JP5222725B2

JP5222725B2 - 集積された理想的なダイオード機能を有する二入力ｄｃ／ｄｃ変換器

Info

Publication number: JP5222725B2
Application number: JP2008522757A
Authority: JP
Inventors: バジネット，ジョン・フィリップ
Original assignee: Linear Technology LLC
Current assignee: Linear Technology LLC
Priority date: 2005-07-19
Filing date: 2005-08-31
Publication date: 2013-06-26
Anticipated expiration: 2025-08-31
Also published as: CN101228681B; TW200705786A; WO2007011370A1; US20070018502A1; US7709976B2; CN101228681A; KR20080037654A; EP1905149B1; JP2009502110A; EP1905149A1; KR101196027B1; TWI375390B

Description

この開示は電力供給システムに関し、特に、電子装置へ電力を供給するための入力電源を選択するための回路構成および技法に関する。

大抵の携帯電子装置は、２つ以上の入力電源から動作する能力を備える。一次（非充電式）電池または二次（充電式）電池に加え、携帯電子装置はウォールアダプタ、スーパーキャパシタ、バックアップ電池またはユニバーサル・シリアル・バス（ＵＳＢ）ポートなどの補助電源を使用することがある。

入力電源からの電力は携帯電子装置内に設けられた１つ以上のＤＣ／ＤＣ変換器へ供給され、入力電圧をマイクロプロセッサ、小型ハードディスクドライブ、デジタル回路構成、入力／出力レール、無線周波数および音声回路構成、ならびに他の回路に必要とされる正確なバイアスレベルへ調整する。これらのＤＣ／ＤＣ変換器には、自身の効率を最大化し、電池寿命を延ばし、および／または発熱を最小限に抑えるために、最も適切な入力電源を選択する能力が必要とされる。

大抵の場合、ウォールアダプタまたは他の電池でない電源は充電式電池によって電力が供給される携帯装置にプラグ接続されると、電池に代わって電力を供給するので、電池をできるだけ短時間で再充電することができる。非充電式電池によって電力が供給される携帯装置の場合は、補助電源は非充電式電池が交換されている間に電力を提供して揮発性メモリを保持することができる。補助電源が外されると、携帯装置は電池によって電力が供給される。

したがって携帯電子装置は、電池と補助電力供給とをシームレスに切換える何らかの入力電力選択手段に依拠しなければならない。切換回路構成は、入力電源が決して直接互いに接続されず、かつ１つの入力電源が選択されない場合に逆電流を阻止することを確実にする必要がある。また、理想的なダイオード機能を実現する切換回路構成を提供して、主な電力経路に追加抵抗またはダイオード順電圧降下を設置することによるシステム効率の低下を回避することが望ましいであろう。

したがって、電力効率を最大化し、発熱を最小限に抑えて携帯電子装置の電池寿命を延ばす入力電源を選択するための回路が必要とされる。さらに、最小限の数の構成要素を用いてこの回路を作製し、製造性およびコストを向上させることが望ましいであろう。

開示の要約
本開示は、複数の電源からパワーデバイスへ電力を供給するための新規のシステムおよび技法を提供する。開示の１つの局面によると、電力供給システムは、第１の電源からの電力を負荷へ提供するための第１の入力と、第２の電源からの電力を負荷へ提供するための第２の入力と、第１の入力および第２の入力に結合されて第１の入力または第２の入力を選択する入力セレクタと、入力信号を負荷へ供給される調整された出力信号へ変換するための第１のトランジスタデバイスを有するレギュレータとを備える。入力セレクタは、第１の入力が選択された場合に第１のトランジスタデバイスを制御して活性化させ、第２の入力が選択された場合に活性化されるよう制御される第２のトランジスタデバイスを有
する。

本開示の実施例によると、第１および第２のトランジスタデバイスは並列接続された電界効果トランジスタであり得る。第２の入力が選択された場合に第１のトランジスタデバイスが不活性化されるのに対し、第１の入力が選択された場合に第２のトランジスタデバイスが不活性化され得る。

