JP5325460B2 - 新規な（１ｒ，２ｓ，４ｓ，５ｒ）‐シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物及びその利用 - Google Patents

Description

本発明は高透明性、十分な膜靭性、低誘電率及び高ガラス転移温度を併せ持つ、各種電子デバイスにおける電気絶縁膜及び液晶ディスプレー（ＬＣＤ）用基板、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）ディスプレー用基板、電子ペーパー用基板、太陽電池用基板、半導体素子の層間絶縁膜及び保護膜、液晶配向膜、光導波路材料、特にディスプレー用基板、半導体素子の層間絶縁膜及び保護膜、液晶配向膜として有益なポリイミドとその前駆体のモノマーとなる新規の（１Ｒ，２Ｓ，４Ｓ，５Ｒ）‐シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、その製造方法、そのポリイミド前駆体、そのポリイミド及びそれらポリマーの用途に関するものである。

１，２，４，５‐シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物は高耐熱、高透明性、低誘電率、高靭性ポリイミドの原料として有用な化合物である（例えば特許文献１参照）。

従来、１，２，４，５‐シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物の製造方法としては、ピロメリット酸エステルのベンゼン環を水素化還元した後、無水物化して得る方法（例えば特許文献２、非特許文献１参照）、ピロメリット酸のベンゼン環を直接水素化還元した後、無水物化して得る方法（例えば、特許文献３、非特許文献２参照）等が報告されている。

しかしながらこれらの方法で合成された１，２，４，５‐シクロヘキサンテトラカルボン酸の二無水物はジアミンとの重合反応性に劣り、十分な重合度に達しないため十分な膜靭性を示すほど高分子量体がしばしば得られない。これは１，２，４，５‐シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物が下記式（６）及び（７）：

（式（６）中、Ｂは４価の船型シクロヘキサン基を表し、その立体配置は下記式（７）で表される。）

で表されるシス‐シス‐シス体（１，２位のカルボニル基が同方向のシス体であり、４，５位も同じくシス体であり、且つ１，２位と４，５位が同方向を向くシス体であることを意味する）であり、熱力学的に最も安定な立体構造をとっているためであると考えられている（例えば、非特許文献３参照）。また、この構造の１，２，４，５‐シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物では、官能基である酸無水物基が空間的に近接していることに起因して、重合反応時に立体障害が生ずる虞があり、これも重合反応性の低さの一因であると考えられている。例えば、非特許文献２に従い製造した１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸を無水化して得られた１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物はテトラメチルエステル化して分析したところ、シス−シス−シス体が９９％以上であり、この酸二無水物はジアミンとの重合性に劣っていた。

このように１，２，４，５‐シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物を使用して透明で靭性のあるポリイミドフィルムを得ることは容易ではなく、フレキシブルディスプレー用プラスチック基板としての要求特性を満足する材料もまた知られていない。
特開２００３‐１６８８００号公報（２００３年６月１３日公開） 特開平８‐３２５１９６号公報（１９９６年１２月１０日公開） 特開２００３‐２８６２２２号公報（２００３年１０月１０日公開） Daniel T. Longone, Derivatives of Pyromellitic Acid. 1,2,4,5-Tetrasubstituted Cyclohexanes, J. Org. Chem., 1963, vol.28, pp1770-1773 Morris Freifelder, Daniel A. Dunnigan, and Evelyn J. Baker, Low-Pressure Hydrogenation of Some Benzenepolycarboxylic Acids with Rhodium Catalyst, J. Org. Chem., 1966, vol.31, pp3438-3439 Higher Performace Polymers. 2007, vol. 19,p175

従来の技術により得られる１，２，４，５‐シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物は、ピロメリット酸二無水物等の芳香族化合物と比べ、ジアミンとの反応性が低いため、重合度の高いポリイミド前駆体（ポリアミド酸）を製造することが困難であった。このため、１，２，４，５‐シクロヘキサンテトラカルボン酸ブロックをもつポリイミドが高透明性、低誘電率等の優れた特性を有することは明らかになっているが、上述のように重合性が低いという問題が主因となり開発が難航していた。

本発明は、このような問題を克服するためになされたものであり、その目的は、高透明性、十分な膜靭性、低誘電率及び高ガラス転移温度を併せ持ち、各種電子デバイスにおける各電気絶縁膜及び液晶ディスプレー（ＬＣＤ）用基板、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）ディスプレー用基板、電子ペーパー用基板、太陽電池用基板、半導体素子の層間絶縁膜及び保護膜、液晶配向膜、光導波路材料、特にディスプレー用基板、半導体素子の層間絶縁膜及び保護膜、液晶配向膜として有益なポリイミドの原料として有用である、新規の１，２，４，５‐シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物及びそれを利用した技術を提供することにある。

以上の問題に鑑み、発明者らが鋭意研究を積み重ねた結果、１，２，４，５‐シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物の立体構造を精密に制御することにより下記一般式（８）：

（式（８）中、Ｘは４価のシクロヘキサン基を表し、その立体配置は下記式（２）で表される。）

で表される新規な（１Ｒ，２Ｓ，４Ｓ，５Ｒ）‐シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物（以下ｃｔ‐ＣＨＴＣＡと称する）、即ち、上記式（７）で表されるシス‐シス‐シス体の１，２，４，５‐シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物の異性体を製造できる方法を見出した。

また、このｃｔ‐ＣＨＴＣＡを用いることで、各種ジアミンと反応させてポリイミド前駆体の高分子量体を容易に得ることが可能になり、さらにこれをイミド化して得られるポリイミドは極めて高い透明性、高い耐熱性、十分な膜靭性、及び極めて低い誘電率を達成することから、フレキシブル液晶ディスプレー用プラスチック基板、集積回路の層間絶縁膜及び液晶配向膜等としてこれまでにない有益な材料を提供し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は以下の発明を包含する。
（１）ｃｔ‐ＣＨＴＣＡ。
（２）ｃｔ‐ＣＨＴＣＡを４０％以上含有することを特徴とする１，２，４，５‐シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物。
（３）（１Ｓ，２Ｓ，４Ｒ，５Ｒ）‐シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物（以下、「ｔｔ‐ＣＨＴＣＡ」と称する）加熱することによって異性化させる工程を含むことを特徴とするｃｔ‐ＣＨＴＣＡの製造方法。
（４）脱水剤存在下、（１Ｓ，２Ｓ，４Ｒ，５Ｒ）‐シクロヘキサンテトラカルボン酸（以下、「ｔｔ‐ＣＨＴＣ」と称する）を加熱することによって無水化させる工程を含むことを特徴とするｃｔ‐ＣＨＴＣＡの製造方法。
（５）一般式（１）

（上記一般式（１）中、Ｘは４価のシクロヘキサン基を表し、Ｒは水素原子、トリアルキルシリル基、炭素数１〜１２の直鎖状、炭素数１〜１２の分岐状若しくは炭素数６〜１２の環状のアルキル基およびアルコキシル基からなる群から選ばれる置換基を表し、Ａは２価の芳香族基又は脂肪族基を表し、上記Ｘの立体配置は、以下の式（２）で表され、

上記Ｘと結合している２つのアミド基及び２つのカルボキシル基またはエステル基の結合位置は下記式（３）又は（４）で表される。

（式（３）及び（４）において、Ｙは上記Ｘに結合するアミド基を示し、Ｚは上記Ｘに結合するカルボキシル基またはエステル基を表す））
で表される繰り返し単位を有するポリイミド前駆体。
（６）下記一般式（５）

（式（５）中、Ｘは４価のシクロヘキサン基を表し、Ａは２価の芳香族基又は脂肪族基を表し、上記Ｘの立体配置は下記式（２）で表される）

で表される繰り返し単位を有するポリイミド。
（７）ポリイミド前駆体の合成原料として、１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物が用いられる際に、上記１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物がｃｔ−ＣＨＴＣＡを４０％以上含有することを特徴とするポリイミド前駆体。
（８）ポリイミドの合成原料として、１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物が用いられる際に、上記１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物がｃｔ−ＣＨＴＣＡを４０％以上含有することを特徴とするポリイミド。
（９）（５）又は（７）に記載のポリイミド前駆体及び感光剤を含有する感光性樹脂組成物。
（１０）（９）に記載の感光性樹脂組成物を、基材上にパターン露光し、パターン露光後に現像して、現像後に加熱硬化することにより得られるものであるパターンが形成されていることを特徴とする構造体。
（１１）（６）又は（８）に記載のポリイミドを含有するものであることを特徴とするディスプレー用基板。
（１２）（６）又は（８）に記載のポリイミドを含有するものであることを特徴とする集積回路の層間絶縁膜。
（１３）（６）又は（８）に記載のポリイミドを含有する液晶配向膜。

本発明によれば、高透明性、十分な膜靭性、低誘電率及び高ガラス転移温度を併せ持ち、各種電子デバイスにおける各電気絶縁膜及び液晶ディスプレー（ＬＣＤ）用基板、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）ディスプレー用基板、電子ペーパー用基板、太陽電池用基板、半導体素子の層間絶縁膜及び保護膜、液晶配向膜、光導波路材料、特にディスプレー用基板、半導体素子の層間絶縁膜及び保護膜、液晶配向膜として有益なポリイミドの原料として有用な、新規の１，２，４，５‐シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物を提供することができる。

即ち、本発明に係るｃｔ‐ＣＨＴＣＡの製造方法によれば、ｃｔ‐ＣＨＴＣＡを得ることができる。この合成されたｃｔ‐ＣＨＴＣＡをモノマーとして使用することで、従来のシス‐シス‐シス体の１，２，４，５‐シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物を用いて得ることのできなかった高分子量のポリイミド前駆体及び高分子量ポリイミドを容易に製造することが可能である。結果としてポリイミド膜の脆弱性が大きく改善され、上述の電子デバイス等に関連する様々な産業において極めて有益なポリイミドの材料を提供することができる。

