JP5281988B2 - アンモニアガスセンサ - Google Patents

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Description

本発明は、例えば燃焼器や内燃機関等の燃焼ガスや排気ガス中のアンモニアガス濃度測定に好適に用いられるアンモニアガスセンサに関する。
自動車等の内燃機関の排気ガス中の窒素酸化物(NO)の浄化方法として、尿素SCR(Selective Catalytic Reduction、選択還元触媒)方式が開発されている。尿素SCR方式は、SCR触媒に尿素を添加してアンモニアを発生させ、アンモニアによりNOを還元するものであり、NOを還元するアンモニア濃度が適量かどうかを測定するためのアンモニアガスセンサが用いられている。
このようなアンモニアガスセンサとして、酸素イオン伝導性の固体電解質体の表面に基準電極と検知電極とを形成し、電極間の起電力に基づいてアンモニア濃度を検出するものが従来から提案されてきた。具体的には、Zr、Al、In、Fe、Cu、Ta、Ga、Sr、Eu、W、Ce、Ti、Zr、Sn等の金属酸化物と、金とを含有する検知電極を用いたセンサが提案されている(特許文献1参照)。このセンサによれば、酸素濃度の変化が大きいリーンバーンエンジン中でも、酸素濃度の影響を受けずに可燃性ガス(HCガス、COガス、アンモニアガス等)濃度を測定できるとされている。
又、検知電極として、固体電解質体の表面に金属層(Au)を設け、その表面に金属酸化物層(V)を形成したセンサが提案されている(特許文献2参照)。このセンサによれば、アンモニアガスの選択性を金属酸化物層で確保しつつ、金属層により集電能力が向上するとされている。
さらに、検知電極に、金属酸化物であるBiVOを用いたセンサが提案されている(特許文献3参照)。このセンサによれば、BiVOによりアンモニアガスの選択性が向上するとされている。
特開2001-108649号公報 特開2008-116321号公報 米国特許出願公開第2006/266659号明細書
しかしながら、特許文献1記載のアンモニアガスセンサの場合、アンモニアガス以外のHCガスやCOガス等にもアンモニアガスと同等の感度を示すので、アンモニアガスの選択性に課題がある。
又、特許文献2記載のアンモニアガスセンサの場合、センサの耐久性の点で改善の余地がある。これは、検知電極に添加した金属酸化物の熱安定性がないことに起因すると考えられる。特に、自動車等の内燃機関の排気ガスは700℃程度になるので、センサの加熱時の耐久性が要求される。
さらに、特許文献3記載のアンモニアガスセンサの場合、被検出ガス中のHO濃度によってアンモニアガスに対する感度が大きく変動するという問題がある。また、金属酸化物を主成分としているため、集電効果が低く、精度良くアンモニアガスが検出できないという問題がある。
すなわち、本発明は、被検出ガス中のHOによる感度の変動が少なく、加熱時の耐久性にも優れ、且つアンモニアガス選択性に優れたアンモニアガスセンサの提供を目的とする。
上記課題を解決するため、本発明のアンモニアガスセンサは、酸素イオン伝導性の固体電解質体と、前記固体電解質体の表面にそれぞれ設けられる検知電極及び基準電極とを備え、前記検知電極はAuを70質量%以上含有すると共に、Bi及びMnの群から選ばれる1種以上に酸素のみが結合してなる金属酸化物を含み、かつ該検知電極が前記固体電解質体の表面に直接接し、前記金属酸化物が少なくとも前記検知電極と前記固体電解質体の界面に存在している。
このように、検知電極に含まれる金属酸化物として、Bi及びMnの群から選ばれる1種以上に酸素のみが結合してなる金属酸化物とすることで、アンモニアガス選択性が高く、加熱時の耐久性にも優れ、被検出ガス中のHOによる感度の変動も少ないアンモニアガスセンサとすることができる。


