JP5236910B2 - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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図1は、この発明の実施形態である不揮発性記憶トランジスタを構造を説明する図である。この図は、5つのトランジスタを図示している。同図(A)がこの発明の実施形態である不揮発性メモリトランジスタである。この不揮発性メモリトランジスタは、NチャンネルMOSトランジスタである。同図(B)が、NチャンネルのI/Oトランジスタ、同図(C)が、Nチャンネルのコア(Vcc)トランジスタの構造図である。また、同図(D)が、Pチャンネルのコア(Vcc)トランジスタ、同図(E)が、PチャンネルのI/Oトランジスタの構造図である。なお、図3、図4のトランジスタの配列も図1と同じである。さらに、および図5〜図20もトランジスタの区切りおよび(A)〜(E)の符号は省略するが、トランジスタの配列は図1と同様である。
LDDエクステンションに代えて、ドレインのチャンネル領域への接合部の不純物濃度の高い領域を形成したことにより、接合部の電界がさらに急峻となり、ホットキャリアがより発生しやすくなり、サイドスペーサ部への効率的なキャリア注入、すなわち、効率的な書き込み・消去が可能になる。
特徴7は、本出願の請求項7の発明に対応している。
なお、図5〜図13では、上記標準CMOSプロセスを工程1〜工程18の工程に分けて説明している。
工程16では、Nチャンネルトランジスタのゲート電極に砒素を注入して、N型ポリシリコン化しているが、このとき、不揮発性記憶トランジスタのゲート上にはフォトレジストを形成して砒素が注入されないようにする。また、工程17では、Pチャンネルのトランジスタのゲートにボロンを注入してP型ポリシリコン化しているが、このとき、不揮発性記憶トランジスタのゲート上にレジストが形成されないようにして、ボロンが打ち込まれるようにする。これによって、NチャンネルMOSトランジスタである不揮発性記憶トランジスタのゲート電極をP型化している。これによって、しきい値を低下させることができる。
Claims (9)
- ゲート酸化膜厚が第1のゲート酸化膜厚であり、ゲート長が第1のゲート長であるコアトランジスタと、
ゲート酸化膜厚が前記第1のゲート酸化膜厚よりも厚い第2のゲート酸化膜厚であり、ゲート長が前記第1のゲート長よりも長い第2のゲート長であるI/Oトランジスタと、
第1導電型の第1の負荷トランジスタと第2導電型の第1の不揮発性記憶トランジスタとを含む第1のインバータと、第1導電型の第2の負荷トランジスタと第2導電型の第2の不揮発性記憶トランジスタとを含む第2のインバータとを、フリップフロップ構成に接続した不揮発性半導体記憶素子とを有し、
前記第1及び第2の不揮発性記憶トランジスタは、ゲート長、ドレイン近傍の接合耐圧、ドレイン近傍の電位勾配、ドレイン近傍のLDDエクステンションの有無、チャンネル領域の不純物濃度、チャンネル領域のドレイン近傍の濃度の濃い不純物領域が形成されているか否か、LDDエクステンションよりも濃度の薄い不純物領域が形成されているか否か及びポリシリコンで構成されるゲート電極の導電型からなる構造の組合せが、前記コアトランジスタの構造の組合せ及び前記I/Oトランジスタの構造の組合せのいずれとも相違しており、
前記第1及び第2の不揮発性記憶トランジスタのゲート長が、前記I/Oトランジスタのゲート長よりも長く形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第1及び第2の不揮発性記憶トランジスタのドレイン近傍の接合耐圧が、前記I/Oトランジスタのドレイン近傍の接合耐圧よりも低いことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第1及び第2の不揮発性記憶トランジスタのチャンネル領域におけるドレイン近傍の電位勾配が、前記コアトランジスタのそれよりも急峻であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第1及び第2の不揮発性記憶トランジスタのチャンネル領域の前記ドレイン側近傍にLDDエクステンションが形成されていないことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第1及び第2の不揮発性記憶トランジスタのチャンネル領域の不純物濃度が、前記コアトランジスタのチャンネル領域の不純物濃度と同様またはそれよりも高いことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第1及び第2の不揮発性記憶トランジスタのチャンネル領域の前記ドレイン側近傍に、前記チャンネル領域と同じ導電型でより濃度の濃い不純物領域が形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第1及び第2の不揮発性記憶トランジスタのチャンネル領域の前記ドレイン側近傍に、前記チャンネル領域と逆の導電型で、前記コアトランジスタのLDDエクステンションよりも濃度の薄い不純物領域が形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第1及び第2の不揮発性記憶トランジスタのポリシリコンで構成されるゲート電極の導電型を、チャンネル領域の導電型と同じにしたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第1及び第2の不揮発性記憶トランジスタのゲート絶縁膜厚が、前記I/Oトランジスタの絶縁膜厚と同じであることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007216534A JP5236910B2 (ja) | 2007-08-22 | 2007-08-22 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007216534A JP5236910B2 (ja) | 2007-08-22 | 2007-08-22 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009049328A JP2009049328A (ja) | 2009-03-05 |
JP2009049328A5 JP2009049328A5 (ja) | 2011-10-20 |
JP5236910B2 true JP5236910B2 (ja) | 2013-07-17 |
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ID=40501251
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007216534A Expired - Fee Related JP5236910B2 (ja) | 2007-08-22 | 2007-08-22 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5236910B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7091675B2 (ja) * | 2018-01-26 | 2022-06-28 | ユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4647175B2 (ja) * | 2002-04-18 | 2011-03-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置 |
JP2004349341A (ja) * | 2003-05-20 | 2004-12-09 | Sharp Corp | 半導体記憶素子、半導体装置およびそれらの製造方法、携帯電子機器並びにicカード |
JP2007123830A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2007103640A (ja) * | 2005-10-04 | 2007-04-19 | Sony Corp | 不揮発性半導体メモリデバイス |
JP2007157183A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-21 | Genusion:Kk | 不揮発性記憶装置および半導体集積回路装置 |
JP3962076B2 (ja) * | 2006-01-19 | 2007-08-22 | 株式会社Genusion | 不揮発性記憶装置および半導体集積回路装置 |
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Publication number | Publication date |
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JP2009049328A (ja) | 2009-03-05 |
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