本発明の実施の形態について説明すれば以下のとおりであるが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明の範囲はこれらの説明に拘束されることはなく、以下の例示以外についても、本発明の趣旨を損なわない範囲で適宜変更して実施することができる。

＜１．ｃｔ‐ＣＨＴＣＡ＞
１，２，４，５‐シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物（以下ＣＨＴＣＡと称する）は下記式（８）で示される化合物（式（８）中、Ｘは４価のシクロヘキサン基を表す。）であるが、その立体構造は下記式（９）の（Ａ）〜（Ｆ）の異性体が存在する。

本発明に係るｃｔ‐ＣＨＴＣＡは上記式（９）の（Ｃ）で示される立体構造を有する化合物であり、例えば、上記式（９）の（Ｂ）で示される立体構造を有するｔｔ‐ＣＨＴＣＡを異性化することによって得ることができる。

本発明に係るｃｔ‐ＣＨＴＣＡは、重合性が極めて高く、ポリイミドのモノマーとして極めて有用である。Ｎ，Ｎ‐ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）又はＮ‐メチル‐２‐ピロリドン（ＮＭＰ）中、上記ｃｔ‐ＣＨＴＣＡと種々のジアミンとを反応させ、得られたポリアミド酸溶液の固有粘度を測定し、重合性を評価すると、本発明に係るｃｔ‐ＣＨＴＣＡを用いた場合、ポリアミド酸の固有粘度は０．５〜３．８ｄＬ／ｇである。これは従来使用されてきたＣＨＴＣＡの固有粘度が通常、０．１〜０．５ｄＬ／ｇであることと比較すると極めて高い値であり、重合度の高いポリイミドが容易に製造できる。

＜２．ｃｔ‐ＣＨＴＣＡの製造方法＞
本発明に係るｃｔ‐ＣＨＴＣＡの製造方法としては、（i）ｔｔ‐ＣＨＴＣＡを加熱することによって異性化させる工程を含む製造方法と、（ii）脱水剤存在下、ｔｔ‐ＣＨＴＣを加熱することによって無水化反応させる工程を含む製造方法がある。まず、ｔｔ‐ＣＴＨＣＡおよびｔｔ‐ＣＴＨＣの合成について説明する。

〔ｔｔ‐ＣＴＨＣＡおよびｔｔ‐ＣＴＨＣの合成〕
本発明の異性化反応に供するｔｔ‐ＣＨＴＣＡ及びｔｔ‐ＣＨＴＣは種々の方法によって合成することができる。例えば、非特許文献２に記載の方法で作られたシス‐シス‐シス体の１，２，４，５‐シクロヘキサンテトラカルボン酸（以下適宜、ｃｃ−ＣＨＴＣと略す）をアルカリ存在下、加熱することによって異性化させ、ｔｔ‐ＣＨＴＣを合成できる。また、ｔｔ‐ＣＨＴＣを無水化することによって、ｔｔ‐ＣＨＴＣＡを得ることができる。まず、ｔｔ‐ＣＨＴＣの製造例について説明する。

ｃｃ−ＣＨＴＣからｔｔ‐ＣＨＴＣへの異性化反応に用いる溶媒としては、水、アルカリ及びｃｃ−ＣＨＴＣに対して不活性な有機溶媒等を用いればよい。異性化反応では反応溶液を加熱するが、ｃｃ−ＣＨＴＣは熱水に高い溶解度を有するため、溶媒として水を好ましく用いることができる。

異性化反応において使用可能なアルカリの例としては、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属類；水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属類；等が挙げられる。この中でも、安価で入手しやすさ、及び形成される塩の安定性の観点から、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムが特に好ましい。

また、いずれのアルカリを用いる場合であっても、アルカリの使用量としてはｃｃ−ＣＨＴＣに対し４当量以上６当量以下であることが好ましく、４当量以上５当量以下であることが特に好ましい（以下、使用量等の数値範囲を示す場合、Ｎ１〜Ｎ２（Ｎ１は範囲の下限値およびＮ２は範囲の上限値）を用いて数値範囲を適宜示すが、これはＮ１以上Ｎ２以下であることを示す）。４当量以上添加すれば速やかに反応が進行するだけでなく、アルカリ塩の形成によりｃｃ−ＣＨＴＣの溶解度が増大するうえ、金属製反応容器の腐食の虞が低減する。このため、効率よく異性化反応を行うことができる。一方、アルカリの使用量が過剰になると、ｃｃ−ＣＨＴＣの処理量が減る虞があるが、６当量以下であれば、このような虞は無く、ｔｔ‐ＣＨＴＣの生産効率を向上させることが可能である。

また、上記のアルカリとピロメリット酸とを反応させて得られた塩を、公知の方法にしたがい水素化還元することによって、ｃｃ−ＣＨＴＣのテトラ塩を合成し、そのまま異性化反応に供することもできる。異性化の加熱温度は特に限定されないが、具体的には１３０〜２５０℃が好ましい。異性化反応後、反応液を冷却するとよい。冷却の温度は特に限定されないが、０〜４０℃が好ましく、さらに好ましくは０〜２０℃である。また、冷却により析出した析出物を濾過等により回収して、乾燥することによって、ｔｔ‐ＣＨＴＣが得られる。なお、必要に応じて上記反応液を濃縮してから冷却してもよい。

次に、ｔｔ‐ＣＨＴＣＡの製造例について説明する。ｔｔ‐ＣＨＴＣＡは、得られたｔｔ‐ＣＨＴＣを脱水剤存在下で加熱し無水化反応することによって得ることができる。脱水剤としては、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水トリフルオロ酢酸等の低級有機カルボン酸無水物が好ましいが、無水化後の除去や経済的に有利な無水酢酸が特に好ましい。脱水剤の使用量は特に限定されないが、ｔｔ‐ＣＨＴＣに対して、２〜５０当量が好ましく、特に好ましくは４〜２０当量である。２〜５０当量であれば、十分に無水化が行われ、無水化反応により得られた白色粉末をろ別し、さらに乾燥することで、本発明に供するｔｔ‐ＣＨＴＣＡを得ることができる。

〔ｔｔ‐ＣＨＴＣＡを原料とするｃｔ‐ＣＨＴＣＡの製造例〕
本発明に係るｔｔ‐ＣＨＴＣＡからｃｔ‐ＣＨＴＣＡへの異性化反応は、溶媒を用いることなく、直接にｔｔ‐ＣＨＴＣＡを加熱することによって行うこともできるが、ｔｔ‐ＣＨＴＣＡを溶媒に溶解又は懸濁させて行うことが好ましい。異性化反応に用いる溶媒としては、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、トルエン等の炭化水素類、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類、酢酸、プロピオン酸、トリフルオロ酢酸等の有機カルボン酸類、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水トリフルオロ酢酸等の低級有機カルボン酸類無水物等が好適に使用でき、中でも無水酢酸が特に好ましい。これらの溶媒は単独で使用することもできるが、二種類以上を混合して用いることもできる。

上記溶媒の使用量は特に限定されないが、ｔｔ‐ＣＨＴＣＡに対して１００〜５０００重量％が好ましく、さらに好ましくは２００〜２０００重量％である。この範囲未満では攪拌等の取扱いが困難になり、またこの範囲を超えると、溶媒の使用量が増え経済的に不利である。異性化反応は８０〜２５０℃の範囲で行うことが好ましく、１００〜１６０℃の範囲がより好ましい。温度が低すぎると異性化反応が十分に進行せず、温度が高すぎると複数の異性体混合物となるため好ましくない。また、無水化反応時間は、使用する脱水剤の種類、反応温度等の条件等に応じて適宜設定すればよいが、０．５〜２４時間であることが好ましい。異性化反応により得られた白色粉末をろ別し乾燥することで、後述のポリイミド前駆体（ポリアミド酸）の重合工程に好適に用いることができる。

〔ｔｔ‐ＣＨＴＣを原料とするｃｔ‐ＣＨＴＣＡの製造例〕
本発明に係るｔｔ‐ＣＨＴＣからｃｔ‐ＣＨＴＣＡへの無水化反応は、脱水剤存在下、ｔｔ‐ＣＨＴＣを加熱することによって無水化反応させる工程を含んでいる。無水化反応は、溶媒を用いることなく、直接にｔｔ‐ＣＨＴＣを加熱することによって行うこともできるが、ｔｔ‐ＣＨＴＣを溶媒に溶解又は懸濁させて行うことが好ましい。

上記溶媒としては、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、トルエン等の炭化水素類、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類、酢酸、プロピオン酸等の有機カルボン酸類等が好適に使用できる。これらの溶媒は単独で使用することもできるが、二種類以上を混合して用いることもできる。溶媒の使用量は特に限定されないが、ｔｔ‐ＣＨＴＣに対して１００〜５０００重量％が好ましく、さらに好ましくは２００〜２０００重量％である。この範囲未満では攪拌等の取扱いが困難になり、またこの範囲を超えると、溶媒の使用量が増え経済的に不利である。

脱水剤としては無水酢酸、無水プロピオン酸、無水トリフルオロ酢酸等の低級有機カルボン酸無水物類が好ましいが、無水化後の除去や経済的に有利な無水酢酸が特に好ましい。また、これら脱水剤を溶媒として使用することもできる。脱水剤の使用量は特に限定されないが、ｔｔ‐ＣＨＴＣに対して、２〜５０当量が好ましく、特に好ましくは４〜２０当量である。２〜５０当量であれば、十分に無水化が行われ、無水化反応後に結晶をろ別し乾燥することで、後述のポリイミド前駆体（ポリアミド酸）の重合工程に好適に用いることができる。

