JP5243513B2 - 流体制御弁の弁座構造 - Google Patents
流体制御弁の弁座構造 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5243513B2 JP5243513B2 JP2010238305A JP2010238305A JP5243513B2 JP 5243513 B2 JP5243513 B2 JP 5243513B2 JP 2010238305 A JP2010238305 A JP 2010238305A JP 2010238305 A JP2010238305 A JP 2010238305A JP 5243513 B2 JP5243513 B2 JP 5243513B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- valve
- valve seat
- seat member
- valve body
- fluid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K7/00—Diaphragm valves or cut-off apparatus, e.g. with a member deformed, but not moved bodily, to close the passage ; Pinch valves
- F16K7/12—Diaphragm valves or cut-off apparatus, e.g. with a member deformed, but not moved bodily, to close the passage ; Pinch valves with flat, dished, or bowl-shaped diaphragm
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K1/00—Lift valves or globe valves, i.e. cut-off apparatus with closure members having at least a component of their opening and closing motion perpendicular to the closing faces
- F16K1/32—Details
- F16K1/34—Cutting-off parts, e.g. valve members, seats
- F16K1/42—Valve seats
- F16K1/425—Attachment of the seat to the housing by plastical deformation, e.g. valve seat or housing being plastically deformed during mounting
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16J—PISTONS; CYLINDERS; SEALINGS
- F16J3/00—Diaphragms; Bellows; Bellows pistons
- F16J3/02—Diaphragms
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Lift Valve (AREA)
- Details Of Valves (AREA)
Description
特許文献2では、図9に示すように、弁座350に対するダイヤフラム押え365のストロークΔSを、メタルダイヤフラム360中央部で弁座350からの最大膨出高さΔhの約55〜70%に相当する高さに設定することにより、メタルダイヤフラム弁301のCv値を0.55〜0.8とすることができるとされている。
このメタルダイヤフラム弁では、閉弁状態になったときに、弁体(図示省略)が弁座部材150により深く食い込んで確実に密着することで、弁体と弁座部材150とのシール性が高くなっている。
メタルダイヤフラム弁は、弁体が弁座に当接または離間することにより、高温ガス等の流体の流れを制御する弁であり、閉弁状態では、弁体が弁座に食い込んで弁座と密着することで、流体の流れが遮断される。また、開弁状態では、弁室を流れる流体の流量は、弁座と弁体とが離間したときのストロークで決定される。
弁体が弁座に当接して閉弁したときには、弁座は、弁体から押圧力を受けて、弁体と当接した部分で大きく沈み込む。一方、この状態から開弁すると、弁体からの押圧力による反力が弁座に作用して、弁座の沈み込んだ部分が、沈み込む前の形状に復元しようとする。
すなわち、開弁直後では、弁座が沈み込み、かつ弁座は高温ガスが流通する前の冷えた温度となっており、弁座は弁体からより離れ、弁座と弁体とのストロークは大きくなっている。
その一方、開弁後、所定時間が経過すると、弁座が復元し、かつ弁座は、流通する高温ガスの温度まで上昇し膨張しているため、弁座は弁体により近づき、弁座と弁体とのストロークは小さくなる。
従って、開弁直後と、開弁後、所定時間経過した後とでは、弁座と弁体とのストロークが変化することから、開弁時に高温ガスが弁室を流通している間、高温ガスの流量(Cv値)は、開弁直後と、開弁後、所定時間経過後とで変動する。
しかしながら、閉弁時に、メタルダイヤフラム260と弁座250とが金属同士で接触するため、弁座250に傷が発生し易く、メタルダイヤフラム260との接触回数がたった5万回程度でシール性能が低下はじめるという弁座250の耐久性に問題が生じる。
