JP2000268754A - 高輝度電界放射型電子銃 - Google Patents
高輝度電界放射型電子銃Info
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- JP2000268754A JP2000268754A JP7189499A JP7189499A JP2000268754A JP 2000268754 A JP2000268754 A JP 2000268754A JP 7189499 A JP7189499 A JP 7189499A JP 7189499 A JP7189499 A JP 7189499A JP 2000268754 A JP2000268754 A JP 2000268754A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 全ての加速電圧に対して同じ先端径のものを
使用し続けるものに比べ、高い平均輝度を確保できるよ
うにする。 【解決手段】 陰極に通電するためのフラッシュ電源
（２）と、引出し電極（３）に電圧を印加する引出し電
圧源（４）と、加速電極（５）に電圧を印加する加速電
圧源（６）と、エミッション電流を測定する電流計
（７）と、使用する加速電圧と引出し電圧の比に応じ
て、引出し電圧とフラッシュ電源（２）を制御して陰極
の先端径を調節する制御装置（１１）とを備えたもので
ある。
使用し続けるものに比べ、高い平均輝度を確保できるよ
うにする。 【解決手段】 陰極に通電するためのフラッシュ電源
（２）と、引出し電極（３）に電圧を印加する引出し電
圧源（４）と、加速電極（５）に電圧を印加する加速電
圧源（６）と、エミッション電流を測定する電流計
（７）と、使用する加速電圧と引出し電圧の比に応じ
て、引出し電圧とフラッシュ電源（２）を制御して陰極
の先端径を調節する制御装置（１１）とを備えたもので
ある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は全ての加速電圧にお
いて高輝度が得られるようにした電界放射型電子銃に関
するものである。
いて高輝度が得られるようにした電界放射型電子銃に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】電界
放射型電子銃とそれを構成するガンレンズは、陰極と引
出し電極、および加速電極で構成され、バトラーレンズ
が一般的であるが、レンズの特性から加速電圧値により
像位置が移動し、これが陰極先端からの焦点距離として
長くなる程、軸上収差の影響を受けてビーム径が拡が
り、輝度が著しく劣化する。
放射型電子銃とそれを構成するガンレンズは、陰極と引
出し電極、および加速電極で構成され、バトラーレンズ
が一般的であるが、レンズの特性から加速電圧値により
像位置が移動し、これが陰極先端からの焦点距離として
長くなる程、軸上収差の影響を受けてビーム径が拡が
り、輝度が著しく劣化する。
【０００３】ところで、従来では電子銃として、陰極先
端径の小さなチップをいかに長く使用し続けるかという
ことで高輝度電子銃の設計をしてきた。これは先端径を
より小さくすることにより、軸電流値が大きくなるとい
うことに依存している。しかし、引出し電圧よりも加速
電圧が高くなる加速領域においては、先端径が小さいチ
ップは、先端径がより大きいチップに比べて、レンズの
焦点距離が長くなる傾向がある。そのため、同じ陰極チ
ップを同じ径に整形（先端径の小さい状態に維持）して
使用したとしても、全ての加速電圧で高輝度が得られる
とは限らず、平均輝度としてみると必ずしも高輝度が得
られない。
端径の小さなチップをいかに長く使用し続けるかという
ことで高輝度電子銃の設計をしてきた。これは先端径を
より小さくすることにより、軸電流値が大きくなるとい
うことに依存している。しかし、引出し電圧よりも加速
電圧が高くなる加速領域においては、先端径が小さいチ
ップは、先端径がより大きいチップに比べて、レンズの
焦点距離が長くなる傾向がある。そのため、同じ陰極チ
ップを同じ径に整形（先端径の小さい状態に維持）して
使用したとしても、全ての加速電圧で高輝度が得られる
とは限らず、平均輝度としてみると必ずしも高輝度が得
られない。
