JP5244002B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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Claims (3)
- 主面がオフ角を有する六方晶シリコンカーバイドからなり、第1導電型の半導体基板と、該半導体基板の一面上に形成され、該半導体基板より不純物濃度が低いシリコンカーバイドからなる第1導電型のエピタキシャル成長層と、該エピタキシャル成長層上に形成され、該エピタキシャル成長層よりも不純物濃度が高い第2導電型層と、素子周辺に形成され、素子耐圧を確保するガードリングと、前記第2導電型層の露出面の一部に設けられ、該第2導電型層とオーミックコンタクトするオーミック電極と、前記半導体基板の他面に形成される基板側電極とを有するPINダイオードを含む半導体装置において、
前記半導体基板の法線に対して<0001>軸が傾いた方向及び該方向の逆方向に延出する方向に、前記ガードリングの端部との間の寸法が異なるように複数のオーミック電極を配置し、
前記<0001>軸が傾いた方向のオーミック電極と前記ガードリングとの間の前記第2導電型層の抵抗が、前記逆方向のオーミック電極と前記ガードリングとの間の前記第2導電型層の抵抗より大きくなるように、1または2以上の前記オーミック電極を前記PINダイオードの一方の電極とし、前記基板側電極を前記PINダイオードの他方の電極とすることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、前記一方の電極を構成する前記オーミック電極と前記ガードリングの端部の間の寸法は、前記<0001>軸が傾いた方向の前記オーミック電極端と前記ガードリング端との間の寸法の方が、前記逆方向の前記オーミック電極端から前記ガードリング端との間の寸法より大きいことを特徴とする半導体装置。
- 主面がオフ角を有する六方晶シリコンカーバイドからなり、第1導電型の半導体基板と、該半導体基板の一面上に形成され、該半導体基板より不純物濃度が低いシリコンカーバイドからなる第1導電型のエピタキシャル成長層と、該エピタキシャル成長層上に形成され、該エピタキシャル成長層よりも不純物濃度が高い第2導電型層と、素子周辺に形成され、素子耐圧を確保するガードリングと、前記第2導電型層の露出面の一部に設けられ、該第2導電型層とオーミックコンタクトするオーミック電極と、前記半導体基板の他面に基板側電極とを形成するPINダイオードを含む半導体装置の製造方法において、
前記ガードリングに囲まれた前記第2導電型層上に、前記半導体基板の法線に対して<0001>軸が傾いた方向及び該方向の逆方法に延出する方向に、前記ガードリングの端部との間の寸法が異なるように複数のオーミック電極を形成する工程と、
複数の前記オーミック電極の内、前記<0001>軸が傾いた方向のオーミック電極と前記ガードリングとの間の前記第2導電型の抵抗が、前記逆方向のオーミック電極と前記ガードリングとの間の前記第2導電型層の抵抗より大きくなるように、前記複数のオーミック電極の内、1または2以上のオーミック電極を、前記PINダイオードの一方の電極として選択する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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