JP2009049328A5

JP2009049328A5 -

Info

Publication number: JP2009049328A5
Application number: JP2007216534A
Authority: JP
Filing date: 2007-08-22
Publication date: 2011-10-20
Anticipated expiration: 2027-08-22

Claims

ゲート酸化膜厚が第１のゲート酸化膜厚であり、ゲート長が第１のゲート長であるコアトランジスタと、
ゲート酸化膜厚が前記第１のゲート酸化膜厚よりも厚い第２のゲート酸化膜厚であり、ゲート長が前記第１のゲート長よりも長い第２のゲート長であるＩ／Ｏトランジスタと、
第１導電型の第１の負荷トランジスタと第２導電型の第１の不揮発性記憶トランジスタとを含む第１のインバータと、第１導電型の第２の負荷トランジスタと第２導電型の第２の不揮発性記憶トランジスタとを含む第２のインバータとを、フリップフロップ構成に接続した不揮発性半導体記憶素子とを有し、
前記第１及び第２の不揮発性記憶トランジスタは、ゲート長、ドレイン近傍の接合耐圧、ドレイン近傍の電位勾配、ドレイン近傍のＬＤＤエクステンションの有無、チャンネル領域の不純物濃度、チャンネル領域のドレイン近傍の濃度の濃い不純物領域が形成されているか否か、ＬＤＤエクステンションよりも濃度の薄い不純物領域が形成されているか否か及びポリシリコンで構成されるゲート電極の導電型からなる構造の組合せが、前記コアトランジスタの構造の組合せ及び前記Ｉ／Ｏトランジスタの構造の組合せのいずれとも相違していることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第１及び第２の不揮発性記憶トランジスタのドレイン近傍の接合耐圧が、前記Ｉ／Ｏトランジスタのドレイン近傍の接合耐圧よりも低いことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第１及び第２の不揮発性記憶トランジスタのチャンネル領域におけるドレイン近傍の電位勾配が、前記コアトランジスタのそれよりも急峻であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第１及び第２の不揮発性記憶トランジスタのチャンネル領域の前記ドレイン側近傍にＬＤＤエクステンションが形成されていないことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第１及び第２の不揮発性記憶トランジスタのチャンネル領域の不純物濃度が、前記コアトランジスタのチャンネル領域の不純物濃度と同様またはそれよりも高いことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第１及び第２の不揮発性記憶トランジスタのチャンネル領域の前記ドレイン側近傍に、前記チャンネル領域と同じ導電型でより濃度の濃い不純物領域が形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第１及び第２の不揮発性記憶トランジスタのチャンネル領域の前記ドレイン側近傍に、前記チャンネル領域と逆の導電型で、前記コアトランジスタのＬＤＤエクステンションよりも濃度の薄い不純物領域が形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第１及び第２の不揮発性記憶トランジスタのポリシリコンで構成されるゲート電極の導電型を、チャンネル領域の導電型と同じにしたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第１及び第２の不揮発性記憶トランジスタのゲート長が、前記Ｉ／Ｏトランジスタのゲート長よりも長く形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の不揮発性半導体記憶装置。
請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第１及び第２の不揮発性記憶トランジスタのゲート絶縁膜厚が、前記Ｉ／Ｏトランジスタの絶縁膜厚と同じであることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置において、さらに、
前記第１の負荷トランジスタと並列に第１のトランジスタが接続されており、
前記第２の負荷トランジスタと並列に第２のトランジスタが接続されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
請求項１１記載の不揮発性半導体記憶装置において、さらに、
前記第１の負荷トランジスタと前記第１の不揮発性記憶トランジスタとの間に第１導電型の第３のトランジスタが接続されており，
前記第２の負荷トランジスタと前記第２の不揮発性記憶トランジスタとの間に第１導電型の第４のトランジスタが接続されており，
前記第３及び前記第４のトランジスタはいずれも同一の信号線にて駆動されることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
請求項１２記載の不揮発性半導体記憶装置において、さらに、
前記第３のトランジスタと並列に第２導電型の第５のトランジスタが接続されており，
前記第４のトランジスタと並列に第２導電型の第６トランジスタが接続されており、前記第５及び前記第６のトランジスタはいずれも同一の第２の信号線にて駆動されることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。