JP5402502B2 - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents
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Description
前記真空容器内に配置され、基板に接する接地電極と、
前記真空容器内に、前記接地電極に対向するように配置された高周波電極と、
前記真空容器内のうち前記高周波電極の背面側に設けられ、接地されているシールド部材と、
前記真空容器内のうち前記高周波電極の外周側に設けられ、かつプラズマ処理時に前記基板に接する第1導電部材と、
前記第1導電部材を前記シールド部材に接続する第2導電部材と、
を備えるプラズマ処理装置が提供される。
前記真空容器内に配置され、接地されているシールド部材と、
前記真空容器内に配置され、前記シールド部材を介して互いに対向するように配置された2つの高周波電極と、
前記真空容器内に前記2つの高周波電極それぞれに対応して設けられ、前記高周波電極を基準としたときに前記シールド部材とは反対側に配置され、互いに異なる基板に接する2つの接地電極と、
前記真空容器内のうち前記2つの高周波電極それぞれの外周側に設けられ、プラズマ処理時に前記基板に接する2つの第1導電部材と、
前記真空容器内に前記2つの前記第1導電部材それぞれに対応して設けられ、前記第1導電部材を前記シールド部材に接続する第2導電部材と、
を備えるプラズマ処理装置が提供される。
前記真空容器内に配置された接地電極と、
前記真空容器内に、前記接地電極に対向するように配置された高周波電極と、
前記真空容器内のうち前記高周波電極の背面側に設けられ、接地されているシールド部材と、
を有するプラズマ処理装置を準備し、
前記真空容器内のうち前記高周波電極の外周側に第1導電部材を設け、
前記第1導電部材を、第2導電部材を用いて前記シールド部材に接続し、
前記接地電極及び前記第1導電部材の双方に基板を接させて前記基板をプラズマで処理する、プラズマ処理方法が提供される。
100 基板送出部
200 成膜室
202 真空容器
202a 第1の領域
202b 第2の領域
210 高周波電極
212 成膜空間形成部材
214 接続部材
220 接地電極
222 成膜空間形成部材
224 支持軸
226 側枠
228 シールリング
230 第1導電部材
232 絶縁部材
234 第2導電部材
238 シールリング
240 排気管
250 高周波電源
252 整合器
254 同軸管
254a 給電体
260 シールド部材
300 基板巻取部
Claims (4)
- 真空容器と、
前記真空容器内に配置され、基板に接する接地電極と、
前記真空容器内に、前記接地電極に対向するように配置された高周波電極と、
前記真空容器内のうち前記高周波電極の背面側に設けられ、接地されているシールド部材と、
前記真空容器内のうち前記高周波電極の外周側に設けられ、かつプラズマ処理時に前記基板に接する第1導電部材と、
前記第1導電部材を前記シールド部材に接続する第2導電部材と、
を備え、
前記第1導電部材及び前記第2導電部材は、前記高周波電極の全周を囲むように設けられ、
前記第2導電部材の厚さは0.5mm以上10mm以下であるプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
前記真空容器の外に設けられ、前記高周波電極を高周波電源に接続する整合器を備え、
前記シールド部材は、
前記真空容器のうち前記整合器に面している部分である第1の領域に接続することにより接地されており、かつ前記真空容器のうち前記第1の領域とは異なる第2の領域において前記真空容器の内壁に固定されており、
前記第2の領域の面積は、前記第1の領域の面積より小さいプラズマ処理装置。 - 真空容器と、
前記真空容器内に配置され、接地されているシールド部材と、
前記真空容器内に配置され、前記シールド部材を介して互いに対向するように配置された2つの高周波電極と、
前記真空容器内に前記2つの高周波電極それぞれに対応して設けられ、前記高周波電極を基準としたときに前記シールド部材とは反対側に配置され、互いに異なる基板に接する2つの接地電極と、
前記真空容器内のうち前記2つの高周波電極それぞれの外周側に設けられ、プラズマ処理時に前記基板に接する2つの第1導電部材と、
前記真空容器内に前記2つの第1導電部材それぞれに対応して設けられ、前記第1導電部材を前記シールド部材に接続する第2導電部材と、
を備え、
前記第1導電部材及び前記第2導電部材は、前記高周波電極の全周を囲むように設けられ、
前記第2導電部材の厚さは0.5mm以上10mm以下であるプラズマ処理装置。 - 真空容器と、
前記真空容器内に配置された接地電極と、
前記真空容器内に、前記接地電極に対向するように配置された高周波電極と、
前記真空容器内のうち前記高周波電極の背面側に設けられ、接地されているシールド部材と、
を有するプラズマ処理装置を準備し、
前記真空容器内のうち前記高周波電極の外周側に第1導電部材を設け、
前記第1導電部材を、厚さが0.5mm以上10mm以下である第2導電部材を用いて前記シールド部材に接続し、
前記第1導電部材及び前記第2導電部材を、前記高周波電極の全周を囲むように設け、
前記接地電極及び前記第1導電部材の双方に基板を接させて前記基板をプラズマで処理する、プラズマ処理方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009237326A JP5402502B2 (ja) | 2009-10-14 | 2009-10-14 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
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JP2009237326A JP5402502B2 (ja) | 2009-10-14 | 2009-10-14 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2011086716A JP2011086716A (ja) | 2011-04-28 |
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JP4158726B2 (ja) * | 2004-03-12 | 2008-10-01 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 薄膜製造装置 |
JP4844881B2 (ja) * | 2006-07-11 | 2011-12-28 | 富士電機株式会社 | 薄膜製造装置 |
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