JP5408507B2 - 液晶アレイ検査装置およびライン座標位置算出方法 - Google Patents

Description

本発明は、液晶パネル基板製造工程において、製造された液晶アレイが正しく駆動するか否かを検査する液晶検査装置、および液晶パネルのピクセル位置を位置決めするために用いるラインの座標位置の算出に関する。

液晶パネル基板の製造工程では、製造された液晶パネル基板の液晶アレイが正しく駆動するかの検査が行われる（特許文献１，２）。

液晶パネル基板には、複数のピクセルに対応して液晶アレイが形成されており、この液晶アレイに駆動信号を印加することによって特定のピクセルを駆動することができる。

液晶アレイ検査において、液晶アレイに所定パターンの検査信号を印加し、液晶パネル基板内のピクセルを所定パターンで駆動する。

液晶パネル基板の液晶アレイの検査は、例えば、検査対象である液晶アレイに検査信号を印加し、検査信号によって各液晶アレイを駆動する。液晶パネル基板製造工程において、液晶パネル基板によってディスプレイが形成された段階では、液晶パネルに検査信号を印加し、このとき液晶パネルに現れる表示パターンを光学的に観察し、表示パターンが印加された信号パターンに対応するか否かによって液晶アレイを検査することが知られている。

また、液晶パネル基板製造工程において、液晶パネル基板によってディスプレイが未形成の段階では、液晶アレイに検査信号を印加して所定の電位状態とし、液晶アレイ上に電子ビームやイオンビーム等の荷電ビームを二次元的に照射して走査し、この荷電ビーム走査で得られる走査画像に基づいて電位状態を検出して、液晶アレイを検査することが知られている。

表示パターンの光学画像や荷電ビーム走査の走査画像によって、ピクセルを検査するには、液晶パネル内に設けられた複数のピクセルを特定する必要がある。

液晶アレイに印加する検査信号として、例えば、横方向および縦方向で隣接するピクセルに対して互いに信号強度を異にする格子状の検査信号(チェッカー信号)を用いることが知られている。格子状の検査信号(チェッカー信号)を印加することによって、液晶パネルには市松模様の表示パターンが表示され、また、液晶パネル基板には市松模様の電圧パターンが形成される。

表示パターンの光学画像による液晶アレイ検査において、ピクセル位置を特定するために、光学画像の市松模様の表示パターン（チェッカーパターン）を光学的に撮像し、撮像で得られた撮像画像（シグナルイメージ）を用いて行うことが知られている。

このチェッカーパターンを用いたピクセル位置の特定では、撮像画像（シグナルイメージ）上に現れる横方向のラインについて、はじめに先頭のラインを識別し、先頭ラインの座標位置を求め、この座標位置に基づいてピクセル位置を特定する。次に、先頭ラインの座標位置に基準ピッチ分をオフセットした座標位置を算出し、この算出した座標位置を次のラインの座標位置とし、このラインの座標位置に基づいてピクセル位置を特定する。

以下、ラインの座標位置に基準ピッチ分をオフセットすることによって次のラインの座標位置を算出し、ラインの座標位置に基づいてピクセル位置を特定する処理を繰り返すことによって、液晶パネルのピクセル位置を求める。

特開２００４−２７１５１６号公報 特開２００４−３０９４８８号公報

表示パターンの撮像は、複数のラインを含むフレームを単位として得られる。フレームは、所定時間間隔のトリガ信号に基づいて撮像することで取得される。

トリガ信号の時間間隔は均等となるように形成されるが、信号処理時のノイズ等によってトリガ信号間の時間間隔にずれが生じる場合がある。このようにトリガ信号間の時間間隔にずれが生じると、隣接するフレーム間の幅に不均等な部分が生じ、ライン幅のばらつきの要因となる。ライン幅にばらつきが生じると、次のラインの座標位置の算出に支障が生じ、液晶パネルのピクセル位置の算出が困難となるという問題が生じる。

図１５は、表示パターンのフレームサンプリングと撮像画像（シグナルイメージ）との関係を説明するための図である。

フレームサンプリング（図１５（ａ））は、表示パターンを複数のフレームによって順次に撮像することを意味している。表示パターンは、横方向に交互に異なる表示模様が連続してなるラインが縦方向に複数本配置され、市松模様が形成されている。表示模様の各単位は、格子状の検査信号(チェッカー信号)が印加されるアレイの単位に対応し、一アレイを単位として検査信号(チェッカー信号)を印加した場合には、各表示模様の単位は一ピクセルに対応することになる。

図１５に示すフレームサンプリングのピクセル数およびライン数は、表示パターンを撮像する撮像装置の仕様に応じて定まるが、ここでは、説明の便宜から一フレームは横方向に４ピクセル分縦方向に４ライン分を有する例を示している。この例は一例であってこの例に限られるものではない。各フレームはトリガ信号に基づいて撮像が行われ、撮像画像（シグナルイメージ）（図１５（ｂ））が取得される。

図１６は、フレームサンプリングを取得するためのトリガ信号を説明するための図である。トリガ信号（図１６（ｂ））は、例えば、クロック信号（図１６（ａ））を計数し、所定数のクロック信号を計数したときに形成される。トリガ信号の信号間隔は所定数のクロック信号によって定まるが、トリガ信号を形成する信号処理においてノイズ等の影響を受けると、トリガ信号の信号間隔にばらつきが生じる場合がある。図１６（ｂ）では、トリガ信号Ａとトリガ信号Ｂとの信号間隔がＴ、トリガ信号Ｂとトリガ信号Ｃとの信号間隔がＴ＋Δｔ１、トリガ信号Ｃとトリガ信号Ｄとの信号間隔がＴ、トリガ信号Ｄとトリガ信号Ｅとの信号間隔がＴ＋Δｔ2、トリガ信号Ｅとトリガ信号Ｆの信号間隔がＴの例を示している。

信号間隔がずれたトリガ信号によってサンプリングを行うと、得られる撮像画像（シグナルイメージ）に、ライン幅が縮まる収縮あるいはライン幅が広まる膨張の現象が生じる。ライン幅の収縮は、トリガ信号間の信号間隔が広まることで生じ、図１５ではトリガ信号Ｂとトリガ信号Ｃとの信号間隔がＴ＋Δｔ１となるフレームの場合が対応する。一方、ライン幅の膨張は、トリガ信号間の信号間隔が狭まることで生じ、図１５ではトリガ信号Ｄとトリガ信号Ｆとの信号間隔がＴ＋Δｔ2となるフレームの場合が対応する。なお、Δt2は負である。

ライン幅が収縮する場合には、フレームサンプリングにおいて、ラインの一部について撮像が行われず画像信号が欠落する。また、ライン幅が膨張する場合には、フレームサンプリングにおいて、ラインの一部が重複して撮像され同じ画像信号が連続して形成される。

図１７は、撮像画像（シグナルイメージ）のチェッカーパターンからラインを検出し、検出したラインの座標位置に基づいてピクセル位置を特定する状態を示している。

図１７（ａ）の撮像画像（シグナルイメージ）は、４ライン分のチェッカーパターンを示している。ここでは、ラインに収縮や膨張がない場合を示している。

はじめに、先頭ラインＬ1を識別し、先頭ラインＬ1を実検出ラインとして座標位置を検出し、この座標位置に基づいてピクセル位置（図中Ｌ1上の×印）を特定する。次に、先頭ラインＬ1の座標位置に基準ピッチ分Ｐをオフセットした座標位置を算出し、設定ライン（図中のラインＬ2）として設定する。この設定ラインを次の実検出ラインとして座標位置を検出し、この座標位置に基づいてピクセル位置（図中Ｌ2上の×印）を特定する。