一方、弁座250が、金属製の弁座より耐久性の高い樹脂製であるにしても、高温下でメタルダイヤフラム260の開閉によって変形が大きく生じる易い弁座250の形状について、何ら工夫がなされていない。
しかしながら、特許文献2は、弁座350を、金属より軟化し易いPFA等の合成樹脂製で形成しているのにも拘わらず、メタルダイヤフラム360の開閉によって変形が大きく生じる易い弁座350の形状について、何ら工夫がなされていない。
(1)弁体と、入力ポートと出力ポートとが形成されたボディと、該ボディに設けた弁座部材とを有し、弁座部材に対し、弁体が当接または離間することにより、高温流体の流れを制御する流体制御弁の弁座構造において、弁座部材は、フッ素系樹脂からなり、リング状に形成され、弁体が当接する弁体当接離間部を有し、弁座部材の径方向に対する弁体当接離間部の肉厚を、第1肉厚t1(0<t1)とすると、当該流体制御弁の軸線方向に沿う方向に対し、弁座部材の高さである第2肉厚t2が、0.5t1≦t2≦1.5t1の範囲内で形成され、前記高温流体が流れ続けている間、Cv値の変動が0.2以下であることを特徴とする。
(2)(1)に記載する流体制御弁の弁座構造において、弁座部材は、ボディと別体であり、ボディにかしめによって固定されていることを特徴とする。
(3)(2)に記載する流体制御弁の弁座構造において、弁座部材は、弁体当接離間部の下方に位置する弁座固定部を有し、弁座固定部は、第1肉厚t1より幅広で形成され、弁座部材は、弁座固定部をボディの一部で弁座部材の径方向に挟持して固定されていることを特徴とする。
(1)弁体と、入力ポートと出力ポートとが形成されたボディと、該ボディに設けた弁座部材とを有し、弁座部材に対し、弁体が当接または離間することにより、流体の流れを制御する流体制御弁の弁座構造において、弁座部材は、リング状に形成され、弁体が当接する弁体当接離間部を有し、弁座部材の径方向に対する弁体当接離間部の肉厚を、第1肉厚t1(0<t1)とすると、当該流体制御弁の軸線方向に沿う方向に対し、弁座部材の高さである第2肉厚t2が、0.5t1≦t2≦1.5t1の範囲内で形成されているので、例えば、半導体製造工程において、H2ガス、Arガス等を約200℃まで加熱した高温ガスの流れを、本発明の流体制御弁の弁座構造で構成した流体制御弁(以下、単に「発明流体制御弁」という。)で制御する場合、閉弁状態から開弁操作後、高温ガスが、長時間にわたり入力ポートから弁室を通じて出力ポートに流れ続けたときに、弁座部材と弁体とのストロークで、開弁直後と、開弁後、所定時間経過した後とのストローク差を、小さく抑制できるようになり、発明流体制御弁の弁室を流れる流体(一例として高温ガス)の流量変動を小さくすることができる。
よって、弁の流量制御精度として、開弁後のCv値の低下を、近年、半導体製造等の精密部品製造分野で求められている0.2以内に抑えることができ、開弁状態で流れる流体の流量のバラツキを小さく抑制することができる。
その一方で、閉弁状態になったときには、弁体が弁座部材にしっかりと食い込み、弁座部材と密着して高いシール性が確保でき、出力ポートに向けた高温ガス等の流体の流れが、洩れなく遮断できる。
弁体による押圧力が弁座部材の弁体当接離間部に作用したとき、第2肉厚を第1肉厚の2.7倍程度に形成した従来のメタルダイヤフラム弁の弁座構造では、弁体当接離間部の沈み込み量が、例えば、0.5mmである。これに対し、本発明の流体制御弁の弁座構造では、同じ大きさの押圧力であっても、沈み込み量が0.25mm等と、半分程度等に小さくなる。
また、開弁後、反力により弁体に向けた弁座部材の復元量も、沈み込み量と同様、半分程度等となる。
すなわち、発明流体制御弁により、例示した高温ガス(流体)の流れを制御する場合、閉弁状態から開弁操作後、高温ガスが、長時間にわたり入力ポートから弁室を通じて出力ポートに流れ続けたとき、弁座部材と弁体との実質的なストロークについて、開弁直後と、開弁後、所定時間経過した後とを比較しても、ストローク差が少なくなっている。
その結果、開弁時に高温ガスが弁室を流れ続けている間、高温ガスの流量の変動をより小さく抑えることができ、従来では、開弁後のCv値が0.4も低下していたものが、本発明の流体制御弁の弁座構造では、近年、半導体製造等の精密部品製造分野で要求される0.2以内に抑えることができる。
Cv値とは、流体制御弁の弁体を所定開度に開弁した状態において、「入力ポート側と出力ポート側との圧力差が1psi(6.895kPa)に保って、60°F(約15.5℃)の清水を流した場合の清水の流量を、USgal/min(1USgal=3.785L)(gpm)で表わした数値」と定義された無次元の数値である。
Cv値は、流体流量計や流体圧力計等の周知の計測機器を用いて実測で求められ、弁体の弁開度を全開にしたときに、約15.5℃の清水が、差圧6.895kPaで、流量3.785Lで流れるときを、Cv値=1としている。Cv値は次式により算出する。
Cv値=Q・(G/ΔP)^(1/2)
Q(gpm):流体の流量、G:流体の比重、ΔP(psi):流体の圧力差
すなわち、本発明の流体制御弁の弁座構造は、例えば、弁座部材と弁体とのストロークが0.9mm、弁開度全開で開弁直後のCv値が0.7等の発明流体制御弁を対象としている。開弁後のCv値の低下を0.2以内に抑えたいという要求は、半導体製造等の精密部品製造分野では、発明流体制御弁のような流体制御弁が多く使用されており、市場が要求する製品の高精度化、及び製品の高品質化を、精密部品製造業界が実現するために、精密部品製造業界から出されたものである。この要求は、開弁後、所定時間経過後に、開弁直後のCv値0.7の30%減までに相当するCv値0.5までの低下に留めることで、精密部品(製品)の品質を確保する目安になるとされている。
