JP2009237270A - パターン形成方法、及び配線構造、並びに電子機器 - Google Patents
パターン形成方法、及び配線構造、並びに電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009237270A JP2009237270A JP2008083222A JP2008083222A JP2009237270A JP 2009237270 A JP2009237270 A JP 2009237270A JP 2008083222 A JP2008083222 A JP 2008083222A JP 2008083222 A JP2008083222 A JP 2008083222A JP 2009237270 A JP2009237270 A JP 2009237270A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- wiring
- film
- patterns
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 37
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 7
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 109
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 52
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 36
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明に係るパターン形成方法は、被エッチング膜を成膜する工程と、複数のパターンとして残したい領域に対応して被エッチング膜の上層に複数のマスクパターンを形成する工程と、複数のマスクパターンをマスクとして、エッチング処理を行うことにより被エッチング膜のパターンを形成する工程とを備える。この複数のマスクパターンは、其々が、第1の被覆パターンと、この第1の被覆パターンの一部の領域において積層領域を有する第2の被覆パターンとにより形成されている。積層領域の短手方向の幅は、異なる複数のマスクパターンにおける隣接するマスクパターン間で同一になるようにする。
【選択図】図4
Description
<式1> R=k・λ/NA
[実施形態1]
本実施形態1に係る表示装置は、アクティブマトリクス型であり、スイッチング素子として薄膜トランジスタ(TFT)を有する。図1は、本実施形態1に係る液晶表示装置100の構成を示す断面図であり、図2は、液晶表示装置100に備えられたTFTアレイ基板1の模式的平面図である。
[実施形態2]
次に、上記実施形態とは異なる配線構造の一例について説明する。なお、以降の説明において、上記実施形態と同一の要素部材は同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。
本実施形態3に係るTFTアレイ基板1上のソース引回し配線は、以下の点を除く基本的な構成、及び動作は、上記実施形態1と同様である。すなわち、上記実施形態1においては、ソース引回し配線の配線積層幅W3、配線間隔W4を略同一としていたのに対し、本実施形態3においては、ソース引回し配線の配線幅、配線間隔が場所によって異なる点において相違する。
2 下地基板
3 被エッチング膜
4 無機絶縁膜
5 第1レジスト
6 第2レジスト
7 パッシベーション膜
10 第1レチクル
11 透光基板
12 遮光パターン
20 第2レチクル
21 透光基板
22 遮光パターン
30 ゲート線
31 ゲート引回し配線
32 ゲートドライバ
33 蓄積容量線
34 蓄積容量素子
40 ソース線
41 ソース引回し配線
42 ソースドライバ
60 表示領域
61 額縁領域
62 TFT
63 画素
70 液晶表示パネル
71 対向基板
72 偏光板
73 対向電極
74 液晶
75 配向膜
76 スペーサ
77 バックライト
78 シール材
100 液晶表示装置
Claims (7)
- 複数のパターンにおける隣接するパターン間の開口部を、投影露光機の解像度よりも微細化することが可能なパターン形成方法であって、
被エッチング膜を成膜する工程と、
前記複数のパターンとして残したい領域に対応して前記被エッチング膜の上層に複数のマスクパターンを形成する工程と、
前記複数のマスクパターンをマスクとして、エッチング処理を行うことにより前記被エッチング膜のパターンを形成する工程と、を備え、
前記複数のマスクパターンは、其々が、第1の被覆パターンと、当該第1の被覆パターンと一部の領域において積層領域を有する第2の被覆パターンとを用いて形成され、
前記積層領域の短手方向の幅は、前記複数のマスクパターンにおける隣接するマスクパターン間で同一になるようにするパターン形成方法。 - 前記被エッチング膜のパターンは、周期構造を有する配線であり、
前記積層領域は、前記配線の延在方向に直交する幅方向の中央領域近傍に、当該配線の延在方向に亘って形成することを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。 - 前記配線の配線幅、配線間隔が略同一であることを特徴とする請求項2に記載のパターン形成方法。
- 前記第1の被覆パターンを無機絶縁膜により形成し、前記第2の被覆パターンをポジ型レジストにより形成することを特徴とする請求項1、2又は3に記載のパターン形成方法。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載のパターン形成方法により形成された配線構造。
- 周期構造を有する配線構造であって、
前記配線の直上層には、当該配線の延在方向に直交する配線幅の一端部から、他端部の手前の領域に、当該配線の延在方向に亘って形成された無機絶縁膜を備え、
前記無機絶縁膜の上層に、パッシベーション膜が形成されている配線構造。 - 請求項5又は6に記載の配線構造を有する電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008083222A JP5398158B2 (ja) | 2008-03-27 | 2008-03-27 | パターン形成方法、及び配線構造、並びに電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008083222A JP5398158B2 (ja) | 2008-03-27 | 2008-03-27 | パターン形成方法、及び配線構造、並びに電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009237270A true JP2009237270A (ja) | 2009-10-15 |
JP5398158B2 JP5398158B2 (ja) | 2014-01-29 |
Family
ID=41251277
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008083222A Active JP5398158B2 (ja) | 2008-03-27 | 2008-03-27 | パターン形成方法、及び配線構造、並びに電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5398158B2 (ja) |
Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5656630A (en) * | 1979-10-15 | 1981-05-18 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor element |
JPH04206813A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光方法 |
JPH08138996A (ja) * | 1994-11-09 | 1996-05-31 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JPH10172970A (ja) * | 1996-12-09 | 1998-06-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 配線形成方法 |
JPH1116910A (ja) * | 1997-06-24 | 1999-01-22 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH11202469A (ja) * | 1998-01-16 | 1999-07-30 | Nec Corp | 縮小投影露光用マスク |
JPH11214280A (ja) * | 1998-01-20 | 1999-08-06 | Nec Corp | パターン形成方法 |
JP2000112114A (ja) * | 1998-10-08 | 2000-04-21 | Hitachi Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2001142224A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-05-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2005294822A (ja) * | 2004-03-16 | 2005-10-20 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 半導体デバイス製造方法および半導体構造 |