さらに、前ラインと同様に、ラインＬ3の座標位置に基準ピッチ分Ｐをオフセットした座標位置を算出し、次の設定ライン（図中のラインＬ3）として設定する。この設定ラインを次の実検出ラインとして座標位置を検出し、この座標位置に基づいてピクセル位置（図中Ｌ3上の×印）を特定する。

図１７（ｂ），（ｃ），（ｄ）はラインＬ1，Ｌ2，Ｌ3の撮像画像（シグナルイメージ）の信号強度を示している。格子状の検査信号を印加することで得られる撮像画像（シグナルイメージ）の各ラインの信号強度パターンは、隣接ラインで互いに相補的に変化する。基準ピッチ分Ｐだけ離れたラインの信号強度パターンが互いに相補的に変化することから、ラインに収縮や膨張がないことを認識することができる。

図１８はラインが収縮する場合を示している。撮像画像（シグナルイメージ）のチェッカーパターンにおいてラインが収縮している場合には、ラインＬ11を実検出ラインとして次に設定される設定ラインＬ12の信号強度パターンは、実検出ラインＬ11の信号強度パターンと同一となる。図１８（ｂ），（ｃ）はラインＬ11，Ｌ12の撮像画像（シグナルイメージ）の信号強度を示し、同じ信号強度パターンを示している。

図１９はラインが膨張する場合を示している。撮像画像（シグナルイメージ）のチェッカーパターンにおいてラインが膨張している場合には、ラインＬ21を実検出ラインとして次に設定される設定ラインＬ22の信号強度パターンは、実検出ラインＬ21の信号強度パターンと互いに相補的となるが、ラインＬ22を実検出ラインとして次に設定される設定ラインＬ23の信号強度パターンは、ラインＬ22の信号強度パターンと同一となる。

図１９（ｂ），（ｃ），（ｄ）はラインＬ21，Ｌ22, Ｌ23の撮像画像（シグナルイメージ）の信号強度を示し、ラインＬ22とラインＬ23の信号強度パターンは同一となる。

格子状の検査信号を印加することで得られる撮像画像（シグナルイメージ）の各ラインの信号強度パターンは、隣接ラインで互いに相補的に変化することが期待されるが、ラインが収縮あるいは膨張した場合には同一となる。そのため、基準ピッチ分Ｐをオフセットすることによって次のラインの座標位置を設定し、このラインの位置座標に基づいてピクセル位置を求めると、収縮の場合には一ライン分飛ばしたラインのピクセル位置を算出することになり、膨張の場合には同一ラインのピクセル位置を算出することになり、正確なライン位置座標およびピクセル位置を検出することができない。

そこで、本発明は上記課題を解決して、表示パターンのフレームサンプリングから得られた撮像画像（シグナルイメージ）に収縮や膨張といった、隣接するフレーム間の幅に不均等な部分が生じ、ライン幅にばらつきが生じた場合であっても、各ラインの座標位置を正確に算出し、液晶パネルのピクセル位置を正確に算出することを目的とする。

本発明は、表示パターンを撮像して得られる撮像画像（シグナルイメージ）において、実検出ラインの座標位置を検出した後、次に座標位置を検出する実検出ラインを求める際に、前の実検出ラインの信号強度パターンと比較することによってラインの良・不良の検出、判定、および、不良ラインの収縮又は膨張の判定を行い、次の実検出ラインを求める。

ラインの良・不良の検出、判定、不良ラインの収縮・膨張の判定を行うことによって、ライン幅にばらつきが生じた場合であっても、各ラインの座標位置を正確に算出することができる。さらに、算出したラインの座標位置から、液晶パネルのピクセル位置を正確に算出することができる。

本願発明は、液晶アレイ検査装置の態様、およびライン座標位置算出方法の態様を備え、何れの態様も、実検出ラインの座標位置を検出した後、次に座標位置を検出する実検出ラインを求める際に、前の検出ラインの信号強度パターンと比較することによってラインの良・不良の検出、判定、および、不良ラインの収縮又は膨張の判定を行うことで、次の実検出ラインを求めるという共通する技術事項を備える。

［液晶アレイ検査装置の態様］
本願発明の液晶アレイ検査装置の態様は、液晶アレイが形成された液晶アレイ基板上に荷電ビームを照射して走査し、当該荷電ビーム走査で得られる走査画像に基づいて液晶アレイを検査する液晶アレイ検査装置、および、液晶アレイに検査信号を印加して得られる液晶パネルの表示パターンの撮像画像に基づいて液晶アレイを検査する液晶アレイ検査装置の何れの液晶アレイ検査装置に適用することができる。

液晶アレイ検査装置の態様は、液晶アレイに検査信号を印加して得られる液晶パネルの表示パターンの撮像画像に基づいて、撮像画像を構成する各ラインのライン座標位置を算出するライン座標位置算出部を備える。

本発明のライン座標位置算出部は、液晶パネルの表示パターンを撮像して撮像画像を取得する撮像画像取得部と、撮像画像からライン座標位置を演算処理により算出するライン座標位置演算処理部とを備える。

本発明のライン座標位置演算処理部は、ラインの信号強度パターンを比較する信号パターン比較部と、前記比較部の比較に基づいてラインの良・不良の検出、判定、およびライン幅の変化状態を判定する検出・判定部、次の実検出ラインを選出する選出部、および座標算出部を備え、撮像画像を構成する複数のラインの中から撮像方向に沿って順に一ラインずつ選出し、一連の演算処理によって、選出したラインを実検出ラインとしてライン座標位置を算出する。

一連の演算処理において、本発明の検出・判定部は、実検出ラインのライン座標位置から基準ピッチ分だけオフセットした座標位置を算出して設定ラインを設定し、前の実検出ラインの信号強度パターンと設定ラインの信号強度パターンとを比較し、この比較に基づいてライン幅の変化によるラインの良・不良を検出し判定する。

ラインの良・不良検出、判定によってラインの不良を検出したときに、設定ラインのライン座標位置に所定長さだけオフセットした座標位置を算出して探索ラインを設け、前の実検出ラインの信号強度パターンと探索ラインの信号強度パターンとを比較し、この比較に基づいてライン幅の変化状態を判定する。

本発明の選出部は、ラインの良・不良検出判定でラインが不良であることを検出したときには探索ラインを次の実検出ラインとして選出し、ラインの良・不良検出判定でラインが良であることを検出したときには設定ラインを次の実検出ラインとして選出する。

本発明の座標算出部は、選出部が選出したラインを実検出ラインとしてライン座標位置を算出する。

設定ラインを設定する際に、実検出ラインのライン位置座標からのオフセットに用いる基準ピッチは、正常なラインが備えるライン幅とする。実検出ラインの位置座標から基準ピッチ分をオフセットさせた設定ラインを設定することによって、ライン幅が一定であれば常に表示パターン上の各ラインのライン位置座標を取得することができ、ライン幅が変化した場合には、検出・判定部による信号強度パターンの比較によってラインの不良を検出することができる。

本発明が定める探索ラインの態様、および、探索ラインを用いたライン幅の変化状態（収縮又は膨張）を判定する態様は、２つの態様とすることができる。

ここで、撮像方向は、複数のラインを含むフレームを単位として表示パターンを撮像する際において、各フレームを順次に撮像する際の撮像方向であり、ライン幅の変化はこの撮像方向に生じる。