無水化反応は８０〜２５０℃の範囲で行うとよく、１００〜１６０℃の範囲がより好ましい。本工程には無水化反応と同時に異性化反応も起きており、温度が低すぎると異性化反応が十分に進行せず、温度が高すぎると複数の異性体混合物となるため好ましくない。また、無水化反応時間は、使用する脱水剤の種類、反応温度等の条件等に応じて適宜設定すればよいが、０．５〜２４時間であることが好ましい。この時間で十分にｃｔ‐ＣＨＴＣＡを製造することができる。

＜３．本発明に係るポリイミド前駆体＞
本発明に係るポリイミド前駆体は、一般式（１）

（上記一般式（１）中、Ｘは４価のシクロヘキサン基を表し、Ｒは水素原子、トリアルキルシリル基、炭素数１〜１２の直鎖状、炭素数１〜１２の分岐状若しくは炭素数６〜１２の環状のアルキル基およびアルコキシル基からなる群から選ばれる置換基を表し、Ａは２価の芳香族基又は脂肪族基を表し、上記Ｘの立体配置は、以下の式（２）で表され、

上記Ｘと結合している２つのアミド基及び２つのカルボキシル基またはエステル基の結合位置は下記式（３）又は（４）で表される。

（式（３）及び（４）において、Ｙは上記Ｘに結合するアミド基を示し、Ｚは上記Ｘに結合するカルボキシル基またはエステル基を表す））
で表される繰り返し単位を有するポリイミド前駆体である。

上記Ｒは水素原子、トリアルキルシリル基、炭素数１〜１２の直鎖状、炭素数１〜１２の分岐状若しくは炭素数６〜１２の環状のアルキル基、および、炭素数１〜１２の直鎖状、炭素数１〜１２の分岐状若しくは炭素数６〜１２の環状のアルコキシル基からなる群から選ばれる置換基である。

炭素数１〜１２の直鎖状のアルキル基とは、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、である。また、炭素数１〜１２の分岐状のアルキル基は、上記炭素数１〜１２の直鎖状のアルキル基における炭素原子にさらに側鎖を有することによって分岐を有する。側鎖としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基を挙げることができ、炭素数１〜１２の分岐状のアルキル基における主鎖が炭素数１〜１２であればよい。また、炭素数６〜１２の環状のアルキル基とは、具体的には、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基、シクロドデシル基である。

また、炭素数１〜１２の直鎖状、炭素数１〜１２の分岐状若しくは炭素数６〜１２の環状のアルコキシル基は、上記の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基における何れかの炭素原子‐炭素原子間に酸素原子が導入されている構造を有する。得られるポリイミド前駆体がポリイミドとして重合可能な範囲内で、上記のアルキル基およびアルコキシル基には、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、スルホン基などの置換基が導入されていてもよく、また、不飽和結合が導入されていてもよい。

Ａは２価の芳香族基又は脂肪族基を表す。２価の芳香族基とは具体的には、１または複数のベンゼン構造を有し、上記式（１）のように、２のアミノ基と結合している構造を示す。さらに具体的には、後述する芳香族ジアミンまたは脂肪族ジアミンにおいて、２箇所のアミノ基を除いた上記ジアミン由来の構造である。

本発明に係るポリイミド前駆体を閉環（イミド化）させることで高透明性、低誘電率のポリイミドを得ることができる。つまり、本発明に係るポリイミド前駆体は、ポリイミドの原料として優れている。なお、本発明に係るポリイミド前駆体は、式（１）で示される繰り返し単位を含むものである。すなわち、式（１）におけるＸの立体配置として、上述した式（９）の（Ａ），（Ｂ），（Ｄ）〜（Ｆ）で示される繰り返し単位が含まれていてもよい。

さらに、重合性および得られるポリイミドの特性の観点から、上記ポリイミド前駆体の総量に対する、式（１）で示される繰り返し単位の比率は、２０％以上であることが好ましい。また、４０％以上であれば、さらに重合性の高いポリアミド前駆体を実現することができるためさらに好ましい。上記比率は、本発明のｃｔ‐ＣＨＴＣＡを用いることによって初めて実現されるものである。

ポリイミド前駆体の製造方法の一例について、以下に説明するが、製造方法はこれに限定されない。本発明に係るポリイミド前駆体は、本発明に係るｃｔ‐ＣＨＴＣＡとジアミンとを重合反応させて製造することができる。以下、ｃｔ‐ＣＨＴＣＡとジアミンとを重合させる工程を、単に「重合工程」と表記することもある。なお、重合工程では、単離したｃｔ‐ＣＨＴＣＡとジアミンとを用いる以外に、上述のように製造したｃｔ‐ＣＨＴＣＡを単離することなく、ｃｔ‐ＣＨＴＣＡから脱水剤を完全に除去した後に、重合反応に用いることが好ましい。この場合、単離工程を省くことができ、製造工程をより簡略化することができる点で有利である。

本重合工程は、ポリイミド前駆体の合成原料として、ジアミン溶液に対し、ｃｔ‐ＣＨＴＣＡ粉末を添加することによって得られた重合溶液を攪拌することによって行うことができる。

より具体的には、重合工程ではジアミン溶液にｃｔ‐ＣＨＴＣＡ粉末を添加して、室温にて撹拌することによって重合反応を実施できる。攪拌の時間は特に限定されず、該ｃｔ‐ＣＨＴＣＡ粉末が十分に溶解するまで行えばよい。このように、本発明に係るポリイミド前駆体は、本発明に係るｃｔ‐ＣＨＴＣＡおよびジアミンを原料として用い、容易に製造することができる。ジアミンの使用量としては特に限定されないが、ｃｔ‐ＣＨＴＣＡに対して実質的に等モル量であることが、重合度を高めるという観点から好ましい。

上記ジアミン溶液を調製するために、ジアミンを溶解させる溶媒としては、モノマー（本発明に係るｃｔ‐ＣＨＴＣＡ、及びジアミン）と、生成するポリアミド酸（本発明に係るポリイミド前駆体）とを溶解することが可能であり、且つこれらのモノマーと反応しない溶媒であれば特に限定されない。例えば、Ｎ‐メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ‐ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ‐ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性溶媒を特に好適に利用できる。

本発明に係るポリイミド前駆体を製造するために用いるジアミンとしては特に限定されるものではなく、製造するポリイミド前駆体の用途等に応じて適宜選択すればよい。例えば、芳香族ジアミン、脂肪族ジアミン等が挙げられる。又はそれらを併用することもできる。

芳香族ジアミンの具体例としては、ｐ‐フェニレンジアミン、ｍ‐フェニレンジアミン、２，４‐ジアミノトルエン、２，５‐ジアミノトルエン、２，４‐ジアミノキシレン、２，４‐ジアミノデュレン、４，４’‐メチレンジアニリン、４，４’‐メチレンビス（３‐メチルアニリン）、４，４’‐メチレンビス（３‐エチルアニリン）、４，４’‐メチレンビス（２‐メチルアニリン）、４，４’‐メチレンビス（２‐エチルアニリン）、４，４’‐メチレンビス（３，５‐ジメチルアニリン）、４，４’‐メチレンビス（３，５‐ジエチルアニリン）、４，４’‐メチレンビス（２，６‐ジメチルアニリン）、４，４’‐メチレンビス（２，６‐ジエチルアニリン）、４，４’‐ジアミノジフェニルエーテル、３，４’‐ジアミノジフェニルエーテル、３，３’‐ジアミノジフェニルエーテル、２，４’‐ジアミノジフェニルエーテル、２，２’‐ジアミノジフェニルエーテル、４，４’‐ジアミノジフェニルスルホン、３，３’‐ジアミノジフェニルスルホン、４，４’‐ジアミノベンゾフェノン、３，３’‐ジアミノベンゾフェノン、４，４’‐ジアミノベンズアニリド、ベンジジン、３，３’‐ジヒドロキシベンジジン、３，３’‐ジメトキシベンジジン、ｏ‐トリジン、ｍ‐トリジン、１，４‐ビス（４‐アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４‐ビス（３‐アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３‐ビス（４‐アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３‐ビス（３‐アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’‐ビス（４‐アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス（４‐（３‐アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、ビス（４‐（４‐アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、２，２‐ビス（４‐（４‐アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、ｐ‐ターフェニレンジアミン、２，２’‐ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、２，２‐ビス（４‐（４‐アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２‐ビス（４‐アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、４，４’‐ジアミノジフェニルエーテル、３，４’‐ジアミノジフェニルエーテル、３，３’‐ジアミノジフェニルエーテル、２，４’‐ジアミノジフェニルエーテル、２，２’‐ジアミノジフェニルエーテル、１，４‐ビス（４‐アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４‐ビス（３‐アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３‐ビス（４‐アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３‐ビス（３‐アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’‐ビス（４‐アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス（４‐（３‐アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、ビス（４‐（４‐アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、２，２‐ビス（４‐（４‐アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２‐ビス（４‐（４‐アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、４，４’‐ジアミノジフェニルスルフォン、３，３’‐ジアミノジフェニルスルフォン、２，２‐ビス（４‐アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、４，４’‐メチレンジアニリン、４，４’‐メチレンビス（３‐メチルアニリン）、４，４’‐メチレンビス（３‐エチルアニリン）、４，４’‐メチレンビス（２‐メチルアニリン）、４，４’‐メチレンビス（２‐エチルアニリン）、４，４’‐メチレンビス（３，５‐ジメチルアニリン）、４，４’‐メチレンビス（３，５‐ジエチルアニリン）、４，４’‐メチレンビス（２，６‐ジメチルアニリン）、４，４’‐メチレンビス（２，６‐ジエチルアニリン）等を例示できる。これらは単独で用いてもよく、２種類以上を併用してもよい。

