JP5299735B2 - 磁壁ランダムアクセスメモリ - Google Patents
磁壁ランダムアクセスメモリ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5299735B2 JP5299735B2 JP2007218717A JP2007218717A JP5299735B2 JP 5299735 B2 JP5299735 B2 JP 5299735B2 JP 2007218717 A JP2007218717 A JP 2007218717A JP 2007218717 A JP2007218717 A JP 2007218717A JP 5299735 B2 JP5299735 B2 JP 5299735B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetization
- region
- magnetic
- layer
- random access
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 478
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 213
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 36
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 8
- 239000002885 antiferromagnetic material Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 238000011423 initialization method Methods 0.000 description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012552 review Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020708 Co—Pd Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020707 Co—Pt Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910015136 FeMn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003289 NiMn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019041 PtMn Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019236 CoFeB Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020705 Co—Rh Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020517 Co—Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020516 Co—V Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020515 Co—W Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002772 conduction electron Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- FPVKHBSQESCIEP-JQCXWYLXSA-N pentostatin Chemical compound C1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1N1C(N=CNC[C@H]2O)=C2N=C1 FPVKHBSQESCIEP-JQCXWYLXSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052713 technetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/161—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1673—Reading or sensing circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1675—Writing or programming circuits or methods
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
図3Aは、本発明の第1の実施例に係る磁気抵抗素子の構成の一例を示す平面図である。図3B及び図3Cは、それぞれ本発明の第1の実施例に係る磁気抵抗素子の構成の一例を示す断面図である。その磁気抵抗素子2を磁気メモリセルに用いた例について説明する。図3Bは例えば“0”を記憶した場合を示し、図3Cは、例えば、“1”を記憶した場合を示す。ただし、図3A、図3B及び図3Cにおいて、白丸とバツの記号や白矢印は、各層における磁化方向を示している(以下同じ)。磁気抵抗素子2は、垂直磁気異方性をもつ強磁性体層である磁気記録層10及びピン層30と、非磁性体層であるトンネルバリヤ層32とを備えている。トンネルバリヤ層32は、磁化記録層10とピン層30とに挟まれており、これら磁化記録層10、トンネルバリヤ層32、及びピン層30によって磁気トンネル接合(MTJ)が形成されている。