（探索ラインの第１の態様）
第１の態様による探索ラインは、設定ラインに対して撮像方向に所定長さだけオフセットした一本のラインである。第１の態様の探索ラインは、設定ラインのライン位置から次の実検出ラインを定める方向に定める。設定ラインから所定長さだけオフセットした位置にあるラインを探索ラインとして定め、この探索ラインの信号強度パターンが次の実検出ラインの信号強度パターンとして適当であるか否か、およびライン幅の収縮・膨張を判定する。

検査信号として、ライン毎に相補的な表示パターンを形成する信号を用いる場合には、本発明の検出・判定部は、実検出ラインの信号強度パターンと探索ラインの信号強度パターンとが同じパターンであるときはライン幅が収縮したと判定し、実検出ラインの信号強度パターンと前記探索ラインの信号強度パターンとが相補パターンであるときはライン幅が膨張した判定する。

（探索ラインの第２の態様）
第２の態様による探索ラインは、設定ラインに対して撮像方向および撮像方向と逆方向に所定長さだけオフセットした二本のラインである。

第２の態様の探索ラインは、設定ラインのライン位置から次の実検出ラインを定める方向に定める一ラインと、設定ラインのライン位置から前の実検出ラインの方向に定めるラインの一ラインの二本のラインを定める。

設定ラインを挟んで反対側にそれぞれ所定長さだけオフセットした位置に二本のラインを探索ラインとして定め、この探索ラインの信号強度パターンが次の実検出ラインの信号強度パターンとして適当であるか否か、およびライン幅の収縮・膨張を判定する。

検査信号として、ライン毎に相補的な表示パターンを形成する信号を用いる場合には、本発明の検出・判定部は、前の実検出ラインの信号強度パターンと、撮像方向と逆方向の探索ラインの信号強度パターンとが相補パターンであり、前の実検出ラインの信号強度パターンと、撮像方向の探索ラインの信号強度パターンとが同じパターンであるときはライン幅が収縮したと判定する。また、前の実検出ラインの信号強度パターンと、撮像方向と逆方向の前記探索ラインの信号強度パターンとが同じパターンであり、前の実検出ラインの信号強度パターンと、撮像方向の前記探索ラインの信号強度パターンとが相補パターンであるときはライン幅が膨張したと判定する。

［ライン座標位置算出方法の態様］
本願発明のライン座標位置算出方法の態様は、液晶アレイに検査信号を印加して得られる液晶パネルの表示パターンの撮像画像に基づいて、撮像画像を構成する各ラインのライン座標位置を算出するライン座標位置算出方法において、撮像画像を構成する複数のラインの中から撮像方向に沿って順に一ラインずつ選出し、選出したラインを実検出ラインとしてライン座標位置を算出する一連の工程を有する。

一連の工程は、実検出ラインのライン座標位置から基準ピッチ分だけオフセットした座標位置を算出して設定ラインを設定し、前の検出ラインの信号強度パターンと設定ラインの信号強度パターンとを比較し、この比較に基づいてライン幅の変化によるラインの良・不良を検出する検出工程と、検出工程で不良を検出したときに、設定ラインのライン座標位置に所定長さだけオフセットした座標位置を算出して探索ラインを設け、前の実検出ラインの信号強度パターンと探索ラインの信号強度パターンとを比較し、この比較に基づいてライン幅の変化状態を判定する判定工程と、検出工程でラインが不良であることを検出したときには判定工程で設けた探索ラインを次の実検出ラインとして選出し、検出工程でラインが良であることを検出したときには設定ラインを次の実検出ラインとして選出する選出工程と、選出したラインを実検出ラインとしてライン座標位置を算出する座標算出工程とを備える。

設定ラインを設定する際に、実検出ラインのライン位置座標からのオフセットに用いる基準ピッチは、正常なラインが備えるライン幅とする。実検出ラインの位置座標から基準ピッチ分をオフセットさせた設定ラインを設定することによって、ライン幅が一定であれば常に表示パターン上の各ラインのライン位置座標を取得することができ、ライン幅が変化した場合には、検出工程による信号強度パターンの比較によってラインの不良を検出することができる。

本発明のライン座標位置算出方法において、探索ラインの態様は２つの態様とすることができる。ここで、撮像方向は、複数のラインを含むフレームを単位として表示パターンを撮像する際において、各フレームを順次に撮像する際の撮像方向であり、ライン幅の変化はこの撮像方向に生じる。

（探索ラインの第１の態様）
第１の態様による探索ラインは、設定ラインに対して撮像方向に所定長さだけオフセットした一本のラインである。第１の態様の探索ラインは、設定ラインのライン位置から次の実検出ラインを定める方向に定める。設定ラインから所定長さだけオフセットした位置にあるラインを探索ラインとして定め、この探索ラインの信号強度パターンが次の実検出ラインの信号強度パターンとして適当であるか否か、およびライン幅の収縮・膨張を判定する。

検査信号として、ライン毎に相補的な表示パターンを形成する信号を用いる場合には、本発明の判定工程は、実検出ラインの信号強度パターンと探索ラインの信号強度パターンとが同じパターンであるときはライン幅が収縮したと判定し、実検出ラインの信号強度パターンと前記探索ラインの信号強度パターンとが相補パターンであるときはライン幅が膨張した判定する。

（探索ラインの第２の態様）
第２の態様による探索ラインは、設定ラインに対して撮像方向および撮像方向と逆方向に所定長さだけオフセットした二本のラインである。

第２の態様の探索ラインは、設定ラインのライン位置から次の実検出ラインを定める方向に定める一ラインと、設定ラインのライン位置から前の実検出ラインの方向に定めるラインの一ラインの二本のラインを定める。

設定ラインを挟んで反対側にそれぞれ所定長さだけオフセットした位置に二本のラインを探索ラインとして定め、この探索ラインの信号強度パターンが次の実検出ラインの信号強度パターンとして適当であるか否か、およびライン幅の収縮・膨張を判定する。

検査信号として、ライン毎に相補的な表示パターンを形成する信号を用いる場合には、本発明の判定工程は、前の実検出ラインの信号強度パターンと、撮像方向と逆方向の探索ラインの信号強度パターンとが相補パターンであり、前の実検出ラインの信号強度パターンと、撮像方向の探索ラインの信号強度パターンとが同じパターンであるときはライン幅が収縮したと判定する。また、前の実検出ラインの信号強度パターンと、撮像方向と逆方向の前記探索ラインの信号強度パターンとが同じパターンであり、前の実検出ラインの信号強度パターンと、撮像方向の前記探索ラインの信号強度パターンとが相補パターンであるときはライン幅が膨張したと判定する。

二本の探索ラインを設定する第２の態様において、設定ラインのライン位置から前の実検出ラインの方向に定める探索ラインを実検出ラインとし、この実検出ラインのライン位置座標を算出することによって、ライン幅が収縮した際の収縮ラインについてライン位置座標を算出することができる。

本発明によれば、表示パターンのフレームサンプリングから得られた撮像画像（シグナルイメージ）に収縮や膨張といった、隣接するフレーム間の幅に不均等な部分が生じ、ライン幅にばらつきが生じた場合であっても、各ラインの座標位置を正確に算出し、液晶パネルのピクセル位置を正確に算出することができる。

