JP5225113B2 - 通信装置 - Google Patents

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本発明は通信装置に関し、特に、サーキュレータを介して受信系と送信系がアンテナに接続される通信装置に関する。
従来の通信装置では、アンテナにて受信された強力な外来干渉波から低雑音増幅器を保護するために、低雑音増幅器の前段にリミッタを接続し、低雑音増幅器の耐電力以上の外来干渉波が入力されないようにする方法がある(特許文献1)。
また、受信時にリミッタで反射された外来干渉波がサーキュレータを介して送信系に入力され、送信系の最終段に配置された高出力増幅器が破壊されるのを防止するため、サーキュレータを2個縦列接続することで4ポート化し、その外来干渉波を終端器で終端させる方法がある(非特許文献1)。
特開2008−245081号公報 "Transceiver Duplexer Design Considerations" Microwave Journal Page 68,2008/10
しかしながら、上記従来の技術によれば、受信時にリミッタで反射された外来干渉波がサーキュレータを介して送信系に入力されるのを防止するため、サーキュレータを2個縦列接続する必要がある。そのため、通信装置の小型化に支障が生じるとともに、雑音指数が悪化するという問題があった。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、複数のサーキュレータを用いることなく、受信系の低雑音増幅器および送信系の高出力増幅器を外来干渉波から保護することが可能な通信装置を得ることを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の通信装置は、第1のポートがアンテナ側端子に接続され、第2のポートが受信系の入力側に接続され、第3のポートが送信系の出力側に接続されたサーキュレータと、前記送信系内で信号を増幅し、前記第3のポートに送出する第1の増幅器と、前記第2のポートから出力された信号が入力されるSPDTスイッチと、前記SPDTスイッチの一方の出力側に接続され、前記アンテナにて受信された信号を規定値以下に減衰させるリミッタと、前記SPDTスイッチの他方の出力側に接続された終端器と、前記リミッタの後段に接続され、前記アンテナにて受信された信号を前記受信系内で増幅する第2の増幅器とを備えることを特徴とする。
この発明によれば、複数のサーキュレータを用いることなく、受信系の低雑音増幅器および送信系の高出力増幅器を外来干渉波から保護することが可能という効果を奏する。
以下に、本発明に係る通信装置の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
実施の形態1.
図1は、本発明に係る通信装置の送信時における実施の形態1の概略構成を示すブロック図、図2は、本発明に係る通信装置の受信時における実施の形態1の概略構成を示すブロック図である。図1において、通信装置には、送信系101、受信系102、サーキュレータ5およびSPDT(単極双投)スイッチ2が設けられている。
ここで、SPDTスイッチ2の入力側は給電側端子1に接続され、SPDTスイッチ2の一方の出力側は送信系101の入力側に接続され、SPDTスイッチ2の他方の出力側は受信系102の出力側に接続されている。
また、サーキュレータ5の第1のポートP1はアンテナ側端子6に接続され、第2のポートP2は受信系102の入力側に接続され、第3のポートP3は送信系101の出力側に接続されている。なお、サーキュレータ5は、第1のポートP1に入力された信号を第2のポートP2に出力し、第2のポートP2に入力された信号を第3のポートP3に出力し、第3のポートP3に入力された信号を第1のポートP1に出力することができる。
また、送信系101には、前置増幅器3および高出力増幅器4が設けられている。ここで、前置増幅器3の入力側は、SPDTスイッチ2の一方の出力端子に接続されている。高出力増幅器4の入力側は、前置増幅器3の出力側に接続され、高出力増幅器4の出力側は、サーキュレータ5の第3のポートP3に接続されている。