図6A〜図6Cは、本発明の第1の実施例に係る磁気抵抗素子の初期化方法を示す断面図である。図中、ピン層30やトンネルバリヤ層32は省略されている。ここでは、図3A〜図3Cの磁気抵抗素子2における垂直磁気異方性を有する磁化記録層10の初期化動作のステップを示している。ただし、図4の磁気抵抗素子2aを用いる場合や、図5A〜図5Cの磁化記録層10が面内異方性を有する磁気抵抗素子2bも、ここに示される方法で、同様に初期化することができる。
図9は、本発明の第2の実施例に係る磁気抵抗素子の構成の一例を示す平面図である。その磁気抵抗素子2を磁気メモリセルに用いた例について説明する。図面において、白丸とバツの記号や白矢印は、各層における磁化方向を示している(以下同じ)。磁気抵抗素子2は、垂直磁気異方性をもつ強磁性体層である磁気記録層10及びピン層30と、非磁性体層であるトンネルバリヤ層32とを備えている。トンネルバリヤ層32は、磁化記録層10とピン層30とに挟まれており、これら磁化記録層10、トンネルバリヤ層32、及びピン層30によって磁気トンネル接合(MTJ)が形成されている。
図10A〜図10Cは、本発明の第2の実施例に係る磁気抵抗素子の初期化方法を示す断面図である。ここでは、磁気抵抗素子における垂直磁気異方性を有する磁化記録層10の初期化動作のステップを示している。図中、ピン層30やトンネルバリヤ層32は省略されている。
2、2a、2b、2c、2d 磁気抵抗素子
10 磁化記録層
11a 第1磁化固定領域
11b 第2磁化固定領域
12a、12b 磁壁
13、13a、13b 磁化反転領域
14a、14b 電流供給端子
15 くびれ
21a、21b 磁性層
20 トンネルバリヤ層
30 ピン層
31 配線層
32 トンネルバリヤ層
33 磁気センス層
34 分離層
50 読出し層
60 MRAM
61 メモリセルアレイ
62 Xセレクタ
63 Yセレクタ
64 Y側電流終端回路
65 Y側電流源回路
66 Y側電源回路
67 読み出し電流付加回路
68 センスアンプ
100、110 磁化記録層
101、111a 第1磁化固定領域
102、111b 第2磁化固定領域
103、113 磁化反転領域
104、115 くびれ
105、106 電流供給端子
130 ピン層
132 トンネルバリヤ層
B1 第1境界
B2 第2境界
DW 磁壁
WL ワード線
BL1 第1ビット戦
BL2 第2ビット戦
Claims (16)
- 複数の磁気メモリセルを備える磁気ランダムアクセスメモリであって、
前記複数の磁気メモリセルの各々は、
磁気異方性を有する強磁性層である磁化記録層と、
前記磁化記録層上に設けられた情報を読み出すための読出し層と
を具備し、
前記磁化記録層は、
反転可能な磁化を有する第1磁化反転領域と第2磁化反転領域とを含む磁化反転領域と、
前記第1磁化反転領域との境界に接続され、磁化の向きが固定された第1磁化固定領域と、
前記第2磁化反転領域との境界に接続され、磁化の向きが固定された第2磁化固定領域と
を備え、
前記複数の磁気メモリセルの各々は、
前記第1磁化固定領域に隣接して設けられた第1磁性層と、
前記第2磁化固定領域に隣接して設けられた第2磁性層と
を更に具備し、
前記第1磁性層及び前記第2磁性層が、前記磁化記録層よりも保磁力が大きい強磁性層であり、
前記第1磁化固定領域と前記第2磁化固定領域の磁化が平行であり、
前記第1磁化反転領域と前記第2磁化反転領域とは隣接している
磁気ランダムアクセスメモリ。 - 請求項1に記載の磁気ランダムアクセスメモリであって、
前記第1磁性層及び前記第2磁性層が、反強磁性材料である
磁気ランダムアクセスメモリ。 - 請求項1に記載の磁気ランダムアクセスメモリであって、
前記磁化記録層が、垂直磁気異方性を有する
磁気ランダムアクセスメモリ。 - 請求項1に記載の磁気ランダムアクセスメモリであって、
前記第1磁化反転領域と前記第2磁化反転領域との境界にくびれが形成されている
磁気ランダムアクセスメモリ。 - 請求項1に記載の磁気ランダムアクセスメモリであって、
前記第1磁化反転領域と前記第1磁化固定領域との境界、及び、前記第2磁化反転領域と前記第2磁化固定領域との境界に第1くびれが形成されている
磁気ランダムアクセスメモリ。 - 請求項5に記載の磁気ランダムアクセスメモリであって、
前記第1磁化反転領域と前記第2磁化反転領域との境界に第2くびれが形成され、
前記第2くびれが、前記第1くびれよりも浅い
磁気ランダムアクセスメモリ。 - 請求項1に記載の磁気ランダムアクセスメモリであって、
前記第1磁化固定領域及び前記第2磁化固定領域の幅が、それぞれ前記第1磁化反転領域及び前記第2磁化反転領域の幅よりも大きい
磁気ランダムアクセスメモリ。 - 請求項1に記載の磁気ランダムアクセスメモリであって、
前記読出し層は、
前記第1磁化反転領域及び前記第2磁化反転領域のいずれか一方に積層されたバリヤ層と、
前記バリヤ層上に積層された磁化ピン層と
を備え、
前記前記第1磁化反転領域及び前記第2磁化反転領域のいずれか一方と前記バリヤ層と前記磁化ピン層とが磁気抵抗効果素子を形成している
磁気ランダムアクセスメモリ。 - 請求項1に記載の磁気ランダムアクセスメモリであって、
前記読み出し層は、
前記第1磁化反転領域と前記第2磁化反転領域とを跨いで積層された磁化センス層と、
前記磁化センス層上に積層されたバリヤ層と、
前記バリヤ層上に積層された磁化ピン層と
を備え、
前記磁化センス層と前記バリヤ層と前記磁化ピン層とが磁気抵抗効果素子を形成している
磁気ランダムアクセスメモリ。 - 請求項9に記載の磁気ランダムアクセスメモリであって、
前記磁化記録層が垂直磁気異方性を有し、
前記磁化センス層及び磁化ピン層が面内磁気異方性を有する
磁気ランダムアクセスメモリ。 - 複数の磁気メモリセルを備える磁気ランダムアクセスメモリであって、
前記複数の磁気メモリセルの各々は、
磁気異方性を有する強磁性層である磁化記録層と、
前記磁化記録層上に設けられた情報を読み出すための読出し層と
を具備し、
前記磁化記録層は、
反転可能な磁化を有する第1磁化反転領域と第2磁化反転領域とを含む磁化反転領域と、
前記第1磁化反転領域の境界に接続され、磁化の向きが第1方向に固定された第1磁化固定領域と、
前記第2磁化反転領域の境界に接続され、磁化の向きが前記第1方向に固定された第2磁化固定領域と
を備え、
前記第1磁化反転領域と前記第2磁化反転領域の磁化が反平行であり、
前記第1磁化固定領域と前記第2磁化固定領域の磁化が平行であり、
前記第1磁化反転領域と前記第2磁化反転領域とは隣接している
磁気ランダムアクセスメモリ。 - 請求項11に記載の磁気ランダムアクセスメモリであって、
前記第1磁化反転領域と前記第2磁化反転領域との境界にくびれが形成されている
磁気ランダムアクセスメモリ。 - 請求項11に記載の磁気ランダムアクセスメモリであって、
前記第1磁化反転領域と前記第1磁化固定領域との境界、及び、前記第2磁化反転領域と前記第2磁化固定領域との境界に第1くびれが形成されている
磁気ランダムアクセスメモリ。 - 請求項13に記載の磁気ランダムアクセスメモリであって、
前記第1磁化反転領域と前記第2磁化反転領域との境界に第2くびれが形成され、
前記第2くびれが、前記第1くびれよりも浅い
磁気ランダムアクセスメモリ。 - 請求項11に記載の磁気ランダムアクセスメモリであって、
前記第1磁化固定領域及び前記第2磁化固定領域の幅が、それぞれ前記第1磁化反転領域及び前記第2磁化反転領域の幅よりも大きい
磁気ランダムアクセスメモリ。 - 請求項11に記載の磁気ランダムアクセスメモリであって、
前記第1磁化固定領域、前記第2磁化固定領域、及び、前記第2磁化反転領域の各領域を規定する辺の傾きの符号のマジョリティが、前記第1磁化反転領域を規定する辺の傾きの符号のマジョリティと異なる
磁気ランダムアクセスメモリ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007218717A JP5299735B2 (ja) | 2007-08-24 | 2007-08-24 | 磁壁ランダムアクセスメモリ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007218717A JP5299735B2 (ja) | 2007-08-24 | 2007-08-24 | 磁壁ランダムアクセスメモリ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009054715A JP2009054715A (ja) | 2009-03-12 |
JP5299735B2 true JP5299735B2 (ja) | 2013-09-25 |
Family
ID=40505551
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007218717A Active JP5299735B2 (ja) | 2007-08-24 | 2007-08-24 | 磁壁ランダムアクセスメモリ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5299735B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220109102A1 (en) * | 2020-10-01 | 2022-04-07 | Tdk Corporation | Magnetic domain wall movement element and magnetic array |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5338666B2 (ja) * | 2007-08-03 | 2013-11-13 | 日本電気株式会社 | 磁壁ランダムアクセスメモリ |
US8379429B2 (en) * | 2008-02-13 | 2013-02-19 | Nec Corporation | Domain wall motion element and magnetic random access memory |
WO2009104427A1 (ja) * | 2008-02-19 | 2009-08-27 | 日本電気株式会社 | 磁気ランダムアクセスメモリ |
WO2009104428A1 (ja) * | 2008-02-19 | 2009-08-27 | 日本電気株式会社 | 磁気ランダムアクセスメモリ |
JP5445970B2 (ja) * | 2008-04-02 | 2014-03-19 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ |
US9123879B2 (en) | 2013-09-09 | 2015-09-01 | Masahiko Nakayama | Magnetoresistive element and method of manufacturing the same |
US9368717B2 (en) | 2013-09-10 | 2016-06-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistive element and method for manufacturing the same |
US9385304B2 (en) | 2013-09-10 | 2016-07-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic memory and method of manufacturing the same |
