JP5322572B2 - 電源装置 - Google Patents

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本発明は、外部電源から出力される交流電力から所要の電力を生成して負荷に供給する電源装置の技術分野に属し、特に、突入電流の発生を防止する技術に関する。
例えば画像形成装置に搭載される定着装置のヒータへの電力供給を行う電源装置として、スイッチング電源がある。スイッチング電源は、例えば、交流電力を整流する整流回路と、整流回路の出力を平滑化する平滑回路と、前記平滑回路の出力を高周波数でスイッチングするスイッチング素子と、スイッチング素子により断続的に供給される平滑回路からの電圧の変圧を行うトランスとを備えて構成される。このようなスイッチング電源の平滑回路は、通常、コンデンサを用いた構成であるため、前記ヒータへの電力供給開始直後に、このコンデンサに、非常に大きな電流である所謂突入電流が発生する。この突入電流は、前記電源の電圧を瞬間的に低下させ、該電源から電力供給を受けている他の電子機器に悪影響を及ぼす虞があるものであるため、該突入電流の発生を防止するための技術が種々提案されている。その1つとして下記特許文献1がある。
下記特許文献1には、コンデンサへの充電電流を制限するためのFETと、前記入力電圧の分圧電圧を前記FETのゲート・ソース間に印加し該FETをオンさせる分圧抵抗と、コンデンサへの突入電流を検出するための検出抵抗と、前記検出抵抗の両端電圧がスレッシュホルド電圧を上回ると前記FETへの前記分圧電圧を低下させて該FETをオフ側に制御するトランジスタとを備えた突入電流抑制回路が記載されている。
特開平5−38139号公報
しかしながら、前記特許文献1の技術においては、入力電圧が印加されると、一旦、FETのゲート・ソース間電圧がスレッシュホルド電圧より大きくなり、該FETを介して前記コンデンサに突入電流が流入した後に、前記FETによる突入電流制限作用が働くような回路構成になっている。すなわち、FETがコンデンサへの充電電流を制限するまでに所定の時間を要し、コンデンサに突入電流が流れ込む期間がある。このように、前記特許文献1では、コンデンサへの突入電流を確実に防止することができない。
本発明は、突入電流の発生をより確実に防止することのできる電源装置を提供することを目的とする。
本発明に係る電源装置は、外部電源から供給される交流電力を整流する第1の整流回路と、前記第1の整流回路に対して直列に接続された、温度上昇に伴って抵抗値が低下する特性を備えた抵抗素子と第1のスイッチング素子との並列回路と、前記並列回路の出力を平滑化する平滑部と、電磁誘導を利用して電力値の変換を行うトランスと、前記平滑部から前記トランスへの電力供給のオンオフを行う第2のスイッチング素子と、前記トランスの出力を平滑化し、この平滑後の電力を負荷に供給するコンデンサと、前記外部電源から出力される交流電力のレベルが予め設定された第1の閾値を超え、且つ、前記コンデンサで平滑された電圧値が予め設定された第2の閾値を超えたときに、前記第1のスイッチング素子をオンさせる駆動部とを備え、前記駆動部は、第1の制御端子を有し、前記第1の制御端子の電圧に応じてオン、オフすると共に、オンした場合に前記第1のスイッチング素子をオンさせる第3のスイッチング素子と、前記コンデンサで平滑された電圧を分圧し、その分圧された電圧を前記第1の制御端子に印加することにより、前記コンデンサで平滑された電圧値が前記第2の閾値を超えたときに前記第3のスイッチング素子をオンさせる第1の抵抗素子及び第2の抵抗素子と、第2の制御端子を有し、前記第2の制御端子の電圧に応じてオン、オフすると共に、オンした場合に前記第2の抵抗素子を短絡して前記第1の制御端子に印加される電圧を低下させることにより前記第3のスイッチング素子をオフさせる第4のスイッチング素子と、前記コンデンサで平滑された電圧を分圧し、その分圧された電圧を前記第2の制御端子に印加することにより、前記第4のスイッチング素子をオンさせる第3の抵抗素子及び第4の抵抗素子と、前記外部電源から出力される交流電力のレベルが前記第1の閾値以下のときにオフし、前記交流電力のレベルが前記第1の閾値を超えたときにオンすると共に、オンした場合に前記第4の抵抗素子を短絡して前記第2の制御端子に印加される電圧を低下させることにより前記第4のスイッチング素子をオフさせるフォトカプラとを備える。