【０００４】本発明は上記課題を解決するためのもの
で、全ての加速電圧に対して同じ先端径のものを使用し
続けるものに比べ、高い平均輝度を確保できるようにす
ることを目的とする。
で、全ての加速電圧に対して同じ先端径のものを使用し
続けるものに比べ、高い平均輝度を確保できるようにす
ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の高輝度電界放射
型電子銃は、陰極に通電するためのフラッシュ電源と、
引出し電極に電圧を印加する引出し電圧源と、加速電極
に電圧を印加する加速電圧源と、エミッション電流を測
定する電流計と、使用する加速電圧と引出し電圧の比に
応じて、引出し電圧とフラッシュ電源を制御して陰極の
先端径を調節する制御装置とを備えたことを特徴とす
る。また、本発明は、制御装置が引出し電圧の逆数と引
出し電圧の２乗に対するエミッション電流の比から陰極
の先端径を検出し、検出結果に基づいて引出し電圧とフ
ラッシュ電源を制御することを特徴とする。また、本発
明は、制御装置が加速電圧と引出し電圧の比が１より小
さい減速電界領域では陰極の先端径を０．０５μｍ〜
０．０７μｍ、加速電圧と引出し電圧の比が１より大き
い加速電界領域では陰極の先端径を０．０７μｍ〜０．
１μｍとなるように引出し電圧とフラッシュ電源を制御
することを特徴とする。また、本発明は、加速電圧が
０．５ｋＶ以下の時、陰極の先端径を０．０５μｍ以下
とするように引出し電圧とフラッシュ電源を制御するこ
とを特徴とする。
型電子銃は、陰極に通電するためのフラッシュ電源と、
引出し電極に電圧を印加する引出し電圧源と、加速電極
に電圧を印加する加速電圧源と、エミッション電流を測
定する電流計と、使用する加速電圧と引出し電圧の比に
応じて、引出し電圧とフラッシュ電源を制御して陰極の
先端径を調節する制御装置とを備えたことを特徴とす
る。また、本発明は、制御装置が引出し電圧の逆数と引
出し電圧の２乗に対するエミッション電流の比から陰極
の先端径を検出し、検出結果に基づいて引出し電圧とフ
ラッシュ電源を制御することを特徴とする。また、本発
明は、制御装置が加速電圧と引出し電圧の比が１より小
さい減速電界領域では陰極の先端径を０．０５μｍ〜
０．０７μｍ、加速電圧と引出し電圧の比が１より大き
い加速電界領域では陰極の先端径を０．０７μｍ〜０．
１μｍとなるように引出し電圧とフラッシュ電源を制御
することを特徴とする。また、本発明は、加速電圧が
０．５ｋＶ以下の時、陰極の先端径を０．０５μｍ以下
とするように引出し電圧とフラッシュ電源を制御するこ
とを特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。まず、本発明の基本的概念について説明す
る。図１は本発明が適用される電界放射型電子銃の例を
説明する図である。図示したものは陰極とバトラー型レ
ンズの構成図であり、以下の例では、引出し電極３の孔
径Ａを０．５ｍｍφ、加速電極５の孔径Ｂを２ｍｍφの
ものを使用する。
て説明する。まず、本発明の基本的概念について説明す
る。図１は本発明が適用される電界放射型電子銃の例を
説明する図である。図示したものは陰極とバトラー型レ
ンズの構成図であり、以下の例では、引出し電極３の孔
径Ａを０．５ｍｍφ、加速電極５の孔径Ｂを２ｍｍφの
ものを使用する。
【０００７】図２は図１のバトラー型レンズを用いて測
定した平均輝度を示す図で、横軸にＶacc （加速電圧）
／Ｖext （引出し電圧）、縦軸に平均輝度Ｂをとったグ
ラフである。このデータは、引出し電極の孔径Ａを０．
５ｍｍφ、加速電極の孔径Ｂを２ｍｍφとし、電界放射
型電子銃の陰極の先端径を０．０５μｍ、０．０７μ
ｍ、０．１μｍ、０．１３μｍとしたときのエミッショ
ン電流を１４０ｍｍの位置で測定して計算された平均輝
度を表している。平均輝度Ｂは、 Ｂ＝ｉｐ／παｉｄ0 2 ………（１） で表される。ここに、ｉｐはエミッション電流、αｉは
光軸に対する電子ビームの角度、ｄ0 は像面でのビーム
径である。
定した平均輝度を示す図で、横軸にＶacc （加速電圧）
／Ｖext （引出し電圧）、縦軸に平均輝度Ｂをとったグ
ラフである。このデータは、引出し電極の孔径Ａを０．
５ｍｍφ、加速電極の孔径Ｂを２ｍｍφとし、電界放射