US9231196B2 (en) | 2013-09-10 | 2016-01-05 | Kuniaki SUGIURA | Magnetoresistive element and method of manufacturing the same |
JP6204769B2 (ja) * | 2013-09-18 | 2017-09-27 | 東芝メモリ株式会社 | 磁気記憶装置及びその駆動方法 |
JP6285678B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2018-02-28 | 日本放送協会 | 空間光変調器 |
JP6302759B2 (ja) * | 2014-06-12 | 2018-03-28 | 日本放送協会 | 空間光変調器 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006073930A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Canon Inc | 磁壁移動を利用した磁気抵抗効果素子の磁化状態の変化方法及び該方法を用いた磁気メモリ素子、固体磁気メモリ |
US7929342B2 (en) * | 2005-08-15 | 2011-04-19 | Nec Corporation | Magnetic memory cell, magnetic random access memory, and data read/write method for magnetic random access memory |
-
2007
- 2007-08-24 JP JP2007218717A patent/JP5299735B2/ja active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220109102A1 (en) * | 2020-10-01 | 2022-04-07 | Tdk Corporation | Magnetic domain wall movement element and magnetic array |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009054715A (ja) | 2009-03-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5299735B2 (ja) | 磁壁ランダムアクセスメモリ | |
JP5366014B2 (ja) | 磁気ランダムアクセスメモリ及びその初期化方法 | |
JP5338666B2 (ja) | 磁壁ランダムアクセスメモリ | |
JP5206414B2 (ja) | 磁気メモリセルおよび磁気ランダムアクセスメモリ | |
US9799822B2 (en) | Magnetic memory element and magnetic memory | |
JP5505312B2 (ja) | 磁気メモリ素子及び磁気ランダムアクセスメモリ | |
JP5257831B2 (ja) | 磁気ランダムアクセスメモリ、及びその初期化方法 | |
JP5488465B2 (ja) | 磁気ランダムアクセスメモリ、並びに磁気ランダムアクセスメモリの初期化方法及び書き込み方法 | |
JP5545213B2 (ja) | 磁気ランダムアクセスメモリ及びその初期化方法 | |
WO2010074130A1 (ja) | 磁気メモリ素子及び磁気ランダムアクセスメモリ | |
JP2005191032A (ja) | 磁気記憶装置及び磁気情報の書込み方法 | |
WO2016182085A1 (ja) | 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置 | |
JP5472820B2 (ja) | 磁気抵抗素子、mram及び磁気抵抗素子の初期化方法 | |
JP5360600B2 (ja) | 磁気ランダムアクセスメモリ、及び、磁気ランダムアクセスメモリの初期化方法 | |
JP5278769B2 (ja) | 磁気記録装置及び磁化固定方法 | |
JP5472830B2 (ja) | 強磁性ランダムアクセスメモリ | |
JP5445029B2 (ja) | 磁気抵抗素子、及び磁壁ランダムアクセスメモリ | |
JP5201538B2 (ja) | 磁気ランダムアクセスメモリ | |
JP5472821B2 (ja) | 磁気抵抗素子の初期化方法、及び磁気抵抗素子 | |
WO2012137911A1 (ja) | 磁気抵抗効果素子、及び磁気ランダムアクセスメモリ | |
JP5339212B2 (ja) | 磁気ランダムアクセスメモリ | |
JPWO2009038004A1 (ja) | 磁気ランダムアクセスメモリ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100716 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130107 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130318 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130509 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130524 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130606 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5299735 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |