JP5375293B2 - カーボンナノチューブの製造方法およびカーボンナノチューブ製造装置 - Google Patents
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Description
化学気相成長法によって、カーボンナノチューブを成長させるカーボンナノチューブの製造方法であって、
(a)水素を選択的に透過する基板を準備し、前記基板の第1の面にカーボンナノチューブの生成反応を促進させるための触媒を担持させる工程と、
(b)前記第1の面に向かって、少なくとも炭素原子と水素原子とを含む原料ガスを供給してカーボンナノチューブを成長させるとともに、前記第1の面側において副生成物として生成された水素を選択的に前記第1の面とは反対側の第2の面側へと透過させて排出する工程と、
を備える、製造方法。
この製造方法によれば、化学気相成長法においてカーボンナノチューブとともに生成される水素を原料ガスから分離して基板の第1の面から第2の面側へ透過させるので、水素の生成によってカーボンナノチューブの根本における原料ガスの濃度が低下してしまうことを抑制でき、カーボンナノチューブの生成限界長を増大することができる。
適用例1記載のカーボンナノチューブの製造方法であって、前記基板は、プロトン伝導性セラミックスで構成される、製造方法。
この製造方法によれば、プロトン伝導性セラミックスで構成された基板によって副生成物である水素を原料ガスから分離して反応場から排出することができる。
適用例1記載のカーボンナノチューブの製造方法であって、前記基板は、水素を選択的に透過可能な多孔質セラミックスで構成される、製造方法。
この製造方法によれば、多孔質セラミックスで構成された基板によって副生成物である水素を原料ガスから分離して反応場から排出することができる。
適用例1記載のカーボンナノチューブの製造方法であって、前記基板は、水素透過性金属によって構成される、製造方法。
この製造方法によれば、水素透過性金属で構成された基板によって副生成物である水素を原料ガスから分離して反応場から排出することができる。
適用例1記載のカーボンナノチューブの製造方法であって、前記基板は、プロトンと電子とが内部を伝導するプロトン電子混合伝導体で構成される、製造方法。
この製造方法によれば、プロトン電子混合伝導体で構成された基板によって副生成物である水素を原料ガスから分離して反応場から排出することができる。
適用例1記載のカーボンナノチューブの製造方法であって、前記基板は、プロトン伝導性セラミックスに導電性金属部材を混合した金属・セラミックス混合体で構成される、製造方法。
この製造方法によれば、金属・セラミックス混合体で構成された基板によって副生成物である水素を原料ガスから分離して反応場から排出することができる。
適用例2記載のカーボンナノチューブの製造方法であって、前記基板は、前記第1と第2の面にそれぞれ、水素が透過可能な電極を有し、前記工程(b)は、前記電極に電圧を印加することによって、プロトンを前記第2の面側へと誘導する工程を含む、製造方法。
この製造方法によれば、副生成物である水素を、電極間の電位差に従って第2の面側へと誘導でき、原料ガスから分離して反応場から排出させることができる。従って、水素の排出をより効率的に実行できる。
適用例2記載のカーボンナノチューブの製造方法であって、前記基板は、前記第1と第2の面にそれぞれ、水素が透過可能な電極を有し、前記工程(b)は、前記基板の前記第2の面側から酸素を供給し、前記基板の前記第1と第2の面から集電する工程を含む、製造方法。
この製造方法によれば、基板を固体電解質形燃料電池セルとして機能させ、副生成物である水素を反応ガスとして発電することができる。
適用例4記載のカーボンナノチューブの製造方法であって、前記工程(b)は、前記基板の前記第2の面側から酸素を供給し、前記第2の面側において水素を燃焼させる工程を含む、製造方法。
この製造方法によれば、第2の面側へと移動させた水素を燃焼させ、その燃焼による発熱を、吸熱反応であるカーボンナノチューブの生成反応に供させることができる。従って、カーボンナノチューブの生成効率を向上させることができる。
適用例1ないし適用例9のいずれかに記載のカーボンナノチューブの製造方法であって、前記基板は、前記第2の面側に通気性を有する多孔質支持体を備える、製造方法。
この製造方法によれば、多孔質支持体によって基板の強度を確保しつつ、基板に形成される水素を選択的に透過する薄膜層を薄型化することができる。従って、基板の水素透過効率を向上させることができる。