型電子銃の陰極の先端径を０．０５μｍ、０．０７μ
ｍ、０．１μｍ、０．１３μｍとしたときのエミッショ
ン電流を１４０ｍｍの位置で測定して計算された平均輝
度を表している。平均輝度Ｂは、 Ｂ＝ｉｐ／παｉｄ0 2 ………（１） で表される。ここに、ｉｐはエミッション電流、αｉは
光軸に対する電子ビームの角度、ｄ0 は像面でのビーム
径である。
【０００８】図２において、加速電圧と引出し電圧の比
が１のとき、引出し電極と加速電極は同電位でその間に
電界が存在せず、陰極から引き出された電子は引き出さ
れた角度でそのまま進む。加速電圧と引出し電圧の比が
１より大きい領域では加速電界が作用し、加速電圧と引
出し電圧の比が１より小さい領域では減速電界が作用す
る。図示するように、減速電界領域においては、陰極の
先端径が０．０５μｍ、０．０７μｍと小さいもので平
均輝度が大きく、先端径が０．１μｍ、０．１３μｍと
大きいものでは平均輝度が低下している。これは減速電
界においては、ビーム径ｄ0 が陰極先端径が大きいもの
ほど大きくなるためで、（１）式から分かるように平均
輝度Ｂは小さくなる。また、加速電圧が０．５ｋＶ以下
になると、より先端径の小さいものほど平均輝度が向上
するので、先端径を０．０５μｍより小さくするのが望
ましい。加速電界領域に移ると、特に加速電圧と引出し
電圧の比が大きくなったとき、陰極先端径が０．０５μ
ｍ、０．０７μｍと小さいものでは平均輝度が低下し、
逆に先端径が０．１μｍ、０．１３μｍと大きいもので
は平均輝度が大きくなっている。これは加速電界では先
端径の小さいものほどビーム径ｄ0 が広がるためであ
る。
が１のとき、引出し電極と加速電極は同電位でその間に
電界が存在せず、陰極から引き出された電子は引き出さ
れた角度でそのまま進む。加速電圧と引出し電圧の比が
１より大きい領域では加速電界が作用し、加速電圧と引
出し電圧の比が１より小さい領域では減速電界が作用す
る。図示するように、減速電界領域においては、陰極の
先端径が０．０５μｍ、０．０７μｍと小さいもので平
均輝度が大きく、先端径が０．１μｍ、０．１３μｍと
大きいものでは平均輝度が低下している。これは減速電
界においては、ビーム径ｄ0 が陰極先端径が大きいもの
ほど大きくなるためで、（１）式から分かるように平均
輝度Ｂは小さくなる。また、加速電圧が０．５ｋＶ以下
になると、より先端径の小さいものほど平均輝度が向上
するので、先端径を０．０５μｍより小さくするのが望
ましい。加速電界領域に移ると、特に加速電圧と引出し
電圧の比が大きくなったとき、陰極先端径が０．０５μ
ｍ、０．０７μｍと小さいものでは平均輝度が低下し、
逆に先端径が０．１μｍ、０．１３μｍと大きいもので
は平均輝度が大きくなっている。これは加速電界では先
端径の小さいものほどビーム径ｄ0 が広がるためであ
る。
【０００９】これらの結果から、加速電圧と引出し電圧
の比に応じて、減速電界領域では陰極の先端径を小さく
し、加速電界領域では陰極の先端径を大きくするように
フラッシュすれば、どのような領域においても平均輝度
を高く維持できることが分かる。より具体的には、加速
電圧と引出し電圧の比が１．０より小さ減速電界領域で
は陰極の先端径は０．０５μｍ〜０．０７μｍとし、特
に、加速電圧が０．５ｋＶ以下では、先端径０．０５μ
ｍ以下とするのが望ましい。加速電圧と引出し電圧の比
が１より大きい加速電界領域では、陰極の先端径は０．
０７μｍ〜０．１μｍの範囲にすることが望ましい。こ
のように、常時加速電圧と引出し電圧の比、あるいは加
速電圧を観察し、それに応じてフラッシュして陰極先端
径を調節することにより高輝度の電子銃を実現すること
ができる。
の比に応じて、減速電界領域では陰極の先端径を小さく
し、加速電界領域では陰極の先端径を大きくするように
フラッシュすれば、どのような領域においても平均輝度
を高く維持できることが分かる。より具体的には、加速
電圧と引出し電圧の比が１．０より小さ減速電界領域で
は陰極の先端径は０．０５μｍ〜０．０７μｍとし、特
に、加速電圧が０．５ｋＶ以下では、先端径０．０５μ
ｍ以下とするのが望ましい。加速電圧と引出し電圧の比
が１より大きい加速電界領域では、陰極の先端径は０．
０７μｍ〜０．１μｍの範囲にすることが望ましい。こ