なお、「Bi及びMnの群から選ばれる1種以上に酸素のみが結合してなる金属酸化物」とは、1)これらの元素のいずれか1つに酸素のみが結合してなる酸化物、2)これらの元素のいずれか1つに酸素のみが結合してなる酸化物と、これらの元素の他の1つに酸素のみが結合してなる酸化物との混合物、3)これらの元素のうち2種以上に酸素のみが結合してなる複合酸化物、のすべてを含む。上記1)の例としては、Biが挙げられる。上記2)の例としては、BiとMnOの混合物が挙げられる。上記3)の例としては、BiMnO等の複合酸化物が挙げられる。従って、例えばBiVOなどの、Biに酸素以外の元素が結合した金属酸化物は本発明の対象とならない。
さらに、検知電極は、Auを70質量%以上含有すると共に、上述の金属酸化物を含んで形成されている。これにより、検知電極が集電能力にも優れる。なお、Auを70質量%未満とすると、集電効果が得られず、アンモニアガスが検出できないことがある。
なお、検知電極は単一層に形成され、固体電解質体に直接接触していればよい。なお、検知電極上には、金属酸化物からなる層が設けられていても良い。さらに、製造時に、Auからなる層を形成すると共に、その層上に上述の金属酸化物層を設け、熱処理等により、Auからなる層に金属酸化物を含侵させることで、検知電極を形成しても良い。
なお、検知電極中のAuと上記金属酸化物の各含有量が上記規定範囲にある限り、検知電極の厚み方向で、Auと上記金属酸化物の濃度勾配が生じていてもよく、この場合も単一層とみなす。
また、前記金属酸化物がBi及び/又はMnOであるとよい。このような金属酸化物を用いることで、アンモニアガス選択性が高く、加熱時の耐久性にも優れ、被検出ガス中のHOによる感度の変動も少ないアンモニアガスセンサとすることができる。
さらに、前記金属酸化物が少なくとも前記検知電極と前記固体電解質体の界面に存在しているとよい。検知電極中の金属酸化物が固体電解質体との界面に多く存在するほど、アンモニア選択性が向上する。これは上記界面に介在する金属酸化物が電極反応場を修飾するためと考えられる。
具体的には、前記界面における前記金属酸化物の存在領域が50%以上を占めることが好ましく、存在領域が100%であるとさらに好ましい。
検知電極中の金属酸化物が固体電解質体との界面に多く存在するほど、アンモニア選択性がより一層向上する。
この発明によれば、被検出ガス中のHOによる感度の変動が少なく、加熱時の耐久性にも優れ、且つアンモニアガス選択性に優れたアンモニアガスセンサが得られる。
本発明の実施形態に係るアンモニアガスセンサの長手方向に沿う断面図である。 センサ素子部の構成を示す展開図である。 図2のIII−III線に沿う断面図である。 検知電極の組成を変えたときの、アンモニア選択性を示す図である。 検知電極の組成を変えたときの、アンモニア感度に対するHOの影響を示す図である。 検知電極の組成を変えたときの、アンモニア感度に対するHOの影響を示す別の図である。 センサ加熱時のアンモニア感度の時間変化(耐久性)を示す図である。 検知電極の焼成温度を変えたときの、アンモニア選択性を示す図である。 実施例1の検知電極の断面の走査電子顕微鏡(SEM)像を示す図である。 図9と同じ断面のEPMA(電子線マイクロアナライザ)によるBiのマッピング像を示す図である。 実施例3の検知電極の断面の走査電子顕微鏡(SEM)像を示す図である。 図11と同じ断面のEPMA(電子線マイクロアナライザ)によるBiのマッピング像を示す図である。 実施例4の検知電極の断面の走査電子顕微鏡(SEM)像を示す図である。 図13と同じ断面のEPMA(電子線マイクロアナライザ)によるBiのマッピング像を示す図である。
以下、本発明の実施形態について説明する。
図1は、本発明の実施形態に係るアンモニアガスセンサ(アンモニアセンサ)200Aの長手方向に沿う断面図を示す。アンモニアセンサ200Aは、アンモニアを検出する起電力式のセンサ素子部50Aを組み付けたアッセンブリである。アンモニアセンサ200Aは、軸線方向に延びる板状のセンサ素子部50Aと、排気管に固定されるためのねじ部139が外表面に形成された筒状の主体金具138と、センサ素子部50Aの径方向周囲を取り囲むように配置される筒状のセラミックスリーブ106と、軸線方向に貫通するコンタクト挿通孔168の内壁面がセンサ素子部50Aの後端部の周囲を取り囲む状態で配置される絶縁コンタクト部材166と、センサ素子部50Aと絶縁コンタクト部材166との間に配置される複数個(図1では2つのみ図示)の接続端子110とを備えている。
主体金具138は、軸線方向に貫通する貫通孔154を有し、貫通孔154の径方向内側に突出する棚部152を有する略筒状形状に構成されている。また、主体金具138は、センサ素子部50Aの先端側を貫通孔154の先端側外部に配置し、電極端子部2a、5、42A〜44Aを貫通孔154の後端側外部に配置する状態で、センサ素子部50Aを貫通孔154に保持している。さらに、棚部152は、軸線方向に垂直な平面に対して傾きを有する内向きのテーパ面として形成されている。
なお、主体金具138の貫通孔154の内部には、センサ素子部50Aの径方向周囲を取り囲む状態で環状形状のセラミックホルダ151、粉末充填層153、156(以下、滑石リング153、156ともいう)、および上述のセラミックスリーブ106がこの順に先端側から後端側にかけて積層されている。また、セラミックスリーブ106と主体金具138の後端部140との間には、加締めパッキン157が配置されており、セラミックホルダ151と主体金具138の棚部152との間には、滑石リング153やセラミックホルダ151を保持し、気密性を維持するための金属ホルダ158が配置されている。なお、主体金具138の後端部140は、加締めパッキン157を介してセラミックスリーブ106を先端側に押し付けるように、加締められている。
一方、図1に示すように、主体金具138の先端側(図1における下方)外周には、センサ素子部50Aの突出部分を覆うと共に、複数の孔部を有する金属製(例えば、ステンレスなど)二重の外部プロテクタ142および内部プロテクタ143が、溶接等によって取り付けられている。
そして、主体金具138の後端側外周には、外筒144が固定されている。また、外筒144の後端側(図1における上方)の開口部には、センサ素子部50Aの電極端子部部2a、5、42A〜44Aとそれぞれ電気的に接続される5本のリード線146(図1では3本のみ)が挿通されるリード線挿通孔161が形成されたグロメット150が配置されている。
また、主体金具138の後端部140より突出されたセンサ素子部50Aの後端側(図1における上方)には、絶縁コンタクト部材166が配置される。なお、この絶縁コンタクト部材166は、センサ素子部50Aの後端側の表面に形成される電極端子部部2a、5、42A〜44Aの周囲に配置される。この絶縁コンタクト部材166は、軸線方向に貫通するコンタクト挿通孔168を有する筒状形状に形成されると共に、外表面から径方向外側に突出する鍔部167が備えられている。絶縁コンタクト部材166は、鍔部167が保持部材169を介して外筒144に当接することで、外筒144の内部に配置される。そして、絶縁コンタクト部材166側の接続端子110と、センサ素子部50Aの電極端子部部2a、5、42A〜44Aとが電気的に接続され、リード線146により外部と導通するようになっている。
次に、センサ素子部50Aの構成について展開図2を参照して説明する。センサ素子部50Aは長尺板状であり、排気ガス中のアンモニアガスを検出する検知部が先端部に露出し、センサ素子部50Aの後端部には、電極端子部となる検知リード部2a及び電極パッド5がそれぞれ露出している。なお、図2の下側を「裏面(一方の面)」と称し、上側を「表面(他の面)」と称する。
図2において、固体電解質体6の裏面には絶縁膜24が形成され、絶縁膜24の裏面には、基準電極4及び基準リード部4aが設けられている。これらのうち、矩形の基準電極4は、絶縁膜24の先端側に形成された開口部24aに対応する位置に配置されている。基準電極4は開口部24aを通して固体電解質体6の先端側裏面に接している。一方、基準リード部4aの先端は基準電極4に接続されつつ、後端に向かって延びている。
さらに、基準電極4及び基準リード部4aを挟むようにして、絶縁膜24の裏面に絶縁膜26、封止層32、絶縁膜28、支持層34及び絶縁膜30がこの順で積層されている。これらのうち、絶縁膜26の先端側には、基準電極4に対応する位置に開口部26aが形成されている。又、封止層32の横方向(先端から後端に向かう方向と垂直な方向)の中央には、先端側から後端側に向かって細長く延びる連通溝部32aが形成され、連通溝部32aは後端側で封止層32の端面に開口している。
従って、基準電極4の裏面側は、大気基準室となる開口部26aに対向し、かつ開口部26aが連通溝部32aを介して大気と基準電極4とを連通している。これにより、基準電極4が基準ガスとなる大気に曝される。なお、支持層34は、センサ素子部の本体となる比較的厚い(例えば300μm)グリーンシートのアルミナ絶縁層とすることができる。
一方、固体電解質体6の表面には絶縁膜22が形成され、絶縁膜22の先端側に矩形の開口部22aが形成されている。又、絶縁膜22表面のうち横方向の異なる位置には、検知リード部2a及び電極パッド5がそれぞれ形成されている。検知リード部2aは、先端から後端に向かって延びている。検知リード部2aの先端部2tは開口部22aの内側へ延出され、後述する検知電極2と接続するようになっている。又、電極パッド5は、絶縁膜22の表面のうち後端側に形成されている。
そして、基準リード部4aは、絶縁膜24のスルーホール24s、固体電解質体6のスルーホール6s、及び絶縁膜22のスルーホール22sを介して電極パッド5に導通している。
さらに、検知リード部2a及び電極パッド5を挟むようにして、絶縁膜22の表面に絶縁膜20が積層されている。絶縁膜20の先端側に矩形の開口部20aが形成され、この開口部20aは開口部22aに重なっている。そして、開口部20a及び開口部22a内に検知電極2が設けられている。検知電極2は開口部24aを通して固体電解質体6の先端側裏面に接している。
なお、絶縁膜20の後端縁は絶縁膜22の後端縁より先端側に位置し、検知リード部2aの後端及び電極パッド5が電極端子部として露出するようになっている。
図3は、図2の長手方向(先端から後端に向かう方向)のIII−III線に沿う平面で切断した断面図である。基準電極4が開口部26aに面し、検知電極2が表面に露出していることがわかる。
なお、検知電極2の上にガス透過性の保護層や、アンモニアガス選択性の選択反応層を設けてもよい。
次に、検知電極2及び基準電極4の機能について説明する。
検知電極2は、固体電解質体6との界面でアンモニアを選択的に燃焼(電極反応)させる電極であるので、アンモニアガスの検知電極として機能する。
又、検知電極2は、Auを70質量%以上含有すると共に、Bi及びMnの群から選ばれる1種以上に酸素のみが結合してなる金属酸化物を含んでいる。つまり、検知電極2はAuと上記金属酸化物の混合物を含む。又、検知電極2は、固体電解質体6の表面に(他の層を介在せずに)直接接している。
このように、検知電極2に含まれる金属酸化物として、Bi及びMnの群から選ばれる1種以上に酸素のみが結合してなる金属酸化物とすることで、アンモニアガス選択性が高く、加熱時の耐久性にも優れ、被検出ガス中のHOによる感度の変動も少ないアンモニアガスセンサ200Aとすることができる。特に好ましい金属酸化物として、Bi又はMnOが挙げられる。
なお、検知電極2は、Auと上記金属酸化物の混合物を含むものであればよく、他の成分を更に含んでもよいが、特にAuと上記金属酸化物から実質的に構成されることが好ましい。
また、本発明において、検知電極2中にAuの含有量が70質量%未満となると、検知電極2の集電能力が低下するため、検知電極2中には、Auが70%質量%以上を含んで形成される。
特に、上記金属酸化物の検知電極2中の含有量が0.1質量%〜10質量%であると好ましい。
一方、基準電極4表面では、被測定ガス中のアンモニアを含む可燃性ガスが燃焼し、基準電極4と固体電解質体6との界面では可燃性ガスに関する電極反応が生じない。
基準電極4は、例えばPt単体であるか、又はPtを主成分とする材料で構成されている。
また、各リード部2a、4a、及び電極パッド5は、例えばPt、Pd又はこれらの合金を主成分とし、必要に応じてアルミナが含有された材料で構成されている。
各絶縁膜20、22、24、26、28、30、及び封止層32は、例えばアルミナ等の絶縁性セラミックで構成されている。
固体電解質体6は、例えば部分安定化ジルコニアで構成されている。そして、固体電解質体6は、図示しないヒータによって活性化温度に制御される。
次に、センサ素子部50Aの製造方法の一例を簡単に説明する。まず、固体電解質体6となるグリーンシートを、例えばジルコニア(ZrO)に安定化剤である酸化イットリウム(Y)を5.4(モル%)添加してなる部分安定化ジルコニア(YSZ)から作成する。そして、固体電解質体6の裏面に、アルミナ、バインダ及び有機溶剤を含む絶縁膜用ペーストを印刷して乾燥し、絶縁膜24を形成する。絶縁膜24の裏面にPt、アルミナ(共素地として用いる無機酸化物)バインダ及び有機溶剤を含む電極ペースト(以下、「Pt系ペースト」という)をスクリーン印刷して乾燥し、基準電極4及び基準リード部4aを形成する。さらに、絶縁膜24の裏面に絶縁膜用ペーストを印刷して乾燥し、絶縁膜26を形成する。
次に、固体電解質体6となるグリーンシートの表面に、絶縁膜用ペーストを印刷して乾燥し、絶縁膜22を形成する。そして、絶縁膜22の表面に、Pt系ペーストをスクリーン印刷して乾燥し、検知リード部2a及び電極パッド5を形成する。そして、絶縁膜22の表面に、絶縁膜用ペーストを印刷して乾燥し、絶縁膜20を形成する。
次に、絶縁膜26の裏面に絶縁膜用ペーストを印刷して乾燥し、封止層32を形成する。そして、センサ素子部の本体となるアルミナグリーンシートの支持層34を封止層32と対向させて圧着し、全体を400(℃)にて脱脂した後、1470(℃)にて焼成する。
なお、ヒータ及び測温抵抗体(図示しない)はセンサ素子部50Aの絶縁膜30に貼着形成されるが、これらヒータ及び測温抵抗体をセンサ素子部50Aの構造体に内蔵してもよい。
そして、Au,上記金属酸化物、バインダ及び有機溶剤を含む電極ペースト(以下、「検知電極ペースト」という)を、絶縁膜20の開口部20aにスクリーン印刷して乾燥し、1000℃にて1時間焼成して検知電極2を形成する。
なお、各スルーホール6s、22s、24sの内面に適宜スルーホール導体を充填する。
なお、検知電極2と固体電解質体6の界面に、少なくとも上記金属酸化物が存在していることが好ましい。上記したように、検知電極ペーストを印刷後、焼成して検知電極2を形成するが、この際に焼成温度が金属酸化物の融点より高過ぎると、検知電極2と固体電解質体6の界面の金属酸化物が揮発することがある。この場合、検知電極2のアンモニア選択性が大幅に低下するので、上記界面に金属酸化物が存在していることが好ましい。
特に、上記界面における金属酸化物の存在領域が50%以上を占めることがより好ましい。上記界面における金属酸化物の存在領域が100%であると最も好ましい。
ここで、上記界面における金属酸化物の存在領域とは、この界面における金属酸化物の総面積が界面全体の50%以上であることをいう。そして、この存在領域が100%である場合とは、上記界面に金属酸化物が層状に存在することを意味する。
検知電極中の金属酸化物が固体電解質体との界面に多く存在するほどアンモニア選択性が向上し、これは上記界面に介在する金属酸化物が電極反応場を修飾するためと考えられる。なお、金属酸化物は、酸の性質を有するために塩基性分子であるNH3と強く相互作用し、他のガスよりもNH3に対する電極反応を有利に進めるため、アンモニア選択性が向上すると考えられる。
本発明は上記した実施形態に限定されず、本発明の思想と範囲に含まれる様々な変形及び均等物に及ぶことはいうまでもない。例えば、センサ内に大気基準室を設けず、固体電解質体の一方の面に検知電極と基準電極とを共に設け、両電極のアンモニア選択性の違いに基づいてアンモニアを検出するようにしてもよい。又、固体電解質体を筒状として、筒の外面と内面とにそれぞれ検知電極と基準電極とを設け、筒内面を大気雰囲気に曝し、筒外面の検知電極を被測定ガスに曝すようなセンサ構造としてもよい。
以下、実施例を挙げて、本発明を具体的に説明するが、本発明は勿論これらの例に限定されるものではない。
上記実施形態に係るアンモニアガスセンサを作製した。まず、上記YSZからなり固体電解質体6となるグリーンシートの裏面に、アルミナ、バインダ及び有機溶剤を含む絶縁膜用ペーストを印刷して乾燥し、絶縁膜24を形成した。絶縁膜24の裏面にPt、アルミナ(共素地として用いる無機酸化物)バインダ及び有機溶剤を含む電極ペースト(以下、「Pt系ペースト」という)をスクリーン印刷して乾燥し、基準電極4及び基準リード部4aを形成した。さらに、絶縁膜24の裏面に絶縁膜用ペーストを印刷して乾燥し、絶縁膜26を形成した。
次に、固体電解質体6(グリーンシート)の表面に、絶縁膜用ペーストを印刷して乾燥し、絶縁膜22を形成した。そして、絶縁膜22の表面に、Pt系ペーストをスクリーン印刷して乾燥し、検知リード部2a及び電極パッド5を形成した。そして、絶縁膜22の表面に、絶縁膜用ペーストを印刷して乾燥し、絶縁膜20を形成した。
次に、絶縁膜26の裏面に絶縁膜用ペーストを印刷して乾燥し、封止層32を形成した。そして、センサ素子部の本体となるアルミナグリーンシートの支持層34を封止層32と対向させて圧着し、全体を400(℃)にて脱脂した後、1470(℃)にて焼成した。
なお、ヒータ及び測温抵抗体(図示しない)をセンサ素子部50Aの絶縁膜30に貼着形成させた。
そして、Au,表1に示す上記金属酸化物、バインダ及び有機溶剤を含む電極ペースト(以下、「検知電極ペースト」という)を、絶縁膜20の開口部20aにスクリーン印刷して乾燥し、表1に示す温度にて1時間焼成して検知電極2を形成した。表1にAu及び金属酸化物の含有量を示す。
このようにして得られたセンサ素子部50Aを主体金具等に組み付け、アンモニアガスセンサ200Aを作製した。
なお、上記検知電極ペーストは、Au粉末、上記金属酸化物粉末、有機溶剤及び分散剤を乳鉢に入れ、均一になるよう10分以上手混ぜして作製した。又、BiVO粉末は、酸化バナジウム(V)及び酸化ビスマス(Bi)の粉末を1:1(モル比)で混合し、らいかい機で1時間分散混合した後、800℃で15時間焼成し、さらに、らいかい機で1時間分散混合し、800℃で15時間焼成した後、粉砕して得た。
各実施例及び比較例における検知電極の組成及び焼成温度、及び評価結果を表1に示す。
<評価>
1.アンモニア選択性の評価