脂肪族ジアミンの具体例としては、４，４’‐メチレンビス（シクロヘキシルアミン）、４，４’‐メチレンビス（３‐メチルシクロヘキシルアミン）、４，４’‐メチレンビス（３‐エチルシクロヘキシルアミン）、４，４’‐メチレンビス（３，５‐ジメチルシクロヘキシルアミン）、４，４’‐メチレンビス（３，５‐ジエチルシクロヘキシルアミン）、イソホロンジアミン、トランス‐１，４‐シクロヘキサンジアミン、シス‐１，４‐シクロヘキサンジアミン、１，４‐シクロヘキサンビス（メチルアミン）、２，５‐ビス（アミノメチル）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン、２，６‐ビス（アミノメチル）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン、３，８‐ビス（アミノメチル）トリシクロ［５．２．１．０］デカン、１，３‐ジアミノアダマンタン、２，２‐ビス（４‐アミノシクロヘキシル）プロパン、２，２‐ビス（４‐アミノシクロヘキシル）ヘキサフルオロプロパン、１，３‐プロパンジアミン、１，４‐テトラメチレンジアミン、１，５‐ペンタメチレンジアミン、１，６‐ヘキサメチレンジアミン、１，７‐ヘプタメチレンジアミン、１，８‐オクタメチレンジアミン、１，９‐ノナメチレンジアミン）等を例示できる。これらは単独で用いてもよく、２種類以上を併用してもよい。

また、重合工程では、ジアミンを予めジトリアルキルシリル化体に変換しておき、これにｃｔ‐ＣＨＴＣＡを添加することで、ポリアミド酸のトリアルキルシリルエステル（上記一般式（１）中、Ｒがトリアルキルシリル基であるもの）を得ることができる。ジアミンのトリアルキルシリル化の際に使用可能なトリアルキルシリル化剤は特に限定されないが、トリメチルシリルクロリド等のハロゲン化アルキルシランの他、Ｎ，Ｏ‐ビス（トリメチルシリル）トリフルオロアセトアミド、Ｎ，Ｏ‐ビス（トリメチルシリル）アセトアミド等を例示することができる。

また、本発明に係るｃｔ‐ＣＨＴＣＡに併せて、芳香族テトラカルボン酸二無水物成分、脂肪族テトラカルボン酸二無水物等のｃｔ‐ＣＨＴＣＡ以外のテトラカルボン酸二無水物を共重合成分として用いてもよい。これらのテトラカルボン酸二無水物の選定は、ポリイミド前駆体の重合反応性、ポリイミドの要求特性を著しく損なわない範囲で決定すればよく、上記ジアミンと重合可能なものである限り、使用は限定されない。

本発明に係るポリイミド前駆体を製造する際の重合反応性を有し、共重合可能な芳香族テトラカルボン酸二無水物としては特に限定されないが、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’‐ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’‐ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’‐ビフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’‐ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、２，２’‐ビス（３，４‐ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン酸二無水物、２，２’‐ビス（３，４‐ジカルボキシフェニル）プロパン酸二無水物、ハイドロキノンビス（トリメリテートアンハイドライド）、１，４，５，８‐ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７‐ナフタレンテトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種類以上を併用してもよい。

ポリイミドの要求特性を著しく損なわない範囲で、部分的に使用可能な脂肪族テトラカルボン酸二無水物としては特に限定されないが、ビシクロ［２．２．２］オクト‐７‐エン‐２，３，５，６‐テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ［２．２．２］オクタン‐２，３，５，６‐テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ［２．２．１］ヘプタンテトラカルボン酸二無水物、５‐（ジオキソテトラヒドロフリル‐３‐メチル‐３‐シクロヘキセン‐１，２‐ジカルボン酸無水物、４‐（２，５‐ジオキソテトラヒドロフラン‐３‐イル）‐テトラリン‐１，２‐ジカルボン酸無水物、テトラヒドロフラン‐２，３，４，５‐テトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’‐ビシクロヘキシルテトラカルボン酸二無水物、３ｃ‐カルボキシメチルシクロペンタン‐１ｒ，２ｃ，４ｃ‐トリカルボン酸１，４：２，３‐二無水物、シス、シス、シス‐１，２，４，５‐シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４‐シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４‐シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種類以上を併用してもよい。

従来、ＣＨＴＣＡブロック（ＣＨＴＣＡ構造）を持つポリイミドが高透明性、低誘電率等の優れた特性を有することは明らかであったが、従来の技術により得られるシス、シス、シス‐１，２，４，５‐シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物は、ジアミンとの反応性が低いため、重合度の高いポリイミド前駆体（ポリアミド酸）を製造することが困難であった。しかし、ポリイミド前駆体の合成原料を用いる際に、本発明に係るｃｔ‐ＣＨＴＣＡをＣＨＴＣＡ中２０重量％、好ましくは４０重量％以上含有することで、高重合度のポリイミド前駆体を製造することができ、従来から知られている、優れた特性を維持したＣＨＴＣＡブロックを有するポリイミドを、高い重合度にて容易に得ることができる。

重合反応の際には以下の溶媒を使用してもよく、使用される溶媒としては、Ｎ，Ｎ‐ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ‐ジメチルアセトアミド、Ｎ‐メチル‐２‐ピロリドン、ジメチルスルホオキシド等の非プロトン性溶媒が好ましいが、原料モノマーおよび生成するポリイミド前駆体が溶解し、且つモノマーと反応しない溶媒であれば問題はなく、特に限定されない。具体的に例示するならば、Ｎ，Ｎ‐ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ‐ジメチルアセトアミド、Ｎ‐メチルピロリドン等のアミド溶媒、γ‐ブチロラクトン、γ‐バレロラクトン、δ‐バレロラクトン、γ‐カプロラクトン、ε‐カプロラクトン、α‐メチル‐γ‐ブチロラクトン等の環状エステル溶媒、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート溶媒、トリエチレングリコール等のグリコール系溶媒、ｍ‐クレゾール、ｐ‐クレゾール、３‐クロロフェノール、４‐クロロフェノール等のフェノール系溶媒、アセトフェノン、１，３‐ジメチル‐２‐イミダゾリジノン、スルホラン、ジメチルスルホキシド等が好ましく採用される。さらに、その他の一般的な有機溶媒、即ちフェノール、ｏ‐クレゾール、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソブチル、プロピレングリコールメチルアセテート、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、２‐メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジエトキシエタン、ジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロへキサノン、メチルエチルケトン、アセトン、ブタノール、エタノール、キシレン、トルエン、クロルベンゼン、ターペン、ミネラルスピリット、石油ナフサ系溶媒等も添加して使用できる。

本製造方法では、重合溶液を、水、メタノール等の貧溶媒中に滴下し、析出物を濾過および乾燥し、ポリイミド前駆体を粉末として単離することもできる。重合溶液の量は、滴下等が十分に行える量であれば限定されない。

本発明に係るポリイミド前駆体の固有粘度は高いほどよいが、少なくとも０．５ｄＬ／ｇ以上であることが好ましく、１．０ｄＬ／ｇ以上であることがより好ましい。０．５ｄＬ／ｇを下回ると、成膜性が著しく悪くなり、キャスト膜がひび割れる等の深刻な問題が生じる虞がある。

一般的に、ポリアミド等の重合の際しばしば添加される高分子溶解促進剤、即ちリチウムブロマイド、リチウムクロライド等の金属塩類は、本発明におけるポリイミド前駆体の重合反応には一切使用しなくてもよい。これらの金属塩類はポリイミド膜中に金属イオンが痕跡量でも残留すると、電子デバイスとしての信頼性を著しく低下させる。本発明に係るポリイミド前駆体は、このような金属塩類を使用しなくてよいので、極めて有益である。

＜４．本発明に係るポリイミド＞
本発明に係るポリイミドは、一般式（５）：

（式（５）中、Ｘは４価のシクロヘキサン基を表し、Ａは２価の芳香族基又は脂肪族基を表し、上記Ｘの立体配置は下記式（２）で表される。）

で表される繰り返し単位を有するポリイミドである。

本発明に係るポリイミドは、例えば、上記の方法で得られたポリイミド前駆体を脱水閉環反応（イミド化反応）することで製造することができる。この際、ポリイミドの使用可能な形態は、フィルム、金属基板／ポリイミドフィルム積層体、粉末、成型体及び溶液等が挙げられる。

一例として、本発明に係るポリイミドのフィルムを製造する方法について述べる。ポリイミド前駆体の重合溶液（ワニス）をガラス、銅、アルミニウム、ステンレス、シリコン等の基板上に流延し、オーブン等を用いて乾燥する。乾燥の温度は４０〜１８０℃であることが好ましく、より好ましくは５０〜１５０℃である。得られたポリイミド前駆体フィルムを基板上で、真空中、窒素等の不活性ガス中、又は空気中において、加熱することで本発明に係るポリイミドのフィルムを製造することができる。加熱温度はイミド化の閉環反応を十分に行うという観点から２００℃以上であり、生成したポリイミドフィルムの熱安定性の観点から４００℃以下であることが好ましい。より好ましくは２５０〜３５０℃である。またイミド化は、真空中又は不活性ガス中で行うことが望ましいが、イミド化温度が高すぎなければ空気中で行ってもよい。

また、イミド化反応は、熱処理に代えて、ポリイミド前駆体フィルムをピリジン、トリエチルアミン等の３級アミン存在下、無水酢酸等の脱水環化試薬を含有する溶液に浸漬することによって行うことも可能である。また、これらの脱水環化試薬をあらかじめポリイミド前駆体ワニス中に投入・攪拌し、それを上記基板上に流延・乾燥することで、部分的あるいは完全にイミド化したポリイミド前駆体フィルムを作製することもできる。これを更に上記のような温度範囲で熱処理しても差し支えない。

