JP5335366B2 - 電子写真装置 - Google Patents
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(特許文献3、5、6、7参照)。
導電性支持体、下引き層及び感光層を有する電子写真感光体と
露光光として波長λ(nm)のコヒーレント光が用いられる露光手段とを有する電子写真装置において、
該下引き層が、光吸収剤を含有し、
該光吸収剤が、該波長λ(nm)におけるモル吸光係数が2.0×10 5 lmol −1 cm −1 以上である染料又は顔料であり、
該下引き層における該染料又は該顔料の単位面積当たりの含有量が、6.0mol/m 2 以上であり、
該下引き層での該コヒーレント光の透過率が、25.0%以下であり、該下引き層とその上に接する層との界面での該コヒーレント光の反射率が、2.5%以下であり、
該下引き層の表面が、複数の突起が林立する形状を有し、
該下引き層の表面における単位面積当たり(100μm四方)の突起の平均長さをd(nm)とし、突起間の平均距離をg(nm)とし、突起の平均高さをh(nm)としたとき、該波長λ、該平均長さd、該平均距離g及び該平均高さhが、下記式(1)〜(3)を満たすことを特徴とする電子写真装置
が提供される。
λ/g≧1.4・・・(2)
λ/h≦5.0・・・(3)
(単位面積当たりの突起の平均長さdは、単位面積の中で最大高さを示す部分(高さx1)と最低高さを示す部分(高さx2)の中央1/2(x1−x2)での突起部が横切る幅の平均を示す。
単位面積当たりの突起間の平均距離gは、単位面積の中で最大高さを示す部分(高さx1)と最低高さを示す部分(高さx2)の中央1/2(x1−x2)での突起と突起の間隔の平均を示す。
単位面積当たりの突起の平均高さhは、単位面積の中で最大高さを示す部分(高さx1)と最低高さを示す部分(高さx2)の中央1/2(x1−x2)を超える突起部における突起部の高さの平均を示す。)
第1に、下引き層の表面形状を特定の形状にすることで、光散乱を起こすことなく光反射を低減させて波長λ(nm)の光の反射率を2.5%以下とし、かつ、下引き層内に波長λ(nm)の光を透過させる、
第2に、下引き層内に透過した波長λ(nm)の光を光吸収剤で吸収することで下引き層内での波長λ(nm)の光の透過率を25.0%以下に抑える。これらをすべて満たして初めて、潜像の解像力低下なく、干渉縞を抑制することができる。
λ/g≧1.4・・・(2)
λ/h≦5.0・・・(3)
r≦λ/5・・・(4)
に示されるように本発明の電子写真装置の露光手段に用いられる波長λ(nm)の5分の1以下であることが好ましい。また金属酸化物粒子の含有量としては体積比率で30.0%以上の場合に特に干渉縞抑制の効果が大きい。つまり、下引き層が粒子として屈折率が2.0以上の金属酸化物粒子のみを含有し、金属酸化物粒子を下引き層中に体積比率で30.0%以上含有し、かつ該金属酸化物粒子の体積平均粒径r(nm)が上記式(4)に示されるものであることが好ましい。金属酸化物粒子の例としてはTiO2、Bi2O3、Al2O3、SiO2、CoO、Y2O3、ITO、CeO2、ZnO、CuO、SnO2、Ho2O3、Mn3O4、コバルトブルー等の粒子が挙げられるがこれに限ったものではない。また、これらのうち酸化チタン、酸化亜鉛及び酸化スズからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属酸化物の粒子であることが導電性、屈折率の点から特に好ましい。
λ/d≧1.0・・・(1)
λ/g≧1.4・・・(2)
λ/h≦5.0・・・(3)
を満たす形状をオス形状としたとき、それとは凹凸が反転したメスの形状のモールドをNi電鋳にてまず作製する。
単位面積当たりの突起の平均長さdとは、この中で最大高さを示す部分(高さx1)と最低高さを示す部分(高さx2)の中央1/2(x1−x2)での突起部が横切る幅の平均を言い、突起部が横切る幅は、図5ではa1、a3、a5を示す。
突起間平均距離gとはこの中で最大高さを示す部分(高さx1)と最低高さを示す部分(高さx2)の中央1/2(x1−x2)での突起と突起の間隔の平均を言い、突起と突起の間隔は、図5ではa2、a4を示す。
突起の平均高さhとは、この中で最大高さを示す部分(高さx1)と最低高さを示す部分(高さx2)の中央1/2(x1−x2)を超える突起部の高さの平均を言い、突起部の高さは、図5ではb1、b3、b4を示す。
直径30mm、長さ357.5mm、肉厚1mmのアルミニウムシリンダーを支持体(円筒状支持体)とした。
製造例1の金属酸化物、光吸収剤、樹脂の種類、量を表1に示すように代え、下引き層の表面形状が表1に示す形状になるようにモールドを代えて下引き層を形成した以外は、製造例1と同様に下引き層を形成した。
製造例6のボールミルで分散する時間を約12時間に代えた以外は製造例6と同様に下引き層を形成した。
製造例1の金属酸化物を添加しなかった以外は製造例1と同様に下引き層を形成した。
製造例1の光吸収剤の種類と量を表1に記載したものに代え、ボールミルで分散する時間を約40時間に代え、下引き層の表面形状が表1に示す形状になるようにモールドを代えて下引き層を形成した以外は製造例1と同様に下引き層を形成した。
製造例1の光吸収剤の種類と量を表1に記載したものに代え、ボールミルで分散する時間を約16時間に代え、下引き層の表面形状が表1に示す形状になるようにモールドを代えて下引き層を形成した以外は製造例1と同様に下引き層を形成した。
製造例1の表面形状加工装置の加圧部材の材質を耐熱ガラスとし、電子写真感光体の直下でかつ加圧部材内部にメタルハライドランプを設置し、不図示の電源を接続した。モールドは、材質を透明アクリル樹脂製とし形状は製造例1と同様とした。モールドが電子写真感光体と接する部分で加圧部材内部のメタルハライドランプから発せられる紫外線がモールドを通過して下引き層表面に照射され、下引き層を硬化できるようにした。支持体の内部には、保持部材を挿入しなかった。これら以外は製造例1と同様に、アルミニウム支持体上に下引き層を形成し、下引き層の表面加工を行った。
製造例13の金属酸化物、光吸収剤、樹脂の種類、量を表1に示すように代えた以外は、製造例13と同様に下引き層を形成した。
製造例1の金属酸化物、光吸収剤、樹脂の種類、量を表1に示すように代えた以外は、製造例1と同様に下引き層を形成した。
製造例1乃至8及び製造例13乃至16と同様に下引き層を形成したアルミニウム支持体の上にそれぞれ下記感光層を設けた。
下記構造式(1)で示されるカリックスアレーン化合物0.2部、
横線1ドット250スペースのパターン画像を30000枚の間欠耐久を行い、耐久後、A4普通紙を用いて、モノクロで桂馬パターンのハーフトーン画像を出力した。これにより耐久後のワンドットの画像再現性と、干渉縞を評価した。
◎:各ドットが全く拡がりなく総て再現されており良好、
○:各ドットに若干の広がりがあるが良好、
×:各ドットに拡がりが生じ再現されていないドットがあり不良
となるように行った。
◎:全く無く良好、
○:ほとんど見えず良好、
×:不良
となるように行った。
実施例1の評価装置のレーザー出力装置をレーザー光を405nmのものを用いた以外は実施例1と同様に評価した。以上の評価結果を表1に示す。
実施例1の評価装置のレーザー出力装置をレーザー光を680nmのものを用いた以外は実施例1と同様に評価した。以上の評価結果を表1に示す。
製造例1の下引き層において下引き層用塗布液に光吸収剤SDA2435を含有しない以外は製造例1と同様に下引き層を形成し、製造例1と同様に下引き層を形成したアルミニウム支持体の上にそれぞれ感光層を設け、実施例1と同様に評価した。その結果を表2に示す。
製造例1の下引き層において表面形状が表2に記載された形状となるようにモールドの形状を代え下引き層を作製した。それ以外は製造例1と同様に下引き層を形成し、製造例1と同様に下引き層を形成したアルミニウム支持体の上にそれぞれ感光層を設け、実施例1と同様に評価した。その結果を表2に示す。
製造例1の下引き層において光吸収材の量を表2に記載された量となるように添加量を代え下引き層を作製した。それ以外は製造例1と同様に下引き層を形成し、製造例1と同様に下引き層を形成したアルミニウム支持体の上にそれぞれ感光層を設け、実施例1と同様に評価した。その結果を表2に示す。
2 軸
3 帯電手段(一次帯電手段)
4 露光光(画像露光光)
5 現像手段
6 転写手段(転写ローラー)
7 クリーニング手段(クリーニングブレード)
8 定着手段
9 プロセスカートリッジ
10 案内手段
P 転写材(紙など)
11 中間転写体(中間転写ベルト)
12 張架ローラー
13 二次転写対向ローラー
5Y 第1色成分現像手段(イエロー成分現像手段)
5M 第2色成分現像手段(マゼンタ成分現像手段)
5C 第3色成分現像手段(シアン成分現像手段)
5K 第4色成分現像手段(ブラック成分現像手段)
6p 一次転写手段
6s 二次転写手段(二次転写ローラー)
7r 電荷付与手段(電荷付与ローラー)
1−1 加圧部材
1−2 電子写真感光体
1−3 モールド
1−5 電子写真感光体支持部材
Claims (4)
- 導電性支持体、下引き層及び感光層を有する電子写真感光体と
露光光として波長λ(nm)のコヒーレント光が用いられる露光手段とを有する電子写真装置において、
該下引き層が、光吸収剤を含有し、
該光吸収剤が、該波長λ(nm)におけるモル吸光係数が2.0×10 5 lmol −1 cm −1 以上である染料又は顔料であり、
該下引き層における該染料又は該顔料の単位面積当たりの含有量が、6.0mol/m 2 以上であり、
該下引き層での該コヒーレント光の透過率が、25.0%以下であり、該下引き層とその上に接する層との界面での該コヒーレント光の反射率が、2.5%以下であり、
該下引き層の表面が、複数の突起が林立する形状を有し、
該下引き層の表面における単位面積当たり(100μm四方)の突起の平均長さをd(nm)とし、突起間の平均距離をg(nm)とし、突起の平均高さをh(nm)としたとき、該波長λ、該平均長さd、該平均距離g及び該平均高さhが、下記式(1)〜(3)を満たすことを特徴とする電子写真装置。
λ/d≧1.0・・・(1)
λ/g≧1.4・・・(2)
λ/h≦5.0・・・(3)
(単位面積当たりの突起の平均長さdは、単位面積の中で最大高さを示す部分(高さx1)と最低高さを示す部分(高さx2)の中央1/2(x1−x2)での突起部が横切る幅の平均を示す。
単位面積当たりの突起間の平均距離gは、単位面積の中で最大高さを示す部分(高さx1)と最低高さを示す部分(高さx2)の中央1/2(x1−x2)での突起と突起の間隔の平均を示す。
単位面積当たりの突起の平均高さhは、単位面積の中で最大高さを示す部分(高さx1)と最低高さを示す部分(高さx2)の中央1/2(x1−x2)を超える突起部における突起部の高さの平均を示す。) - 前記下引き層が、粒子としては屈折率が2.0以上の金属酸化物粒子のみを含有し、
前記下引き層における該金属酸化物粒子の含有量が、体積比率で30.0%以上であり、
該金属酸化物粒子の体積平均粒径をr(nm)としたとき、前記波長λ及び該体積平均粒径rが、下記式(4)を満たす
請求項1に記載の電子写真装置。
r≦λ/5・・・(4) - 前記金属酸化物粒子が、酸化チタン、酸化亜鉛及び酸化スズからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属酸化物の粒子である請求項2に記載の電子写真装置。
- 前記光吸収剤が、近赤外吸収剤である請求項1〜3のいずれか1項に記載の電子写真装置。
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