のように、常時加速電圧と引出し電圧の比、あるいは加
速電圧を観察し、それに応じてフラッシュして陰極先端
径を調節することにより高輝度の電子銃を実現すること
ができる。
【００１０】次に、以上のような原理に基づいた本発明
の電界放射型電子銃について説明する。図３は本発明の
電界放射型電子銃を説明するブロック構成図であり、加
速電圧と引き出し電圧の比に応じて陰極の先端径を調節
するようにしたものである。電子を放出する陰極１はタ
ングステンワイヤＷに接続され、フラッシュ電源２より
ワイヤＷを通して通電加熱される。陰極１には引出し電
極３を通して引き出し電圧源４より引出し電圧が印加さ
れて電子が放出される。放出された電子は、加速電圧源
６より加速電極５に加えられる加速電圧によって加速さ
れ、対物レンズ９を通して試料台１０上の試料に照射さ
れる。陰極から放出される電流（エミッショッン電流）
は、モニタ端子付の微小電流計７により検出され、増幅
器８を通してデータ表示装置１３に送られる。制御装置
１１はパソコン等からなり、引き出し電圧を制御し、ま
た、使用する加速電圧と引き出し電圧の比に応じて、引
出し電圧とフラッシュ電源２の通電を制御して陰極の先
端径を調節して高い平均輝度が得られるようにするため
のものである。データ表示装置１３では、制御装置１１
から送られる引出し電圧値とエミッション電流とから、
ファウラー・ノルドハイム・プロット（Ｆｏｗｌｅｒ
Ｎｏｒｄｈｅｉｍ ｐｌｏｔ、以下Ｆ．Ｎ．ｐｌｏｔ）
を表示する。
の電界放射型電子銃について説明する。図３は本発明の
電界放射型電子銃を説明するブロック構成図であり、加
速電圧と引き出し電圧の比に応じて陰極の先端径を調節
するようにしたものである。電子を放出する陰極１はタ
ングステンワイヤＷに接続され、フラッシュ電源２より
ワイヤＷを通して通電加熱される。陰極１には引出し電
極３を通して引き出し電圧源４より引出し電圧が印加さ
れて電子が放出される。放出された電子は、加速電圧源
６より加速電極５に加えられる加速電圧によって加速さ
れ、対物レンズ９を通して試料台１０上の試料に照射さ
れる。陰極から放出される電流（エミッショッン電流）
は、モニタ端子付の微小電流計７により検出され、増幅
器８を通してデータ表示装置１３に送られる。制御装置
１１はパソコン等からなり、引き出し電圧を制御し、ま
た、使用する加速電圧と引き出し電圧の比に応じて、引
出し電圧とフラッシュ電源２の通電を制御して陰極の先
端径を調節して高い平均輝度が得られるようにするため
のものである。データ表示装置１３では、制御装置１１
から送られる引出し電圧値とエミッション電流とから、
ファウラー・ノルドハイム・プロット（Ｆｏｗｌｅｒ
Ｎｏｒｄｈｅｉｍ ｐｌｏｔ、以下Ｆ．Ｎ．ｐｌｏｔ）
を表示する。
【００１１】図４はＦ．Ｎ．ｐｌｏｔを説明する図であ
る。Ｆ．Ｎ．ｐｌｏｔは横軸に引出し電圧の逆数（１／
Ｖ）、縦軸に引出し電圧の２乗に対するエミッション電
流の比（Ｉ／Ｖ2 ）（対数）をとったもので、 ｌｏｇ（Ｉ／Ｖ2 ）＝ｋ（１／Ｖ） ……（２） となり、ｋは定数で、Ｆ．Ｎ．ｐｌｏｔの傾きを表し、
陰極の先端径をｒ、Ｃを定数、φをエミッタ材料の仕事
関数とすると、 ｒ＝ｋ／（−Ｃφ） ……（３） の関係があり、図示するように、先端径ｒが大きい程傾
きは大きく、先端径ｒが小さい程傾きは小さい。従っ
て、傾きｋが求まると先端径ｒを概算で求めることがで
きる。
る。Ｆ．Ｎ．ｐｌｏｔは横軸に引出し電圧の逆数（１／
Ｖ）、縦軸に引出し電圧の２乗に対するエミッション電
流の比（Ｉ／Ｖ2 ）（対数）をとったもので、 ｌｏｇ（Ｉ／Ｖ2 ）＝ｋ（１／Ｖ） ……（２） となり、ｋは定数で、Ｆ．Ｎ．ｐｌｏｔの傾きを表し、
陰極の先端径をｒ、Ｃを定数、φをエミッタ材料の仕事
関数とすると、 ｒ＝ｋ／（−Ｃφ） ……（３） の関係があり、図示するように、先端径ｒが大きい程傾
きは大きく、先端径ｒが小さい程傾きは小さい。従っ
て、傾きｋが求まると先端径ｒを概算で求めることがで
きる。
【００１２】図１において、テーブル１２には所定のエ
ミッタ先端径を得るための制御データが与えられてい
る。制御データとしては、例えば、フラッシュ電流Ｉ
ｆ、引出し電圧Ｖ、フラッシュ継続時間Ｔ、フラッシュ
