JP5337273B2 - 半導体記憶装置とそのidコード及び上位アドレスの書き込み方法、並びにテスタ装置、テスタ装置のためのテスト方法 - Google Patents
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Description
IDコード及び上位アドレスを記憶する不揮発性記憶手段を備え、
上記IDコードはアッセンブリ前に上記不揮発性記憶手段に書き込まれることを特徴とする。
上記不揮発性記憶手段は、上記フラッシュメモリのメモリセルアレイ内のメモリ型ヒューズ素子であることを特徴とする。
上記半導体記憶装置は上記半導体揮発性記憶装置とは別に、IDコード及び上位アドレスを記憶する不揮発性記憶手段を備えたことを特徴とする。
上記半導体記憶装置は、IDコード及び上位アドレスを記憶する不揮発性記憶手段を備え、
上記IDコードをアッセンブリ前に上記不揮発性記憶手段に書き込むステップを含むことを特徴とする。
(1)データを記憶するメモリセルアレイ20であって、各IDコード及び上位アドレスを記憶するヒューズデータ領域20Fを有するメモリセルアレイ20と、
(2)メモリセルアレイ20からデータをページ単位で書き込み又は読み出すときに用いるページバッファ21と、
(3)指定アドレスに応答してメモリセルアレイ20のロウを指定するためのロウデコーダ22と、
(4)メモリセルアレイ20からページバッファ21を介して読み出したIDコードを一時的に記憶するIDコードレジスタ23と、
(5)入出力バッファ31から入力されるIDコード(実施形態)又はカウンタ37より計数されたIDコード(変形例)を、IDコードレジスタ23に格納されたIDコードと比較し、その比較結果を出力するコンパレータ24と、
(6)コンパレータ24又は39からの比較結果に基づいて当該半導体チップのステータスを一時的に記憶して入出力バッファ31に出力し、レディ/ビジー信号(R/B信号)を発生してR/B信号端子42に出力するステータスレジスタ25と、
(7)入出力端子31を介して入出力されるデータを一時的に記憶する入出力バッファ31と、
(8)入出力バッファ31からのコマンドを復号化して符号化されたコマンドデータをコントロールロジック35に出力するコマンドデコーダ32と、
(9)入出力バッファ31からの指定アドレス又は上位アドレスを一時的に記憶するアドレスバッファ33と、
(10)電源オン時に当該半導体チップの動作をリセットするためのリセット信号を出力するパワーオンリセット回路36と、
(11)コマンドデコーダ32からのコマンドデータ、制御信号端子43を介して入力される制御信号、コンパレータ39からの比較結果、もしくはパワーオンリセット回路36からのリセット信号に基づいて、当該半導体チップ内の各回路に対して所定の制御を行うコントロールロジック35であって、特に本実施形態では、リセット信号に応答してヒューズデータ領域20FのヒューズからIDコードをページバッファ21を介してIDコードレジスタ23に読み出すように制御し、また変形例ではリセット信号に応答してカウンタ37をリセットするコントロールロジック35と、
(12)詳細後述する図7の変形例に係るカウンタ37であって、IDコードサーチコマンド又はIDコードマッチコマンドに応答して、ライトイネーブル信号/WEを計数して計数値をコンパレータ24に出力するカウンタ37と、
(13)メモリセルアレイ20からページバッファ21を介して読み出した上位アドレスを一時的に記憶する上位アドレスレジスタ38と、
(14)アドレスバッファ33からの上位アドレスを、上位アドレスレジスタ38からの上位アドレスと比較して比較結果をコントロールロジック35に出力するコンパレータ39とを備えて構成される。
20…メモリセルアレイ、
20F…ヒューズデータ領域、
20Fc…IDコードエリア、
21…ページバッファ、
22…ロウデコーダ、
23…IDコードレジスタ、
24…コンパレータ、
25…ステータスレジスタ、
