JP5407438B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
(1)n型半導体とp型半導体から構成されるダイオードは、基板の略中央の窪み内に形成されている。
(2)感温ダイオードが形成されている窪みは、略半球状に形成されている。
(3)ダイオードは、基板の窪みに直接形成されている。即ち、アノード(ダイオードのp型半導体層)とカソード(ダイオードのn型半導体層)の少なくとも一方が、半導体装置の成膜工程で窪み内の絶縁膜の上に形成されている。
(4)窪み表面に沿って形成されている絶縁膜にアノード(ダイオードのp型半導体層)とカソード(ダイオードのn型半導体層)が接している。
(5)窪み表面に沿って形成されている絶縁膜にアノードとカソードのいずれか一方が接しており、その上に他方が積層している。
14:n型半導体層
16:n+型半導体層
18:p型半導体層
19:コレクタ電極
20:窪み
22:絶縁膜
42、42a、42b:カソード
44:カソード電極
46:アノード電極
48、48a、48b:アノード
40、340、440、540:ダイオード
100、300、400、500:半導体装置
Claims (2)
- 半導体基板の主面の中央に半球状の窪みが形成されているとともに、窪みの表面に沿って絶縁膜を介して温度センサ素子が形成されており、前記温度センサの表面が窪み表面に平行に湾曲していることを特徴とする半導体装置。
- 温度センサ素子は、ダイオードであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
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