なお、前置増幅器3は、Si基板またはGaAs基板に形成された電界効果トランジスタを用いて構成することができる。高出力増幅器4は、GaN基板に形成された電界効果トランジスタを用いて構成することが好ましい。
また、受信系102には、SPDTスイッチ7、リミッタ8、低雑音増幅器9、後置増幅器10および終端器11が設けられている。ここで、SPDTスイッチ7の入力端子は、サーキュレータ5の第2のポートP2に接続され、SPDTスイッチ7の一方の出力端子は、リミッタ8の入力側に接続され、SPDTスイッチ7の他方の出力端子は、終端器11に接続されている。また、リミッタ8の後段には低雑音増幅器9が接続され、低雑音増幅器9の後段には後置増幅器10が接続されている。
なお、リミッタ8は、Si基板またはGaAs基板に形成されたPINダイオード、低雑音増幅器9および後置増幅器10は、Si基板またはGaAs基板に形成された電界効果トランジスタを用いて構成することができる。SPDTスイッチ7は、GaN基板に形成された電界効果トランジスタを用いて構成することが好ましい。終端器11は、例えば、抵抗を用いて構成することができる。
また、SPDTスイッチ7のアイソレーション特性は、リミッタ8に入力される電力がリミッタ8の耐電力以下になるように設定されることが好ましい。また、リミッタ8は、低雑音増幅器9の耐電力以下になるように、リミッタ8への入力波を減衰させることができる。また、リミッタ8の耐電力は、妨害波入力電力以上に設定されることが好ましい。
そして、送信動作時には、図1に示すように、SPDTスイッチ2は、送信系101側に切り替えられるとともに、SPDTスイッチ7は、終端器11側に切り替えられる。そして、給電側端子1に供給された送信信号S1は、SPDTスイッチ2を介して送信系101に入力される。そして、送信信号S1が送信系101に入力されると、前置増幅器3および高出力増幅器4にて順次増幅され、サーキュレータ5の第3のポートP3に入力される。そして、送信信号S1がサーキュレータ5の第3のポートP3に入力されると、サーキュレータ5の第1のポートP1から出力され、アンテナ側端子6を介してアンテナに送出される。
また、受信動作時には、図2に示すように、SPDTスイッチ2は、受信系102側に切り替えられるとともに、SPDTスイッチ7は、リミッタ8側に切り替えられる。そして、アンテナ側端子6に供給された受信信号S2は、サーキュレータ5の第1のポートP1に入力される。そして、受信信号S2がサーキュレータ5の第1のポートP1に入力されると、サーキュレータ5の第2のポートP2から出力され、受信系102に入力される。そして、受信信号S2が受信系102に入力されると、SPDTスイッチ7を介してリミッタ8にそのまま入力される。そして、リミッタ8を通過した受信信号S2は、低雑音増幅器9および後置増幅器10に順次入力され、低雑音増幅器9および後置増幅器10にて順次増幅された後、SPDTスイッチ2を介して給電側端子1に供給される。
ここで、図1の送信動作時において、アンテナ側端子6に接続されるアンテナの反射量が、アンテナの動作状態によって全反射に近い値にまで悪化した場合、サーキュレータ5の第1のポートP1から出力された送信信号S1は、アンテナ側端子6で大部分が反射され、サーキュレータ5の第1のポートP1に戻される。そして、送信信号S1がサーキュレータ5の第1のポートP1に戻されると、サーキュレータ5の第2のポートP2から出力され、全反射波W1がSPDTスイッチ7に入力される。そして、全反射波W1がSPDTスイッチ7に入力されると、SPDTスイッチ7を介して終端器11に導かれ、終端される。また、SPDTスイッチ7を介してリミッタ8側に減衰されながら導波された全反射波W1は、低雑音増幅器9の耐電力以下になるようにさらに減衰され、低雑音増幅器9に入力される。
また、図2の受信動作時において、外来干渉波W2がアンテナ側端子6に入力された場合、外来干渉波W2は、サーキュレータ5の第1のポートP1に入力される。そして、外来干渉波W2がサーキュレータ5の第1のポートP1に入力されると、サーキュレータ5の第2のポートP2から出力され、受信系102に入力される。そして、外来干渉波W2が受信系102に入力されると、SPDTスイッチ7を介してリミッタ8にそのまま入力される。そして、外来干渉波W2がリミッタ8に入力されると、低雑音増幅器9の耐電力以下になるように減衰され、低雑音増幅器9に入力される。
また、リミッタ8にて反射された外来干渉波W2は、SPDTスイッチ7を介してサーキュレータ5の第2のポートP2に入力される。そして、外来干渉波W2がサーキュレータ5の第2のポートP2に入力されると、サーキュレータ5の第3のポートP3から出力され、高出力増幅器4に入力される。そして、外来干渉波W2が高出力増幅器4に入力されると、高出力増幅器4にて反射され、サーキュレータ5の第3のポートP3に戻される。そして、外来干渉波W2がサーキュレータ5の第3のポートP3に戻されると、サーキュレータ5の第1のポートP1から出力され、アンテナ側端子6に供給されることで、アンテナから外部に放射される。
なお、図1の送信動作時において、外来干渉波W2がアンテナ側端子6に入力された場合、外来干渉波W2は、サーキュレータ5の第1のポートP1に入力される。そして、外来干渉波W2がサーキュレータ5の第1のポートP1に入力されると、サーキュレータ5の第2のポートP2から出力され、SPDTスイッチ7に入力される。そして、外来干渉波W2がSPDTスイッチ7に入力されると、SPDTスイッチ7を介して終端器11に導かれ、終端される。
ここで、リミッタ8の前段にSPDTスイッチ7を設けることにより、図1の送信動作時に全反射波W1が受信系102に入力された場合においても、全反射波W1を終端器11にて終端させることができ、リミッタ8を保護することが可能となるとともに、図2の受信動作時に外来干渉波W2が受信系102に入力された際に、SPDTスイッチ7をそのまま通過する場合においても、低雑音増幅器9の耐電力以下になるようにリミッタ8にて減衰させることができ、低雑音増幅器9を保護することができる。
また、GaN基板に形成された電界効果トランジスタを用いて高出力増幅器4を構成することにより、高出力増幅器4の耐電力を向上させることができ、図2の受信動作時に外来干渉波W2が送信系101に入力された場合においても、高出力増幅器4の破壊を防止することができる。このため、高出力増幅器4の破壊を防止するために、サーキュレータ5を2個縦列接続して用いる必要がなくなることから、通信装置の小型化および低損失化を図ることができる。
また、GaN基板に形成された電界効果トランジスタを用いてSPDTスイッチ7を構成することにより、SPDTスイッチ7の耐電力を向上させることができ、全反射波W1の電力が増大した場合においても、SPDTスイッチ7の破壊を防止することができる。
実施の形態2.
図3は、本発明に係る通信装置の実施の形態2の概略構成を示すブロック図である。図3において、この構成では、図1の構成に加え帯域通過フィルタ21が設けられている。ここで、帯域通過フィルタ21は、サーキュレータ5の第2のポートP2とSPDTスイッチ7の入力端子との間に接続されている。なお、帯域通過フィルタ21は、受信系102に入力される信号の帯域外に減衰特性を持たせることができる。
そして、受信動作時において、帯域外の外来干渉波がアンテナ側端子6に入力された場合、外来干渉波は、サーキュレータ5の第1のポートP1に入力される。そして、外来干渉波がサーキュレータ5の第1のポートP1に入力されると、サーキュレータ5の第2のポートP2から出力され、受信系102に入力される。そして、外来干渉波が受信系102に入力されると、帯域通過フィルタ21にて反射される。
そして、外来干渉波が帯域通過フィルタ21にて反射されると、サーキュレータ5の第2のポートP2に入力される。そして、外来干渉波がサーキュレータ5の第2のポートP2に入力されると、サーキュレータ5の第3のポートP3から出力され、高出力増幅器4に入力される。そして、外来干渉波が高出力増幅器4に入力されると、高出力増幅器4にて反射され、サーキュレータ5の第3のポートP3に戻される。そして、外来干渉波がサーキュレータ5の第3のポートP3に戻されると、サーキュレータ5の第1のポートP1から出力され、アンテナ側端子6に供給されることで、アンテナから外部に放射される。
ここで、帯域通過フィルタ21を設けることにより、アンテナ側端子6に入力される帯域外の外来干渉波の電力がSPDTスイッチ7およびリミッタ8の耐電力を超える場合においても、そのような外来干渉波がSPDTスイッチ7およびリミッタ8に入力されるのを防止することができ、受信系102を保護することが可能となる。
実施の形態3.
図4は、本発明に係る通信装置の実施の形態3の概略構成を示すブロック図である。図4において、この構成では、図3の構成に加え帯域通過フィルタ22が設けられている。ここで、帯域通過フィルタ22は、サーキュレータ5の第3のポートP3と高出力増幅器4の出力端子との間に接続されている。なお、帯域通過フィルタ22は、送信系101から出力される信号の帯域外に減衰特性を持たせることができる。
そして、受信動作時において、帯域通過フィルタ21にて反射された帯域外の外来干渉波は、サーキュレータ5の第2のポートP2に入力される。そして、外来干渉波がサーキュレータ5の第2のポートP2に入力されると、サーキュレータ5の第3のポートP3から出力され、帯域通過フィルタ22にて反射される。そして、外来干渉波が帯域通過フィルタ22にて反射されると、サーキュレータ5の第3のポートP3に戻される。そして、外来干渉波がサーキュレータ5の第3のポートP3に戻されると、サーキュレータ5の第1のポートP1から出力され、アンテナ側端子6に供給されることで、アンテナから外部に放射される。
ここで、帯域通過フィルタ22を設けることにより、帯域通過フィルタ21にて反射された帯域外の外来干渉波の電力が高出力増幅器4の耐電力を超える場合においても、そのような外来干渉波が高出力増幅器4に入力されるのを防止することができ、高出力増幅器4を保護することが可能となるとともに、スプリアス放射抑圧機能を帯域通過フィルタ22に兼ねさせることができる。
以上のように本発明に係る通信装置は、ダブルサーキュレータ構成を採用することなく、受信系および送信系を外来干渉波から保護するとともに、受信系を全反射波から保護する方法に適している。
本発明に係る通信装置の送信時における実施の形態1の概略構成を示すブロック図である。 本発明に係る通信装置の受信時における実施の形態1の概略構成を示すブロック図である。 本発明に係る通信装置の実施の形態2の概略構成を示すブロック図である。 本発明に係る通信装置の実施の形態3の概略構成を示すブロック図である。
101 送信系
102 受信系
1 給電側端子
2、7 SPDTスイッチ
3 前置増幅器
4 高出力増幅器
5 サーキュレータ
6 アンテナ側端子
8 リミッタ
9 低雑音増幅器
10 後置増幅器
11 終端器
21、22 帯域通過フィルタ

Claims (5)

  1. 第1のポートがアンテナ側端子に接続され、第2のポートが受信系の入力側に接続され、第3のポートが送信系の出力側に接続されたサーキュレータと、
    前記送信系内で信号を増幅し、前記第3のポートに送出する第1の増幅器と、
    前記第2のポートから出力された信号が入力されるSPDTスイッチと、
    前記SPDTスイッチの一方の出力側に接続され、前記アンテナにて受信された信号を規定値以下に減衰させるリミッタと、
    前記SPDTスイッチの他方の出力側に接続された終端器と、
    前記リミッタの後段に接続され、前記アンテナにて受信された信号を前記受信系内で増幅する第2の増幅器と
    を備え
    前記第1の増幅器は、GaN基板に形成された電界効果トランジスタを用いて構成されており、
    前記SPDTスイッチは、GaN基板に形成された電界効果トランジスタを用いて構成されており、
    前記SPDTスイッチは、送信動作時に前記第2のポートを前記終端器に接続し、受信動作時に前記第2のポートを前記リミッタに接続する
    ことを特徴とする通信装置。
  2. 前記SPDTスイッチのアイソレーション特性は、前記リミッタに入力される電力が前記リミッタの耐電力以下になるように設定される
    ことを特徴とする請求項に記載の通信装置。
  3. 前記リミッタの耐電力は、妨害波入力電力以上に設定される
    ことを特徴とする請求項1又は2に記載の通信装置。
  4. 前記サーキュレータと前記SPDTスイッチとの間に挿入された第1の帯域通過フィルタを備える
    ことを特徴とする請求項1からのいずれか1項に記載の通信装置。
  5. 前記サーキュレータと前記第1の増幅器との間に挿入された第2の帯域通過フィルタを備える
    ことを特徴とする請求項1からのいずれか1項に記載の通信装置。
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