モデルガス発生装置のガス流中に各実施例及び比較例のアンモニアガスセンサを取り付け、アンモニア選択性の評価を行った。モデルガスのガス温度600℃とし、ガス組成をO2=10% H2O=5% N2=bal.とした。モデルガス発生装置から上記ガスを流したとき、基準電極4と検知電極2の間の電位差を測定し、ベース起電力とした。
次に、モデルガスにNH=500ppmを加えてガスを流したときの基準電極4と検知電極2の間の電位差を測定し、測定時のNH起電力とした。そして、測定時の(NH起電力)−(ベース起電力)でセンサのNH感度を定義した。
同様に、上記モデルガスにC=500ppmを加えてガスを流したときの基準電極4と検知電極2の間の電位差を測定し、測定時のC起電力とした。そして、測定時の(C起電力)−(ベース起電力)でセンサのC感度を定義した。
そして、各実施例及び比較例のそれぞれについて、(NH感度/C感度)を求め、アンモニア選択性の指標とした。
得られた結果を表1及び図4に示す。実施例3、5〜8の場合、アンモニア選択性が3.2〜34.5であり、NH感度がC感度の2倍以上であり、十分にアンモニア選択性を有していた。特に、検知電極2の酸化物としてBi2を用いた実施例3、5の場合、アンモニア選択性が大幅に向上した。
一方、検知電極2に酸化物を含有せず、Au単体とした比較例1の場合、アンモニア選択性はほぼ1(NH3感度とC3H6感度がほぼ同じ)であり、アンモニア選択性を有しなかった。
さらに、検知電極2にW酸化物を含有した比較例3の場合についても、アンモニア選択性が1.6となり、アンモニア選択性を十分に有しなかった。
また、検知電極2中のAuの割合が70質量%未満である比較例5の場合、集電効果が低くアンモニア検知ができなかった。
比較例2、4の場合、アンモニア選択性は向上したが、以下の耐久性及びHOの影響の評価が劣った。なお、表1において、アンモニア選択性が2以上のものを優れている(○)として評価した。
2.センサ加熱時の耐久性(熱安定性)の評価
実施例3及び比較例2のアンモニアガスセンサを大気中に配置し、センサ素子部のヒータを700℃に連続加熱した。そして、下記時間毎にアンモニア感度の経時変化を測定した。モデルガスのガス温度280℃、センサ素子部の制御温度(ヒータ加熱)650℃とし、ガス組成をO2=10% H2O=5% N2=bal.とした。モデルガス発生装置から上記ガスを流したとき、基準電極4と検知電極2の間の電位差を測定し、ベース起電力とした。
次に、モデルガスにNH=100ppmを加えてガスを流したときの基準電極4と検知電極2の間の電位差を測定し、測定時のNH起電力とした。そして、測定時の(NH起電力)−(ベース起電力)でセンサのNH感度(EMF;mV)を定義した。
そして、ヒータ通電開始後、実施例3については、350時間後、700時間後、1000時間後にセンサのNH感度を測定した。また、比較例2については、200時間後、500時間後、1000時間後にセンサのNH感度を測定した。
得られた結果を図7に示す。
実施例3の場合、1000時間加熱後もNH感度はほとんど変化せず、加熱時の耐久性に優れていた。
一方、金属酸化物としてVを用いた比較例2の場合、時間とともにNH感度(EMF)が低下してゆき、1000時間加熱後のNH感度が初期値の65%程度まで低下した。
3.アンモニア感度に対するHOの影響の評価
モデルガス発生装置のガス流中に実施例3及び比較例4のアンモニアガスセンサを取り付け、センサの感度の評価を行った。モデルガスのガス温度280℃、センサ素子部の制御温度(ヒータ加熱)650℃とし、ガス組成をO2=10% H2O=それぞれ1,5,10% N2=bal.とした。モデルガス発生装置から、各HO濃度毎の上記ガスを流したとき、基準電極4と検知電極2の間の電位差を測定し、各HO濃度でのベース起電力とした。その後、各HO濃度のモデルガスに対し、図5、図6に示す各濃度(ppm)のNHガスを加えて上記モデルガスを流したときの基準電極4と検知電極2の間の電位差を測定し、測定時の起電力とした。そして、測定時の(起電力)−(ベース起電力)(ベース起電力;被測定ガスに曝されない時の起電力)でNH感度(EMF;mV)を定義した。