なお、製造されるポリイミド自体がイミド化反応に用いた溶媒に溶解する場合、ポリイミド前駆体の重合溶液をそのまま又は同一の溶媒で希釈した後１５０〜２００℃に加熱することで、本発明に係るポリイミドの溶液（ワニス）を容易に製造することができる。一方、製造されるポリイミド自体が溶媒に不溶な場合は、結晶性のポリイミド粉末を沈殿物として得てもよい。この際、イミド化反応の副生成物である水等を共沸留去するために、ポリイミドにトルエン、キシレン等の有機溶媒を添加しても差し支えない。また触媒としてγ‐ピコリン等の塩基を添加することができる。イミド化後この反応溶液を大量の水、メタノール等の貧溶媒中に滴下・濾過しポリイミドを粉末として単離することもできる。またポリイミド粉末を上記重合溶媒に再溶解してポリイミドワニスとすることもできる。

本発明に係るポリイミドは、ジアミンと本発明に係るｃｔ‐ＣＨＴＣＡを溶媒中高温で反応させることにより、ポリイミド前駆体を単離することなく、一段階で重合することもできる。この際、反応溶液は反応促進の観点から、例えば１３０〜２５０℃、好ましくは１５０〜２００℃の範囲に保持するとよい。またポリイミドが、イミド化反応に用いた溶媒に不溶な場合、ポリイミドは沈殿として得られ、可溶な場合はポリイミドのワニスとして得られる。重合溶媒は特に限定さないが、使用可能な溶媒として、Ｎ，Ｎ‐ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ‐ジメチルアセトアミド、Ｎ‐メチル‐２‐ピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性溶媒が例として挙げられが、より好ましくはｍ‐クレゾール等のフェノール系溶媒、又はＮＭＰ等のアミド系溶媒が用いられる。これらの溶媒にイミド化反応の副生成物である水を共沸留去するために、トルエン、キシレン等の有機溶媒を添加することができる。

また、ポリイミド前駆体の重合溶液に、イミド化触媒としてγ‐ピコリン等の塩基を添加することができる。この場合、イミド化反応後、反応溶液を大量の水、メタノール等の貧溶媒中に滴下し、析出物を濾過することによりポリイミドを粉末として単離することができる。また、ポリイミドが溶媒に可溶である場合は、ポリイミドの粉末を上記溶媒に再溶解してポリイミドワニスとすることができる。

上記ポリイミドワニスを基板上に塗布して乾燥させることで脂環式ポリイミドフィルムを形成してもよい。乾燥の温度は特に限定されないが、例えば４０〜４００℃、好ましくは１００〜３５０℃である。

また、得られたポリイミド粉末を加熱圧縮することでポリイミドの成型体を作製してもよい。加熱圧縮時の温度としては特に限定されないが、例えば２００〜４５０℃、好ましくは２５０〜４３０℃である。

ポリイミド前駆体溶液中にＮ，Ｎ‐ジシクロヘキシルカルボジイミド、トリフルオロ無水酢酸等の脱水試薬を添加し、反応溶液を撹拌して０〜１００℃、好ましくは０〜６０℃で反応させることにより、ポリイミドの異性体であるポリイソイミドが生成する。イソイミド化反応は上記脱水試薬を含有する溶液中にポリイミド前駆体フィルムを浸漬することによっても可能である。ポリイソイミドワニスを上記と同様な手順で製膜した後、２５０〜４５０℃、好ましくは２７０〜４００℃で熱処理することにより、ポリイミドへ容易に変換することができる。

本発明に係るポリイミド前駆体、本発明に係るポリイミドには、必要に応じて酸化安定剤、フィラー、接着促進剤、シランカップリング剤、感光剤、光重合開始剤、増感剤、末端封止剤、架橋剤等の添加物を加えてもよい。

＜５．本発明に係るポリイミド前駆体、ポリイミドの利用＞
〔本発明に係る感光性樹脂組成物〕
本発明に係る感光性樹脂組成物（以下、「感光性ポリイミド前駆体」と称することもある）は、本発明に係るポリイミド前駆体及び感光剤を含有してなるものであり、感光性ポリイミドの前駆体となるものである。即ち、本発明に係るポリイミド前駆体および感光剤から感光性ポリイミド前駆体を得ることができる。

上記感光剤としては特に限定されないが、後述するジアゾナフトキノン系感光剤が好ましい。なお、感光性樹脂組成物中の感光剤の含有量は特に限定されないが、ポリイミド前駆体に対して、１０〜４０重量％が好ましく、１５〜３０重量％であることがより好ましい。

また、本発明に係る感光性樹脂組成物において、本発明に係るポリイミド前駆体及び感光剤は、溶媒に溶解されていてもよい。この溶媒としては、当該ポリイミド前駆体及び感光剤を溶解可能であれば限定されず、種々の有機溶媒を使用してもよい。

次に、本発明に係る感光性樹脂組成物を得る方法の一例を説明する。まず、本発明に係るポリイミド前駆体が溶解された有機溶媒溶液にジアゾナフトキノン系感光剤を添加し、溶解する。これにより感光性樹脂組成物を得ることができる。

次に、本発明に係る感光性樹脂組成物を用いて得られるパターンを備える構造体について説明する。本発明に係る感光性樹脂組成物を、基材上にパターン露光して、パターン露光後に現像して、上記本発明に係る構造体には、現像後に加熱硬化することにより得られるものであるパターンが形成されている構造体が含まれる。なお、半導体素子において、ポリイミドをバッファーコート膜として使用した際に、外部回路との接続するための穴あけ加工をする必要があるが、半導体素子の用途に応じて約３〜２０μｍのスルーホール又はビアホールを開ける加工を行う。本発明に係る感光性樹脂組成物に由来するポリイミドは、このようなバッファーコート膜を形成する材料として適している。

本発明に係る構造体を製造するためには、まず、本発明に係る感光性樹脂組成物をパターン露光する。パターン露光では、感光性樹脂組成物を基材上に塗布して、目的のパターンを有するフォトマスクを介して紫外線を露光するとよい。

例えば、スピンコーター又はバーコーターを用いて、銅、シリコン又はガラス等の基材上に塗布する。次に、遮光下、４０〜１２０℃で０．１〜３時間温風乾燥することで、例えば膜厚１〜１０μｍの感光性樹脂組成物の膜を得ることができる。温風乾燥の際の温度及び時間は適宜変更できる。

本発明に係るポリイミド前駆体は、上記一般式（１）におけるＲが水素原子である場合、元来アルカリに可溶であるが、ジアゾナフトキノン系感光剤が分散された状態で製膜されたものは、ジアゾナフトキノン（ＤＮＱ）系感光剤が溶解抑制剤として作用するので、得られた膜自体はアルカリ不溶性となる。一方、この膜にフォトマスクを介して紫外線を照射すると露光部におけるジアゾナフトキノン系感光剤が光反応によりアルカリ可溶なインデンカルボン酸に変化するので、露光部のみがアルカリ水溶液に可溶となる。よって、ポジ型パターン形成が可能となる。また、ＤＮＱを添加しても、アルカリ溶解性が高すぎてパターン形成が困難な場合は、部分的にアルキルエステル化、アルコキシエステル化、又はトリメチルシリル化してアルカリ溶解性を制御することでより鮮明なポジ型パターン形成が可能となる。

ジアゾナフトキノン系感光剤の具体例としては、１，２‐ナフトキノン‐２‐ジアジド‐５‐スルホン酸、１，２‐ナフトキノン‐２‐ジアジド‐４‐スルホン酸の低分子ヒドロキシ化合物、例えば、２，３，４‐トリヒドロキシベンゾフェノン、１，３，５‐トリヒドロキシベンゼン、２‐及び４‐メチル‐フェノール、４，４’‐ヒドロキシープロパンのエステル等を挙げることができるがこれらに限定されない。

このポジ型の感光性樹脂組成物におけるジアゾナフトキノン系感光剤の配合割合が、少なすぎる場合には、露光部と未露光部との溶解度差が小さすぎて、現像によりパターン形成不能となる。一方、多すぎる場合には得られるポリイミドの膜物性（靭性、ガラス転移温度等）に悪影響を及ぼす虞がある他、イミド化後の膜減が大きいといった問題が生じる虞があるので、上記配合割合は、ポリイミド前駆体に対し重量基準で好ましくは１０〜４０％、より好ましくは１５〜３０％である。

上述の感光性ポリイミド前駆体の膜を得る工程は１２０℃以下で行われることが好ましい。１２０℃を越えると、ジアゾナフトキノン系感光剤が熱分解し始める虞がある。また、６０℃で製膜した場合、感光性ポリイミド前駆体の塗膜には多量の溶媒が残留することとなる。溶媒の残留を抑制するため、露光操作に先立ち８０〜１２０℃で１〜３０分間プリベイクしてもよいが、塗膜を１〜５分間水中に浸漬することも効果的である。残留溶媒は現像時の膜の膨潤及び／又はパターンの崩れを招く虞があり、鮮明なパターンを得るためには上記塗膜から残留溶媒を十分除去しておくことが好ましい。

上記塗膜にフォトマスクを介して高圧水銀灯のｉ線を室温で１０秒〜１時間照射し、０．０５〜１０重量％、好ましくは０．１〜５重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて室温で１０秒〜１０分間現像し、さらに純水でリンスすることにより鮮明なポジ型パターンを得ることができる。

現像については、従来公知の方法で行えばよく、例えばアルカリ水溶液を用いてもよいがこれに限定されない。アルカリ水溶液を用いて現像を行う際、露光部と未露光部の溶解度差が不十分な場合、鮮明なレリーフパターンが得られにくいことがある。この場合、適当なモノマーを用いて本発明に係るポリイミド前駆体を主成分とする共重合体を合成することで、アルカリ水溶液に対する溶解度を制御することが可能である。この際使用可能な共重合成分として特に限定されないが、フッ素基を含有するモノマーが好適に用いられる。