本発明の液晶アレイ検査装置の構成例を説明するための図である。 本発明のライン座標位置演算処理部一構成例を説明するための図である。 本発明のライン座標位置を算出する第１の態様例を説明するためのフローチャートである。 本発明のライン座標位置を算出する第１の態様例のライン収縮を説明するためのフローチャートである。 本発明のライン座標位置を算出する第１の態様例のライン収縮を説明するための図である。 本発明のライン座標位置を算出する第１の態様例のライン膨張を説明するための図である。 本発明のライン座標位置を算出する第１の態様例のライン膨張を説明するための図である。 本発明のライン座標位置を算出する第２の態様例を説明するためのフローチャートである。 本発明のライン座標位置を算出する第２の態様例のライン収縮を説明するための図である。 本発明のライン座標位置を算出する第２の態様例のライン収縮を説明するための図である。 本発明のライン座標位置を算出する第２の態様例のライン膨張を説明するための図である。 本発明のライン座標位置を算出する第２の態様例のライン膨張を説明するための図である。 本発明のライン座標位置を算出する第２の態様例のライン収縮を説明するための図である。 本発明のライン座標位置を算出する第２の態様例のライン収縮を説明するための図である。 表示パターンのフレームサンプリングと撮像画像（シグナルイメージ）との関係を説明するための図である。 フレームサンプリングを取得するためのトリガ信号を説明するための図である。 撮像画像（シグナルイメージ）からのライン検出を説明するための図である。 撮像画像（シグナルイメージ）からのライン検出を説明するための図である。 撮像画像（シグナルイメージ）からのライン検出を説明するための図である。

以下、本発明の実施の形態について図を参照しながら詳細に説明する。以下では、図１，２を用いて本発明の液晶アレイ検査装置の構成例を説明し、図３〜図１４を用いて本発明のライン座標位置算出について説明する。図３〜図７は設定ラインに対して撮像方向に探索ラインを定める例を示し、図８〜図１４は設定ラインに対して撮像方向および撮像方向と逆方向の両側に探索ラインを定める例を示している。

［液晶アレイ検査装置の構成例］
図１を用いて本発明の液晶アレイ検査装置の構成例を説明する。図１に示す構成例は、液晶アレイが形成された液晶アレイ基板上に荷電ビームを照射して走査し、荷電ビーム走査で得られる走査画像に基づいて液晶アレイを検査する液晶アレイ検査装置、および、液晶アレイに検査信号を印加して得られる液晶パネルの表示パターンの撮像画像に基づいて液晶アレイを検査する液晶アレイ検査装置の何れの液晶アレイ検査装置の両装置例を合わせて示している。

液晶アレイ検査装置１は、液晶基板１００はステージ５上に載置され、ステージ５はステージ制御部１３によって制御される。液晶基板１００を荷電ビームの走査によって得られる走査画像、あるいは液晶基板１００を撮像して得られる撮像画像によって液晶アレイを検査する。

走査画像を取得する構成として、液晶基板１００に電子ビーム等の荷電粒子ビームを照射する荷電粒子ビーム源３、液晶基板１００から放出される二次電子を検出する二次電子検出器等の検出器４、検出器４の出力信号から走査画像を取得する走査画像取得部２２、走査制御を行う走査制御部１２を備える。走査制御部１２は、荷電粒子ビーム源３の荷電粒子の走査制御やステージ制御部１３のステージ制御を制御することで、液晶基板１００上の荷電粒子ビームの走査を制御する。

撮像画像を取得する構成として、液晶基板１００を撮像する撮像部２、撮像部２の撮像のタイミングを制御するトリガ信号を生成するトリガ信号生成部１４、撮像部２の撮像信号から撮像画像を取得する撮像画像取得部２１を備える。

液晶アレイ検査装置１は検査部２３を備え、検査部２３は走査画像取得部２２で取得した走査画像あるいは撮像画像取得部２１で取得した撮像画像を入力し、入力した走査画像あるいは撮像画像に基づいて液晶アレイ検査を行う。

液晶アレイ検査装置１は、液晶アレイ検査においてピクセル位置座標を特定するための構成として、撮像部２、撮像画像取得部２１、およびライン座標位置演算処理部２４を備える。

ライン座標位置演算処理部２４は、液晶パネルを所定の検査信号を印加することで表示された表示パターンを撮像して得られた撮像画像（シグナルイメージ）に基づいて、液晶アレイが形成するラインの座標位置を算出する。

液晶アレイ検査装置１は、液晶アレイに検査信号を印加する検査信号印加部６を備える。印加する検査信号は、例えば、横方向および縦方向で隣接するピクセルに対して互いに信号強度を異にする格子状の検査信号(チェッカー信号)を用いる。格子状の検査信号(チェッカー信号)を印加することによって、液晶パネルには市松模様の表示パターンが表示される。

走査制御部１２，およびトリガ信号生成部１４は制御部１１によって制御される。なお、制御部１１は、液晶アレイ検査装置の全体を制御することができる。

次に、ライン座標位置演算処理部２４の一構成例について図２を用いて説明する。ライン座標位置演算処理部２４は、撮像画像データ記憶部２４ａ、撮像画像データ読み出し部２４ｂ、ライン算出部２４ｃ、信号パターン比較部２４ｄ、判定部２４ｅ、座標算出部２４ｆを備える。なお、ライン算出部２４ｃは、ラインを選択する選出部を構成し、信号パターン比較部２４ｄおよび判定部２４ｅは検出・判定部を構成する。

撮像画像データ記憶部２４ａは、撮像部を構成するＣＤＤ等の撮像装置から撮像画像データを入力し、記憶する。

撮像画像データ読み出し部２４ｂは、ライン算出部２４ｃで算出されたラインに対応する撮像画像データを撮像画像データ記憶部２４ａから読み出して信号パターン比較部２４ｄに出力する。

信号パターン比較部２４ｄは、実検出ラインの信号強度パターンと設定ラインの信号強度パターンとを比較する比較部２４d1と、実検出ラインの信号強度パターンと探索ラインの信号強度パターンとを比較する比較部２４d2とを備える。

判定部２４ｅは、比較部２４d1の比較結果に基づいて、ラインのライン幅が収縮あるいは膨張するといったラインの良・不良を判定して検出する良・不良判定部２４e1と、比較部２４d2の比較結果に基づいて、不良検出されたラインについてライン幅が収縮であるか、あるいは膨張であるかを判定する収縮・膨張判定部２４e2とを備える。

ライン算出部２４ｃは、判定部２４ｅの判定結果に基づいて、次の実検出ラインの座標位置を算出し、撮像画像データ読み出し部２４ｂは算出した実検出ラインの座標位置に基づいて撮像画像データ記憶部２４ａから撮像画像データを読み出し、実検出ラインの信号強度に基づいてピクセルの座標位置を算出する。

実検出ラインの信号強度を用いたピクセルの座標位置の算出は、例えば、実検出ラインの信号強度のライン長さ方向の変化から、各ピクセルに対応する信号強度列を求め、求めた信号強度列の中央位置をそのピクセルの座標位置とすることができる。

［ライン座標位置の算出］
本発明は、ライン座標位置の算出において、ラインが不良であるときに、座標位置を求めるために次の実検出ラインを定める際において、ラインを設定する態様として二つの態様を備える。

第１の態様は、不良が検出されたラインに対して撮像方向に所定長さだけオフセットした位置に一本のラインを定め、このラインを探索ラインとして次の実検出ラインを定める。第２の態様は、不良が検出されたラインに対して撮像方向および撮像方向と逆方向に所定長さだけオフセットした位置に二本のラインを定め、この二本のラインを探索ラインとして次の実検出ラインを定める。撮像方向は、複数のラインを含むフレームを単位として表示パターンを撮像する際において、各フレームを順次に撮像する際の撮像方向である。

