JP5331516B2 - 荷電粒子ビーム照射デバイス及び荷電粒子ビーム照射デバイスを動作させるための方法 - Google Patents
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Description
(a)所与の動作条件下で高い初期照射電流I0と低い安定平均照射電流ISとを示す荷電粒子ビーム源を所与の圧力の真空中に配置する段階と、
(b)エミッタ表面から荷電粒子を照射するために荷電粒子ビーム源に所与の動作条件を適用して、荷電粒子ビーム源の照射電流が安定平均照射電流ISよりも高くなるようにする段階と、
(c)少なくとも1つの加熱パルスを荷電粒子ビーム源に印加してエミッタ表面を温度TCにまで加熱することにより清浄化処理を行い、これにより荷電粒子ビーム源の照射電流が低い安定平均照射値ISにまで低下する前に清浄化処理を行うようにする段階と、
(d)清浄化処理(c)を繰返して、荷電粒子ビーム源の照射電流が実質的に安定した平均照射値ISを連続的に上回るように維持する段階と、
を含む。
(a)所与の引き出し電界下で高い初期照射電流I0と低い安定平均照射電流ISとを示す冷陰極電界エミッタを所与の圧力の真空中に配置する段階と、
(b)エミッタ表面から電子を照射するために冷陰極電界エミッタに所与の引き出し電界を印加して、冷陰極電界エミッタの照射電流が安定平均照射電流ISよりも高くなるようにする段階と、
(c)少なくとも1つの加熱パルスを冷陰極電界エミッタに印加してエミッタ表面を温度TCにまで加熱することにより清浄化処理を行い、これにより清浄化処理は、冷陰極電界エミッタの照射電流が低い安定平均照射値ISにまで低下する前に行われるようにする段階と、
(d)清浄化処理(c)を繰返して、冷陰極電界エミッタの照射電流が実質的に安定平均照射値ISを連続的に上回るように維持する段階と、
を含む。
(a)所与の引き出し電界下で高い初期照射電流I0と低い安定平均照射電流ISとを示す冷陰極電界エミッタを所与の圧力の真空中に配置する段階と、
(b)エミッタ表面から電子を照射するために冷陰極電界エミッタに所与の引き出し電界を印加して、冷陰極電界エミッタの照射電流が安定平均照射電流ISよりも高くなるようにする段階と、
(c)引き出し電界の強度を調節して、照射電流が実質的に安定し且つ平均安定照射電流ISを連続的に上回ってISよりも高い事前に定められた値ICに維持する段階と、
(d)少なくとも1つの加熱パルスを冷陰極電界エミッタに印加してエミッタ表面を温度TCにまで加熱することにより清浄化処理を行い、これにより引き出し電界の強度が事前に定められた基準値を超える時に清浄化処理を行うようにする段階と、
(e)調節段階(c)及び清浄化処理(d)を繰返して、冷陰極電界エミッタの照射電流が実質的に安定した照射値ISを連続的に上回るように維持する段階と、
を含む。
(a)荷電粒子ビームを発生させる段階と、
(b)発生した荷電粒子ビームをサンプル又は試料上に合焦させる段階と、
(c)トリガー事象(triggering event)の発生に基づいてエミッタ表面の清浄化のための清浄化処理を自動的に実行する段階と、
を含む。
エミッタ表面を含む、荷電粒子を照射するための荷電粒子ビーム源と、
荷電粒子ビーム源に電圧を印加して荷電粒子ビームを発生させるための電圧ユニットと、
エミッタ表面を加熱するための加熱要素と、
トリガー信号(triggering signal)を受け取るための入力部を含む制御ユニットと、
を含み、
制御ユニットは、トリガー信号を受け取ると、加熱要素を制御して、荷電粒子ビームの発生中に荷電粒子ビーム源のエミッタ表面に少なくとも1つの加熱パルスを印加するように動作する。
ここで種々の実施形態を詳細に参照し、それらの実施例が各図面で例示される。以下の図及び説明では同じ数字は同じ要素を示している。実施例は説明の目的で提供され、本発明を限定するものではない。例えば、1つの実施形態の一部として例示又は説明される特徴は、他の実施形態において又はこれと関連して用いて、別の実施形態をもたらすことができる。本発明はこのような修正及び変更を含むものとする。
22 通常動作
24 頻繁な清浄化
28 ビルドアップ
Claims (11)
- エミッタ表面(5)を有する荷電粒子ビーム源(2、60)を含む荷電粒子ビーム照射デバイスを動作するための方法であって、
(a)所与の作動状態下で、高い初期照射電流I 0 と低い安定平均照射電流I S とを示す前記荷電粒子ビーム源(2、60)を所与の圧力の真空中に配置することにより、荷電粒子ビームを発生させる段階と、
(b)前記発生した荷電粒子ビームをサンプル又は試料上に合焦させる段階と、
(c)トリガー事象の発生に基づいて前記エミッタ表面の清浄化のための清浄化処理を自動的に実行し、前記荷電粒子ビーム源の照射電流を継続的に前記安定平均照射電流I S よりも実質的に高く維持する段階と、を有し、
前記トリガー事象は、サンプルの交換、較正、サンプル又は試料の移動、及び/又はステージの移動であることを特徴とする方法。 - 前記荷電粒子ビームは、前記清浄化処理中に前記サンプル又は試料からデフォーカス又は偏向されることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 荷電粒子ビームを発生させる段階(a)が、