基材上に形成されたポリイミド前駆体の微細パターンを空気中、窒素等の不活性ガス雰囲気中あるいは真空中、２００℃〜４３０℃、好ましくは２５０℃〜４００℃の温度で加熱硬化することで鮮明なポリイミド膜のパターンが得られる。この際、イミド化は脱水環化試薬を用いて化学的に行うこともできる。即ち、ピリジン、トリエチルアミン等の塩基性触媒を含む無水酢酸中に、基材上に形成されたポリイミド前駆体膜を室温で１分〜数時間浸漬する方法によってもポリイミド膜のパターンを得ることができる。本発明に係る感光性樹脂組成物であって、感光剤としてＤＮＱ系剤を含有するものは、特に微細パターン形成能、高いｉ線透過率、耐熱性および電気絶縁性を併せ持つため、バッファーコートの材料として好適に使用することができる。

〔本発明に係るディスプレー用基板〕
本発明に係るディスプレー用基板は本発明に係るポリイミドを含有するものであればよい。本発明に係るディスプレー用基板は、透明性および柔軟性に優れているので、液晶ディスプレー、有機エレクトロルミネッセンスディスプレー等の種々のディスプレーに適用できる。これらはフレキシブルなディスプレーであってもよい。つまり、本発明に係るディスプレー用基板は、例えば、液晶ディスプレー用基板、有機エレクトロルミネッセンスディスプレー用基板、および、これらがフレキシブルに構成されたフレキシブルディスプレー用基板を包含し得る。

本発明に係るポリイミドをフレキシブル液晶ディスプレー用プラスチック基板に適用するために要求される特性として、ポリイミドのガラス転移温度は、２３０℃以上であることが好ましく、２５０℃以上であることがより好ましい。また透明性の指標である波長４００ｎｍにおける光透過率は好ましくは６０％以上、より好ましくは７０％以上、さらに好ましくは８０％である。またポリイミド膜は膜靭性の指標として１８０°折曲試験により破断しなければ上記産業分野に適用可能であるが、引張試験において破断伸びが好ましくは１０％以上、より好ましくは２０％以上、更に好ましくは３０％以上である。複屈折は０．０１以下であれば上記ディスプレー等の光学材料に適用するのに重大な問題はないが、０．００５以下であることがより好ましい。

〔本発明に係る集積回路の層間絶縁膜〕
本発明に係る集積回路の層間絶縁膜は、本発明に係るポリイミドを含有するものであればよい。

本発明に係るポリイミドを集積回路の層間絶縁膜に適用するために要求される特性として、ポリイミドのガラス転移温度は、２５０℃以上であることが好ましく、３００℃以上であることがより好ましい。またポリイミド膜は膜靭性の指標として１８０°折曲試験により破断しなければ、集積回路を使用する種々の産業分野に十分適用可能である。また誘電率は２．８以下であることが好ましく、２．７以下であることが更に好ましい。本発明に係るポリイミドは、集積回路のバッファーコートとしても利用可能である。

〔本発明に係る液晶配向膜〕
本発明に係る液晶配向膜は、本発明に係るポリイミドを含有するものであればよい。つまり、本発明に係るポリイミド前駆体又は本発明に係るポリイミドは、液晶配向膜材料に適用することが可能である。本発明に係るポリイミドは、ジアミン成分にフッ素基、スルホン基等を含むものを使用することで有機溶媒に対する溶解性を高めることができ、ポリイミドワニスを塗布、乾燥およびラビング処理することで、液晶配向膜とすることができる。

本発明に係るポリイミドは脂環構造を有するため、ガラス転移温度は２５０℃以上であり、ＴＦＴ型液晶ディスプレー、半導体チップの作製時に要求される短期耐熱性は充分高く、ディスプレー、半導体等に関連する産業分野への応用には全く問題がない。

また、本発明に係るｃｔ‐ＣＨＴＣＡは、様々な産業分野において使用される各種ポリイミドの物性を大きく犠牲にすることなく分子量を高める目的で、共重合成分として使用することができる。

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、これら実施例に限定されるものではない。なお、以下の実施例及び比較例における物性値は、次の方法により測定した。

＜赤外吸収スペクトル＞
フーリエ変換赤外分光光度計（島津製作所製ＦＴＩＲ‐８４００Ｓ、日本分光社製ＦＴ‐ＩＲ５３００又はＦＴ‐ＩＲ３５０）を用い、透過法にて本発明に係るポリイミド前駆体及びポリイミド薄膜の赤外吸収スペクトルを測定した。また、ｔｔ‐ＣＨＴＣ及びｔｔ‐ＣＨＴＣＡはＫＢｒ法により赤外吸収スペクトルを測定した。

＜単結晶Ｘ線構造解析＞
単結晶Ｘ線構造解析については、ブルカー・ジャパン社製、単結晶Ｘ線構造解析装置（ＳＭＡＲＴ ＡＰＥＸＩＩ）を用い、測定温度２９４Ｋ、Ｘ線源ＣｕＫα線、管電圧５０ｋＶ、管電流３０ｍＡで測定した。

＜粉末Ｘ線回折パターン＞
粉末Ｘ線回折パターンについてはブルカーエイエックスエス社製、粉末Ｘ線回折装置（Ｍ０３ＸＨＦ２２）を用い、測定温度２９４Ｋ、Ｘ線源ＣｕＫα線、管電圧４５ｋＶ、管電流４０ｍＡ、サンプリングステップ０．０２°、スキャン速度４°／分、および、測定範囲２θ＝５〜６０°の測定条件にて測定した。

＜固有粘度＞
０．５重量％のポリイミド前駆体溶液（溶媒：Ｎ，Ｎ‐ジメチルアセトアミド又はＮＭＰ）について、オストワルド粘度計を用いて３０℃で測定した。

＜ガラス転移温度：Ｔｇ＞
ブルカーエイエックスエス社製熱機械分析装置（ＴＭＡ４０００）を用いて動的粘弾性測定により、周波数０．１Ｈｚおよび昇温速度５℃／分における損失ピークからポリイミド膜のガラス転移温度を求めた。

＜線熱膨張係数：ＣＴＥ＞
ブルカーエイエックスエス社製熱機械分析装置（ＴＭＡ４０００）を用いて、熱機械分析により、荷重０．５ｇ／膜厚１μｍおよび昇温速度５℃／分における試験片の伸びより、１００〜２００℃の範囲での平均値としてポリイミド膜の線熱膨張係数を求めた。

＜５％重量減少温度：Ｔｄ^５＞
ブルカーエイエックスエス社製熱重量分析装置（ＴＧ‐ＤＴＡ２０００）を用いて、窒素中又は空気中、昇温速度１０℃／分での昇温過程において、ポリイミド膜の初期重量が５％減少した時の温度を測定した。これらの値が高いほど、熱安定性が高いことを表す。

＜カットオフ波長（透明性）＞
日本分光社製紫外可視分光光度計（Ｖ‐５３０）を用いて、２００ｎｍから９００ｎｍまでの可視および紫外線透過率を測定した。透過率が０．５％以下となる波長（カットオフ波長）を透明性の指標とした。カットオフ波長が短い程、ポリイミド膜の透明性が良好であることを意味する。

＜光透過率（透明性）＞
日本分光社製紫外可視分光光度計（Ｖ‐５３０）を用いて、４００ｎｍにおける光透過率を測定した。透過率が高い程、ポリイミド膜の透明性が良好であることを意味する。

＜複屈折＞
アタゴ社製アッベ屈折計（４Ｔ）を用いて、ポリイミド膜に平行な方向（ｎ_ｉｎ）と垂直な方向（ｎ_ｏｕｔ）の屈折率をアッベ屈折計（ナトリウムランプ使用、波長５８９ｎｍ）で測定し、これらの屈折率の差から複屈折（Δｎ＝ｎ_ｉｎ−ｎ_ｏｕｔ）を求めた。

＜誘電率及び誘電損失＞
アタゴ社製アッベ屈折計（４Ｔ）を用いて、ポリイミド膜の平均屈折率〔ｎａｖ＝（２ｎ_ｉｎ＋ｎ_ｏｕｔ）／３〕に基づいて次式：εｃａｌ＝１．１×ｎａｖ^２により１ＭＨｚにおけるポリイミド膜の誘電率（εｃａｌ）を算出した。

＜弾性率、破断強度、破断伸び＞
東洋ボールドウィン社製引張試験機（テンシロンＵＴＭ‐２）を用いて、ポリイミド膜の試験片（３ｍｍ×３０ｍｍ）について引張試験（延伸速度：８ｍｍ／分）を実施し、応力―歪曲線の初期の勾配から弾性率を、膜が破断した時の伸び率から破断伸び（％）を求めた。破断伸びが高いほど膜の靭性が高いことを意味する。

〔製造例１〕ｔｔ‐ＣＨＴＣの合成
非特許文献２の記載にしたがい（１Ｓ，２Ｒ，４Ｓ，５Ｒ）‐シクロヘキサンテトラカルボン酸を合成した。まず、ピロメリット酸二無水物 ４６５ｇと、５％ロジウム／カーボン触媒 １７５ｇと蒸留水 ２９４０ｇとを容積５Ｌの撹拌機付きＳＵＳ３１６製オートクレーブに入れ、反応温度６０℃、水素圧５ＭＰａで水素化を行った。１．５時間後、反応液を抜き出し、濾過により触媒を除去した後、反応液をエバポレーターにより乾固し、（１Ｓ，２Ｒ，４Ｓ，５Ｒ）‐シクロヘキサンテトラカルボン酸４４９ｇを得た。

次に、上記の（１Ｓ，２Ｒ，４Ｓ，５Ｒ）‐シクロヘキサンテトラカルボン酸 ３８ｇ（０．１４６モル）、水酸化ナトリウム ２４ｇ（０．６００モル）及び蒸留水 １０８ｇを容積２００ｍＬの撹拌機付きＳＵＳ３１６製オートクレーブに入れ、窒素雰囲気下、２３０℃で５時間、異性化反応を行った。