（ライン座標位置の算出の第１の態様）
はじめに、ライン座標位置を算出する第１の態様例について図３のフローチャート、図４〜図７の説明図を用いて説明する。なお、図４に示す撮像画像の例は３ピクセル分について５ライン（内、１ラインはライン幅が収縮している）のみを示し、図５に示す撮像画像の例は３ピクセル分について６ライン（内、１ラインはライン幅が収縮している）のみを示し、図６に示す撮像画像の例は３ピクセル分について３ライン（内、１ラインはライン幅が膨張している）のみを示し、図７に示す撮像画像の例は３ピクセル分について４ライン（内、１ラインはライン幅が膨張している）のみを示している。

実検出ラインを基にして、基準のライン間隔だけ離れた設定ラインを算出する。基準のライン間隔は、例えば、撮像画像の各ラインのライン幅Ｐである基準ピッチとすることができる。基準ピッチを撮像画像の各ラインのライン幅Ｐに合わせて設定することによって、撮像画像の表示パターンに正常なライン幅で表されている場合には、全ラインについて設定ラインを設定し、各ラインの座標位置を算出することができる(S1)。

実検出ラインと設定ラインの信号強度パターンを求める。図４、５はライン幅が収縮した場合を示し、図６、７はライン幅が膨張した場合を示している。図４において、ラインＬ11を現時点で座標位置を算出する実検出ラインとし、このラインＬ11から基準ピッチ（ライン幅Ｐ）だけオフセットした位置に定めたラインＬ12を設定ラインとして設定する。また、図６において、ラインＬ21を現時点で座標位置を算出する実検出ラインとし、このラインＬ21から基準ピッチ（ライン幅Ｐ）だけオフセットした位置に定めたラインＬ22を設定ラインとして設定し、さらにラインＬ22を実検出ラインとしこのラインＬ22から基準ピッチ（ライン幅Ｐ）だけオフセットした位置に定めたラインＬ23を設定ラインとして設定する(S2)。

実検出ラインと設定ラインの信号強度パターンを比較する。図４に示したライン幅が収縮する例では、ラインＬ11の実検出ラインの信号強度パターン（図４（ｂ））と、ラインＬ12の設定ラインの信号強度パターン（図４（ｃ））とを比較すると、同じ信号強度パターンを示している。

ここでは、検査信号として、撮像画像の信号強度パターンがライン方向および撮像方向で交互に変化し、信号強度が相補的に現れる表示パターンが形成されるような信号パターンを印加している。したがって、ライン幅が正常であれば、実検出ラインの信号強度パターンと設定ラインの信号強度パターンとは、互いに相補的な関係となる。

これに対して、図４に示すようにライン幅が収縮した場合には、ライン幅の収縮によって、実検出ラインの信号強度パターンと設定ラインの信号強度パターンとは同じ信号強度パターンとなる。

また、図６に示したライン幅が膨張する例では、ラインＬ21の実検出ラインの信号強度パターン（図６（ｂ））と、ラインＬ22の設定ラインの信号強度パターン（図６（ｃ））とを比較すると、相補的な信号強度パターンを示している。次に、ラインＬ22を実検出ラインとし、基準ピッチ分オフセットしたラインＬ23を設定ラインとした場合には、ラインＬ22の実検出ラインの信号強度パターン（図６（ｃ））と、ラインＬ23の設定ラインの信号強度パターン（図６（ｄ））とを比較すると、同一信号強度パターンとなる。ラインＬ22とラインＬ23はライン膨張によって同一のラインであるため、ラインＬ22とラインＬ23を実検出ラインとしてライン座標位置を算出すると、同一ラインについて２つの座標位置を設定することになり、正確なライン座標位置およびピクセルの座標位置の算出に支障が生じる。

したがって、ライン幅が収縮あるいは膨張する場合には、実検出ラインの信号強度パターンと設定ラインの信号強度パターンとが同じ信号強度パターンであることを検出することによって、ライン不良を検出することができる（S3,S4,S8）。

ライン幅が正常である場合には、実検出ラインの信号強度パターンと設定ラインの信号強度パターンとが相補的な信号強度パターンであることを検出することによって、ライン良を検出することができる（S3,S4）。

ラインが良と判定された場合には、設定ラインを実検出ラインとし(S5)、実検出ラインの信号強度に基づいて、各ピクセルの中心に相当する座標位置を求め(S6)、ピクセルの座標位置を算出する（S7）。

ラインが不良と判定された場合には(S8)、設定ラインに対して撮像方向側に探索範囲を設定し、探索範囲内に探索ラインを設ける。探索ラインは、設定ラインから所定距離だけオフセットした位置に設ける。

収縮したラインの収縮幅が、Ｐ／２以上でライン幅がＰ／２以下であると仮定した場合に、ラインの収縮を検出するための探索範囲の幅はＰ／２以下とする。なお、ライン幅はＰとする。また、膨張したラインのライン幅を（Ｐ＋Ｐ／２）以上と仮定した場合には、ラインの膨張を検出するための探索範囲の幅はＰ／４以上とする。したがって、ラインの収縮と膨張を検出するための探索範囲はＰ／４〜Ｐ／２とし、この探索範囲に探索ラインを設定する。

設定した探索ラインの信号強度パターンを求め（S10）、求めた探索ラインの信号強度パターンと実検出ラインの信号強度パターンとを比較することによって、ラインの収縮・膨張を判定する(S11)。探索ラインの信号強度パターンと実検出ラインの信号強度パターンとが同一信号強度パターンである場合には収縮と判定し（S12）、探索ラインの信号強度パターンと実検出ラインの信号強度パターンとが相補的な信号強度パターンである場合には膨張と判定する（S13）。

S11の工程において、上記判定が成されない場合には、探索ラインを変更してS9の工程に戻り判定を繰り返す。

ライン収縮の場合には、図４に示すように、設定ラインであるラインＬ12と探索ラインであるラインＬ12Aは、同じライン幅内にあって同じ信号強度パターンを有するため、実検出ライン（Ｌ11）の信号強度パターン（図４（ｂ））と、探索ライン（Ｌ12A）の信号強度パターン（図４（ｄ））とは同じ信号強度パターンとなる。

この実検出ライン（Ｌ11）の信号強度パターン（図４（ｂ））と、探索ライン（Ｌ12A）の信号強度パターン（図４（ｄ））とが同じ信号強度パターンとなることから、ライン収縮であることを判定する。

ライン膨張の場合には、図６に示すように、設定ラインであるラインＬ22とラインＬ23は同じライン幅内にあって同じ信号強度パターンを有し、かつ、設定ラインのラインＬ22に対して定めた探索ラインのラインＬ23Aは、それぞれ相補的な信号強度パターンを有するラインであるため、実検出ライン（Ｌ21）の信号強度パターン（図６（ｂ））と、探索ライン（Ｌ23A）の信号強度パターン（図６（ｄ））とは相補的な信号強度パターンとなる。

この実検出ライン（Ｌ21）の信号強度パターン（図６（ｂ））と、探索ライン（Ｌ23A）の信号強度パターン（図６（ｄ））とが相補的な信号強度パターンとなることから、ライン膨張であることを判定する。

次に、探索ラインを実検出ラインとし(S14)、実検出ラインの座標位置を求め、この座標位置に基づいて実検出ライン上にある各のピクセルの中心位置を求め（S15）、求めた中心位置をピクセルの座標位置とする(S16)。