31…入出力バッファ、
32…コマンドデコーダ、
33…アドレスバッファ、
35…コントロールロジック、
36…パワーオンリセット回路、
37…カウンタ、
38…上位アドレスレジスタ、
41…入出力端子、
42…R/B信号端子、
43…制御信号端子、
D1〜DN…半導体チップ。
Claims (19)
- 複数の半導体記憶装置をスタックしてマルチチップパッケージ化するための半導体記憶装置において、
上記半導体記憶装置は、IDコード及び上位アドレスを記憶する不揮発性記憶手段を備え、
上記IDコードはアッセンブリ前に上記不揮発性記憶手段に書き込まれ、
上記半導体記憶装置は、フラッシュメモリであり、
上記不揮発性記憶手段は、上記フラッシュメモリのメモリセルアレイ内のメモリ型ヒューズ素子であり、
上記半導体記憶装置は、
外部装置から上記半導体記憶装置に入力され、所定のIDコードの検索を指示するIDコードマッチコマンドに応答して、当該半導体記憶装置のIDコードを検索し、上記所定のIDコードを上記検索のために入力したIDコードと比較して比較結果を出力する第1の比較手段をさらに備え、
上記第1の比較手段がIDコードが一致する比較結果を出力するとき、当該半導体記憶装置は、上記外部装置から上記半導体記憶装置に入力され上記外部装置からのアクセス終了を示すIDリリースコマンドを受信するまで、上記外部装置からの他のコマンドを受信可能なアクティブ状態となる一方、上記第1の比較手段がIDコードが一致しない比較結果を出力するとき、上記IDコードマッチコマンド又は所定のIDコードリリースコマンドを待機する状態となり、
上記上位アドレスは、複数の半導体記憶装置をマルチチップパッケージ化した後に当該半導体記憶装置が上記アクティブ状態であるときに上記不揮発性記憶手段に書き込まれることを特徴とする半導体記憶装置。 - 複数の半導体記憶装置をスタックしてマルチチップパッケージ化するための半導体記憶装置において、
IDコード及び上位アドレスを記憶する不揮発性記憶手段を備え、
上記IDコードはアッセンブリ前に上記不揮発性記憶手段に書き込まれ、
上記半導体記憶装置は、
外部装置から上記半導体記憶装置に入力され、所定のIDコードの検索を指示するIDコードサーチコマンドの入力及び所定の入力信号ピンをトグルさせることに応答して、トグルしている信号のパルス数を計数し、当該計数値を上記所定のIDコードと比較して比較結果を出力する第2の比較手段をさらに備えたことを特徴とする半導体記憶装置。 - 上記半導体記憶装置は、フラッシュメモリであり、
上記不揮発性記憶手段は、上記フラッシュメモリのメモリセルアレイ内のメモリ型ヒューズ素子であることを特徴とする請求項2記載の半導体記憶装置。 - 上記半導体記憶装置は、半導体揮発性記憶装置であり、
上記半導体記憶装置は上記半導体揮発性記憶装置とは別に、IDコード及び上位アドレスを記憶する不揮発性記憶手段を備えたことを特徴とする請求項2記載の半導体記憶装置。 - 上記比較手段がIDコードが一致する比較結果を出力するとき、当該半導体記憶装置は、上記外部装置から上記半導体記憶装置に入力され上記外部装置からのアクセス終了を示すIDリリースコマンドを受信するまで、上記外部装置からの他のコマンドを受信可能なアクティブ状態となる一方、上記比較手段がIDコードが一致しない比較結果を出力するとき、上記IDコードマッチコマンド又は所定のIDコードリリースコマンドを待機する状態となることを特徴とする請求項2記載の半導体記憶装置。
- 上記比較手段がIDコードが一致する比較結果を出力するとき、当該半導体記憶装置のレディを示す信号を出力する信号出力手段をさらに備えたことを特徴とする請求項1乃至5のうちのいずれか1つに記載の半導体記憶装置。
- 上記IDコードマッチコマンドは、複数の半導体チップをマルチチップパッケージ化した後に入力されることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 上記IDコードサーチコマンドは、複数の半導体チップをマルチチップパッケージ化した後に入力されることを特徴とする請求項2記載の半導体記憶装置。