適用例1ないし適用例10のいずれかに記載のカーボンナノチューブの製造方法であって、前記基板は、前記触媒と前記第1の面との間に、前記触媒が前記基板の内部へと拡散することを防止するための拡散防止層を有する、製造方法。
この製造方法によれば、触媒が基板の構成部材中に拡散して合金化し、失活してしまうことを抑制できる。
適用例1ないし適用例11のいずれかに記載のカーボンナノチューブの製造方法であって、前記工程(b)は、前記炉内の前記第2の面側における水素ガス圧を前記第1の面側よりも低下させる工程を含む、製造方法。
この製造方法によれば、水素を圧力差に従って基板の第1の面側から第2の面側へと誘導することができ、水素の排出性を向上させることができる。
適用例1ないし適用例12のいずれかに記載のカーボンナノチューブの製造方法であって、前記工程(b)は、前記基板の前記第2の面側において、前記水素を追放するためのパージガスを導入する工程を含む、製造方法。
この製造方法によれば、パージガスを用いて水素ガスを追放することによって、基板の第2の面側における水素分圧を低下させることができ、水素を基板の第1の面側から第2の面側へと誘導することができる。従って、水素の排出性を向上させることができる。
適用例1ないし適用例13のいずれか記載のカーボンナノチューブの製造方法であって、さらに、
(c)前記第1の面側において、前記原料ガスのうち前記カーボンナノチューブの生成反応に供されなかった未反応原料ガスを回収して、前記原料ガスとして再利用する工程と、
を備える、製造方法。
この製造方法によれば、原料ガスを効率的に利用することができ、カーボンナノチューブの生成効率を向上させることができる。
化学気相成長法を利用したカーボンナノチューブの製造装置であって、第1の面にカーボンナノチューブの生成反応を促進するための触媒が担持され、水素を第2の面に選択的に透過させる基板が収容された反応容器と、前記反応容器に収容された前記基板の前記第1の面に少なくとも炭素原子と水素原子とを含む原料ガスを供給する原料ガス供給部と、前記基板の前記第1の面において副生成物として生成される水素を前記第2の面側に透過させて除去する水素除去部とを備える、製造装置。
この製造装置によれば、基板の第1の面においてカーボンナノチューブとともに生成される水素を第2の面側へと透過させて、反応場から排出することができる。従って、水素の生成によって反応場における原料ガス濃度が低下することを抑制でき、カーボンナノチューブの生成限界長を増大させることができる。
適用例15に記載のカーボンナノチューブの製造装置であって、前記基板は、前記第1と第2の面にそれぞれに設けられた、水素を透過する第1と第2の電極層と、前記第1と第2の電極層に狭持された、プロトン伝導性を有する固体電解質層とを有し、前記水素除去部は、前記第2の面側に酸素を含む酸化ガスを供給する酸化ガス供給部を備え、前記第1の面から透過した前記水素を前記酸化ガスとの電気化学反応に供させるとともに、前記電気化学反応によって生じた電力を集電する、製造装置。
この製造装置によれば、基板の第1の面から水素を除去するとともに、当該水素と酸化ガス供給部から供給された酸化ガスとを反応ガスとして基板において発電させることができる。従って、カーボンナノチューブの生成効率を向上させることができる。
適用例15または適用例16に記載のカーボンナノチューブの製造装置であって、さらに、前記原料ガスを前記基板の前記第1の面に誘導するための原料ガス誘導部材を備え、前記原料ガス誘導部材は、前記第1の面における前記触媒が担持された触媒領域を囲み、前記触媒領域に前記原料ガスを誘導する外周側壁部を有しており、前記外周側壁部には、前記触媒領域に誘導された前記原料ガスのうち、前記カーボンナノチューブの生成反応に供されることのなかった未反応原料ガスを外部へと排出するための排出孔が設けられている、製造装置。
この製造装置によれば、原料ガス誘導部材によって、原料ガスの配流性や、未反応原料ガスを含む排ガスの排出性を向上させることができる。従って、カーボンナノチューブの生成効率を向上させることができる。
図1は、本発明の一実施形態としてのCVD法によるカーボンナノチューブの製造工程を示すフローチャートである。図2(A),(B)はそれぞれ、第1工程および第2工程(図1のステップS10〜S20)を説明するための模式図である。第1工程では、触媒を担持させるための基板10を準備する(図2(A))。基板10は、酸化アルミニウム(Al2O3:「アルミナ」とも呼ばれる)や、二酸化珪素(SiO2:「シリカ」とも呼ばれる)などの多孔質セラミックス膜で構成される。基板10は、水素を選択的に透過できる程度の気孔率を有していることが好ましい(後述)。