S7およびS16の工程でピクセルの座標位置を求めた後は、S1の工程に戻り、前記したS1〜S16の工程を繰り返す。

ピクセルの中心位置は、例えば、実検出ライン上の信号強度パターンの信号強度変化から各ピクセルの範囲を求め、求めたピクセルの範囲の中心をピクセルの中心位置とすることで算出する。

ライン収縮の場合には、図５に示すように、探索ライン（Ｌ12A）を実検出ラインとしてラインの座標位置およびピクセルの座標位置を求める。その後、ラインＬ12Aから基準ピッチだけオフセットしたラインＬ13について座標位置およびピクセルの座標位置を求める。

ライン膨張の場合には、図７に示すように、探索ライン（Ｌ23A）を実検出ラインとしてラインの座標位置およびピクセルの座標位置を求める。その後、ラインＬ23Aから基準ピッチだけオフセットしたラインＬ24について座標位置およびピクセルの座標位置を求める。

（ライン座標位置の算出の第２の態様）
次に、ライン座標位置を算出する第２の態様例について図８のフローチャート、図９〜図１２の説明図を用いて説明する。なお、図９に示す撮像画像の例は３ピクセル分について４ライン（内、１ラインはライン幅が収縮している）のみを示し、図１０に示す撮像画像の例は３ピクセル分について５ライン（内、１ラインはライン幅が収縮している）のみを示し、図１１に示す撮像画像の例は３ピクセル分について３ライン（内、１ラインはライン幅が膨張している）のみを示し、図１２に示す撮像画像の例は３ピクセル分について４ライン（内、１ラインはライン幅が膨張している）のみを示している。

図８に示すフローチャートは、図３に示すフローチャートと共通する工程は同じ符号Sを用いて示している。

実検出ラインを基にして、基準のライン間隔だけ離れた設定ラインを算出する。基準のライン間隔は、例えば、撮像画像の各ラインのライン幅Ｐである基準ピッチとすることができる。基準ピッチを撮像画像の各ラインのライン幅Ｐに合わせて設定することによって、撮像画像の表示パターンに正常なライン幅で表されている場合には、全ラインについて設定ラインを設定し、各ラインの座標位置を算出することができる(S1)。

実検出ラインと設定ラインの信号強度パターンを求める。図９、１０はライン幅が収縮した場合を示し、図１１、１２はライン幅が膨張した場合を示している。図９において、ラインＬ11を現時点で座標位置を算出する実検出ラインとし、このラインＬ11から基準ピッチ（ライン幅Ｐ）だけオフセットした位置に定めたラインＬ12を設定ラインとして設定する。また、図１１において、ラインＬ21を現時点で座標位置を算出する実検出ラインとし、このラインＬ21から基準ピッチ（ライン幅Ｐ）だけオフセットした位置に定めたラインＬ22を設定ラインとして設定し、さらにラインＬ22を実検出ラインとし、このラインＬ22から基準ピッチ（ライン幅Ｐ）だけオフセットした位置に定めたラインＬ23を設定ラインとして設定する(S2)。

次に、実検出ラインと設定ラインの信号強度パターンを比較する。図９に示したライン幅が収縮する例では、ラインＬ11の実検出ラインの信号強度パターン（図９（ｂ））と、ラインＬ12の設定ラインの信号強度パターン（図９（ｃ））とを比較すると、同じ信号強度パターンを示している。

ここでは、検査信号として、撮像画像の信号強度パターンがライン方向および撮像方向で交互に変化し、信号強度が相補的に現れる表示パターンが形成されるような信号パターンを印加している。したがって、ライン幅が正常であれば、実検出ラインの信号強度パターンと設定ラインの信号強度パターンとは、互いに相補的な関係となる。

これに対して、図９に示すようにライン幅が収縮した場合には、ライン幅の収縮によって、実検出ラインの信号強度パターンと設定ラインの信号強度パターンとは同じ信号強度パターンとなる。

また、図１１に示したライン幅が膨張する例では、ラインＬ21の実検出ラインの信号強度パターン（図９（ｂ））と、ラインＬ22の設定ラインの信号強度パターン（図９（ｃ））とを比較すると、相補的な信号強度パターンを示している。次に、ラインＬ22を実検出ラインとし、基準ピッチ分オフセットしたラインＬ23を設定ラインとした場合には、ラインＬ22の実検出ラインの信号強度パターン（図９（ｃ））と、ラインＬ23の設定ラインの信号強度パターン（図９（ｄ））とを比較すると、同一信号強度パターンとなる。ラインＬ22とラインＬ23はライン膨張によって同一のラインであるため、ラインＬ22とラインＬ23を実検出ラインとしてライン座標位置を算出すると、同一ラインについて２つの座標位置を設定することになり、正確なライン座標位置およびピクセルの座標位置の算出に支障が生じる。

したがって、ライン幅が収縮あるいは膨張する場合には、実検出ラインの信号強度パターンと設定ラインの信号強度パターンとが同じ信号強度パターンであることを検出することによって、ライン不良を検出することができる（S3,S4,S8）。

ライン幅が正常である場合には、実検出ラインの信号強度パターンと設定ラインの信号強度パターンとが相補的な信号強度パターンであることを検出することによって、ライン良を検出することができる（S3,S4）。

ラインが良と判定された場合には、設定ラインを実検出ラインとし(S5)、実検出ラインの信号強度に基づいて、各ピクセルの中心に相当する座標位置を求め(S6)、ピクセルの座標位置を算出する（S7）。

ラインが不良と判定された場合には(S8)、設定ラインに対して撮像方向側に探索範囲を設定し、探索範囲内に探索ラインを設ける。探索ラインは、設定ラインから所定距離だけオフセットした位置に設ける。

第２の態様による探索ラインは、設定ラインに対して撮像方向および撮像方向と逆方向に所定長さだけオフセットした二本のラインとし、設定ラインのライン位置から前の実検出ラインの方向に定める探索ラインを第１の探索ラインとし、設定ラインのライン位置から次の実検出ラインを定める方向に定める探索ラインを第２の探索ラインとする。

第２の態様では、収縮したラインの収縮幅が、Ｐ／２以上でライン幅がＰ／２以下であると仮定し、膨張したラインのライン幅を（Ｐ＋Ｐ／２）以上と仮定した場合には、ラインの収縮と膨張を検出するための探索範囲は、設定ラインの前後にそれぞれＰ／４の幅とし、この探索範囲に探索ラインを設定する。なお、正常なラインのライン幅はＰとする(S9A)。

設定した探索ラインの信号強度パターンを求め（S10）、求めた探索ラインの信号強度パターンと実検出ラインの信号強度パターンとを比較することによって、ラインの収縮・膨張を判定する(S11)。

第１の探索ラインの信号強度パターンと実検出ラインの信号強度パターンとが相補的な信号強度パターンであり、第２の探索ラインの信号強度パターンと実検出ラインの信号強度パターンとが同一の信号強度パターンである場合には収縮と判定する（S12）。

第１の探索ラインの信号強度パターンと実検出ラインの信号強度パターンとが同一の信号強度パターンであり、第２の探索ラインの信号強度パターンと実検出ラインの信号強度パターンとが相補的な信号強度パターンである場合には膨張と判定する（S13）。

S11の工程において、上記判定が成されない場合には、探索ラインを変更してS9の工程に戻り判定を繰り返す。

ライン収縮の場合には、図９に示すように、第１の探索ラインであるラインＬ12aは収縮したラインであるため、第１の探索ラインのラインＬ12aと設定ラインのラインＬ12とは相補的な信号強度パターンを有し、実検出ライン（Ｌ11）の信号強度パターン（図９（ｂ））と、第１の探索ライン（Ｌ12a）の信号強度パターン（図９（ｄ））とは相補的な信号強度パターンとなる。