- 上記IDコードマッチコマンドの検索すべき所定のIDコードは、上記外部装置の記憶手段に記憶されることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 上記IDコードサーチコマンドの検索すべき所定のIDコードは、上記外部装置の記憶手段に記憶されることを特徴とする請求項2記載の半導体記憶装置。
- 上記IDコードはウエハテスト中に上記半導体記憶装置の不揮発性記憶手段に書き込まれることを特徴とする請求項1乃至10のうちのいずれか1つに記載の半導体記憶装置。
- 上記半導体記憶装置のパワーオン時に、上記不揮発性記憶手段からIDコードを読み出して記憶する第1のレジスタ手段をさらに備えたことを特徴とする請求項1乃至11のうちのいずれか1つに記載の半導体記憶装置。
- 上記半導体記憶装置のパワーオン時に、上記不揮発性記憶手段から上位アドレスを読み出して記憶する第2のレジスタ手段をさらに備えたことを特徴とする請求項1乃至12のうちのいずれか1つに記載の半導体記憶装置。
- 複数の半導体記憶装置をスタックしてマルチチップパッケージ化するための上記各半導体記憶装置をテストするテスタ装置において、
上記各半導体記憶装置は、IDコード及び上位アドレスを記憶する不揮発性記憶手段を備え、
上記IDコードはアッセンブリ前に上記不揮発性記憶手段に書き込まれ、
上記各半導体記憶装置は、フラッシュメモリであり、
上記不揮発性記憶手段は、上記フラッシュメモリのメモリセルアレイ内のメモリ型ヒューズ素子であり、
上記各半導体記憶装置は、
上記テスタ装置から上記半導体記憶装置に入力され、所定のIDコードの検索を指示するIDコードマッチコマンドに応答して、当該半導体記憶装置のIDコードを検索し、上記所定のIDコードを上記検索のために入力したIDコードと比較して比較結果を出力する第1の比較手段をさらに備え、
上記第1の比較手段がIDコードが一致する比較結果を出力するとき、当該半導体記憶装置は、上記テスタ装置から上記半導体記憶装置に入力され上記テスタ装置からのアクセス終了を示すIDリリースコマンドを受信するまで、上記テスタ装置からの他のコマンドを受信可能なアクティブ状態となる一方、上記第1の比較手段がIDコードが一致しない比較結果を出力するとき、上記IDコードマッチコマンド又は所定のIDコードリリースコマンドを待機する状態となり、
上記テスタ装置は、上記複数の半導体記憶装置をマルチチップパッケージ化した後に上記各半導体記憶装置が上記アクティブ状態であるときに、上記各半導体記憶装置の上位アドレスをすべての上記複数の半導体記憶装置の不揮発性記憶手段に順次書き込むことを特徴とするテスタ装置。 - 複数の半導体記憶装置をスタックしてマルチチップパッケージ化するための上記各半導体記憶装置をテストするテスタ装置のためのテスト方法において、
上記各半導体記憶装置は、IDコード及び上位アドレスを記憶する不揮発性記憶手段を備え、
上記IDコードはアッセンブリ前に上記不揮発性記憶手段に書き込まれ、
上記各半導体記憶装置は、フラッシュメモリであり、
上記不揮発性記憶手段は、上記フラッシュメモリのメモリセルアレイ内のメモリ型ヒューズ素子であり、
上記各半導体記憶装置は、
上記テスタ装置から上記半導体記憶装置に入力され、所定のIDコードの検索を指示するIDコードマッチコマンドに応答して、当該半導体記憶装置のIDコードを検索し、上記所定のIDコードを上記検索のために入力したIDコードと比較して比較結果を出力する第1の第1の比較手段をさらに備え、
上記第1の比較手段がIDコードが一致する比較結果を出力するとき、当該半導体記憶装置は、上記テスタ装置から上記半導体記憶装置に入力され上記テスタ装置からのアクセス終了を示すIDリリースコマンドを受信するまで、上記テスタ装置からの他のコマンドを受信可能なアクティブ状態となる一方、上記第1の比較手段がIDコードが一致しない比較結果を出力するとき、上記IDコードマッチコマンド又は所定のIDコードリリースコマンドを待機する状態となり、