従って、本発明の流体制御弁の弁座構造では、弁体とのシール性を確保しつつ、制御する流体を流し続けている間、その流量変動を小さく抑制することができる、という優れた効果を奏する。
なお、フッ素系樹脂としては、例えば、PFA(テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体)、PI(ポリイミド)、PVDF(ポリビニリデンフルオライド)(2フッ化)、PCTFE(ポリクロロトリフルオロエチレン)(3フッ化)、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)(4フッ化)等が挙げられる。
以下、本発明に係る流体制御弁の弁座構造について、実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
実施形態に係る流体制御弁は、例えば、半導体製造工程や液晶パネル製造工程等において、約200℃まで加熱したH2ガス、Arガス等の高温ガス(流体)を、半導体製造装置等に供給またはその遮断をするにあたり、この高温ガスの流れを制御するガス制御弁1である。実施形態では、このようなガス制御弁1の弁座構造について、説明する。
ガス制御弁1(流体制御弁)は、ダイヤフラム弁体60(弁体)と、入力ポート41と出力ポート42とが形成されたボディ40と、このボディ40に設けた弁座部材50とを有し、弁座部材50に対し、ダイヤフラム弁体60が当接または離間することにより、高温ガスの流れを制御する。
エア制御部2は、本実施形態では、2つの第1シリンダ10、第2シリンダ15と、2つの第1ピストン21、第2ピストン22と、区画部材23等を有し、何れもステンレス材等の金属からなる。第1シリンダ10には、操作ポート11、第1排気ポート12及び第2排気ポート13が形成されている。第1シリンダ10と第2シリンダ15とは、螺合により一体化されている。第1シリンダ10と第2シリンダ15との間には、区画部材23が挟み込まれ、第1,第2シリンダ10,15のシリンダ内部が、区画部材23によって第1加圧室25と第2加圧室26とに分けられている。第1シリンダ10には、第1ピストン21のための第1呼吸孔12と、第2ピストン22のための第2呼吸孔13とが、それぞれ形成されている。
弁制御部3は、ボディ40、弁座部材50、ダイヤフラム弁体60、弁体押え65、ステム66、バネ67、ガイド部材71、バネ支持部材72、連結部材73、及び固定部材74等を有し、何れもステンレス材等の金属からなる。
ボディ40は、図1及び図2に示すように、入力ポート41と出力ポート42とを有している。入力ポート41と出力ポート42との間には、ボディ40とは別体である弁座部材50が設けられている。また、ボディ40には、弁座部材50を挿着する溝として、把持部43,43が、軸線AXを中心に、径方向CRの外側と内側にそれぞれ環状に形成されている。
弁座部材50は、図2に示すように、弁座固定部52を把持部43,43の間に配置され、径方向CRの径内側にある把持部43と径外側にある把持部43とを、互いに向き合う方向にかしめることにより、径方向CRに挟持してボディ40に固定されている。
具体的には、弁座部材50は、弁体当接離間部51の下方に位置する弁座固定部52を有し、弁座固定部52は、第1肉厚t1より幅広で形成され、弁座部材50は、弁座固定部52をボディ40の一部である把持部43,43により、弁座部材50の径方向CRに挟持して固定されている。
ガイド部材71は、ボディ40と連結部材73との螺合によりボディ40内に固定され、この連結部材73と固定部材74との螺合により、バネ支持部材72が連結部材73と一体化されている。
Cv値とは、流体制御弁の弁体を所定開度に開弁した状態において、「入力ポート側と出力ポート側との圧力差が1psi(6.895kPa)に保って、60°F(約15.5℃)の清水を流した場合の清水の流量を、USgal/min(1USgal=3.785L)(gpm)で表わした数値」と定義された無次元の数値である。
Cv値は、流体流量計や流体圧力計等の周知の計測機器を用いて実測で求められ、弁体の弁開度を全開にしたときに、約15.5℃の清水が、差圧6.895kPaで、流量3.785Lで流れるときを、Cv値=1としている。Cv値は次式により算出する。
Cv値=Q・(G/ΔP)^(1/2)
Q(gpm):流体の流量、G:流体の比重、ΔP(psi):流体の圧力差
操作ポート11にパイロットエアが供給されないと、ステム66は、バネ67の付勢力により弁体押え65と当接し、弁体押え65を介してダイヤフラム弁体60の径方向CR中央部を押圧する。これにより、図1に示すように、ダイヤフラム弁体60が弁座部材50の弁体当接離間部51に当接し閉弁されて、入力ポート41から出力ポート42に向けた高温ガスの流れが遮断される。
ガス制御弁1が閉弁状態にあるときには、第1貫通孔31Hが第1加圧室25と連通すると共に、第2貫通孔32Hが第2加圧室26と連通する。
開弁したダイヤフラム弁体60を閉弁させるときには、第1加圧室25及び第2加圧室26で加圧されたパイロットエアを、操作ポート11を通じて排気する。
本実施例は、第2肉厚t2が、図2に示す弁座部材50の形状のように、t2=1.25t1の場合であり、具体的には、例えば、弁体当接離間部51の肉厚をt1=1.2(mm)、弁座部材50の高さt2=1.5(mm)の場合である。
実施例1では、ガス制御弁1が閉弁状態にあり、開弁操作後、高温ガスが、長時間にわたり入力ポート41から弁室を通じて出力ポート42に流れ続けたとき、開弁後、所定時間経過したときに、全開時のダイヤフラム弁体60と弁座部材50の弁体当接離間部51とのストロークStと、このときのCv値とを測った。
本実施例では、200℃の雰囲気下、図5に示すように、開弁直後のストロークStは、St=0.9(mm)であり、開弁後、所定時間経過した後のストロークStは、St=0.7(mm)であった。
また、開弁直後、ストロークStがSt=0.9(mm)であるときのCv値は0.7であり、開弁後、所定時間経過後のストロークStがSt=0.7(mm)であるときのCv値は0.5であった。
つまり、開弁直後と、開弁後、所定時間経過後とでは、ストローク差がΔSt=0.2(mm)の減少と、Cv値の差が0.2の低下に留まった。
また、開弁直後、ストロークStがSt=0.9(mm)であるときのCv値は0.7であるものの、開弁後、所定時間経過後のストロークStがSt=0.5(mm)であるときのCv値は0.3まで低下していた。
つまり、開弁直後と、開弁後、所定時間経過後とでは、ストローク差がΔSt=0.4(mm)の減少と、Cv値の差が0.4まで低下した。
ガス制御弁1は、ダイヤフラム弁体60が弁座部材50に当接または離間することにより、高温ガス等の流体の流れを制御する弁であり、閉弁状態では、ダイヤフラム弁体60が弁座部材50の弁体当接離間部51に食い込んで弁体当接離間部51と密着することで、高温ガス等の流れが遮断される。また、開弁状態では、弁室を流れる高温ガス等の流量は、弁座部材50とダイヤフラム弁体60とが離間したときのストロークStで決定される。
ダイヤフラム弁体60が弁座部材50の弁体当接離間部51に当接して閉弁したときには、弁体当接離間部51は、ダイヤフラム弁体60から押圧力を受けて、ダイヤフラム弁体60と当接した部分で大きく沈み込む。一方、この状態から開弁すると、ダイヤフラム弁体60からの押圧力による反力が弁座部材50に作用して、弁座部材50の沈み込んだ部分が、沈み込む前の形状に復元しようとする。
すなわち、開弁直後では、弁体当接離間部51が沈み込み、かつ弁体当接離間部51は高温ガスが流通する前の冷えた温度となっており、弁体当接離間部51はダイヤフラム弁体60からより離れ、弁体当接離間部51とダイヤフラム弁体60とのストロークStは大きくなっている。
従って、開弁直後と、開弁後、所定時間経過した後とでは、弁体当接離間部51とダイヤフラム弁体60とのストロークStが変化することから、開弁時に高温ガスが弁室を流通している間、高温ガスの流量(Cv値)は、開弁直後と、開弁後、所定時間経過後とで変動する。
これに対し、本実施形態に係るガス制御弁1の弁座構造では、同じ大きさの押圧力であっても、弁体当接離間部51の沈み込み量が0.25mm等と、半分程度等に小さくなる。また、開弁後、反力によりダイヤフラム弁体60に向けた弁座部材50の弁体当接離間部51の復元量も0.15mmと、沈み込み量と同様、半分程度等となる。
すなわち、ガス制御弁1により、例示した高温ガス(流体)の流れを制御する場合、閉弁状態から開弁操作後、高温ガスが、長時間にわたり入力ポート41から弁室を通じて出力ポート42に流れ続けたとき、弁座部材50とダイヤフラム弁体60との実質的なストロークStについて、開弁直後と、開弁後、所定時間経過した後とを比較しても、ストローク差が少なくなっている。
その結果、開弁時に高温ガスが弁室を流れ続けている間、高温ガスの流量の変動をより小さく抑えることができ、従来では、開弁後のCv値が0.4も低下していたものが、本実施形態のガス制御弁1の弁座構造では、近年、半導体製造等の精密部品製造分野で要求される0.2以内に抑えることができる。
弁座部材50Aは、実施例1と同様、図3に示すように、弁座固定部52Aを把持部43,43の間に配置され、径方向CRの径内側にある把持部43と径外側にある把持部43とを、互いに向き合う方向にかしめることにより、径方向CRに挟持してボディ40に固定されている。
本実施例では、第2肉厚t2が、図3に示す弁座部材50Aの形状のように、t2=0.63t1の場合であり、具体的には、例えば、弁体当接離間部51Aの肉厚をt1=2.2(mm)、弁座部材50の高さt2=1.5(mm)の場合である。この場合、弁体当接離間部51Aの沈み込み量が0.13mm、弁体当接離間部51Aの復元量が0.10mmであった。
変形例では、弁座部材50Bは、図4に示すように、弁座固定部52Bi,52Boを把持部43,43の間に配置され、径方向CRの径内側にある把持部43と径外側にある把持部43とを、互いに向き合う方向にかしめることにより、径方向CRに挟持してボディ40に固定されている。
弁座固定部52Bは、実施例2の弁体当接離間部52Aと同様であるが、ボディ40において、径方向CRに対し、把持部43,43の間に中間突起部44が立設され、この中間突起部44を挟んで、径方向CRの径内側に位置する弁座固定部52Biと、径外側に位置する弁座固定部52Boとが配置されている。弁座部材50Bは、その弁座固定部52Bi,52Boと中間突起部44とによって位置決めされ、把持部43,43及び中間突起部44でしっかりと押圧されて固定できている。
