JP5262573B2 - 弾性波装置の製造方法 - Google Patents
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Description
このような弾性表面波装置およびその製造方法の一つに、図11に示すように、圧電単結晶材料(圧電基板)101の表面に櫛型電極102、パッド電極103を設け、櫛型電極102を覆うように空間形成部108を、パッド電極103上に突起電極104をそれぞれ設け、突起電極104、空間形成部108を覆うように絶縁材料106を設けた後に、絶縁材料106と圧電基板101を研削することにより、圧電基板101の割れを防止しつつ素子の低背化を図るとともに、その後に、突起電極104と導通する端子電極105を形成するようにした弾性表面波装置の製造方法が提案されている(特許文献1参照)。
マザー圧電基板の一方主面に複数の素子用電極パターンを形成する電極パターン形成工程と、
前記マザー圧電基板を素子毎に分割して個片化された圧電基板とする個片化工程と、
前記個片化された圧電基板の他方主面を研磨する研磨工程と、
研磨された前記圧電基板の他方主面に、前記圧電基板に吸収される波長を有するレーザ光を照射してマ一キングを行うマーキング工程と
を備えていることを特徴としている。
マザー圧電基板の一方主面に複数の素子用電極パターンを形成する電極パターン形成工程と、
前記マザー圧電基板を素子毎に分割して個片化された圧電基板とする個片化工程と、
素子毎に個片化された前記圧電基板を複数個、その一方主面がベース基板に対向するように、ベース基板上にフリップチップボンディングするボンディング工程と、
前記ベース基板上にボンディングされた各圧電基板の他方主面を研磨する研磨工程と、
前記ベース基板を個々の弾性波装置毎に分割する分割工程と、
前記分割された各弾性波装置を構成する前記圧電基板の前記他方主面に、前記圧電基板に吸収される波長を有するレーザ光を照射してマ一キングを行うマーキング工程と
を備えていることを特徴としている。
したがって、本発明によれば、電極パターンが損傷することによる特性の低下を招くことなく、必要なマーキングが施された弾性波装置を確実に製造することができる。
なお、本発明において、弾性波装置とは、圧電体の表面を伝搬する弾性表面波を利用した弾性表面波装置や圧電体と絶縁体との界面を伝搬する弾性境界波を利用した弾性境界波装置などを含む広い概念のものである。
したがって、本発明でいう圧電基板には、その一方主面上に、電極パターンが形成され、さらに電極パターンを覆うように一方主面上に絶縁体(絶縁膜)が配設されているものも含まれる。
図3(a)は本発明の実施例1にかかる弾性波装置の製造方法により製造される弾性境界波装置10を示す平面図、図3(b)はP−P線に沿う断面図である。
まず、個々の弾性境界波装置10の圧電基板1となるマザー圧電基板(ウエハー)1Aを用意する(図4(a)参照)。マザー圧電基板1Aとしては、この実施例1では、LiTaO3、LiNbO3の圧電単結晶材料からなるものを2種類用意した。圧電単結晶材料としては水晶を用いることも可能である。さらに、場合によっては圧電セラミックスを用いることも可能である。
この配線12の形成方法は特に限定されるものではなく、公知の種々の薄膜形成法を用いることが可能である。
エポキシ樹脂膜は、例えば、熱硬化型エポキシ樹脂系組成物あるいは光硬化型エポキシ樹脂系組成物を塗布し硬化することにより形成される。エポキシ樹脂以外のポリイミドなどの他の樹脂を用いてもよい。
これにより、ダイシングの工程で、図3(a)に示されているダイシングライン2,3を含むダイシング領域2A,3Aが除去されることになり、図3(a)中のP−P線断面図である図3(b)に示すように、切断により端面10aが形成されることになる。このようにして、個々の弾性境界波装置10が取り出される。なお、得られた弾性境界波装置10においては、金属バンプ11a〜11dが設けられているので、バンプ接合により実装基板に搭載することができる。
なお、この実施例1で作製した弾性境界波装置10は、その寸法が、圧電基板1の厚さ:0.250mmであり、チップサイズ(平面サイズ)は、長さ:0.800mm、幅:0.600mmである。
レーザ光の種類 :ランプ励起YAG−FHGレーザ
レーザ光の波長 :266nm(第4高調波)
レーザ出力 :75mmW
ガルバノスピード:20mm/s
周波数 :10kHz
ただし、マーキングは、
文字の線幅 :0.025mm
文字描画加工スピード :41ms/6文字
の条件でを行った。
上述のような条件で、圧電基板(圧電単結晶材料からなる基板)1に吸収される、深紫外(300nm以下(266nm))のレーザ光を、圧電基板1の他方主面(弾性境界波装置の下面)21bに直接照射して、圧電基板1の他方主面21bの表面近傍を溶融除去することにより、圧電基板の一方主面21aに形成されたIDT9などの電極パターンを損傷することなく、その後の洗浄工程などにおいても消失することのないマーキングを行うことができた。
図1に示すように、この実施例1の方法によれば、明瞭な文字をマーキングできることがわかる。
ただし、上述のLiNbO3とLiTaO3とは異なる物性を有する圧電基板を用いる場合においても、条件を適切に調整することにより、上記実施例1の場合と同様の効果を得ることが可能である。
以下、図10を参照しつつ、この実施例2の弾性表面波装置の製造方法について説明する。なお、図10において、図3と同一符号を付した部分は同一または相当する部分を示す。
1A マザー圧電基板
2,3 ダイシングライン
2A,3A ダイシング領域
4,5 給電端子
7 絶縁膜
7a 絶縁膜開口部
8 吸音膜
8a 吸音膜開口部
9 IDT
10 弾性境界波装置
10a 端面
11a〜11d 金属バンプ
12 配線
13 アンダーバンプメタル下地層(UBM下地層)
14 給電ライン
15 アンダーバンプメタル(UBM)
20 弾性表面波装置
21a 圧電基板の一方主面
21b 圧電基板の他方主面
31 ベース基板
Claims (4)
- マザー圧電基板の一方主面に複数の素子用電極パターンを形成する電極パターン形成工程と、
前記マザー圧電基板を素子毎に分割して個片化された圧電基板とする個片化工程と、
前記個片化された圧電基板の他方主面を研磨する研磨工程と、
研磨された前記圧電基板の他方主面に、前記圧電基板に吸収される波長を有するレーザ光を照射してマ一キングを行うマーキング工程と
を備えていることを特徴とする弾性波装置の製造方法。 - マザー圧電基板の一方主面に複数の素子用電極パターンを形成する電極パターン形成工程と、
前記マザー圧電基板を素子毎に分割して個片化された圧電基板とする個片化工程と、
素子毎に個片化された前記圧電基板を複数個、その一方主面がベース基板に対向するように、ベース基板上にフリップチップボンディングするボンディング工程と、
前記ベース基板上にボンディングされた各圧電基板の他方主面を研磨する研磨工程と、
前記ベース基板を個々の弾性波装置毎に分割する分割工程と、
前記分割された各弾性波装置を構成する前記圧電基板の前記他方主面に、前記圧電基板に吸収される波長を有するレーザ光を照射してマ一キングを行うマーキング工程と
を備えていることを特徴とする弾性波装置の製造方法。 - 前記圧電基板が、LiNbO3またはLiTaO3からなるものであることを特徴とする請求項1または2に記載の弾性波装置の製造方法。
- 前記レーザ光の波長が300nm以下であることを特徴とする請求項3記載の弾性波装置の製造方法。
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