入力セレクタ回路は、第１および第２の入力に応答して第１および第２のトランジスタデバイスを制御するためのセンシング回路を備え得る。また入力セレクタ回路は、センシング回路によって活性化されて第１および第２のトランジスタデバイスをそれぞれ制御するための第１および第２のドライバ回路を備え得る。

電力レギュレータは、入力信号から出力信号への変換を制御するためのパルス変調制御回路を備え得る。第１および第２のドライバ回路はパルス変調制御回路によって制御されて第１および第２のトランジスタデバイスを駆動し得る。

開示の他の局面によると、電力レギュレータは、第１の電源からの電力を供給するための第１の電力供給入力と、第２の電源からの電力を供給するための第２の電力供給入力とを有する。電力レギュレータは、第１の電力供給入力か第２の電力供給入力かを選択して入力信号を生成する入力選択回路と、入力信号を調整された出力信号へ変換する電力変換回路とを備える。電力変換回路は、入力信号から出力信号への変換を制御するためのパルスモジュレータ回路と、第１の電力供給入力が選択された場合の入力信号から出力信号への変換をサポートするようにパルスモジュレータ回路によって制御可能である第１のトランジスタデバイスと、第２の電力供給入力が選択された場合の入力信号から出力信号への変換をサポートするようにパルスモジュレータ回路によって制御可能である第２のトランジスタデバイスとを備える。

本開示の方法によると、電力レギュレータを介して第１の電源または第２の電源からパワーデバイスへ電力を選択的に供給するために以下のステップが実行される：すなわち第１の電源か第２の電源かを選択して、入力電力供給信号をパワーデバイスへ供給される調整された出力電力供給信号へ変換するための第１のトランジスタスイッチを有する電力レギュレータへ入力電力供給信号を与えるステップと、第１の電源が選択された場合に第１のトランジスタスイッチを活性化して入力電力供給信号を供給するステップと、第２の電源が選択された場合に第１のトランジスタスイッチに並列に配置された第２のトランジスタスイッチを活性化して入力電力供給信号を供給するステップと、である。

この方法はさらに、第１および第２の電源からの電力供給を検知して第１の電源か第２の電源かを選択するステップをさらに備え得る。

本開示を実行するために企図されるベストモードの例示としてのみ本開示の実施例が図示および説明される以下の詳細な説明から、開示の付加的な利点および局面が当業者に容易に明らかになるであろう。以下に記載されるように、本開示は本開示の思想から逸脱することなく、他の異なる実施例が可能であり、かついくつかの詳細な点はさまざまな自明の点において修正され得る。したがって、図面および説明は限定的ではなく本質的に例示として認識されるべきである。

本開示の実施例の以下の詳細な説明は、以下の図面と関連して読まれると一番よく理解することができ、以下の図面においては、特徴は必ずしも同じ割合で描かれていないが、関連する特徴を最もよく図示するように描かれている。

実施例の詳細な開示
本開示は、電池かウォールアダプタかを選択するための回路構成の例を用いてなされる。しかし、ここに記載の概念はいかなる電源の選択にも適用できることが明らかになるであろう。

図１は、さまざまな入力電源間の選択の概念を図示する入力選択回路１０を示す。回路１０は、論理ＯＲ構成で接続されて電池１２かウォールアダプタ１４かの選択を提供する直列ダイオードＤ１およびＤ２を備える。一方の入力電源によって生成される電圧が他方の電源によって生成される電圧よりも一方のダイオードの電圧降下分だけ高い場合、電圧が高い方の電源から電力が取られることになる。入力電力はＤＣ／ＤＣ変換器１６へ供給され、これは、調整されたＤＣ信号をその出力１８で生成する。

この技術の不利な点は、入力電力経路が直接直列ダイオードを介して設けられていることである。典型的なシリコンダイオードの０．６Ｖの降下は、入力電力に正比例した電力損失に貢献することになる。この損失は、入力電圧が減少するにつれてより大きくなる。シリコンダイオードを、シリコンダイオードよりも電圧降下が実質的に小さいショットキー整流器に交換すれば、電力損失を減少させることができる。

