JP5292968B2 - 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置 - Google Patents
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Description
本発明に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素を含む半導体層を準備する工程と、半導体層の主表面上に酸化物層を形成する工程と、酸化物層にIII族元素を含有させる工程とを備える、炭化珪素半導体装置の製造方法である。酸化物層にIII族元素を含有させる工程は、たとえば酸化物層の、半導体層と対向しない一方の主表面をIII族元素を含有するガスに加熱雰囲気中で曝露することにより行なう。酸化物層にIII族元素を含有させる工程と、酸化物層を窒素を含有するガスに加熱雰囲気中で曝露する工程とは、処理炉内で連続して行なわれる。
以上に述べた方法を用いて形成される炭化珪素半導体装置は、炭化珪素を含む半導体層と、半導体層の主表面上に形成された酸化物層とを備えており、酸化物層にはIII族元素を含む。酸化物層に含まれるIII族元素はたとえばアルミニウムであることが好ましい。また、酸化物層には窒素を含むことがさらに好ましい。また、酸化物層の内部におけるIII族元素および窒素の濃度は、酸化物層の半導体層と対向しない主表面から、酸化物層の半導体層と対向する主表面に向かうにつれて単調に増加することが好ましい。すなわち酸化物層の、半導体層との界面近傍において濃度が最大となる領域が存在することが好ましい。酸化物層の、半導体層と対向する主表面とはすなわち酸化物層と半導体層との界面である。炭化珪素を含む半導体層と酸化物層との界面近傍において濃度が最大となるように、酸化物層にアルミニウムや窒素を供給することにより、炭化珪素を含む半導体層と酸化物層との界面近傍に存在するダングリングボンドの密度を効率的に低減することができる。
Claims (18)
- 炭化珪素を含む半導体層を準備する工程と、
前記半導体層の主表面上に酸化物層を形成する工程と、
前記酸化物層にIII族元素を含有させる工程とを備え、
前記酸化物層の、前記半導体層と対向しない一方の主表面を、窒素を含有するガスに加熱雰囲気中で曝露する工程をさらに備え、
前記酸化物層にIII族元素を含有させる工程と、前記酸化物層を前記窒素を含有するガスに加熱雰囲気中で曝露する工程とは、処理炉内で連続して行なわれる、炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記III族元素はアルミニウムである、請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記酸化物層にIII族元素を含有させる工程および、前記酸化物層を前記窒素を含有するガスに加熱雰囲気中で曝露する工程において、前記半導体層は前記処理炉の内部に配置された状態で処理が行なわれるとともに、III族元素を含有するガスまたは前記窒素を含有するガスを、前記処理炉の外部より供給する、請求項1または2に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記酸化物層にIII族元素を含有させる工程は、前記酸化物層の、前記半導体層と対向しない一方の主表面を、III族元素を含有するガスに加熱雰囲気中で曝露する、請求項1に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記III族元素を含有するガスは、アルミニウムを含有する有機金属化合物である、請求項4に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記酸化物層にIII族元素を含有させる工程および、前記酸化物層を前記窒素を含有するガスに加熱雰囲気中で曝露する工程において、前記半導体層は前記処理炉の内部に配置された状態で処理が行なわれるとともに、前記III族元素を含有するガスまたは前記窒素を含有するガスを、前記処理炉の外部より供給する、請求項4または5に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記III族元素を含有するガスおよび前記窒素を含有するガスは、不活性ガスで希釈されている、請求項4〜6のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記窒素を含有するガスは、一酸化窒素、二酸化窒素または二窒化酸素からなる群から選択される少なくとも1つを含む、請求項1〜7のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記酸化物層にIII族元素を含有させる工程および、前記酸化物層を前記窒素を含有するガスに加熱雰囲気中で曝露する工程において、前記処理炉の内部の温度を900℃以上1500℃以下に設定する、請求項1〜8のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 炭化珪素を含む半導体層と、
前記半導体層の主表面上に形成された酸化物層とを備えており、
前記酸化物層には、III族元素を含み、
前記III族元素の濃度は、前記酸化物層の内部において、前記酸化物層の前記半導体層と対向しない主表面から、前記酸化物層の前記半導体層と対向する主表面に向かうにつれて単調に増加する、炭化珪素半導体装置。 - 前記酸化物層における前記III族元素の濃度は、最大となる領域において1×1017cm−3以上1×1022cm−3以下である、請求項10に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記III族元素はアルミニウムである、請求項11に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記酸化物層には、窒素をさらに含む、請求項10〜12のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記窒素の濃度は、前記酸化物層の内部において、前記酸化物層の前記半導体層と対向しない主表面から、前記酸化物層の前記半導体層と対向する主表面に向かうにつれて単調に増加する、請求項13に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記酸化物層における前記窒素の濃度は、最大となる領域において1×1020cm−3以上1×1022cm−3以下である、請求項13または14に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記半導体層の主表面は、(0001)面から15度以内のオフカット方向に傾いた結晶面である、請求項10〜15のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記半導体層と前記酸化物層との界面近傍における界面準位密度は、1×1012cm−2/eV以下である、請求項10〜16のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記炭化珪素半導体装置はMOSFETである、請求項10〜17のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。
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