一方、第２の探索ラインであるラインＬ12bと設定ラインのラインＬ12とは同じライン内にあるため、実検出ライン（Ｌ11）の信号強度パターン（図９（ｂ））と、第２の探索ライン（Ｌ12b）の信号強度パターン（図９（ｅ））とは同一の信号強度パターンとなる。

この実検出ライン（Ｌ11）の信号強度パターン（図９（ｂ））と、第１の探索ライン（Ｌ12a）および第２の探索ライン（Ｌ12b）の信号強度パターン（図９（ｄ）、（ｅ））との関係からライン収縮であることを判定する。

ライン膨張の場合には、図１１に示すように、第１の探索ラインであるラインＬ23aは膨張したラインにあるため、第１の探索ラインのラインＬ23aと設定ラインのラインＬ21とは相補的な信号強度パターンを有し、実検出ライン（Ｌ21）の信号強度パターン（図１１（ｂ））と、第１の探索ライン（Ｌ23a）の信号強度パターン（図１１（ｄ））とは相補的な信号強度パターンとなる。

一方、第２の探索ラインであるラインＬ23bは膨張したラインの隣のライン内にあるため、実検出ライン（Ｌ21）の信号強度パターン（図１１（ｂ））と、第２の探索ライン（Ｌ23b）の信号強度パターン（図１１（ｅ））とは同一の信号強度パターンとなる。

この実検出ライン（Ｌ21）の信号強度パターン（図１１（ｂ））と、第１の探索ライン（Ｌ23a）の信号強度パターン（図１１（ｅ））とが相補的な信号強度パターンとなり、実検出ライン（Ｌ21）の信号強度パターン（図１１（ｂ））と、第２の探索ライン（Ｌ23b）の信号強度パターン（図１１（ｆ））とが相補的な信号強度パターンとなることから、ライン膨張であることを判定する。

次に、第２の探索ラインを実検出ラインとし(S14A)、実検出ラインの座標位置を求め、この座標位置に基づいて実検出ライン上にある各のピクセルの中心位置を求め（S15）、求めた中心位置をピクセルの座標位置とする(S16)。

S7およびS16の工程でピクセルの座標位置を求めた後は、S1の工程に戻り、前記したS1〜S16の工程を繰り返す。

ライン収縮の場合には、図１０に示すように、第２の探索ライン（Ｌ12b）を実検出ラインとしてラインの座標位置およびピクセルの座標位置を求める。その後、ラインＬ12bから基準ピッチだけオフセットしたラインＬ13について座標位置およびピクセルの座標位置を求める。

ライン膨張の場合には、図１２に示すように、第２の探索ライン（Ｌ23b）を実検出ラインとしてラインの座標位置およびピクセルの座標位置を求める。その後、ラインＬ23bから基準ピッチだけオフセットしたラインＬ24について座標位置およびピクセルの座標位置を求める。

ピクセルの中心位置は、例えば、実検出ライン上の信号強度パターンの信号強度変化から各ピクセルの範囲を求め、求めたピクセルの範囲の中心をピクセルの中心位置とすることで算出する。ラインの座標位置およびピクセルの座標位置は、前記した第１の態様と同様にして算出することができる。

第２の態様において、上記した例は第２の探索ラインを実検出ラインとして定める例であり、この例では、収縮したラインを除いて次のラインからライン座標位置を求めている。

以下、図１３，図１４を用いて、第２の態様において収縮したラインについてもライン座標位置を求める例について説明する。

この例は、前記した図８のフローチャートにおいてS14の工程のみが相違するため、以下ではS14の工程についてのみ説明し、他の説明は省略する。

図１３のフローチャートにおいて、S14の実検出ラインを定める工程は、ライン収縮の場合の工程S14Aとライン膨張の場合の工程S14Bとを含む。

S12の工程でラインが収縮していると判定された場合には、第１の探索ラインを実検出ラインとし（S14A）、S13の工程でラインが膨張していると判定された場合には、第２の探索ラインを実検出ラインとする（S14B）。

図１４は、ラインが収縮していると判定された場合に、第１の探索ラインのラインＬ12aを実検出ラインとして定め、このラインから基準ピッチ分オフセットした位置に設定ラインＬ13を定める。これによって、収縮したラインについてもライン座標位置を求めることができる。

本発明は、液晶アレイ基板の他、有機ＥＬ等種々の半導体基板に適用することができる。

１ 液晶アレイ検査装置
２ 撮像部
３ 荷電粒子ビーム源
４ 検出器
５ ステージ
６ 検査信号印加部
１１ 制御部
１２ 走査制御部
１３ ステージ制御部
１４ トリガ信号生成部
２１ 撮像画像取得部
２２ 走査画像取得部
２３ 走査部
２４ ライン座標位置演算処理部
２４ａ 撮像画像データ記憶部
２４ｂ 撮像画像データ読み出し部
２４ｃ ライン算出部
２４ｄ 信号パターン比較部
２４d1，２４d2 比較部
２４ｅ 判定部
２４e1 良・不良判定部
２４e2 収縮・膨張判定部
２４ｆ 座標算出部
１００ 液晶基板
Ａ〜Ｆ トリガ信号
Ｌ1，Ｌ2，Ｌ3 ライン
Ｌ11，Ｌ12，Ｌ13 ライン
Ｌ12A ライン
Ｌ12a,Ｌ12b ライン
Ｌ21，Ｌ22，Ｌ23，Ｌ24 ライン
Ｌ23A ライン
Ｌ23a,Ｌ23b ライン

Claims (13)

