JP5398158B2 - パターン形成方法、及び配線構造、並びに電子機器 - Google Patents
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Description
<式1> R=k・λ/NA
[実施形態1]
本実施形態1に係る表示装置は、アクティブマトリクス型であり、スイッチング素子として薄膜トランジスタ(TFT)を有する。図1は、本実施形態1に係る液晶表示装置100の構成を示す断面図であり、図2は、液晶表示装置100に備えられたTFTアレイ基板1の模式的平面図である。
[実施形態2]
次に、上記実施形態とは異なる配線構造の一例について説明する。なお、以降の説明において、上記実施形態と同一の要素部材は同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。
本実施形態3に係るTFTアレイ基板1上のソース引回し配線は、以下の点を除く基本的な構成、及び動作は、上記実施形態1と同様である。すなわち、上記実施形態1においては、ソース引回し配線の配線積層幅W3、配線間隔W4を略同一としていたのに対し、本実施形態3においては、ソース引回し配線の配線幅、配線間隔が場所によって異なる点において相違する。
2 下地基板
3 被エッチング膜
4 無機絶縁膜
5 第1レジスト
6 第2レジスト
7 パッシベーション膜
10 第1レチクル
11 透光基板
12 遮光パターン
20 第2レチクル
21 透光基板
22 遮光パターン
30 ゲート線
31 ゲート引回し配線
32 ゲートドライバ
33 蓄積容量線
34 蓄積容量素子
40 ソース線
41 ソース引回し配線
42 ソースドライバ
60 表示領域
61 額縁領域
62 TFT
63 画素
70 液晶表示パネル
71 対向基板
72 偏光板
73 対向電極
74 液晶
75 配向膜
76 スペーサ
77 バックライト
78 シール材
100 液晶表示装置
Claims (5)
- 複数のパターンにおける隣接するパターン間の開口部を、投影露光機の解像度よりも微細化することが可能なパターン形成方法であって、
被エッチング膜を成膜する工程と、
前記複数のパターンとして残したい領域に対応して前記被エッチング膜の上層に複数のマスクパターンを形成する工程と、
前記複数のマスクパターンをマスクとして、エッチング処理を行うことにより前記被エッチング膜のパターンを形成する工程と、を備え、
前記複数のマスクパターンは、其々が、第1の被覆パターンと、当該第1の被覆パターンと一部の領域において積層領域を有する第2の被覆パターンとを用いて形成され、
前記第1の被覆パターンと前記第2の被覆パターンは、異なるレチクルを用いてパターン形成を行い、
前記積層領域の短手方向の幅は、前記複数のマスクパターンにおける隣接するマスクパターン間で同一になるように行い、
前記複数のパターンは、薄膜トランジスタ、複数のソース線、および複数のゲート線が配設された表示領域と、前記表示領域の外側に区画され、前記ソース線と接続されるソース引回し配線、および前記ゲート線と接続されるゲート引回し配線が配設された額縁領域とを具備する薄膜トランジスタアレイ基板の前記ソース引回し配線および前記ゲート引回し配線の少なくとも一方であり、
前記ソース線と前記ソース引回し配線、および前記ゲート線と前記ゲート引回し配線は、其々同一の層により形成されており、
前記第1の被覆パターンを無機絶縁膜により形成し、前記第2の被覆パターンをポジ型レジストにより形成するパターン形成方法。 - 前記被エッチング膜のパターンは、周期構造を有する配線であり、
前記積層領域は、前記配線の延在方向に直交する幅方向の中央領域近傍に、当該配線の延在方向に亘って形成することを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。 - 前記配線の配線幅、配線間隔が略同一であることを特徴とする請求項2に記載のパターン形成方法。
- 薄膜トランジスタ、複数のソース線、および複数のゲート線が配設された表示領域と、前記表示領域の外側に区画され、前記ソース線と接続されるソース引回し配線、および前記ゲート線と接続されるゲート引回し配線が配設された額縁領域とを具備する薄膜トランジスタアレイ基板の周期構造を有する配線構造であって、
前記配線の直上層には、当該配線の延在方向に直交する配線幅の一端部から、他端部の手前の領域に、当該配線の延在方向に亘って形成された無機絶縁膜を備え、
前記無機絶縁膜の上層に、パッシベーション膜が形成されており、
前記ソース引回し配線および前記ゲート引回し配線の少なくとも一方が、請求項1〜3のいずれか1項に記載のパターン形成方法により形成されている配線構造。 - 請求項4に記載の配線構造を有する電子機器。
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