図２は、図１に示されるダイオード回路１０に関して改良された入力電力選択回路２０を図示している。入力電力選択回路２０は、入力電源１２、１４とＤＣ／ＤＣ変換器１６との間に接続されるＰチャネルＭＯＳＦＥＴトランジスタＱ１およびＱ２を含む。ＭＯＳＦＥＴ選択チャネルを有する入力電力選択回路の例として、本主題の譲受人であるリニアーテクノロジーコーポレイションによって開発されたＬＴＣ（登録商標）４４１１およびＬＴＣ（登録商標）４４１３モノリシック理想ダイオードがある。

ＭＯＳＦＥＴトランジスタは、ダイオードよりも小さい電圧降下を提供するために線形領域で動作する。それぞれの入力電源をＤＣ／ＤＣ変換器１６に接続するＭＯＳＦＥＴの両端の電圧降下は、１００ｍΩよりも低くなり得るＭＯＳＦＥＴトランジスタのドレイン−ソースオン状態抵抗Ｒｄｓ（ｏｎ）に比例する。通常の順方向動作の間、各ＭＯＳＦＥＴチャネルは電流に比例した順電圧降下を提供し得る。

センシング回路２２は両方の入力電圧源を検知し、高い方の電圧を有する入力電源に接続されたＭＯＳＦＥＴをオンする。同時に、他方のＭＯＳＦＥＴはオフ状態に駆動されて逆導通を防止する。ＭＯＳＦＥＴに基づいた回路２０はダイオードに基づいた回路１０に対して改良されているが、依然として電力経路に追加抵抗を設置するため、電流の二乗で増加する電力損失をもたらす。その結果、システムの効率が低下して電池寿命が短くなる。さらに、入力電圧を検知および比較し、外部ＭＯＳＦＥＴを適切な状態へ駆動するために追加回路が必要となる。

図３は、効率をさらに向上させて電池寿命を延ばす二入力調整システム３０を図示している。調整システム３０は、電池１２およびウォールアダプタ１４などのそれぞれの入力電源に接続された２つの入力４２および４４と、調整されたＤＣ出力電圧を生成するための出力４６とを有するＤＣ／ＤＣ変換器４０を備える。本開示はバック−ブーストレギュレータとして動作するＤＣ／ＤＣ変換器４０の例を用いてなされるが、当業者であればここに記載の概念はバックレギュレータにも適用できることを認識するであろう。

ＤＣ／ＤＣ変換器４０はスイッチングレギュレータ集積回路（ＩＣ）内に配置され得る。ＤＣ／ＤＣ変換器４０の外側に外部入力電力選択回路構成は設けられない。さらに、後でより詳細に述べるように、入力電源１２か入力電源１４かを選択するための回路構成は
、電力調整機能を実行するためにＤＣ／ＤＣ変換器４０内に存在する構成要素のいくつかを利用する。これにより効率が著しく向上する。同時に、発熱が減少して効率および信頼性がさらに向上する。

図４は例示的なＤＣ／ＤＣ変換器４０の簡略化された配置を示しており、これは、パルス幅変調（ＰＷＭ）制御回路５０によって制御される単一のインダクタＬ、ならびにＭＯＳＦＥＴスイッチＳＷＡ、ＳＷＢ、ＳＷＣおよびＳＷＤを備えており、入力電圧Ｖｉｎに応答して、調整されたＤＣ電圧Ｖｏｕｔを出力４６で生成する。インダクタＬは端子５２と５４との間に接続され得る。出力コンデンサＣは出力端子Ｖｏｕｔに結合される。このような配置がバック−ブースト電力調整をサポートし、入力電圧ＶｉｎがＶｏｕｔよりも高いまたは低い場合に調整された出力電圧Ｖｏｕｔを発生させる。

特に、入力電圧Ｖｉｎが出力電圧Ｖｏｕｔよりも高い場合、ＤＣ／ＤＣ変換器４０はバックモードで動作する。このモードにおいて、単一の入力電圧源からの入力電圧Ｖｉｎ１のみが存在すると仮定すると、ＭＯＳＦＥＴスイッチＳＷＡおよびＳＷＢは、出力電圧Ｖｏｕｔをバックモードで調整するのに必要なデューティサイクルＤ_buckでＰＷＭ制御回路５０によって交互に切換えられる。スイッチＳＷＡがオンのときはスイッチＳＷＢはオフである。同様に、スイッチＳＷＡがオフのときはスイッチＳＷＢはオンである。バックモードでは、スイッチＳＷＣは常にオフであり、スイッチＳＷＤは常にオンである。

入力電圧ＶｉｎがＶｏｕｔよりも小さい場合、ＤＣ／ＤＣ変換器４０はブーストモードで動作する。このモードにおいて、単一の入力電圧源からの入力電圧Ｖｉｎ１のみが存在すると仮定すると、スイッチＳＷＡは常にオンであり、スイッチＳＷＢは常にオフであり、スイッチＳＷＣおよびＳＷＤは、出力電圧Ｖｏｕｔをブーストモードで調整するために選択されるデューティサイクルＤ_boostでＰＷＭ制御回路５０によって交互に切換えられる。

入力電圧Ｖｉｎが出力電圧Ｖｏｕｔに近い場合、ＤＣ／ＤＣ変換器４０はバック−ブーストモードで動作し、バックモードとブーストモードとの間のスムーズな移行を達成する。バック−ブーストモードでは、スイッチＳＷＡおよびＳＷＢはデューティサイクルＤ_buckでＰＷＭ制御回路５０によって交互に切換えられ、スイッチＳＷＣおよびＳＷＤはデューティサイクルＤ_boostでＰＷＭ制御回路によって交互に切換えられる。デューティサイクルＤ_buckおよびＤ_boostは、入力電圧Ｖｉｎが減少するにつれ徐々に段階的にバックモードでなくなって段階的にブーストモードに入ることができるよう、または入力電圧Ｖｉｎが増加するにつれブーストモードからバックモードへの漸進的な移行を達成するよう制御される。

代替的に、本開示のＤＣ／ＤＣ変換器４０は同期バックレギュレータとして実現され得る。この場合、ＤＣ／ＤＣ変換器４０はＭＯＳＦＥＴスイッチＳＷＡおよびＳＷＢのみを含む。

上述の電力調整機能に加え、本開示のＤＣ／ＤＣ変換器４０は、電池１２およびウォールアダプタ１４などの複数の入力電源の間の選択を提供する。特に、ＤＣ／ＤＣ変換器４０は第２の電源からの電力供給をサポートするための追加ＭＯＳＦＥＴスイッチＳＷＡ′を含む。たとえば、電力調整を行なうための通常のＤＣ／ＤＣ変換器内に典型的に設けられたＭＯＳＦＥＴスイッチＳＷＡの１つの電極はインダクタＬに接続され、他の電極はウォールアダプタ１４からの入力電圧Ｖｉｎ１を供給する入力４４に接続され得る。追加ＭＯＳＦＥＴスイッチＳＷＡ′は、スイッチＳＷＡに並列に接続され得る。ＭＯＳＦＥＴスイッチＳＷＡ′の１つの電極はインダクタＬに接続され、他の電極は電池１２からの入力電圧Ｖｉｎ２を供給する入力４２に接続され得る。

またＤＣ／ＤＣ変換器４０は、大多数の実現例において電力供給入力４２および４４に接続され、電力供給入力４２および４４のどちらがより高い入力電圧を提供するかを決定するためのセンシング回路５６を備える。代替的に、一方の入力に優先権を与え、この入力に印加される電圧がプログラムされたレベルを超えた場合に常に活性化されるようにしてもよい。センシング回路５６の出力信号は、ＭＯＳＦＥＴスイッチＳＷＡおよびＳＷＡ′のゲートをそれぞれ駆動するようＰＷＭ制御回路５０によって制御されるドライバ５８および６０へ供給される。

ウォールアダプタ１４からの入力電圧Ｖｉｎ１が電池１２からの入力電圧Ｖｉｎ２よりも低い場合、センシング回路５６はドライバ５８を制御してＳＷＡのスイッチングを不活性化し、ドライバ６０を制御して、スイッチＳＷＡの代わりに動作する追加ＭＯＳＦＥＴスイッチＳＷＡ′のスイッチングを活性化する。しかし、電池１２からの入力電圧Ｖｉｎ２がウォールアダプタ１４からの入力電圧Ｖｉｎ１よりも低い場合は、センシング回路５６はドライバ６０を制御して追加ＭＯＳＦＥＴスイッチＳＷＡ′のスイッチングを活性化し、ドライバ５８を制御してＭＯＳＦＥＴスイッチＳＷＡのスイッチングを活性化する。したがってセンシング回路５６は、それぞれの入力電圧が他方の入力電圧よりも低い場合に、ＭＯＳＦＥＴスイッチＳＷＡおよびＳＷＡ′の一方を不活性化し、他方のＭＯＳＦＥＴスイッチを活性化する。

したがって、入力電圧Ｖｉｎ２が入力電圧Ｖｉｎ１よりも低い場合、ＭＯＳＦＥＴスイッチＳＷＡはＰＷＭ制御回路５０によって制御されて上述の態様で電力調整手続に加わり、入力電圧Ｖｉｎ１に応答して、調整された出力電圧Ｖｏｕｔを生成する。しかし入力電圧Ｖｉｎ１が入力電圧Ｖｉｎ２よりも低い場合は、スイッチＳＷＡの代わりに追加ＭＯＳＦＥＴスイッチＳＷＡ′が活性化されて電力調整手続に加わり、入力電圧Ｖｉｎ２に応答して、調整された出力電圧Ｖｏｕｔを発生する。

電力調整機能を実行するためのＤＣ／ＤＣコントローラ内にＭＯＳＦＥＴスイッチＳＷＡが既に存在しているため、本開示の入力電力選択機能に必要なのは１つの追加ＭＯＳＦＥＴトランジスタのみである。さらに、追加ＭＯＳＦＥＴトランジスタＳＷＡ′はトランジスタＳＷＡに並列に接続され、このトランジスタと交互に動作する。したがって、電力経路に追加抵抗は導入されない。その結果、入力電力選択回路構成の電力効率が向上して電池寿命が延びる。同時に、発熱が減少して効率および信頼性がさらに向上する。

追加ＭＯＳＦＥＴトランジスタＳＷＡ′、センシング回路５６、ならびにドライバ５８および６０は、ＭＯＳＦＥＴスイッチＳＷＡ、ＳＷＢ、ＳＷＣおよびＳＷＤとともにスイッチングレギュレータ集積回路内に集積され得る。したがって、外部回路構成が完全に無くなり、回路の複雑度が大幅に低下する。

スイッチＳＷＡおよびＳＷＡ′はＰチャネルＭＯＳＦＥＴトランジスタを用いて実現され得る。代替的に、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴスイッチまたはバイポーラトランジスタスイッチを利用してもよい。

上記の説明は本発明の局面を図示および説明している。また、本開示は好ましい実施例のみを図示および説明しているが、上述のように、本発明はここに記載された発明概念の範囲内で、上記の教示内容、および／または関連技術の技能もしくは知識に対応して、さまざまな他の組合せ、修正、および環境において使用可能であり、変更または修正が可能である。

上述の実施例はさらに、本発明を実行する、知られるベストモードを説明し、かつ当業
者が本発明をそのような、または他の実施例において、本発明の特定的な応用または使用によって必要とされるさまざまな修正を加えて利用できるよう意図されている。