この発明によれば、外部電源から交流電力が供給されると、整流回路により該交流電力が整流される。整流回路により生成された電力は、抵抗素子又は第1のスイッチング素子を介して平滑部に供給され、この平滑部により前記電力が平滑化される。そして、平滑部からトランスへの電力供給が、第2のスイッチング部によるスイッチング動作により断続的に行われ、トランスの出力がコンデンサにより平滑化された後、コンデンサの出力が負荷に供給される。
また、前記第1のスイッチング素子がオフのときには、整流回路から出力される電流が前記抵抗素子を通ることになるため、該抵抗素子によりコンデンサへの充電電流が制限される。このとき、抵抗素子により電力損失が発生する。一方、前記第1のスイッチング素子がオンのときには、整流回路から出力される電流がほとんど前記第1のスイッチング素子を通ることになるため、コンデンサへの充電電流がほとんど制限されることがない。このとき、ほとんど電力損失が発生しない。
ここで、第1のスイッチング素子がオンする条件を、仮に、コンデンサで平滑された電圧値が予め設定された第2の閾値を超えたときのみとした場合、外部電源から前記交流電力の供給が停止されても、コンデンサの端子電圧が前記第2の閾値を下回るまで、第1のスイッチング素子がオンする状態が続く。そのため、コンデンサの端子電圧が前記第2の閾値を下回る前に前記交流電力の供給が再開された場合には、整流回路から出力される電流は第1のスイッチング素子を流れることとなり、前記平滑部への充電電流が制限されない。したがって、突入電流が発生する。
そこで、本発明では、前記第1のスイッチング素子がオンする条件を、コンデンサで平滑された電圧値が予め設定された第2の閾値を超え、且つ、前記外部電源から出力される交流電力のレベルが前記第1の閾値を超えたときとすることで、外部電源から前記交流電力の供給が停止された場合は、第1のスイッチング素子が速やかにオフする。したがって、コンデンサの端子電圧が前記第2の閾値を下回る前に前記交流電力の供給が再開されたときには、前記平滑部への充電電流が抵抗素子を流れることとなり、突入電流の発生を防止することができる。
前記駆動部の具体的な構成としては、例えば前記コンデンサで平滑された電圧値が前記第2の閾値を超えたときに前記第1のスイッチング素子をオンさせる第3のスイッチング素子と、前記交流電力のレベルが前記第1の閾値以下のときに前記第1のスイッチング素子を強制的にオフさせる駆動回路部とを備えたものが想定される。
また、前記外部電源から出力される交流電力を整流して前記フォトカプラへ供給する第2の整流回路をさらに備えることが好ましい。
また、前記駆動回路部の具体的な構成としては、例えば前記外部電源から出力される交流電力のレベルが前記第1の閾値を超えたときにオンするフォトカプラと、前記フォトカプラがオンし、且つ、前記コンデンサで平滑された電圧値が前記第2の閾値を超えたときに、前記第1のスイッチング素子のオン動作を前記第3のスイッチング素子に行わせる第4のスイッチング素子とを備えたものや、例えば前記外部電源から出力される交流電力を整流する第2の整流回路と、前記第2の整流回路の出力のレベルが前記第1の閾値を超えたときにオンするフォトカプラと、前記フォトカプラがオンし、且つ、前記コンデンサで平滑された電圧値が前記第2の閾値を超えたときに、前記第1のスイッチング素子のオン動作を前記第3のスイッチング素子に行わせる第4のスイッチング素子とを備えたものが想定される。