(a2)前記エミッタ表面(5)から荷電粒子を照射するために前記荷電粒子ビーム源(2、60)に前記所与の作動状態を適用して、前記荷電粒子ビーム源の照射電流が前記安定平均照射電流ISよりも高くなるようにする段階と、を有し、
(c1)少なくとも1つの加熱パルスを前記荷電粒子ビーム源に印加して前記エミッタ表面(5)を温度TCにまで加熱することにより清浄化処理を行い、これにより前記荷電粒子ビーム源の照射電流が低い安定平均照射電流ISに低下する前に前記清浄化処理を行うようにする段階と、
(c2)前記清浄化処理(c1)を繰返して、前記平均安定照射電流ISを連続的に上回るように前記荷電粒子ビーム源の照射電流を維持する段階と、
を有する請求項1又は2に記載の方法。 - 清浄化処理を行う段階(c1)が、所定時間実行され、又は、照射電流が、安定平均照射電流ISよりも高い所定のICまで低下したとき実行される請求項3記載の方法。
- 荷電粒子ビームを発生させる段階(a)が、
(a2)前記エミッタ表面(5)から電子を照射するために前記冷陰極電界エミッタ(2、60)に前記所与の引き出し電界を印加して、前記冷陰極電界エミッタの照射電流が前記安定平均照射電流ISよりも高くなるようにする段階と、
(a3)前記引き出し電界の強度を調節して、前記照射電流が実質的に安定し且つ前記平均安定照射電流ISを連続的に上回ってISよりも高い事前に定められた値ICに維持する段階と、を有し、
さらに、清浄化処理を行う段階(c)が、
(c1)少なくとも1つの加熱パルスを前記冷陰極電界エミッタに印加して前記エミッタ表面(5)を温度TCにまで加熱することにより清浄化処理を行い、これにより前記引き出し電界の強度が事前に定められた基準値を超える時に前記清浄化処理を行うようにする段階と、
(c2)前記調節段階(a3)及び前記清浄化処理(c1)を繰返して、前記冷陰極電界エミッタの照射電流が実質的に安定した照射値ISを連続的に上回るように維持する段階と、を含む請求項1又は2に記載の方法。 - 予め定められた値ICはIC=αI0で定義され、α>0.9であり、特にα>0.95であることを特徴とする請求項4に記載の方法。
- エミッタ表面(5)を含む、荷電粒子を照射するための荷電粒子ビーム源(60)を備え、前記荷電粒子ビーム源(60)は、前記荷電粒子ビーム源(2、60)を所与の圧力の真空中に配置したとき、所与の作動状態下で、高い初期照射電流I 0 と低い安定平均照射電流I S とを示し、
前記荷電粒子ビーム源(60)に電圧を印加して荷電粒子ビーム(78)を発生させるための電圧ユニット(86)と、
前記エミッタ表面(5)を加熱するための加熱要素(82)と、
トリガー信号を受け取るための入力部(90)を含む制御ユニット(88)と、
を備え、
前記制御ユニット(88)は、トリガー信号を受け取ると、前記加熱要素(82)を制御して、前記荷電粒子ビーム(78)の発生中に前記荷電粒子ビーム源(60)のエミッタ表面(5)に少なくとも1つの加熱パルスを印加するように動作し、制御ユニット(88)は、前記荷電粒子ビーム源の照射電流を継続的に前記安定平均照射電流I S よりも実質的に高く維持するように構成され、
さらに、サンプルの交換、較正、サンプル又は試料の移動、及びステージの移動のうち少なくとも1つがあったとき、トリガー信号を供給するように適合されたトリガーユニット(98)を備えていることを特徴とする荷電粒子ビーム照射デバイス。 - 前記荷電粒子ビーム照射デバイスが、ビームブランカ(66)を備え、前記制御ユニット(88)は、前記トリガー信号を受け取ると前記ビームブランカ(66)を制御して、前記発生した粒子ビームを偏向させるように動作することを特徴とする請求項7に記載の荷電粒子ビーム照射デバイス。
- 前記荷電粒子ビーム照射デバイスは、前記荷電粒子ビーム(78)をサンプル又は試料(72)上に合焦及びデフォーカスするための合焦ユニット(92)を備え、前記制御ユニット(88)は、前記トリガー信号を受け取ると、前記合焦ユニット(92)を制御して、前記発生した荷電粒子ビーム(78)を前記サンプル又は試料(72)に対してデフォーカスするように動作することを特徴とする請求項7に記載の荷電粒子ビーム照射デバイス。
- 前記荷電粒子ビーム照射デバイスは、前記荷電粒子ビーム源(60)の照射電流を測定するための測定要素(94)を有し、前記トリガーユニット(98)は、前記照射電流が事前に定められた値にまで低下した時にトリガー信号を供給するように適合されていることを特徴とする請求項7から請求項9のいずれか1項に記載の荷電粒子ビーム照射デバイス。
- 前記荷電粒子ビーム照射デバイスは、試料を移動可能に支持するための支持要素(96)と、該支持要素(96)を制御するためのモーションコントローラユニットと、備え、前記トリガーユニットは、前記支持要素(96)の移動に基づいてトリガー信号を供給するように適合された同期手段(98)を構成することを特徴とする請求項7から請求項9のいずれか1項に記載の荷電粒子ビーム照射デバイス。
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