JP2006154127A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Nec Lcd Technologies Ltd | 表示装置の製造方法及びパターン形成方法 |
JP2007243177A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ゲートパターンを形成するための二重露光二重レジスト層プロセス |
JP2008003134A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | 配線構造、及び表示装置 |
JP2008033174A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | パターン形成方法、金属酸化物膜形成用材料およびその使用方法 |
JP2009064951A (ja) * | 2007-09-06 | 2009-03-26 | Panasonic Corp | アライメントマーク、アライメントマーク形成方法及びパターン形成方法 |
-
2008
- 2008-03-27 JP JP2008083222A patent/JP5398158B2/ja active Active
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5656630A (en) * | 1979-10-15 | 1981-05-18 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor element |
JPH04206813A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光方法 |
JPH08138996A (ja) * | 1994-11-09 | 1996-05-31 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JPH10172970A (ja) * | 1996-12-09 | 1998-06-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 配線形成方法 |
JPH1116910A (ja) * | 1997-06-24 | 1999-01-22 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH11202469A (ja) * | 1998-01-16 | 1999-07-30 | Nec Corp | 縮小投影露光用マスク |
JPH11214280A (ja) * | 1998-01-20 | 1999-08-06 | Nec Corp | パターン形成方法 |
JP2000112114A (ja) * | 1998-10-08 | 2000-04-21 | Hitachi Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2001142224A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-05-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2005294822A (ja) * | 2004-03-16 | 2005-10-20 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 半導体デバイス製造方法および半導体構造 |
JP2006154127A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Nec Lcd Technologies Ltd | 表示装置の製造方法及びパターン形成方法 |
JP2007243177A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ゲートパターンを形成するための二重露光二重レジスト層プロセス |
JP2008003134A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | 配線構造、及び表示装置 |
JP2008033174A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | パターン形成方法、金属酸化物膜形成用材料およびその使用方法 |
JP2009064951A (ja) * | 2007-09-06 | 2009-03-26 | Panasonic Corp | アライメントマーク、アライメントマーク形成方法及びパターン形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5398158B2 (ja) | 2014-01-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10663821B2 (en) | Display board having insulating films and terminals, and display device including the same | |
US7924356B2 (en) | Electrooptical device, electronic apparatus, and projector | |
JP4932602B2 (ja) | 多層薄膜パターン及び表示装置の製造方法 | |
JP2005018079A (ja) | 薄膜トランジスタ表示板及びこれを含む液晶表示装置 | |
JP2010169704A (ja) | 液晶表示装置 | |
US20020036725A1 (en) | Liquid crystal display device and a manufacturing method thereof | |
JP5107596B2 (ja) | 液晶表示装置、及びその製造方法 | |
JP5007171B2 (ja) | 薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び表示装置 | |
JP2009031537A (ja) | 光学素子およびその製造方法、液晶装置、ならびに電子機器 | |
US9541805B2 (en) | Liquid crystal display device including shield electrodes and light shielding films and method of manufacturing the same | |
US20220057679A1 (en) | Array substrate and method for manufacturing the same, display panel and display device | |
WO2021171714A1 (ja) | 表示装置及び液晶表示装置 | |
KR20110016242A (ko) | 액정표시장치 | |
JP5513020B2 (ja) | 薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタ基板の製造方法 | |
JP5525773B2 (ja) | Tft基板及びその製造方法 | |
US20080191211A1 (en) | Thin film transistor array substrate, method of manufacturing the same, and display device | |
JP5398158B2 (ja) | パターン形成方法、及び配線構造、並びに電子機器 | |
KR20170037074A (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
JP5043474B2 (ja) | 表示装置 | |
KR101725993B1 (ko) | 액정표시장치 제조방법 | |
KR102244836B1 (ko) | 컬러필터를 포함하는 어레이 기판 | |
JP5172177B2 (ja) | 表示装置及び表示装置用基板の製造方法 | |
US9229285B2 (en) | Method of manufacturing a display device | |
WO2017145941A1 (ja) | 表示パネル用基板の製造方法 | |
JP5236370B2 (ja) | Tft基板の製造方法及びtft基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101209 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120524 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120529 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120629 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121113 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130618 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130814 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131001 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131022 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5398158 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |