JP5356456B2 - 半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法 - Google Patents
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Description
2 インターポーザ
3 インターポーザ接続端子
4 半導体チップ
4’ 裏面
5 Agペースト(銀ペースト、導電性ダイボンド材)
6 封止樹脂
7 ソルダーレジスト
9 塗布領域(第1の領域)
10 領域(第2の領域)
11 太陽電池モジュール
12 太陽電池セル
13 モジュール基板
14 実装電極
15 焼結材
16 接続部
17 p−層
18 アルミニウム
19 n+層
20 p+層
21 携帯電話
22 操作面
23 画面
24 支点
25 カメラ
26 バッテリー蓋
27 チップ搭載領域
28 直列接続用引き出し線
29 ワイヤボンディング用パッド
30 陰極用ビア
31 陽極用ビア
I 電流源
L 負荷
R1 電流等価抵抗
R2 直列抵抗
32 半導体パッケージ
33 インターポーザ
34 基板配線部
35 半導体チップ
36 裏面電極(電極)
36a 裏面電極部(第1の領域)
36b 裏面電極部(第2の領域)
36c オーバーラップ部
37 ダイボンド材
38 クリアランス
38a,38b 領域
39 封止樹脂
Claims (11)
- 半導体チップと、前記半導体チップを搭載するインターポーザと、前記インターポーザ上にあって、前記半導体チップを覆う封止樹脂を備える半導体パッケージにおいて、
前記半導体チップの、前記インターポーザに対向する面に形成された電極は、第1の金属を含む第1の領域と、第2の金属を含む第2の領域とからなり、
前記インターポーザと前記電極とは、前記第1の金属を含む導電性のダイボンド材で電気的に接続されており、
前記電極は、前記第1の領域と前記第2の領域とが重ね合わされたオーバーラップ部を有していることを特徴とする半導体パッケージ。 - 半導体チップと、前記半導体チップを搭載するインターポーザと、前記インターポーザ上にあって、前記半導体チップを覆う封止樹脂を備える半導体パッケージにおいて、
前記半導体チップの、前記インターポーザに対向する面に形成された電極は、第1の金属を含む第1の領域と、第2の金属を含む第2の領域とからなり、
前記インターポーザと前記電極とは、前記第1の金属を含む導電性のダイボンド材で電気的に接続されており、
前記電極において、前記第1の領域と前記第2の領域との間にクリアランスを有しており、
前記クリアランスは、前記ダイボンド材で充填されていることを特徴とする半導体パッケージ。 - 前記第1の金属は銀であり、前記第2の金属はアルミニウムであることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体パッケージ。
- 前記第1の金属は銀であり、前記第2の金属は焼成アルミであることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体パッケージ。
- 前記第1の金属を含む導電性のダイボンド材は銀ペーストであることを特徴とする請求項3または4に記載の半導体パッケージ。
- 前記第1の領域は、前記第2の領域よりも小さいことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体パッケージ。
- 前記第1の領域は、前記半導体チップの中央部に分布し、前記第2の領域は、前記半導体チップの周辺部に分布していることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体パッケージ。
- 前記第1の領域は、前記半導体チップに点在し、前記第2の領域は、前記半導体チップの周辺部に分布していることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体パッケージ。
- 前記ダイボンド材の80%以上が、前記第1の領域に存在することを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体パッケージ。
- 前記半導体チップと前記インターポーザとの間には、前記ダイボンド材が存在する領域と、前記封止樹脂が存在する領域とが形成されていることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体パッケージ。
- 前記半導体チップは、太陽電池セルであることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の半導体パッケージ。
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