さらに、異性化反応後の反応液を３０℃まで冷却した後、当該反応液を容積５００ｍＬの三つ口フラスコに移して、撹拌しながら３５％塩酸 ６３ｇ（０．６０５モル）をゆっくりと滴下したところ、白色の析出物が生じた。さらにそのまま１時間撹拌を続けた。

次に、攪拌後の反応液を吸引ろ過して、白色の析出物を回収した後、８０℃で５時間、析出物を減圧乾燥した。その結果、３２．３ｇの白色粉末を得た。得られた白色粉末を０．５Ｎメタノール性塩酸中で加熱して、テトラメチルエステル化し、ガスクロマトグラフィにより分析した結果、（１Ｓ，２Ｒ，４Ｓ，５Ｒ）‐シクロヘキサンテトラカルボン酸テトラメチルに相当するピークが完全に消失し、異なる位置に単一のピークが検出された。さらに、この白色粉末を水から再結晶し、単結晶Ｘ線構造解析を行った結果、ｔｔ‐ＣＨＴＣであることが確認された。その立体構造を図１に示す。
〔製造例２〕ｔｔ‐ＣＨＴＣＡの合成
製造例１で得られたｔｔ‐ＣＨＴＣ ２５ｇと無水酢酸 ７５ｇとを容積２００ｍＬのフラスコに入れて混合することによって懸濁液を得た。当該懸濁液を８０℃のオイルバスで７時間加熱、撹拌した。次に、攪拌後の懸濁液を３０℃まで冷却した後、ろ過して、ろ別した白色粉末を８０℃で５時間減圧乾燥させた。その結果、ｔｔ‐ＣＨＴＣＡの白色粉末１８．１ｇが得られた。図２は本製造例で得られたｔｔ−ＣＨＴＣＡの赤外吸収スペクトルを示す図である。

得られた白色粉末の赤外吸収スペクトル測定の結果、カルボキシル基由来の３０００ｃｍ^−１付近のＯ‐Ｈ伸縮振動が消え、１８６９ｃｍ^−１と１７９０ｃｍ^−１に吸収帯が見られた。これらは五員環構造の酸無水物Ｃ＝Ｏ伸縮振動に特徴的な吸収帯であり、上記反応により、五員環構造の酸無水物が合成されたことを示している。また、当該白色粉末は有機溶媒への溶解度、熱安定性が低く、結晶性が悪いため、単結晶Ｘ線構造解析に好適な結晶を得ることができなかった。

そこで、当該白色粉末５ｇ、蒸留水５５ｇおよび４‐ジメチルアミノピリジン０．０５ｇを１００ｍＬナス型フラスコに入れ、８０℃で２４時間加熱し、加水分解物（テトラカルボン酸）を合成した。こうして得られた均一水溶液を３０℃まで冷却した後、析出した結晶を分取し、粉末Ｘ線解析を行った。製造例１で得たｔｔ−ＣＨＴＣと、これを無水化後加水分解して得られたテトラカルボン酸の粉末Ｘ線回折パターンをそれぞれ測定した。結果を図３、図４に示す。図３は無水化前のｔｔ−ＣＨＴＣの粉末Ｘ線回折パターンを示す図であり、図４はｔｔ−ＣＨＴＣＡの加水分解物のＸ線回折パターンを示す図である。

これらの結果から分かるように、加水分解物の回折パターンは、製造例１で得られた白色粉末と同じ回折パターンを示し、この加水分解生成物（テトラカルボン酸）と製造例１に記載のテトラカルボン酸の立体構造は同一であることが確認された。即ち、製造例１のｔｔ‐ＣＨＴＣ立体構造は無水化反応後も保持されていることを示している。つまり、無水化反応により得られた白色粉末はｔｔ‐ＣＨＴＣＡである。

〔実施例１〕
ジムロートのついた容積２００ｍＬのフラスコに製造例２で得られたｔｔ‐ＣＨＴＣＡ２０ｇと無水酢酸９５ｇを入れ、窒素で置換した後攪拌しながら昇温し、３時間還流させた。反応液を還流後、冷却し析出した結晶をろ別しトルエンでリンスすることで１４．４ｇの粉末を得た。この粉末を減圧乾燥することで、１３．４ｇの白色粉末を得た。

得られた白色粉末を０．５Ｎメタノール性塩酸中で加熱して、テトラメチルエステル化し、ガスクロマトグラフィにより分析した結果、（１Ｓ，２Ｓ，４Ｒ，５Ｒ）‐シクロヘキサンテトラカルボン酸テトラメチルに相当するピークが完全に消失し、異なる位置に２本のピークが検出された。ピークの比率は８７．１：１２．９であり、ガスクロマトグラフィ質量分析装置で確認したところ、両方のピークがシクロヘキサンテトラカルボン酸テトラメチルに相当する分子量であり、各々が異なった立体構造を有するシクロヘキサンテトラカルボン酸テトラメチルであることがわかった。さらに得られた白色粉末の一部を無水酢酸より再結晶し、大きなピークである異性体を精製分取し、単結晶Ｘ線構造解析によりその構造が（１Ｒ，２Ｓ，４Ｓ，５Ｒ）‐シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物であることを確認した。上記化合物のＸ線回折パターンに関する解析結果を図５に示す。

〔実施例２〕
ジムロートのついた容積２００ｍＬのフラスコに製造例１で得られたｔｔ‐ＣＨＴＣ ２０ｇと無水酢酸１００ｇとを入れ、窒素で置換した後攪拌しながら昇温し、３時間還流させた。反応溶液を還流後、冷却し析出した結晶をろ別しトルエンでリンスすることで１２．７ｇの粉末を得た。この粉末を減圧乾燥することで、１２．１ｇの白色粉末を得た。

得られた白色粉末を０．５Ｎメタノール性塩酸中で加熱して、テトラメチルエステル化し、ガスクロマトグラフィにより分析した結果、（１Ｓ，２Ｓ，４Ｒ，５Ｒ）‐シクロヘキサンテトラカルボン酸テトラメチルに相当するピークが完全に消失し、実施例１の白色粉末の場合と同じ位置に２本のピークが検出された。ピークの比率は（１Ｒ，２Ｓ，４Ｓ，５Ｒ）‐シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物が８５．６％であり、もう一方のピークが１４．４％であった。これにより、ｃｔ‐ＣＨＴＣＡが得られたことが確認された。

〔実施例３〕
十分に乾燥させた攪拌機付密閉反応容器中に４，４’‐オキシジアニリン（以下、「ＯＤＡ」と称する）５ｍｍｏｌをＤＭＡｃに溶解し、反応溶液を調製した。この反応溶液に実施例２で得たｃｔ‐ＣＨＴＣＡの粉末５ｍｍｏｌを徐々に加え、室温で１週間攪拌することによって、均一かつ透明であり、粘稠なポリイミド前駆体溶液が得られた。この際のポリイミド前駆体の溶質濃度は１２．９重量％であった。このポリイミド前駆体溶液は室温及び−２０℃で一ヶ月間放置しても沈澱、ゲル化は全く起こらず、極めて高い溶液貯蔵安定を示した。また、ＤＭＡｃ中、３０℃で測定したポリイミド前駆体の固有粘度は２．２０／ｇであり、高重合体であった。

このポリイミド前駆体溶液をガラス基板に塗布し、６０℃、２時間で温風乾燥して得たポリイミド前駆体膜を真空中２００℃で３０分、続いて３２０℃で１時間熱処理することによってイミド化した。これにより膜厚約２０μmの透明で強靭なポリイミドフィルムを得た。イミド化の完結は赤外吸収スペクトルから確認した。１８０°折り曲げ試験を行ったところ、このポリイミドフィルムは破断せず、可撓性を示した。表１に得られたポリイミドフィルムの物性値を示す。各物性としては、ガラス転移温度３２８℃、線熱膨張係数ＣＴＥ＝５４．９ｐｐｍ／Ｋ、カットオフ波長２９２ｎｍ、４００ｎｍでの透過率８６．０％、破断伸び７２．９%、複屈折Δｎ＝０．００１２、誘電率は２．８９ｃａｌであり優れた特性を示した。その他の物性も表１に示す。

また、ポリイミド薄膜の赤外吸収スペクトルを測定した。結果を図６に示す。図６は本実施例で得たポリイミド薄膜（ｃｔ‐ＣＨＴＣＡ＋ＯＤＡ）の赤外吸収スペクトルを示す図である。

〔実施例４〕
ジアミンとしてＯＤＡの代わりに、１，４‐ビス（４‐アミノフェノキシ）ベンゼン（以下ＴＰＥ−Ｑと称する）を用いた以外は、実施例３に記載した方法に準じて重合を行い、非常に高い固有粘度値（３．７６ｄＬ／ｇ）のポリイミド前駆体を得た。これを実施例３に記載した方法と同様にイミド化してポリイミドフィルムを作製し、物性を評価した。物性値を表１に示す。

〔実施例５〕
ジアミンとしてＯＤＡの代わりに、１，３‐ビス（４‐アミノフェノキシ）ベンゼン（以下、ＴＰＥ−Ｒと称する）を用いた以外は、実施例３に記載した方法に準じて重合を行い、非常に高い固有粘度値（２．２２ｄＬ／ｇ）のポリイミド前駆体を得た。これを実施例３に記載した方法と同様にイミド化してポリイミドフィルムを作製し、物性を評価した。物性値を表１に示す。また、ポリイミドフィルムの赤外吸収スペクトルを測定した。結果を図７に示す。図７は本実施例で得たポリイミド薄膜（ｃｔ‐ＣＨＴＣＡ＋ＴＰＥ−Ｒ）の赤外吸収スペクトルを示す図である。

