JP5278529B2 - 半導体モジュール - Google Patents
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Description
本発明に係る他の半導体モジュールは、素子搭載フレームと、該素子搭載フレームに搭載された素子と、細線部と幅広部を有し、素子が搭載されていないフレームと、幅が均一な細線部で形成された配線フレームと、コンバータ又は力率改善回路を形成するように、該素子搭載フレーム、該素子、及び該配線フレームを接続するワイヤーと、を備えたことを特徴とする。
本実施形態は、複数の構成の異なるコンバータや力率改善回路に用いることができるフレームを備えた半導体モジュールに関する。図1は本実施形態の半導体モジュール100を説明する模式図である。本実施形態の半導体モジュール100はインバータ部10と汎用フレーム部11を備える。インバータ部10とは図1破線左の領域であり、汎用フレーム部11とは図1破線右側の領域をさす。
本実施形態は、実施形態1とは異なるフレーム構成を用いて、1のフレーム構成で複数のコンバータあるいは力率改善回路を形成できる半導体モジュールに関する。図8は本実施形態の構成を説明する模式図である。本実施形態の半導体モジュールは実施の形態1と同様にインバータ部10と汎用フレーム部98とを備える。そして、本実施形態のインバータ部10は実施の形態1で説明したインバータ部10と同様であるから説明を省略する。以後図8に示す汎用フレーム部98について説明する。
212 第五素子搭載フレーム
214 第六素子搭載フレーム
216 第七素子搭載フレーム
218 第八素子搭載フレーム
220 配線フレーム
98 汎用フレーム部
300 駆動IC搭載フレーム
302 第一素子搭載フレーム
304 第二素子搭載フレーム
306 第三素子搭載フレーム
308 第四素子搭載フレーム
310 第一配線フレーム
312 第二配線フレーム
Claims (3)
- 素子が搭載された素子搭載フレームと、幅が均一な細線部で形成された配線フレームとを有し、これらをワイヤー接続しインバータを形成したインバータ部と、
素子が搭載された素子搭載フレームと、細線部と幅広部を有し素子が搭載されていないフレームと、幅が均一な細線部で形成された配線フレームとを有し、これらをワイヤー接続しコンバータ又は力率改善回路を形成した汎用フレーム部と、備え、
前記インバータ部と前記汎用フレーム部は1つのパッケージに実装されたことを特徴とする半導体モジュール。 - 素子搭載フレームと、
前記素子搭載フレームに搭載された素子と、
細線部と幅広部を有し、素子が搭載されていないフレームと、
幅が均一な細線部で形成された配線フレームと、
コンバータ又は力率改善回路を形成するように、前記素子搭載フレーム、前記素子、及び前記配線フレームを接続するワイヤーと、を備えたことを特徴とする半導体モジュール。 - 前記素子はIGBT又はダイオードであることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体モジュール。
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