(1)特開2002−128512号公報
(2)特開平8−38864号公報
上記技術の多孔質セラミックスであれば、窒素ガスと水素とを分離可能な程度の細孔を有してしているため、本実施形態における原料ガスと水素とを分離することは十分に可能である。
C*=C0・(1/(φ+1)) …(1)
φ=(ks/De)・L …(2)
ここで、C0は原料ガス供給部123から供給される原料ガスの濃度であり、Ks,Deは係数である。なお、上記の式(1)には、副生成物が生成されることによる原料ガス濃度の低下は考慮されていない。
C* B=C0・(MB/MA)1/2・(φ/(φ+1)) …(3)
MAは原料ガスの分子量であり、MBは副生成物の分子量である。
Lmax=φ=9 …(4)
Lmax2=Lmax/(1+(MB/MA)1/2) …(5)
即ち、反応場から副生成物を除去することにより、生成されるカーボンナノチューブの生成限界長は、1+(MB/MA)1/2倍となることがわかる。なお、図4の表には、原料ガスとして、メタン、アセチレン、エタノールが供給され、副生成物である水素を除去した場合の、上記(5)式から得られる計算結果が、原料ガスの種類ごとにまとめられている。この表に示されるように、本実施形態の製造工程によれば、少なくともカーボンナノチューブの生成限界長は、1.2〜1.4倍程度まで増大させることが可能である。
図5(A)〜(C)は本発明の第2実施形態としてのCVD法によるカーボンナノチューブの製造工程を説明するための模式図である。なお、第2実施形態における製造工程は、以下に説明する点以外は、第1実施形態における製造工程(図1)と同様である。第1工程では、プロトン伝導性セラミックスによって構成された基板10Aを準備する(図5(A))。プロトン伝導性セラミックスとしては、固体電解質形燃料電池において固体電解質として用いられるような、BaZrO系や、BaCeO系、SrZrO系、SrCeO系のプロトン伝導体を用いることができる。
図7(A),(B)は、本発明の第3実施形態としてのカーボンナノチューブの製造工程を説明するための模式図である。図7(A),(B)は、第1と第2の電極31,32が配置された基板10Aに換えて、基板10Bが図示されている点以外は、図6(A),(B)とほぼ同じである。なお、この第3実施形態におけるカーボンナノチューブの製造工程は、以下に説明する点以外は、上記の第2実施形態と同じである(図1)。
図8(A),(B)は、本発明の第4実施形態としてのカーボンナノチューブの製造工程を説明するための模式図である。この第4実施形態におけるカーボンナノチューブの製造工程は、以下に説明する点以外は、上記の第3実施形態と同様である(図1)。第1工程では、支持基板13aの一方の外表面にスパッタ法によってプロトン−電子混合伝導性セラミックスの薄膜層13b(以後、「水素選択透過膜層13b」と呼ぶ)を形成して、基板10Cを得る(図8(A))。支持基板13aは、通気性を有する多孔質セラミックスによって構成されている。
図10(A),(B)は、本発明の第5実施形態としてのカーボンナノチューブの製造工程を説明するための模式図である。この第5実施形態におけるカーボンナノチューブの製造工程は、以下に説明する点以外は、上記の第4実施形態と同様である(図1)。第1工程では、基板10Dを準備する(図10(A))。具体的には、水素透過性金属によって構成された薄膜層14a(以後、「カソード電極層14a」と呼ぶ)の外表面に、固体電解質層15をスパッタ法により形成する。また、固体電解質層15の外表面に、さらに、水素透過性金属の薄膜層14b(以後、「アノード電極層14b」と呼ぶ)をスパッタ法により形成する。2つの電極層14a,14bを構成する水素透過性金属としては、パラジウムや、パラジウム合金を用いることができる。また、固体電解質層15は、プロトン伝導性を有する固体電解質によって構成される。具体的には、例えば、SrZrInO3によって構成することができる。第2工程では、アノード電極層14bの外表面に触媒薄膜20をスパッタ法によって形成する(図10(B))。
図12(A),(B)は、本発明の第6実施形態としてのカーボンナノチューブの製造工程の第1工程および第2工程を説明するための模式図である。図12(A),(B)はそれぞれ、アノード電極層14bの面上に中間層16が設けられている点以外は、図10(A),(B)とほぼ同じである。即ち、この第6実施形態の第1工程では、第5実施形態と同様に、2つの電極層14a,14bと固体電解質層15とを形成し、その後、さらに、アノード電極層14bの外表面に中間層16をスパッタ法によって形成する(図12(A))。中間層16は、酸化アルミニウムや二酸化チタン(TiO2:「チタニア」とも呼ばれる)などの多孔質セラミックスによって構成される。第2工程では、第1工程で準備された基板10Eの中間層16の外表面に、触媒薄膜20をスパッタ法によって形成する。なお、この基板10Eが準備された後の工程(図1のステップS30,S40)は、第5実施形態と同様であるため、図示および説明は省略する。