〔実施例６〕
ジアミンとしてＯＤＡの代わりに、２，２‐ビス（４‐（４‐アミノフェノキシ）フェニル）プロパン（以下、「ＢＡＰＰ」と称する）を用いた以外は、実施例３に記載した方法に準じて重合を行い、非常に高い固有粘度値（３．６３ｄＬ／ｇ）のポリイミド前駆体を得た。これを実施例３に記載した方法と同様にイミド化してポリイミドフィルムを作製し、物性を評価した。物性値を表１に示す。また、ポリイミドフィルムの赤外吸収スペクトルを測定した。結果を図８に示す。図８は本実施例で得たポリイミドフィルム（ｃｔ‐ＣＨＴＣＡ＋ＢＡＰＰ）の赤外吸収スペクトルを示す図である。

〔実施例７〕
ジアミンとしてＯＤＡの代わりに、２，２’‐ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン（以下、「ＴＦＭＢ」と称する）を用いた以外は、実施例３に記載した方法に準じて重合を行い、固有粘度値（１．２０ｄＬ／ｇ）のポリイミド前駆体を得た。これを実施例３に記載した方法と同様にイミド化してポリイミド膜を作製し、物性を評価した。物性値を表１に示す。

〔実施例８〕
ジアミンとしてＯＤＡの代わりに、ビス（４‐（４‐アミノフェノキシ）フェニル）スルホン（以下、「ＢＡＰＳ」と称する）を用いた以外は、実施例３に記載した方法に準じて重合を行い、固有粘度値（０．５０ｄＬ／ｇ）のポリイミド前駆体を得た。これを実施例３に記載した方法と同様にイミド化してポリイミド膜を作製し、物性を評価した。物性値を表１に示す。

〔実施例９〕
十分に乾燥させた攪拌機付密閉反応容器中に４，４’‐オキシジアニリン（以下、「ＯＤＡ」と称する）５ｍｍｏｌをＤＭＡｃに溶解し、反応溶液を調製した。この反応溶液に実施例２で得たｃｔ‐ＣＨＴＣＡの粉末２．５ｍｍｏｌと非特許文献２に従い製造した（１Ｓ，２Ｒ，４Ｓ，５Ｒ）‐シクロヘキサンテトラカルボン酸を無水化して得られたｃｃ−ＣＨＴＣＡ２．５ｍｍｏｌの混合物（実質の（１Ｒ，２Ｓ，４Ｓ，５Ｒ）‐シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物の含有量は４２．８重量％である。）を徐々に加え、室温で１週間攪拌することによって、均一かつ透明であり、粘稠なポリイミド前駆体溶液が得られた。ＤＭＡｃ中、３０℃で測定したポリイミド前駆体の固有粘度は２．７６ｄＬ／ｇであり、高重合体であった。

このポリイミド前駆体溶液をガラス基板に塗布し、６０℃、２時間で温風乾燥して得たポリイミド前駆体膜を真空中２００℃で３０分、続いて２５０℃で３０分、さらに３２０℃で１時間熱処理することによってイミド化した。これにより膜厚約２０μｍの透明で強靭なポリイミドフィルムを得た。イミド化の完結は赤外吸収スペクトルから確認した。各物性としては、ガラス転移温度３２６℃、線熱膨張係数ＣＴＥ＝６１ｐｐｍ／Ｋ、５％重量減少温度４６０℃（窒素中）及び４２７℃（空気中）、カットオフ波長２８９ｎｍ、４００ｎｍでの透過率８１．８％、複屈折Δｎ＝０．０００８、誘電率は２．８９ｃａｌであった。

このように、種々の異性体を有するＣＨＴＣＡ中にｃｔ−ＣＨＴＣＡを含有していれば、従来知られていたＣＨＴＣＡを用いたポリイミドの優れた物性を損なうことなく、高分子量のポリイミドを得ることができる。

〔比較例１〕
ｃｔ‐ＣＨＴＣＡの代わりに、（１Ｓ，２Ｒ，４Ｓ，５Ｒ）‐シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物を用い、ジアミン成分としてＴＦＭＢを用いて、実施例８に記載した方法と同様にポリイミド前駆体の重合を行った。しかしながら、得られたポリイミド前駆体の固有粘度値は０．１０１ｄＬ／ｇと非常に低く、このワニスを用いてガラス基板上に製膜を試みたが、フィルムに無数の亀裂が入り、製膜不能であった。これはｃｔ‐ＣＨＴＣＡを使用しなかったため、ポリイミド前駆体の分子量が十分に上がらなかったためである。また実施例６に記載した方法と同様にイミド化を行い、ポリイミド粉末をシクロペンタノンに溶解してワニスとし、製膜を試みたがやはり無数の亀裂が入り、製膜不能であった。

〔比較例２〕
ジアミン成分としてＴＦＭＢの代わりにＰＤＡを使用した以外は比較例１に記載した方法に従ってポリイミド前駆体を重合した。しかしながら固有粘度値は０．３３ｄＬ／ｇと非常に低く、製膜を試みたが比較例１と同様製膜不能であった。これはｃｔ‐ＣＨＴＣＡを使用しなかったため、ポリイミド前駆体の分子量が十分に上がらなかったためである。

〔比較例３〕
ジアミン成分としてＴＦＭＢの代わりにＯＤＡを使用した以外は比較例１に記載した方法に従ってポリイミド前駆体を重合した。しかしながら固有粘度値は０．４１４ｄＬ／ｇと低い値であった。これはｃｔ‐ＣＨＴＣＡを使用しなかったため、ポリイミド前駆体の分子量が十分に上がらなかったためである。

本発明に係るｃｔ‐ＣＨＴＣＡは、ポリイミドの原料として優れているので、化学品、繊維、試薬等に関する化学分野に広く応用することが可能である。

製造例１で得たｔｔ‐ＣＨＴＣの立体構造を示す図である。 製造例２で得たｔｔ‐ＣＨＴＣＡの赤外吸収スペクトルを示す図である。 製造例１で得た無水化前のｔｔ‐ＣＨＴＣの粉末Ｘ線回折パターンを示す図である。 製造例２で得たｔｔ‐ＣＨＴＣＡの加水分解物のＸ線回折パターンを示す図である。 実施例１で得たｃｔ‐ＣＨＴＣＡの立体構造を示す図である。 実施例３で得たポリイミド薄膜（ｔｔ‐ＣＨＴＣＡ＋ＯＤＡ）の赤外吸収スペクトルを示す図である。 実施例５で得たポリイミド薄膜（ｔｔ‐ＣＨＴＣＡ＋ＴＲＥ−Ｒ）の赤外吸収スペクトルを示す図である。 実施例６で得たポリイミド薄膜（ｔｔ‐ＣＨＴＣＡ＋ＢＡＰＰ）の赤外吸収スペクトルを示す図である。

Claims (13)

1. （１Ｒ，２Ｓ，４Ｓ，５Ｒ）‐シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物。
2. （１Ｒ，２Ｓ，４Ｓ，５Ｒ）‐シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物を４０％以上含有することを特徴とする１，２，４，５‐シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物。
3. （１Ｓ，２Ｓ，４Ｒ，５Ｒ）‐シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物を加熱することによって異性化させる工程を含むことを特徴とする（１Ｒ，２Ｓ，４Ｓ，５Ｒ）‐シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物の製造方法。
4. 脱水剤存在下、（１Ｓ，２Ｓ，４Ｒ，５Ｒ）‐シクロヘキサンテトラカルボン酸を加熱することによって無水化反応させる工程を含むことを特徴とする（１Ｒ，２Ｓ，４Ｓ，５Ｒ）‐シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物の製造方法。
5. 一般式（１）
   

   

   （上記一般式（１）中、Ｘは４価のシクロヘキサン基を表し、Ｒは水素原子、トリアルキルシリル基、炭素数１〜１２の直鎖状、炭素数１〜１２の分岐状若しくは炭素数６〜１２の環状のアルキル基およびアルコキシル基からなる群から選ばれる置換基を表し、Ａは２価の芳香族基又は脂肪族基を表し、上記Ｘの立体配置は、以下の式（２）で表され、
   

   

   上記Ｘと結合している２つのアミド基及び２つのカルボキシル基またはエステル基の結合位置は下記式（３）又は（４）で表される
   

   

   

   （式（３）及び（４）において、Ｙは上記Ｘに結合するアミド基を示し、Ｚは上記Ｘに結合するカルボキシル基またはエステル基を表す））
   で表される繰り返し単位を有するポリイミド前駆体。
6. 一般式（５）
   

   

   （式（５）中、Ｘは４価のシクロヘキサン基を表し、Ａは２価の芳香族基又は脂肪族基を表し、上記Ｘの立体配置は下記式（２）で表される）
   

   

   で表される繰り返し単位を有するポリイミド。
7. ポリイミド前駆体の合成原料として、１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物が用いられる際に、
   上記１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物が（１Ｒ，２Ｓ，４Ｓ，５Ｒ）−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物を４０％以上含有することを特徴とするポリイミド前駆体。
8. ポリイミドの合成原料として、１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物が用いられる際に、
   上記１，２，４，５−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物が（１Ｒ，２Ｓ，４Ｓ，５Ｒ）−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物を４０％以上含有することを特徴とするポリイミド。
9. 請求項５又は７に記載のポリイミド前駆体及び感光剤を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。
10. 請求項９に記載の感光性樹脂組成物を、基材上にパターン露光し、パターン露光後に現像し、現像後に加熱硬化することにより得られるものであるパターンが形成されていることを特徴とする構造体。
11. 請求項６又は８に記載のポリイミドを含有するものであることを特徴とするディスプレー用基板。
12. 請求項６又は８に記載のポリイミドを含有するものであることを特徴とする集積回路の層間絶縁膜。
13. 請求項６又は８に記載のポリイミドを含有するものであることを特徴とする液晶配向膜。

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