本発明によれば、外部電源からの電力供給がオンからオフに切り替わった場合やオフからオンに切り替わった場合も、その切り替わりに連動して前記第1のスイッチング素子が動作するため、突入電流の発生を確実に防止することができる。
以下、本発明に係る電源装置の実施形態について図面に基づき説明する。図1は、本発明に係る電源装置の一例を示す回路図である。
図1に示すように、電源装置1は、例えばプリンタ装置の電源装置として適しており、1次側回路部10と2次側回路部20とを有して構成されている。
1次側回路部10は、商用電源等の外部電源Eに接続されることにより外部電源Eから電力の供給を受ける回路であり、整流回路RC1と、パワーサーミスタTHと、コンデンサC1と、スイッチング素子Q1と、抵抗素子R1,R2と、ダイオードD1,D2とを備えて構成されている。
整流回路RC1は、外部電源Eの出力端子T1,T2に接続されており、図1に示す回路例ではブリッジ型の全波整流回路である。外部電源Eの出力端子T1,T2は、例えば商用電源のコンセントに差し込んで用いるプラグに設けられた端子である。整流回路RC1の出力端子T3と出力端子T4との間には、パワーサーミスタTHとコンデンサC1との直列回路が接続されている。前記整流回路RC1は、前記第1の整流回路に相当する。
パワーサーミスタTHは、コンデンサC1への突入電流の発生を防止するためのものである。すなわち、パワーサーミスタTHは、当該パワーサーミスタTH自身の温度が高くなるほど該パワーサーミスタTHの抵抗値が低下する(当該パワーサーミスタTHの温度が低いほど該パワーサーミスタTHの抵抗値が高い)という性質を有しており、このパワーサーミスタTHの特性を利用して、通常、パワーサーミスタTHの温度が比較的低いと想定される電力供給開始時のコンデンサC1への充電電流を、前記パワーサーミスタTHの比較的高い抵抗値によって制限する。パワーサーミスタTHには、後述のリレー部RL1の構成要素であるスイッチング素子Q2(前記第1のスイッチング素子に相当)が並列に接続されている。パワーサーミスタTHは、温度上昇に伴って抵抗値が低下する特性を備えた前記抵抗素子の一例である。
コンデンサC1は、整流回路RC1が出力する全波整流を平滑化する機能を果たすものであり、前記平滑回路の構成要素である。コンデンサC1には、トランスTR1の一次巻線とスイッチング素子Q1(前記第2のスイッチング素子に相当)との直列回路が並列に接続されている。
トランスTR1の一次巻線における一方の端子は、スイッチング素子Q1のドレイン端子と接続されている。スイッチング素子Q1のゲート端子は、抵抗素子R1と抵抗素子R2との直列回路の一方の端子に接続されており、スイッチング素子Q1のソース端子は、PWM制御回路11に接続されている。スイッチング素子Q1は、PWM制御回路11から出力される駆動信号に基づき高周波でオン・オフを繰り返すことにより、トランスTR1の一次巻線に断続的に電流を供給する。図1に示す回路例では、スイッチング素子Q1はMOS型FETであるが、スイッチング素子Q1としてバイポーラトランジスタを含むトランジスタ全般を用いることが可能である。
抵抗素子R1と抵抗素子R2との直列回路における他方の端子は、PWM制御回路11に接続されている。抵抗素子R2には、ダイオードD1が並列に接続されており、このダイオードD1は、PWM制御回路11からスイッチング素子Q1に向けて電流が流れる(電流の逆流)を防止するためのものである。
2次側回路部20は、トランスTR1の二次巻線と、ダイオードD3と、コンデンサC2と、抵抗素子R4〜R9と、スイッチング素子Q3,Q4とを有する。