図14は、本発明の第7実施形態としてのカーボンナノチューブ製造装置の構成を示す概略断面図である。このカーボンナノチューブ製造装置500は、CVD法によってカーボンナノチューブを生成するための装置である。カーボンナノチューブ製造装置500は、基板10Eと、原料ガス誘導部材200と、第1と第2の炉管510,520と、ヒータ部530と、水素吸引部535と、電極端子540と、直流電源550とを有する。なお、基板10Eは、第6実施形態において説明したものと同じであるが、中間層16は、触媒薄膜20の形成領域にのみ設けられている。中間層16は省略されても良い。
図16は本発明の第8実施形態としてのカーボンナノチューブ製造装置500Aの構成を示す概略断面図である。図16は、水素除去部535に換えて、酸化ガス供給部560が追加されている点と、直流電源550に換えて、ヒータ電源部555が図示されている点以外は、図14とほぼ同じである。このカーボンナノチューブ製造装置500Aでは、カーボンナノチューブ5の生成に際して、酸化ガス供給部560から酸化ガスとして酸素が、第2の炉管520の開口部521を介して、基板10Eの第2の面12側に供給される。これによって、基板10Eを介して第2の面12側に移動した水素と供給された酸素とが反応し水が生成される。このとき、この電気化学反応によって基板10Eにおいて生じた電力が、直流電源ライン542を介して、ヒータ電源部555へと供給される。ヒータ電源部555は、ヒータ部530の電力源である。即ち、基板10Eで生じた電力は、ヒータ部530の加熱処理のためのエネルギ源の一部として利用される。また、基板10Eにおける発電に伴う熱によって、カーボンナノチューブ5の生成が促進される。
図17は、本発明の第9実施形態としてのカーボンナノチューブ製造装置500Bの構成を示す概略断面図である。図17は、原料ガス供給部570の図示が追加されている点と、原料ガス誘導部材200と接続された配管571,572と、配管572に設けられた逆止弁575が追加されている点以外は、図14とほぼ同じである。なお、図17では、配管571,572と直流電源ライン542とを区別するために、便宜上、直流電源ライン542を破線で図示してある。
図18は、本発明の第10実施形態としてのカーボンナノチューブ製造装置500Cの構成を示す概略断面図である。図18は、基板10Eに換えて基板10Fが図示されている点と、電極端子540および直流電源ライン542が省略されている点以外は、図16とほぼ同じである。基板10Fは、パラジウムなどの水素を選択的に透過する金属薄板によって構成することがでいる。
なお、この発明は上記の実施形態や実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。
上記第1実施形態ないし第6実施形態において、加熱炉100の炉管110における第2の開口部112側には排ガス吸引部125が設けられていた。また、第7実施形態および第9実施形態において、第2の炉管520側には、水素吸引部535が設けられていた。しかし、排ガス吸引部125や、水素吸引部535に換えて、第2の面12側の排ガスを不活性ガスによって追放するパージ部が設けられるものとしても良い。このような構成であっても、パージ部からの不活性ガスによって、第2の面12側において水素分圧を局所的に低下させることできるため、第1の面11側の水素を第2の面12側へと誘導することができる。
上記第1ないし第6実施形態において、炉管110の第2の開口部112から排出された排ガスから、水素分離膜などを用いて、原料ガスを分離し、第9実施形態と同様に、カーボンナノチューブの生成に再利用するものとしても良い。
上記第4実施形態または第5実施形態において、排ガス吸引部125に換えて第8実施形態で説明した酸化ガス供給部560を設け、直流電源135に換えて直流電源ライン133が負荷に接続される構成とするものとしても良い。この構成により、第8実施形態と同様に、基板10D,10Eにおいて発電させることが可能である。