1. 液晶アレイが形成された液晶アレイ基板上に荷電ビームを照射して走査し、当該荷電ビーム走査で得られる走査画像に基づいて液晶アレイを検査する液晶アレイ検査装置において、
   液晶アレイに検査信号を印加して得られる液晶パネルの表示パターンの撮像画像に基づいて、撮像画像を構成する各ラインのライン座標位置を算出するライン座標位置算出部を備え、
   前記ライン座標位置算出部は、
   液晶パネルの表示パターンを撮像して撮像画像を取得する撮像画像取得部と、
   前記撮像画像からライン座標位置を演算処理により算出するライン座標位置演算処理部とを備え、
   前記ライン座標位置演算処理部は、
   ラインの信号強度パターンを比較する信号パターン比較部と、前記信号パターン比較部の比較に基づいてラインの良・不良の検出、およびライン幅の変化状態を判定する検出・判定部、次の実検出ラインを選出する選出部、および座標算出部を備え、
   撮像画像を構成する複数のラインの中から撮像方向に沿って順に一ラインずつ選出し、当該選出したラインを実検出ラインとしてライン座標位置を算出する一連の演算処理を行い、
   前記一連の演算処理において、
   前記検出・判定部は、
   実検出ラインのライン座標位置から基準ピッチ分だけオフセットした座標位置を算出して設定ラインを設定し、前記実検出ラインの信号強度パターンと前記設定ラインの信号強度パターンとを比較し、当該比較に基づいてライン幅の変化によるラインの良・不良を検出し、
   ラインの良・不良検出でラインが不良であると検出したときに、前記設定ラインのライン座標位置に所定長さだけオフセットした座標位置を算出して探索ラインを設け、前記実検出ラインの信号強度パターンと前記探索ラインの信号強度パターンとを比較し、当該比較に基づいてライン幅の変化状態を判定し、
   前記選出部は、ラインの良・不良検出でラインが不良であると検出されたときには探索ラインを次の実検出ラインとして選出し、ラインの良・不良検出でラインが良であると検出されたときには前記設定ラインを次の実検出ラインとして選出し、
   前記座標算出部は、前記選出部が選出したラインを実検出ラインとしてライン座標位置を算出することを特徴とする、液晶アレイ検査装置。
2. 液晶アレイに検査信号を印加して得られる液晶パネルの表示パターンの撮像画像に基づいて液晶アレイを検査する液晶アレイ検査装置において、
   液晶アレイに検査信号を印加して得られる液晶パネルの表示パターンの撮像画像に基づいて、撮像画像を構成する各ラインのライン座標位置を算出するライン座標位置算出部を備え、
   前記ライン座標位置算出部は、
   液晶パネルの表示パターンを撮像して撮像画像を取得する撮像画像取得部と、
   前記撮像画像からライン座標位置を演算処理により算出するライン座標位置演算処理部とを備え、
   前記ライン座標位置演算処理部は、
   ラインの信号強度パターンを比較する信号パターン比較部と、前記信号パターン比較部の比較に基づいてラインの良・不良の検出、およびライン幅の変化状態を判定する検出・判定部、次の実検出ラインを選出する選出部、および座標算出部を備え、
   撮像画像を構成する複数のラインの中から撮像方向に沿って順に一ラインずつ選出し、当該選出したラインを実検出ラインとしてライン座標位置を算出する一連の演算処理を行い、
   前記一連の演算処理において、
   前記検出・判定部は、
   実検出ラインのライン座標位置から基準ピッチ分だけオフセットした座標位置を算出して設定ラインを設定し、前記実検出ラインの信号強度パターンと前記設定ラインの信号強度パターンとを比較し、当該比較に基づいてライン幅の変化によるラインの良・不良を検出し、
   ラインの良・不良検出でラインが不良であると検出したときに、前記設定ラインのライン座標位置に所定長さだけオフセットした座標位置を算出して探索ラインを設け、前記実検出ラインの信号強度パターンと前記探索ラインの信号強度パターンとを比較し、当該比較に基づいてライン幅の変化状態を判定し、
   前記選出部は、ラインの良・不良検出でラインが不良であると検出されたときには探索ラインを次の実検出ラインとして選出し、ラインの良・不良検出でラインが良であると検出されたときには前記設定ラインを次の実検出ラインとして選出し、
   前記座標算出部は、前記選出部が選出したラインを実検出ラインとしてライン座標位置を算出することを特徴とする、液晶アレイ検査装置。
3. 前記基準ピッチは、正常ラインが備えるライン幅であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の液晶アレイ検査装置。
4. 前記探索ラインは、設定ラインに対して撮像方向に所定長さだけオフセットした一本のラインであることを特徴とする、請求項１から３の何れかに記載の液晶アレイ検査装置。
5. 前記検査信号はライン毎に相補的な表示パターンを形成する信号であり、
   前記検出・判定部は、
   前記実検出ラインの信号強度パターンと前記探索ラインの信号強度パターンとが同じパターンであるときはライン幅が収縮したと判定し、
   前記実検出ラインの信号強度パターンと前記探索ラインの信号強度パターンとが相補パターンであるときはライン幅が膨張した判定することを特徴とする、請求項４に記載の液晶アレイ検査装置。
6. 前記探索ラインは、設定ラインに対して撮像方向および撮像方向と逆方向に所定長さだけオフセットした二本のラインであることを特徴とする、請求項１から３の何れかに記載の液晶アレイ検査装置。
7. 前記検査信号はライン毎に相補的な表示パターンを形成する信号であり、前記検出・判定部は、
   前記実検出ラインの信号強度パターンと、撮像方向と逆方向の前記探索ラインの信号強度パターンとが相補パターンであり、前記実検出ラインの信号強度パターンと、撮像方向の前記探索ラインの信号強度パターンとが同じパターンであるときはライン幅が収縮したと判定し、
   前記実検出ラインの信号強度パターンと、撮像方向と逆方向の前記探索ラインの信号強度パターンとが同じパターンであり、前記実検出ラインの信号強度パターンと、撮像方向の前記探索ラインの信号強度パターンとが相補パターンであるときはライン幅が膨張したと判定することを特徴とする、請求項６に記載の液晶アレイ検査装置。
8. 液晶アレイに検査信号を印加して得られる液晶パネルの表示パターンの撮像画像に基づいて、撮像画像を構成する各ラインのライン座標位置を算出するライン座標位置算出方法において、
   撮像画像を構成する複数のラインの中から撮像方向に沿って順に一ラインずつ選出し、当該選出したラインを実検出ラインとしてライン座標位置を算出する一連の工程を有し、
   前記一連の工程は、
   実検出ラインのライン座標位置から基準ピッチ分だけオフセットした座標位置を算出して設定ラインを設定し、前記実検出ラインの信号強度パターンと前記設定ラインの信号強度パターンとを比較し、当該比較に基づいてライン幅の変化によるラインの良・不良を検出する検出工程と、
   前記検出工程でラインの不良を検出したときに、前記設定ラインのライン座標位置に所定長さだけオフセットした座標位置を算出して探索ラインを設け、前記実検出ラインの信号強度パターンと前記探索ラインの信号強度パターンとを比較し、当該比較に基づいてライン幅の変化状態を判定する判定工程と、
   前記検出工程でラインが不良であることを検出したときには前記判定工程で設けた探索ラインを次の実検出ラインとして選出し、前記検出工程でラインが良であることを検出したときには前記設定ラインを次の実検出ラインとして選出する選出工程と、
   選出したラインを実検出ラインとしてライン座標位置を算出する座標算出工程とを備えることを特徴とする、ライン座標位置算出方法。
9. 前記基準ピッチは、正ラインが備えるライン幅であることを特徴とする、請求項８に記載のライン座標位置算出方法。
10. 前記探索ラインは、設定ラインに対して撮像方向に所定長さだけオフセットした一本のラインであることを特徴とする、請求項８又は９に記載のライン座標位置算出方法。
11. 前記検査信号はライン毎に相補的な表示パターンを形成する信号であり、
    前記判定工程は、
    前記実検出ラインの信号強度パターンと前記探索ラインの信号強度パターンとが同じパターンであるときはライン幅が収縮したと判定し、
    前記実検出ラインの信号強度パターンと前記探索ラインの信号強度パターンとが相補パターンであるときはライン幅が膨張した判定することを特徴とする、請求項１０に記載のライン座標位置算出方法。
12. 前記探索ラインは、設定ラインに対して撮像方向および撮像方向と逆方向に所定長さだけオフセットした二本のラインであることを特徴とする、請求項８又は９に記載のライン座標位置算出方法。
13. 前記判定工程は、
    前記実検出ラインの信号強度パターンと、撮像方向と逆方向の前記探索ラインの信号強度パターンとが相補パターンであり、前記実検出ラインの信号強度パターンと、撮像方向の前記探索ラインの信号強度パターンとが同じパターンであるときはライン幅が収縮したと判定し、
    前記実検出ラインの信号強度パターンと、撮像方向と逆方向の前記探索ラインの信号強度パターンとが同じパターンであり、前記実検出ラインの信号強度パターンと、撮像方向の前記探索ラインの信号強度パターンとが相補パターンであるときはライン幅が膨張したと判定することを特徴とする、請求項１２に記載のライン座標位置算出方法。