上記テスト方法は、上記テスタ装置が、上記複数の半導体記憶装置をマルチチップパッケージ化した後に上記各半導体記憶装置が上記アクティブ状態であるときに、上記各半導体記憶装置の上位アドレスをすべての上記複数の半導体記憶装置の不揮発性記憶手段に順次書き込むことを特徴とするテスト方法。 - 複数の半導体記憶装置をスタックしてマルチチップパッケージ化するための上記各半導体記憶装置をテストするテスタ装置において、
上記各半導体記憶装置は、IDコード及び上位アドレスを記憶する不揮発性記憶手段を備え、
上記IDコードはアッセンブリ前に上記不揮発性記憶手段に書き込まれ、
上記各半導体記憶装置は、
上記テスタ装置から上記半導体記憶装置に入力され、所定のIDコードの検索を指示するIDコードサーチコマンドの入力及び所定の入力信号ピンをトグルさせることに応答して、トグルしている信号のパルス数を計数し、当該計数値を上記所定のIDコードと比較して比較結果を出力する第2の比較手段をさらに備え、
上記第2の比較手段がIDコードが一致する比較結果を出力するとき、当該半導体記憶装置は、上記テスタ装置から上記半導体記憶装置に入力され上記テスタ装置からのアクセス終了を示すIDリリースコマンドを受信するまで、上記テスタ装置からの他のコマンドを受信可能なアクティブ状態となる一方、上記第2の比較手段がIDコードが一致しない比較結果を出力するとき、上記IDコードマッチコマンド又は所定のIDコードリリースコマンドを待機する状態となり、
上記テスタ装置は、上記複数の半導体記憶装置をマルチチップパッケージ化した後に上記各半導体記憶装置が上記アクティブ状態であるときに、上記各半導体記憶装置の上位アドレスをすべての上記複数の半導体記憶装置の不揮発性記憶手段に順次書き込むことを特徴とするテスタ装置。 - 上記各半導体記憶装置は、フラッシュメモリであり、
上記不揮発性記憶手段は、上記フラッシュメモリのメモリセルアレイ内のメモリ型ヒューズ素子であることを特徴とする請求項16記載のテスタ装置。 - 複数の半導体記憶装置をスタックしてマルチチップパッケージ化するための上記各半導体記憶装置をテストするテスタ装置のためのテスト方法において、
上記各半導体記憶装置は、IDコード及び上位アドレスを記憶する不揮発性記憶手段を備え、
上記IDコードはアッセンブリ前に上記不揮発性記憶手段に書き込まれ、
上記各半導体記憶装置は、
上記テスタ装置から上記半導体記憶装置に入力され、所定のIDコードの検索を指示するIDコードサーチコマンドの入力及び所定の入力信号ピンをトグルさせることに応答して、トグルしている信号のパルス数を計数し、当該計数値を上記所定のIDコードと比較して比較結果を出力する第2の比較手段をさらに備え、
上記第2の比較手段がIDコードが一致する比較結果を出力するとき、当該半導体記憶装置は、上記テスタ装置から上記半導体記憶装置に入力され上記テスタ装置からのアクセス終了を示すIDリリースコマンドを受信するまで、上記テスタ装置からの他のコマンドを受信可能なアクティブ状態となる一方、上記第2の比較手段がIDコードが一致しない比較結果を出力するとき、上記IDコードマッチコマンド又は所定のIDコードリリースコマンドを待機する状態となり、
上記テスト方法は、上記テスタ装置が、上記複数の半導体記憶装置をマルチチップパッケージ化した後に上記各半導体記憶装置が上記アクティブ状態であるときに、上記各半導体記憶装置の上位アドレスをすべての上記複数の半導体記憶装置の不揮発性記憶手段に順次書き込むことを特徴とするテスト方法。 - 上記各半導体記憶装置は、フラッシュメモリであり、
上記不揮発性記憶手段は、上記フラッシュメモリのメモリセルアレイ内のメモリ型ヒューズ素子であることを特徴とする請求項18記載のテスト方法。
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