本実施形態では、ダイヤフラム弁体60と、入力ポート41と出力ポート42とが形成されたボディ40と、該ボディ40に設けた弁座部材50とを有し、弁座部材50に対し、ダイヤフラム弁体60が当接または離間することにより、高温ガスの流れを制御するガス制御弁1の弁座構造において、弁座部材50は、リング状に形成され、ダイヤフラム弁体60が当接する弁体当接離間部51を有し、弁座部材50の径方向CRに対する弁体当接離間部51の肉厚を、第1肉厚t1(0<t1)とすると、当該ガス制御弁1の軸線方向AXに沿う方向に対し、弁座部材50の高さである第2肉厚t2が、0.5t1≦t2≦1.5t1の範囲内で形成されているので、例えば、半導体製造工程において、H2ガス、Arガス等を約200℃まで加熱した高温ガスの流れを、本実施形態のガス制御弁1の弁座構造で構成したガス制御弁1で制御する場合、閉弁状態から開弁操作後、高温ガスが、長時間にわたり入力ポート41から弁室を通じて出力ポート42に流れ続けたときに、弁座部材50の弁体当接離間部51とダイヤフラム弁体60とのストロークStで、開弁直後と、開弁後、所定時間経過した後とのストローク差を、小さく抑制できるようになり、ガス制御弁1の弁室を流れる高温ガス(流体)の流量変動を小さくすることができる。
その一方で、閉弁状態になったときには、ダイヤフラム弁体60が弁座部材50の弁体当接離間部51にしっかりと食い込み、弁座部材50の弁体当接離間部51と密着して高いシール性が確保でき、出力ポート42に向けた高温ガス等の流体の流れが、洩れなく遮断できる。
従って、本実施形態に係るガス制御弁1では、ダイヤフラム弁体60とのシール性を確保しつつ、制御する高温ガスを流し続けている間、その流量変動を小さく抑制することができる、という優れた効果を奏する。
なお、フッ素系樹脂としては、PFA(テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体)の他に、例えば、PI(ポリイミド)、PVDF(ポリビニリデンフルオライド)(2フッ化)、PCTFE(ポリクロロトリフルオロエチレン)(3フッ化)、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)(4フッ化)等が挙げられる。
(1)例えば、実施形態では、エア制御部2に、2つの第1,第2シリンダ10,15と第1,第2ピストン21,22とを設けて、バネ67の付勢力に抗する加圧力を発生させたが、エア制御部2に配設するシリンダ及びピストンの数量は、適宜変更可能である。
(2)また、実施形態では、操作ポート11からパイロットエアを供給したときに、開弁するノーマルクローズタイプのガス制御弁1を挙げたが、操作ポートからパイロットエアを供給したときに、閉弁するノーマルオープンタイプの流体制御弁でも良い。
40 ボディ
41 入力ポート
42 出力ポート
50 弁座部材
51 弁体当接離間部
52 弁座固定部
60 ダイヤフラム弁体
AX 軸線方向
CR 径方向
Claims (3)
- 弁体と、入力ポートと出力ポートとが形成されたボディと、該ボディに設けた弁座部材とを有し、前記弁座部材に対し、前記弁体が当接または離間することにより、高温流体の流れを制御する流体制御弁の弁座構造において、
前記弁座部材は、フッ素系樹脂からなり、リング状に形成され、前記弁体が当接する弁体当接離間部を有し、
前記弁座部材の径方向に対する前記弁体当接離間部の肉厚を、第1肉厚t1(0<t1)とすると、
当該流体制御弁の軸線方向に沿う方向に対し、前記弁座部材の高さである第2肉厚t2が、0.5t1≦t2≦1.5t1の範囲内で形成され、
前記高温流体が流れ続けている間、Cv値の変動が0.2以下であることを特徴とする流体制御弁の弁座構造。 - 請求項1に記載する流体制御弁の弁座構造において、
前記弁座部材は、前記ボディと別体であり、前記ボディにかしめによって固定されていることを特徴とする流体制御弁の弁座構造。 - 請求項2に記載する流体制御弁の弁座構造において、
前記弁座部材は、前記弁体当接離間部の下方に位置する弁座固定部を有し、
前記弁座固定部は、前記第1肉厚t1より幅広で形成され、
前記弁座部材は、前記弁座固定部を前記ボディの一部で前記弁座部材の径方向に挟持して固定されていることを特徴とする流体制御弁の弁座構造。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010238305A JP5243513B2 (ja) | 2010-10-25 | 2010-10-25 | 流体制御弁の弁座構造 |
US13/272,705 US8960644B2 (en) | 2010-10-25 | 2011-10-13 | Valve seat structure of fluid control valve |
TW100137257A TWI448638B (zh) | 2010-10-25 | 2011-10-14 | 流體控制閥的閥座構造 |
KR1020110108429A KR101312379B1 (ko) | 2010-10-25 | 2011-10-24 | 유체제어밸브의 밸브시트 구조 |
CN201110342796.5A CN102454808B (zh) | 2010-10-25 | 2011-10-25 | 流体控制阀的阀座结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010238305A JP5243513B2 (ja) | 2010-10-25 | 2010-10-25 | 流体制御弁の弁座構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012092861A JP2012092861A (ja) | 2012-05-17 |
JP5243513B2 true JP5243513B2 (ja) | 2013-07-24 |
Family
ID=45972177
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010238305A Active JP5243513B2 (ja) | 2010-10-25 | 2010-10-25 | 流体制御弁の弁座構造 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8960644B2 (ja) |
JP (1) | JP5243513B2 (ja) |
KR (1) | KR101312379B1 (ja) |
CN (1) | CN102454808B (ja) |
TW (1) | TWI448638B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10718438B2 (en) | 2017-12-08 | 2020-07-21 | Kitz Sct Corporation | Fluid control valve and fluid control valve assembling method |
US10883615B2 (en) | 2017-03-30 | 2021-01-05 | Kitz Sct Corporation | Metal diaphragm valve |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5985314B2 (ja) * | 2012-09-07 | 2016-09-06 | 株式会社堀場エステック | 弁要素及び流体制御弁 |
JP6218470B2 (ja) * | 2013-07-18 | 2017-10-25 | 株式会社フジキン | ダイヤフラム弁 |
JP6232224B2 (ja) * | 2013-07-26 | 2017-11-15 | 株式会社フジキン | ダイヤフラム弁 |
KR102119064B1 (ko) * | 2013-08-26 | 2020-06-05 | 파커-한니핀 코포레이션 | 고 사이클 및 속도 밸브 |
JP5948301B2 (ja) * | 2013-10-25 | 2016-07-06 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 記録媒体収納装置及びそれを備えた画像形成装置 |
PL3193052T3 (pl) * | 2016-01-15 | 2019-11-29 | Danfoss As | Zawór i element gniazda zaworu |
JP6630236B2 (ja) * | 2016-06-02 | 2020-01-15 | Ckd株式会社 | 真空弁及びそれを用いた真空圧力制御システム |
JP6307557B2 (ja) * | 2016-06-17 | 2018-04-04 | Ckd株式会社 | 流体制御弁 |
US10006564B2 (en) | 2016-08-10 | 2018-06-26 | Ckd Corporation | Corrosion resistant coating for process gas control valve |
CN109690157B (zh) * | 2016-10-18 | 2020-03-20 | 三浦工业株式会社 | 单向阀 |
JP6793026B2 (ja) * | 2016-12-13 | 2020-12-02 | 株式会社堀場エステック | バルブ装置及びバルブ制御装置 |
JP6914044B2 (ja) * | 2017-01-31 | 2021-08-04 | 株式会社キッツエスシーティー | ダイヤフラムバルブ |
JP6981815B2 (ja) * | 2017-08-31 | 2021-12-17 | アズビル株式会社 | バルブメンテナンス支援装置および方法 |
JP6963458B2 (ja) * | 2017-10-20 | 2021-11-10 | 株式会社ミクニ | バルブ装置 |
US10774938B2 (en) * | 2017-11-09 | 2020-09-15 | Swagelok Company | Diaphragm valve with metal seat |
WO2019131038A1 (ja) * | 2017-12-30 | 2019-07-04 | 株式会社フジキン | バルブ装置およびその製造方法 |
US11402029B2 (en) * | 2018-04-06 | 2022-08-02 | Fujikin Incorporated | Valve device, fluid control system, fluid control method, semiconductor manufacturing system, and semiconductor manufacturing method |
US10544876B2 (en) * | 2018-04-18 | 2020-01-28 | Chin-Yuan Chen | Solenoid valve for irrigation systems |
JP7143161B2 (ja) * | 2018-09-14 | 2022-09-28 | Ckd株式会社 | 流体制御弁 |
JP2020122534A (ja) * | 2019-01-31 | 2020-08-13 | 株式会社フジキン | ダイヤフラムバルブの製造方法 |
KR20210126724A (ko) * | 2019-02-19 | 2021-10-20 | 가부시키가이샤 후지킨 | 밸브 |
WO2021065090A1 (ja) * | 2019-10-02 | 2021-04-08 | Smc株式会社 | 高圧流体吐出装置 |
JP7401896B2 (ja) * | 2019-10-29 | 2023-12-20 | 株式会社フジキン | バルブ |
KR102392361B1 (ko) * | 2019-12-06 | 2022-04-29 | 주식회사 유니락 | 공압 구동 밸브 |
KR102614981B1 (ko) * | 2019-12-06 | 2023-12-19 | 주식회사 유니락 | 퀵 오픈 밸브 |
JP7480981B2 (ja) * | 2020-01-29 | 2024-05-10 | 株式会社フジキン | バルブ装置 |
JPWO2021192753A1 (ja) * | 2020-03-26 | 2021-09-30 | ||
CN114643306B (zh) * | 2022-05-19 | 2022-08-02 | 成都成高阀门有限公司 | 一种阀门的阀座压制工装 |
JP2024057796A (ja) * | 2022-10-13 | 2024-04-25 | Ckd株式会社 | 流体制御弁 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2621011A (en) * | 1946-11-20 | 1952-12-09 | Maytag Co | High-pressure valve seal |
US4474208A (en) * | 1983-04-13 | 1984-10-02 | Baird Manufacturing Company | Safety valve |
US4741510A (en) * | 1987-09-04 | 1988-05-03 | Baumann Hans D | Flow control valve |
JPH0448470U (ja) * | 1990-08-29 | 1992-04-24 | ||
US5131627A (en) * | 1990-10-17 | 1992-07-21 | Nupro Company | Diaphragm valve |
JPH0643429U (ja) * | 1992-11-12 | 1994-06-10 | 株式会社ベンカン | 閉弁ロック機構付ダイヤフラム弁 |
US5326078A (en) * | 1993-07-08 | 1994-07-05 | Benkan Corporation | Metal diaphragm valve |
JP2739125B2 (ja) * | 1995-10-17 | 1998-04-08 | 平田バルブ工業株式会社 | 弁座の製造方法 |
JP4587419B2 (ja) * | 2000-11-16 | 2010-11-24 | 株式会社フジキン | メタルダイヤフラム弁 |
JP4700234B2 (ja) * | 2001-07-31 | 2011-06-15 | 株式会社フジキン | ダイヤフラム弁 |
JP4288645B2 (ja) * | 2002-05-07 | 2009-07-01 | 日立金属株式会社 | メタルダイヤフラム弁の弁座シートの固定方法及びその固定冶具 |
EP1676067B1 (en) * | 2003-10-17 | 2010-03-31 | Sundew Technologies, LLC | Fail safe pneumatically actuated valve |
JP3861206B2 (ja) * | 2003-12-08 | 2006-12-20 | 株式会社フジキン | 流体制御器 |
JP2005188672A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Neriki:Kk | バルブ装置 |
US6997440B2 (en) * | 2004-03-29 | 2006-02-14 | Tescom Corporation | Packless valve apparatus |
JP2006090386A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Kitz Sct:Kk | ダイヤフラムバルブ |
TWM276133U (en) * | 2004-12-07 | 2005-09-21 | Metal Ind Res & Dev Ct | Pushing block applied in the valve |
US7370664B2 (en) * | 2005-01-31 | 2008-05-13 | Swagelok Company | Flow control device |
CN101166927B (zh) * | 2005-04-13 | 2011-05-04 | 喜开理株式会社 | 误动作防止手动阀 |
JP5054904B2 (ja) * | 2005-08-30 | 2012-10-24 | 株式会社フジキン | ダイレクトタッチ型メタルダイヤフラム弁 |
JP2008151270A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Kitz Sct:Kk | メタルダイヤフラム弁 |
JP4971030B2 (ja) | 2007-05-21 | 2012-07-11 | シーケーディ株式会社 | 流体制御弁 |
-
2010
- 2010-10-25 JP JP2010238305A patent/JP5243513B2/ja active Active
-
2011
- 2011-10-13 US US13/272,705 patent/US8960644B2/en active Active
- 2011-10-14 TW TW100137257A patent/TWI448638B/zh active
- 2011-10-24 KR KR1020110108429A patent/KR101312379B1/ko active IP Right Grant
- 2011-10-25 CN CN201110342796.5A patent/CN102454808B/zh active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10883615B2 (en) | 2017-03-30 | 2021-01-05 | Kitz Sct Corporation | Metal diaphragm valve |
US10718438B2 (en) | 2017-12-08 | 2020-07-21 | Kitz Sct Corporation | Fluid control valve and fluid control valve assembling method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20120042685A (ko) | 2012-05-03 |
CN102454808A (zh) | 2012-05-16 |
TW201233928A (en) | 2012-08-16 |
TWI448638B (zh) | 2014-08-11 |
US8960644B2 (en) | 2015-02-24 |
CN102454808B (zh) | 2015-07-22 |
JP2012092861A (ja) | 2012-05-17 |
US20120097881A1 (en) | 2012-04-26 |
KR101312379B1 (ko) | 2013-09-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5243513B2 (ja) | 流体制御弁の弁座構造 | |
CN109899555B (zh) | 流体控制阀和流体控制阀的组装方法 | |
JP3995543B2 (ja) | 流体制御弁 | |
TWI740968B (zh) | 流體控制閥製造方法 | |
JP6307557B2 (ja) | 流体制御弁 | |
TW521132B (en) | Constant pressure regulator | |
US9194501B2 (en) | Pressure balanced spring loaded overtravel sealing apparatus | |
JP2010164130A (ja) | 背圧制御弁 | |
JP2018168970A (ja) | メタルダイヤフラムバルブ | |
JP2018096473A (ja) | 制御弁 | |
TW201408919A (zh) | 隔膜閥 | |
JP5917112B2 (ja) | ダイヤフラムバルブ | |
JPH0771628A (ja) | オールメタルダイアフラム弁 | |
JP2017053405A (ja) | アクチュエータ付きバルブ | |
WO2017141780A1 (ja) | ダイヤフラム弁 | |
JP2023083160A (ja) | ダイヤフラム弁 | |
JP7025915B2 (ja) | ダイヤフラムバルブ | |
JP2021067363A (ja) | ダイヤフラムの製造方法、バルブ用ダイヤフラム及びこれを備えるダイヤフラムバルブ | |
JP5065110B2 (ja) | 減圧弁 | |
JP2020122534A (ja) | ダイヤフラムバルブの製造方法 | |
JP4181025B2 (ja) | オリフィス部材 | |
JP2020165476A (ja) | ダイヤフラムバルブ | |
JP2022096399A (ja) | 流体制御器 | |
JP2015121296A (ja) | 圧力平衡ばね荷重オーバートラベル密閉装置 | |
KR20220140821A (ko) | 밸브 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120528 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120830 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120911 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121106 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130326 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130404 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160412 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5243513 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |