性核種の付着抑制方法および成膜装置 |
| JP4555625B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2010-10-06 | 日立Geニュークリア・エナジー株式会社 | 原子力プラントの運転方法 |
| JP4567542B2 (ja) | 2005-07-14 | 2010-10-20 | 日立Geニュークリア・エナジー株式会社 | 原子力プラント構成部材への放射性核種の付着抑制方法 |
| US20090003507A1 (en) | 2007-06-27 | 2009-01-01 | Makoto Nagase | Method and apparatus for suppressing corrosion of carbon steel, method for suppressing deposit of radionuclide onto carbon steel members composing a nuclear power plant, and film formation apparatus |
| JP5059325B2 (ja) | 2006-01-06 | 2012-10-24 | 株式会社日立製作所 | 炭素鋼の腐食抑制方法およびその装置 |
| JP4607775B2 (ja) | 2006-01-20 | 2011-01-05 | 日立Geニュークリア・エナジー株式会社 | フェライト皮膜を形成する薬剤の再生方法およびその装置 |
| JP4944542B2 (ja) | 2006-08-22 | 2012-06-06 | 日立Geニュークリア・エナジー株式会社 | 構造材からのニッケル及びコバルトの溶出抑制方法 |
| US8259894B2 (en) | 2006-12-14 | 2012-09-04 | Hitachi, Ltd. | Method of suppressing deposition of radioactive isotope |
| JP4538022B2 (ja) * | 2007-06-08 | 2010-09-08 | 日立Geニュークリア・エナジー株式会社 | 原子力プラント構成部材への放射性核種の付着抑制方法及びフェライト皮膜形成装置 |
| JP2009210307A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Hitachi-Ge Nuclear Energy Ltd | 原子力プラント構成部材への放射性核種の付着抑制方法及びフェライト皮膜形成装置 |
| JP4945487B2 (ja) * | 2008-03-18 | 2012-06-06 | 日立Geニュークリア・エナジー株式会社 | 炭素鋼部材へのフェライト皮膜形成方法及びその皮膜形成装置 |
| JP5317650B2 (ja) * | 2008-11-28 | 2013-10-16 | 日立Geニュークリア・エナジー株式会社 | プラント構成部材の表面へのフェライト皮膜の形成方法及びフェライト皮膜形成装置 |
| JP5377147B2 (ja) * | 2009-03-06 | 2013-12-25 | 日立Geニュークリア・エナジー株式会社 | 炭素鋼部材へのニッケルフェライト皮膜形成方法 |
| CN102348834A (zh) * | 2009-03-10 | 2012-02-08 | 株式会社东芝 | 控制发电设备中水化学的方法和系统 |
| JP5557475B2 (ja) * | 2009-05-29 | 2014-07-23 | 日立Geニュークリア・エナジー株式会社 | 原子力プラントを構成する部材へのフェライト皮膜の形成方法と皮膜形成装置 |
| JP4898877B2 (ja) * | 2009-08-04 | 2012-03-21 | 日立Geニュークリア・エナジー株式会社 | 炭素鋼部材の防食方法 |
| JP5500958B2 (ja) * | 2009-11-30 | 2014-05-21 | 日立Geニュークリア・エナジー株式会社 | 原子力部材へのフェライト皮膜形成方法、応力腐食割れの進展抑制方法及びフェライト成膜装置 |
| JP2011149764A (ja) * | 2010-01-20 | 2011-08-04 | Hitachi-Ge Nuclear Energy Ltd | 原子力プラント構成部材の線量低減方法 |
| JP5420472B2 (ja) * | 2010-05-17 | 2014-02-19 | 日立Geニュークリア・エナジー株式会社 | プラント構成部材へのフェライト皮膜形成方法 |
-
2010
- 2010-05-17 JP JP2010112783A patent/JP5420472B2/ja active Active
-
2011
- 2011-05-16 US US13/108,471 patent/US8821973B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20110277304A1 (en) | 2011-11-17 |
| JP2011242186A (ja) | 2011-12-01 |
| US8821973B2 (en) | 2014-09-02 |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
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