二次巻線は、前記一次巻線に断続的に電流が流れることにより、電磁誘導によって断続的な電流が誘起されるものである。該二次巻線の一方の端子とダイオードD3のアノードとが接続されている。前記二次巻線の他方の端子は、グランドに接続されている。
前記二次巻線とダイオードとの直列回路には、コンデンサC2が並列に接続されている。また、該コンデンサC2には、前記二次巻線とダイオードとの直列回路に対して負荷Mが並列に接続されているとともに、抵抗素子R4と抵抗素子R5との直列回路と、抵抗素子R6と抵抗素子R7との直列回路と、抵抗素子R8と抵抗素子R9との直列回路との並列回路が並列に接続されている。
電源回路1は、発光ダイオード及びフォトトランジスタを備えてなるフォトカプラPC1を有している。発光ダイオードのアノードは、抵抗素子R4と抵抗素子R5との接続点T7に接続されており、カソードはグランドに接続されている。また、前記フォトトランジスタの入力端子(コレクタ)及び出力端子(エミッタ)は、PWM制御回路11にそれぞれ接続されている。
PWM制御回路11は、コンデンサC2の出力電圧を一定に保持するように、スイッチング素子Q1により生成されるパルスの幅を制御する回路、即ちPWM(パルス幅変調)制御を行う回路である。PWM制御回路11は、コンデンサC2の出力電圧を、前記抵抗素子R4と抵抗素子R5との接続点T7における電圧でモニタし、モニタした電圧を基準電圧と比較し、その比較結果に応じて、スイッチング素子Q1により生成される電流パルスの幅を制御する。なお、PWM制御は周知の技術であるので、PWM制御回路11の内部構成等については図示を略している。
電源装置1は、発光ダイオード及びフォトトランジスタを備えてなるフォトカプラPC2を有している。発光ダイオードのカソードは、外部電源Eの前記他方の端子T2に接続されており、アノードは、ダイオードD2のカソードに接続されている。ダイオードD2のアノードは、抵抗素子R3の一方の端子に接続されており、抵抗素子R3の他方の端子は、外部電源Eの前記一方の端子T1に接続されている。フォトカプラPC2の発光ダイオード、ダイオードD2及び抵抗素子R3により半波整流回路が構成されている。なお、フォトカプラPC2の代わりに、電磁的なリレーを含めて、光、電磁力その他の電気的に絶縁された媒体を通じて信号を伝達するリレー素子一般を用いることが可能である。
前記フォトカプラP2のフォトトランジスタは、入力端子が抵抗素子R6と抵抗素子R7との接続点T5に接続されており、出力端子がグランドに接続されている。一方、スイッチング素子Q3は、制御端子(ベース)が抵抗素子R6と抵抗素子R7との接続点T5に接続されており、入力端子(コレクタ)が抵抗素子R8と抵抗素子R9との接続点T6に接続されており、出力端子(エミッタ)がグランドに接続されている。
スイッチング素子Q4は、制御端子(ベース)が抵抗素子R8と抵抗素子R9との接続点T6に接続されており、入力端子(コレクタ)がリレー部RL1におけるリレーコイルの一方の端子に接続されており、出力端子(エミッタ)がグランドに接続されている。リレーコイルの他方の端子は、コンデンサC1の一方の極板に接続されている。前記スイッチング素子Q4は、前記第3のスイッチング素子の一例であり、前記スイッチング素子Q3は、前記第4のスイッチング素子の一例であり、フォトカプラPC2,スイッチング素子Q3,Q4は、前記駆動部の構成要素である。
以上のような構成を有する電源装置1の動作について説明する。なお、ここでは、前記第1の閾値は零に設定されているものとする。
外部電源Eから電源装置1への電力供給が開始されると、整流回路RC1及びコンデンサC1は、外部電源Eから出力される交流電力を整流及び平滑する。PWM制御回路11は、コンデンサC1から電力の供給を受けて起動し、起動時は予め定められた周波数でスイッチング素子Q1をオンオフする。これにより、トランスTR1の一次巻線に高周波電流が流れ、磁気結合によりトランスTR1の二次巻線に電磁誘導された高周波電流がダイオードD3及びコンデンサC2により整流及び平滑される。
コンデンサC2の出力電圧は、抵抗素子R4,R5によりフォトカプラPC1を介してPWM制御回路11へフィードバックされる。PWM制御回路11は、このフィードバックされた出力電圧に基づき、スイッチング素子Q1のオンデューティを制御することで、コンデンサC2の出力電圧を定電圧化する。
ここで、外部電源Eから電源装置1への電力供給が開始される直前は、スイッチング素子Q3はオン、スイッチング素子Q4はオフの状態とされ、コンデンサC2が所定の電圧に充電されるまで、パワーリレーRL1はオフされている。よって、外部電源Eから負荷Mへの電力供給の開始直後は、パワーリレーRL1のオフにより、整流回路RC1による整流後の電流がパワーリレーRL1ではなくパワーサーミスタTHを通る。このとき、パワーサーミスタTHは、温度が低いときには抵抗値が高いという特性によってコンデンサC1への充電電流を制限する。これにより、外部電源Eから電源回路1への電力供給開始直後における突入電流の発生が防止される。
その後、フォトカプラPC2の発光ダイオードを電流が通過し、且つ、コンデンサC2が前記所定の電圧に充電されると、スイッチング素子Q3はオフ、スイッチング素子Q4はオンとなる結果、パワーリレーRL1はオンとなる。よって、整流回路RC1による整流後の電流は、電力損失が大きいパワーサーミスタTHではなくパワーリレーRL1のスイッチング素子Q2を流れることとなる。これにより、電流の経路を前記パワーサーミスタTHのままとする形態に比して電力損失を低減することができる。
また、本実施形態のように仮にフォトカプラPC2やスイッチング素子Q3,Q4が備えられていない場合には、電力の供給状態から供給停止に切り替えられても、コンデンサC2には電荷が残っているために、すぐにはパワーリレーRL1がオフとならず、コンデンサC2に蓄積された電荷が放電しきるための所要の時間が経過した後にパワーリレーRL1がオフとなる。
そのため、パワーリレーRL1がオフとなる前に電力の供給状態に再び切り替えられる状況(電力の供給状態から供給停止に切り替えられてから短時間で電力の供給状態に再び切り替えられる状況)が発生した場合、電力の供給状態に再び切り替えられた直後は、パワーリレーRL1がオンのままであることによりコンデンサC1への充電電流はスイッチング素子Q2を流れることとなる。したがって、コンデンサC1への突入電流が発生する。
これに対し、本実施形態では、外部電源Eから負荷Mへの電力供給が停止すると、コンデンサC2が充電されていても、フォトカプラPC2がオフとなり、スイッチング素子Q3がオン、スイッチング素子Q4がオフすることにより、パワーリレーPL1が強制的にオフされる(外部電源Eから電源装置1への電力供給が行われていない状態では、コンデンサC1,C2の充電量に関係なく必ずパワーリレーRL1がオフとなる)。
すなわち、本実施形態では、外部電源Eから負荷Mへの電力供給状態から該電力供給停止状態に切り替えられた場合に、その電力のオンオフに同期してパワーリレーRL1がオフする。したがって、電力の供給停止状態に切り替えられてから短時間で再び電力の供給状態に切り替えられた直後は、コンデンサC1への充電電流がパワーサーミスタTHを通るため、確実にコンデンサC1への充電電流を制限することができる。その結果、電力の供給停止状態に切り替えられてから短時間で再び電力の供給状態に切り替えられた場合であっても、コンデンサC1への突入電流の発生を確実に防止することができる。
本件は、前記実施形態に代えて、或いは前記実施形態に加えて次のような変形形態も採用可能である。
[1]前記第1の実施形態では、フォトカプラPC1をオンオフさせる構成を半波整流回路としたが、この構成に限らず、図2に示すような全波整流回路を採用してもよい。
図2に示す全波整流回路は、抵抗素子R3と、整流回路RC2と、フォトカプラPC3とを有する。抵抗素子R3は、一方の端子が外部電源Eの一方の入力端子T1に接続されており、他方の端子が整流回路RC2の一方の端子T8に接続されている。整流回路RC2の他方の入力端子T9は、外部電源Eの前記他方の端子T2に接続されている。
整流回路RC2の一方の出力端子T10は、フォトカプラPC3の発光ダイオードにおけるアノードに接続されており、整流回路RC2の他方の出力端子T11は、前記発光ダイオードのカソードに接続されている。
この構成によれば、外部電源Eの交流電力が整流回路RC2により全波整流に変換され、この全波整流された直流電力がフォトカプラPC3に出力される。これにより、フォトカプラPC3がオンとなる。これ以降の各部の動作については、前記第1の実施形態と略同様であるから、その説明は省略する。このような全波整流回路によっても確実に突入電流の発生を防止することができる。
本発明に係る電源装置の一例を示す回路図である。 本発明に係る電源装置の他の例を示す回路図である。
1 電源装置
10 1次側回路部
20 2次側回路部
RC1,RC2 整流回路
TH パワーサーミスタ
C1,C2 コンデンサ
Q1〜Q4 スイッチング素子
R1〜R9 抵抗素子
D1,D2,D3 ダイオード
11 PWM制御回路
PC1〜PC3 フォトカプラ
PL1 パワーリレー

Claims (2)

  1. 外部電源から供給される交流電力を整流する第1の整流回路と、
    前記第1の整流回路に対して直列に接続された、温度上昇に伴って抵抗値が低下する特性を備えた抵抗素子と第1のスイッチング素子との並列回路と、
    前記並列回路の出力を平滑化する平滑部と、
    電磁誘導を利用して電力値の変換を行うトランスと、
    前記平滑部から前記トランスへの電力供給のオンオフを行う第2のスイッチング素子と、
    前記トランスの出力を平滑化し、この平滑後の電力を負荷に供給するコンデンサと、
    前記外部電源から出力される交流電力のレベルが予め設定された第1の閾値を超え、且つ、前記コンデンサで平滑された電圧値が予め設定された第2の閾値を超えたときに、前記第1のスイッチング素子をオンさせる駆動部とを備え
    前記駆動部は、
    第1の制御端子を有し、前記第1の制御端子の電圧に応じてオン、オフすると共に、オンした場合に前記第1のスイッチング素子をオンさせる第3のスイッチング素子と、
    前記コンデンサで平滑された電圧を分圧し、その分圧された電圧を前記第1の制御端子に印加することにより、前記コンデンサで平滑された電圧値が前記第2の閾値を超えたときに前記第3のスイッチング素子をオンさせる第1の抵抗素子及び第2の抵抗素子と、
    第2の制御端子を有し、前記第2の制御端子の電圧に応じてオン、オフすると共に、オンした場合に前記第2の抵抗素子を短絡して前記第1の制御端子に印加される電圧を低下させることにより前記第3のスイッチング素子をオフさせる第4のスイッチング素子と、
    前記コンデンサで平滑された電圧を分圧し、その分圧された電圧を前記第2の制御端子に印加することにより、前記第4のスイッチング素子をオンさせる第3の抵抗素子及び第4の抵抗素子と、
    前記外部電源から出力される交流電力のレベルが前記第1の閾値以下のときにオフし、前記交流電力のレベルが前記第1の閾値を超えたときにオンすると共に、オンした場合に前記第4の抵抗素子を短絡して前記第2の制御端子に印加される電圧を低下させることにより前記第4のスイッチング素子をオフさせるフォトカプラとを備える電源装置。
  2. 前記外部電源から出力される交流電力を整流して前記フォトカプラへ供給する第2の整流回路をさらに備える請求項1記載の電源装置。
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