回数Ｎ等である。制御装置１１はこれらのデータをテー
ブル１２から読み出し、使用する加速電圧と引き出し電
圧の比に応じて引出し電圧とフラッシュ電源２を制御し
陰極先端径を調節する。
ミッタ先端径を得るための制御データが与えられてい
る。制御データとしては、例えば、フラッシュ電流Ｉ
ｆ、引出し電圧Ｖ、フラッシュ継続時間Ｔ、フラッシュ
回数Ｎ等である。制御装置１１はこれらのデータをテー
ブル１２から読み出し、使用する加速電圧と引き出し電
圧の比に応じて引出し電圧とフラッシュ電源２を制御し
陰極先端径を調節する。
【００１３】陰極先端径を細くしたい場合には、引出し
電圧をかけながらフラッシュする。例えば、タングステ
ン・エミッタであれば、引出し電圧を３〜５ｋＶ、フラ
ッシュ電流Ｉｆを１．８〜２．２Ａ、フラッシュ継続時
間Ｔを０．５〜２ｓｅｃ、フラッシュ回数Ｎを１〜５回
程度行う。先端径を現状より太くしたい場合には、引出
し電圧をかけないか、または弱い電圧に押さえ、強めの
フラッシュ電流でフラッシュする。フラッシュした結果
のエミッタ先端径はＦ．Ｎ．ｐｌｏｔから傾きを求めて
（３）式により計算し、これが所望の値になるまでフラ
ッシュを繰り返す。こうして、使用する加速電圧と引き
出し電圧の比に応じた最適の陰極先端径のものが得ら
れ、あらゆる電圧範囲に応じて平均輝度の高い電子銃を
得ることができる。
電圧をかけながらフラッシュする。例えば、タングステ
ン・エミッタであれば、引出し電圧を３〜５ｋＶ、フラ
ッシュ電流Ｉｆを１．８〜２．２Ａ、フラッシュ継続時
間Ｔを０．５〜２ｓｅｃ、フラッシュ回数Ｎを１〜５回
程度行う。先端径を現状より太くしたい場合には、引出
し電圧をかけないか、または弱い電圧に押さえ、強めの
フラッシュ電流でフラッシュする。フラッシュした結果
のエミッタ先端径はＦ．Ｎ．ｐｌｏｔから傾きを求めて
（３）式により計算し、これが所望の値になるまでフラ
ッシュを繰り返す。こうして、使用する加速電圧と引き
出し電圧の比に応じた最適の陰極先端径のものが得ら
れ、あらゆる電圧範囲に応じて平均輝度の高い電子銃を
得ることができる。
【００１４】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、Ｆ．
Ｎ．ｐｌｏｔで陰極の径を検出して加速電圧と引き出し
電圧の比に応じて陰極の先端径を調節するようにし、減
速電界領域では、先端径の小さい陰極を使用し、加速電
界領域では先端径の大きい陰極を使用することで、全て
の加速電圧に対して同じ先端径のものを使用し続ける場
合に比して、高い平均輝度を確保することが可能とな
る。
Ｎ．ｐｌｏｔで陰極の径を検出して加速電圧と引き出し
電圧の比に応じて陰極の先端径を調節するようにし、減
速電界領域では、先端径の小さい陰極を使用し、加速電
界領域では先端径の大きい陰極を使用することで、全て
の加速電圧に対して同じ先端径のものを使用し続ける場
合に比して、高い平均輝度を確保することが可能とな
る。
【図１】 陰極とバトラー型レンズの構成図である。
【図２】 平均輝度を示す図である。
【図３】 本発明の電界放射型電子銃を説明するブロッ
ク構成図である。
ク構成図である。
【図４】 Ｆ．Ｎ．ｐｌｏｔを示す図である。
１…陰極、２…フラッシュ電源、３…引出し電極、４…
引出し電圧源、５…加速電極、６…加速電圧源、７…微
小電流計、８…増幅器、９…対物レンズ、１０…試料
台、１１…制御装置、１２…テーブル、１３…データ表
示装置。
引出し電圧源、５…加速電極、６…加速電圧源、７…微
小電流計、８…増幅器、９…対物レンズ、１０…試料
台、１１…制御装置、１２…テーブル、１３…データ表
示装置。
Claims (4)
- 【請求項１】 陰極に通電するためのフラッシュ電源
と、引出し電極に電圧を印加する引出し電圧源と、加速
電極に電圧を印加する加速電圧源と、エミッション電流
を測定する電流計と、使用する加速電圧と引出し電圧の
比に応じて、引出し電圧とフラッシュ電源を制御して陰
極の先端径を調節する制御装置とを備えた高輝度電界放
射型電子銃。 - 【請求項２】 前記制御装置は、引出し電圧の逆数と引
出し電圧の２乗に対するエミッション電流の比から陰極
の先端径を検出し、検出結果に基づいて引出し電圧とフ
ラッシュ電源を制御することを特徴とする請求項１記載
