JP5256625B2 - 貼り合わせウェーハの評価方法 - Google Patents
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Description
(1)活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハを、絶縁膜を介さずに直接貼り合わせ、活性層用ウェーハを薄膜化することにより形成される貼り合わせウェーハの評価方法において、該貼り合わせウェーハの活性層表面の自然酸化膜を除去する工程と、ウェーハ材料に対するエッチングレートがウェーハ材料の酸化物に対するよりも速いエッチング液を用いて少なくとも活性層全体をエッチング除去する工程と、エッチング除去により露出した島状酸化物を検出する工程とを有し、
前記活性層の厚みをT(nm)、エッチング除去深さをX(nm)としたとき、T≦X≦T+500nmとなるように所定のエッチングを施すことにより、島状酸化物の個数及びサイズを検出することを特徴とする貼り合わせウェーハの評価方法。
図1は、本発明に従う貼り合わせウェーハの評価方法の工程を説明するためのフローチャートである。
自然酸化膜除去工程は、絶縁膜を介さずに直接貼り合わせた貼り合わせウェーハ1(図1(a))の活性層2表面に形成されている自然酸化膜3を、例えば0.5%のHF溶液を用いてエッチングすることにより、図1(b)に示すように除去する工程である。エッチングに用いるHF溶液の濃度は、自然酸化膜を除去できれば特に限定はないが、0.5〜5%が好ましい。また、処理時間についても自然酸化膜の膜厚やHF溶液の濃度によっても異なるが、例えば、0.5〜10分が好ましい。
自然酸化膜除去工程は、図1(c)に示すように、ウェーハ材料、例えばシリコンに対するエッチングレートがウェーハ材料の酸化物、例えばSiO2に対するよりも速い所定のエッチング液を用いて少なくとも活性層2の全体をエッチング除去する工程である。図2は、一例として水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)をエッチング液として用いた場合のエッチングレートを示したグラフであり、図2(a)は、液温が70℃での水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)の濃度とシリコンのエッチングレートの関係、図2(b)は液温が70℃での水酸化テトラメチルアンモニウムの濃度とシリコン酸化物のエッチングレートの関係、(c)はTMAHの濃度が8%の場合のエッチング温度とシリコンのエッチングレートの関係、(d)はTMAHの濃度が8%の場合のエッチング温度とシリコン酸化物のエッチングレートの関係を示す。図2(a)〜(d)より、シリコンのエッチング速度は、酸化物の数千倍も大きいことがわかり、実際に前記貼り合わせウェーハを水酸化テトラメチルアンモニウムのようなエッチング液用いてエッチングした場合、シリコンからなる活性層2及び支持基板4については速いエッチングレートで除去されていくが、島状酸化物3については、図1(c)に示すように、遅いエッチングレートでエッチングされるため、実質的にエッチングされずに残存する。その結果、その後の島状酸化物検出工程で点在する島状酸化物を検出することが容易となる。
影響を受けるデバイス領域を把握する点で、島状酸化物の数だけでなくサイズを特定することが重要であることに着目し、島状酸化物のサイズを検出できる方法について鋭意研究を行った。その結果、前記活性層の厚みをT(nm)、エッチング除去深さをX(nm)としたとき、T≦X≦T+500nmの深さ範囲になるようにエッチングを調整することで、貼り合わせ界面に発生した島状酸化物の正確な個数及びサイズが特定できることを見出した。
島状酸化物検出工程は、図1(d)に示すように、エッチング除去により生じた島状酸化物4を検出する工程である。検出手段としては、島状酸化物の個数及びサイズを特定できる方法であれば特に限定はないが、島状酸化物の個数については、集光灯下での外観目視、光学顕微鏡観察または表面異物検査装置での観察などが一般的であり、島状酸化物のサイズについては、光学顕微鏡、電子顕微鏡による観察などが一般的である。観察結果の例を図4に示す。その他の検出手段としては、電子線マイクロアナライザ(EPMA)や走査型分析電子顕微鏡(SEM−EDX)等を用いることができる。
実施例1は、サイズが300mm、結晶方位が(100)である2枚の同じシリコンウェーハを、活性層用ウェーハ及び支持基板用ウェーハとし、活性層用ウェーハに水素イオンを注入して活性層用ウェーハの内部にイオン注入層を形成した。その後、活性層用ウェーハのイオンを注入した方の面を支持基板用ウェーハと酸化膜を介さずに直接貼り合わせた後、剥離熱処理を加えてイオン注入層を剥離面として活性層用ウェーハを部分的に剥離した。剥離後、熱処理による活性層表面のダメージ除去及び平坦化を施し、活性層の厚みが150nmの絶縁膜のない貼り合わせウェーハの評価用サンプルを作製した。
実施例2は、サイズが共に300mmで、結晶方位が(110)であるシリコンウェーハを活性層用ウェーハ、(100)であるシリコンウェーハを支持基板ウェーハとして、酸化膜を介さずに直接貼り合わせた後、接着力を高めるために1200℃の熱処理を施した。その後、活性層用ウェーハを研削・研磨及びエッチングにより薄膜化し、熱処理による活性層表面のダメージ除去及び平坦化を施し、活性層の厚みが1000nmの絶縁膜のない貼り合わせウェーハの評価用サンプルを作製した。得られた貼り合わせウェーハを濃度0.5%のHF水溶液で10分間洗浄し、表面の自然酸化膜を除去した後、濃度8%のTMAH水溶液を用いて70℃で活性層表面から800nmの深さでエッチングし、評価用サンプルを作製した。
上記で作製した各評価用サンプルを、濃度0.5%のHF水溶液で10分間洗浄し、表面の自然酸化膜を除去した後、濃度8%の水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)の水溶液を用いて活性層表面からエッチングを施していった。実施例1については、活性層表面から50nmの深さごとにエッチングを施して島状酸化物の数及びサイズを光学顕微鏡(20〜1000倍倍)により計測し、実施例2については、活性層表面から800nmの深さ位置から100nmの深さごとにエッチングを施して島状酸化物の数及びサイズを光学顕微鏡(20〜1000倍)により計測した。実施例1及び実施例2のサンプルについて、それぞれ計測したエッチング深さ、島状の酸化物の数及びサイズの計測結果を表1及び表2に示し、計測結果をグラフに整理したものを図5及び図6に示す。
2 活性層
3 自然酸化膜
4 島状酸化物
5 支持基板
Claims (3)
- 活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハを、絶縁膜を介さずに直接貼り合わせ、活性層用ウェーハを薄膜化することにより形成される貼り合わせウェーハの評価方法において、
該貼り合わせウェーハの活性層表面の自然酸化膜を除去する工程と、ウェーハ材料に対するエッチングレートがウェーハ材料の酸化物に対するよりも速いエッチング液を用いて少なくとも活性層全体をエッチング除去する工程と、エッチング除去により露出した島状酸化物を検出する工程とを有し、
前記活性層の厚みをT(nm)、エッチング除去深さをX(nm)としたとき、T≦X≦T+500nmとなるように所定のエッチングを施すことにより、貼り合わせ界面に点在する島状酸化物の数及びサイズを検出することを特徴とする貼り合わせウェーハの評価方法。 - 前記エッチング除去は、事前にエッチング除去に用いるエッチング液の種類、濃度及び温度を把握し、前記ウェーハ材料及び酸化物のエッチングレートから適正なエッチング時間を算出することによって、エッチング除去深さXを、T≦X≦T+500nmの範囲内に調整することを特徴とする請求項1記載の貼り合わせウェーハの評価方法。
- 前記エッチング液は、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化カリウムまたは水酸化ナトリウムのアルカリ溶液であることを特徴とする請求項1または2記載の貼り合わせウェーハの評価方法。
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