得られた結果を図5及び図6に示す。
図5に示す実施例3の場合、H2O=5%のときのNH感度(EMFの値)に対し、H2O=1%又は10%に変化したときのNH感度の変動が5%未満となり、モデルガス中のH2O濃度が変化してもNH感度の変動が少なかった。
一方、図6に示す比較例4の場合、H2O=5%のときのNH感度に対し、H2O=1%又は10%に変化したときのNH感度の変動が5%以上となり、モデルガス中のH2O濃度が変化するとNH感度も大きく変動した。つまり、金属酸化物にBiVOを用いた検知電極を構成した比較例4の場合、アンモニア感度がガス中のH2O濃度の影響を受けることがわかった。
4.検知電極の焼成温度とアンモニア選択性との関係の調査
図8は、実施例1〜4のアンモニア選択性(NH感度/C感度)の値を示す。Biの融点(820℃)を少し超えた焼成温度(850℃)で検知電極を焼成した実施例3の場合に、アンモニア選択性が最も高くなった。
図9は実施例1の検知電極の断面の走査電子顕微鏡(SEM)像を示し、図10は同断面のEPMA(電子線マイクロアナライザ)によるBiのマッピング像を示す。図10は図9と同じ領域をなしている。
同様に、図11は実施例3の検知電極の断面SEM像を示し、図12は同断面のEPMAによるBiのマッピング像を示す。又、図13は実施例4の検知電極の断面SEM像を示し、図14は同断面のEPMAによるBiのマッピング像を示す。
図9〜図14から、アンモニア選択性が良好な実施例3の場合、検知電極2と固体電解質体6との界面にBiが層状に凝集して存在することがわかった。これは、Biの融点を超える温度で検知電極を焼成したために、固体電解質体6との界面にBiが拡散、移動したものと考えられる。
一方、Biの融点より低い温度で焼成した実施例1の場合、検知電極2と固体電解質体6との界面へのBiの拡散が少なかった。又、Biの融点より大幅に高い温度で焼成した実施例4の場合も、上記界面へのBiの拡散が少なかった。これは、Biが高温で揮発したためと考えられる。
以上のことから、検知電極中の金属酸化物が固体電解質体との界面に多く存在するほどアンモニア選択性が向上し、これは上記界面に介在する金属酸化物が電極反応場を修飾するためと考えられる。なお、金属酸化物は、酸の性質を有するために塩基性分子であるNH3と強く相互作用し、他のガスよりもNH3に対する電極反応を有利に進めるため、アンモニア選択性が向上すると考えられる。
2 検知電極
4 基準電極
6 固体電解質体
50A ガスセンサ素子
200A アンモニアガスセンサ

Claims (4)

  1. 酸素イオン伝導性の固体電解質体と、前記固体電解質体の表面にそれぞれ設けられる検知電極及び基準電極とを備え、
    前記検知電極はAuを70質量%以上含有すると共に、Bi及びMnの群から選ばれる1種以上に酸素のみが結合してなる金属酸化物を含み、かつ該検知電極が前記固体電解質体の表面に直接接し、
    前記金属酸化物が少なくとも前記検知電極と前記固体電解質体の界面に存在しているアンモニアガスセンサ。
  2. 前記金属酸化物がBi及び/又はMnOである請求項1に記載のアンモニアガスセンサ。
  3. 前記界面における前記金属酸化物の存在領域が50%以上を占める請求項1又は2に記載のアンモニアガスセンサ。
  4. 前記界面における前記金属酸化物の存在領域が100%である請求項3に記載のアンモニアガスセンサ。
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