の高輝度電界放射型電子銃。 - 【請求項３】 前記制御装置は、加速電圧と引出し電圧
の比が１より小さい減速電界領域では陰極の先端径を
０．０５μｍ〜０．０７μｍ、加速電圧と引出し電圧の
比が１より大きい加速電界領域では陰極の先端径を０．
０７μｍ〜０．１μｍとなるように引出し電圧とフラッ
シュ電源を制御することを特徴とする電界放射型電子
銃。 - 【請求項４】 請求項３記載の電子銃において、前記制
御装置は、加速電圧が０．５ｋＶ以下の時、陰極の先端
径を０．０５μｍ以下とするように引出し電圧とフラッ
シュ電源を制御することを特徴とする電界放射型電子
銃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7189499A JP2000268754A (ja) | 1999-03-17 | 1999-03-17 | 高輝度電界放射型電子銃 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7189499A JP2000268754A (ja) | 1999-03-17 | 1999-03-17 | 高輝度電界放射型電子銃 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000268754A true JP2000268754A (ja) | 2000-09-29 |
Family
ID=13473709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7189499A Withdrawn JP2000268754A (ja) | 1999-03-17 | 1999-03-17 | 高輝度電界放射型電子銃 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000268754A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2860339A1 (fr) * | 2003-12-30 | 2005-04-01 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de mesure de l'intensite des faisceaux d'electrons emis par une matrice de sources individuelles. |
| JP2007073521A (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Ict Integrated Circuit Testing Ges Fuer Halbleiterprueftechnik Mbh | 荷電粒子ビーム照射デバイス及び荷電粒子ビーム照射デバイスを動作させるための方法 |
| JP2007080704A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Mie Univ | 電界放出型電子銃およびその電源電圧制御方法 |
| CN102354642A (zh) * | 2011-10-28 | 2012-02-15 | 武汉大学 | 一种场电离粒子发生器 |
| EP2573793A1 (en) * | 2010-05-21 | 2013-03-27 | Hitachi High-Technologies Corporation | Electron microscope |
| US10998162B2 (en) | 2017-09-11 | 2021-05-04 | Nuflare Technology, Inc. | Charged-particle beam apparatus, charged-particle beam writing apparatus, and charged-particle beam controlling method |
-
1999
- 1999-03-17 JP JP7189499A patent/JP2000268754A/ja not_active Withdrawn
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