上記第7実施形態において、カーボンナノチューブ製造装置500は、基板10Eを備えていた。しかし、カーボンナノチューブ製造装置500は、基板10Eに換えて、第1実施形態ないし第5実施形態において説明した基板10,10A,10B,10C,10Dのいずれかを備えるものとしても良い。この場合には、直流電源550や、電極端子540、直流電源ライン542は省略されても良い。
上記第7実施形態ないし第9実施形態では、原料ガス誘導部材200は、導電性部材によって構成されていたが、非導電性部材によって構成されるものとしても良い。この場合には、アノード電極層14bの電極端子が新たに設けられることが好ましい。また、原料ガス誘導部材200は、上流側円筒部210や、テーパー部220、シャワー板240が省略されるものとしても良い。ただし、シャワー板240は、原料ガスの拡散性を向上させることができるため、設けられていることが好ましい。
上記第8実施形態において、基板10Eで水素の除去に伴い生じた電力は、ヒータ部530に供給されていた。しかし、この電力は、カーボンナノチューブ製造装置500Aの他の構成部に供給されるものとしても良い。また、この電力は、カーボンナノチューブ製造装置500Aに接続された外部負荷に供給されるものとしても良い。
10,10A,10B,10C,10D,10E,10F…基板
11…第1の面
12…第2の面
13a…支持基板
13b…水素選択透過膜層
14a…カソード電極層
14b…アノード電極層
15…固体電解質層
16,16a…中間層
16h…貫通孔
20…触媒薄膜
21…触媒粒子
31,32…電極
33…導電パス
100…加熱炉
110…炉管
111,112…開口部
120…ヒータ部
123…原料ガス供給部
125…排ガス吸引部
131,132…電極端子
133…直流電源ライン
135…直流電源
200…原料ガス誘導部材
210…上流側円筒部
220…テーパー部
230…下流側円筒部
232…貫通孔
240…シャワー板
242…貫通孔
500,500A,500B…カーボンナノチューブ製造装置
510,520…炉管
511,521…開口部
530…ヒータ部
535…水素除去部
540…電極端子
542…直流電源ライン
550…直流電源
555…ヒータ電源部
560…酸化ガス供給部
570…原料ガス供給部
571…供給用配管
572…循環用配管
575…逆止弁
Claims (17)
- 化学気相成長法によって、カーボンナノチューブを成長させるカーボンナノチューブの製造方法であって、
(a)水素を選択的に透過する基板を準備し、前記基板の第1の面にカーボンナノチューブの生成反応を促進させるための触媒を担持させる工程と、
(b)前記第1の面に向かって、少なくとも炭素原子と水素原子とを含む原料ガスを供給してカーボンナノチューブを成長させるとともに、前記第1の面側において副生成物として生成された水素が前記第1の面とは反対側の第2の面側へと選択的に透過されるように前記水素を誘導して排出する工程と、
を備える、製造方法。 - 請求項1記載のカーボンナノチューブの製造方法であって、
前記基板は、プロトン伝導性セラミックスで構成される、製造方法。 - 請求項1記載のカーボンナノチューブの製造方法であって、
前記基板は、水素を選択的に透過可能な多孔質セラミックスで構成される、製造方法。 - 請求項1記載のカーボンナノチューブの製造方法であって、
前記基板は、水素透過性金属によって構成される、製造方法。 - 請求項1記載のカーボンナノチューブの製造方法であって、
前記基板は、プロトンと電子とが内部を伝導するプロトン電子混合伝導体で構成される、製造方法。 - 請求項1記載のカーボンナノチューブの製造方法であって、
前記基板は、プロトン伝導性セラミックスに導電性金属部材を混合した金属・セラミックス混合体で構成される、製造方法。 - 請求項2記載のカーボンナノチューブの製造方法であって、
前記基板は、前記第1と第2の面にそれぞれ、水素が透過可能な電極を有し、
前記工程(b)は、前記電極に電圧を印加することによって、プロトンを前記第2の面側へと誘導する工程を含む、製造方法。 - 請求項2記載のカーボンナノチューブの製造方法であって、
前記基板は、前記第1と第2の面にそれぞれ、水素が透過可能な電極を有し、
前記工程(b)は、前記基板の前記第2の面側から酸素を供給し、前記基板の前記第1と第2の面から集電する工程を含む、製造方法。 - 請求項4記載のカーボンナノチューブの製造方法であって、
前記工程(b)は、前記基板の前記第2の面側から酸素を供給し、前記第2の面側において水素を燃焼させる工程を含む、製造方法。 - 請求項1ないし請求項9のいずれか一項に記載のカーボンナノチューブの製造方法であって、
前記基板は、前記第2の面側に通気性を有する多孔質支持体を備える、製造方法。 - 請求項1ないし請求項10のいずれか一項に記載のカーボンナノチューブの製造方法であって、
前記基板は、前記触媒と前記第1の面との間に、前記触媒が前記基板の内部へと拡散することを防止するための拡散防止層を有する、製造方法。 - 請求項1ないし請求項11のいずれか一項に記載のカーボンナノチューブの製造方法であって、
前記工程(b)は、前記基板の前記第2の面側における水素ガス圧を前記第1の面側よりも低下させる工程を含む、製造方法。 - 請求項1ないし請求項12のいずれか一項に記載のカーボンナノチューブの製造方法であって、
前記工程(b)は、前記基板の前記第2の面側において、前記水素を追放するためのパージガスを導入する工程を含む、製造方法。 - 請求項1ないし請求項13のいずれか一項に記載のカーボンナノチューブの製造方法であって、さらに、
(c)前記第1の面側において、前記原料ガスのうち前記カーボンナノチューブの生成反応に供されなかった未反応原料ガスを回収して、前記原料ガスとして再利用する工程、
を備える、製造方法。 - 化学気相成長法を利用したカーボンナノチューブの製造装置であって、
第1の面に前記カーボンナノチューブの生成反応を促進するための触媒が担持され、水素を第2の面に選択的に透過させる基板が収容された反応容器と、
前記反応容器に収容された前記基板の前記第1の面に少なくとも炭素原子と水素原子とを含む原料ガスを供給する原料ガス供給部と、
前記基板の前記第1の面において副生成物として生成される水素が前記第2の面側に選択的に透過されるように前記水素を誘導して除去する水素除去部と、
を備える、製造装置。 - 請求項15に記載のカーボンナノチューブの製造装置であって、
前記基板は、前記第1と第2の面にそれぞれに設けられた、水素を透過する第1と第2の電極層と、前記第1と第2の電極層に狭持された、プロトン伝導性を有する固体電解質層とを有し、
前記水素除去部は、前記第2の面側に酸素を含む酸化ガスを供給する酸化ガス供給部を備え、前記第1の面から透過した前記水素を前記酸化ガスとの電気化学反応に供させるとともに、前記電気化学反応によって生じた電力を集電する、製造装置。 - 請求項15または請求項16に記載のカーボンナノチューブの製造装置であって、さらに、
前記原料ガスを前記基板の前記第1の面に誘導するための原料ガス誘導部材を備え、
前記原料ガス誘導部材は、前記第1の面における前記触媒が担持された触媒領域を囲み、前記触媒領域に前記原料ガスを誘導する外周側壁部を有しており、
前記外周側壁部には、前記触媒領域に誘導された前記原料ガスのうち、前記カーボンナノチューブの生成反応に供されることのなかった未反応原料ガスを外部へと排出するための排出孔が設けられている、製造装置。
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US4855091A (en) * | 1985-04-15 | 1989-08-08 | The Dow Chemical Company | Method for the preparation of carbon filaments |
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NO315744B1 (no) * | 1998-09-30 | 2003-10-20 | Prototech As | Fremgangsmåte for pyrolytisk produksjon av hydrogen og karbon fra metan ogandre organiske gasser |
US6806397B1 (en) * | 1999-09-17 | 2004-10-19 | Ut-Battelle, Llc | Synthesis of condensed phases containing polycyclic aromatic hydrocarbons fullerenes and nanotubes |
JP2001220103A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-08-14 | Yusaku Takita | 炭化水素分解による水素製造方法 |
IL154171A0 (en) * | 2000-07-31 | 2003-07-31 | Nuvant Systems Inc | Hydrogen permeable membrane for use in fuel cells, and partial reformate fuel cell system having reforming catalysts in the anode fuel cell compartment |
JP2002063917A (ja) * | 2000-08-18 | 2002-02-28 | Sony Corp | 電気化学デバイス及びその使用方法 |
JP2002180252A (ja) | 2000-12-13 | 2002-06-26 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | カーボンナノチューブの製造方法 |
KR20020080429A (ko) * | 2000-12-20 | 2002-10-23 | 소니 가부시끼 가이샤 | 수소 제조장치, 전기화학 디바이스, 수소 제조방법 및전기화학 에너지 발생방법 |
ITMI20010138A1 (it) * | 2001-01-26 | 2002-07-26 | Lentek S P A | Produzione di idrogeno da metano ed impianto utilizzato in tale procedimento |
US6875417B1 (en) * | 2001-10-24 | 2005-04-05 | University Of Kentucky Research Foundation | Catalytic conversion of hydrocarbons to hydrogen and high-value carbon |
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US20040211679A1 (en) * | 2002-03-07 | 2004-10-28 | Wong Terrance Y.H. | Electrochemical hydrogen compressor |
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US20040134770A1 (en) * | 2002-11-15 | 2004-07-15 | Petersen John H | Ionic plasma deposition apparatus |
US7950221B2 (en) * | 2003-04-25 | 2011-05-31 | Catelectric Corp. | Methods and apparatus for controlling catalytic processes, including catalyst regeneration and soot elimination |
EA011042B1 (ru) * | 2003-11-21 | 2008-12-30 | Статойл Аса | Способ конверсии углеводородов |
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JP2006055698A (ja) * | 2004-08-17 | 2006-03-02 | Nikon Corp | ガス吸蔵材料及びその製造方法ならびにガス吸蔵装置 |
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AT502478B1 (de) * | 2005-10-31 | 2007-04-15 | Electrovac Ag | Verwendung eines verfahrens zur wasserstoffproduktion |
AT502901B1 (de) * | 2005-10-31 | 2009-08-15 | Electrovac Ag | Vorrichtung zur wasserstoffherstellung |
FI120450B (fi) * | 2007-03-21 | 2009-10-30 | Beneq Oy | Laite nanoputkien tuottamiseksi |
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JP2009119414A (ja) * | 2007-11-16 | 2009-06-04 | Toyota Central R&D Labs Inc | Cnt成長用基板及びcntの製造方法 |
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