したがって、本説明は本発明をここに開示された形態に限定することを意図するものではない。また、添付の請求項は他の実施例を含んで解釈されるよう意図されている。

入力電源を選択するためのダイオード回路を示す図である。入力電源を選択するためのＭＯＳＦＥＴ回路を示す図である。二入力ＤＣ／ＤＣ変換器を示す図である。図３に示される変換器の簡略化された配置を示す図である。

Claims

電力供給システムであって、
第１の電源からの電力を負荷へ提供するための第１の入力と、
第２の電源からの電力を前記負荷へ提供するための第２の入力と、
前記第１の入力および前記第２の入力に結合されて前記第１の入力と前記第２の入力との間を選択する入力セレクタと、
バック−ブーストモードで動作するように構成されるとともに、単一のインダクタと、前記第１の入力と前記インダクタとの間に結合される第１のトランジスタデバイスと、前記インダクタに結合される第２，第３および第４のトランジスタデバイスと、前記第１、第２、第３および第４のトランジスタデバイスの制御電極に供給される制御信号を生成するための制御回路とを有し、入力信号が出力信号よりも低い場合または前記入力信号が前記出力信号よりも高い場合に、前記第１、第２、第３および第４のトランジスタデバイスのスイッチングを制御して前記入力信号を前記負荷へ供給される調整された前記出力信号へ変換するための電力レギュレータとを備え、
前記入力セレクタは、前記第２の入力と前記インダクタとの間に結合された追加のトランジスタデバイスと、前記第１の入力における第１の入力電圧および前記第２の入力における第２の入力電圧を検出するためのセンシング回路と、前記制御回路から制御信号を受信し、前記第１のトランジスタデバイスおよび前記追加のトランジスタデバイスをそれぞれ制御するための第１および第２のドライバ回路とを含み、
前記センシング回路は、前記第１の入力電圧が前記第２の入力電圧よりも低い場合には、前記第１のドライバ回路を制御して前記第１のトランジスタデバイスのスイッチングを非活性化するとともに、前記第２のドライバ回路を制御して前記追加のトランジスタデバイスのスイッチングを活性化し、
前記センシング回路は、前記第２の入力電圧が前記第１の入力電圧よりも低い場合には、前記第１のドライバ回路を制御して前記第１のトランジスタデバイスのスイッチングを活性化するとともに、前記第２のドライバ回路を制御して前記追加のトランジスタデバイスのスイッチングを非活性化させ、
前記第１の入力は、前記第１のトランジスタデバイスに電気的に直接接続され、
前記第２の入力は、前記追加のトランジスタデバイスに電気的に直接接続され、
前記第１および追加のトランジスタデバイスは、前記単一のインダクタに電気的に接続される、システム。
前記追加のトランジスタデバイスは前記第１のトランジスタデバイスに並列に接続される、請求項１に記載のシステム。
前記制御回路は、前記入力信号から前記出力信号への変換を制御するためのパルス幅または周波数変調制御回路である、請求項１に記載のシステム。
前記第１および第２のドライバ回路は前記第１および追加のトランジスタデバイスを駆動するように前記パルス幅または周波数変調制御回路によって制御可能である、請求項３に記載のシステム。
前記第１および追加のトランジスタデバイスは電界効果またはバイポーラトランジスタである、請求項１に記載のシステム。
前記電力レギュレータはＤＣ／ＤＣ変換を提供するよう構成される、請求項１に記載のシステム。
前記入力セレクタは電池からの電力の供給か補助電源からの電力の供給かを選択するよう構成される、請求項１に記載のシステム。
電力レギュレータであって、
第１の電源からの電力を供給するための第１の電力供給入力と、
第２の電源からの電力を供給するための第２の電力供給入力と、
バック−ブーストモードで動作するように構成され、入力信号を調整された出力信号へ変換するための電力変換回路と、
前記第１の電力供給入力か前記第２の電力供給入力かを選択して前記入力信号を生成するための入力選択回路とを備え、
前記電力変換回路は、
前記入力信号から前記出力信号への変換を制御するためのパルスモジュレータ回路と、
前記入力信号が前記出力信号よりも低い場合または前記入力信号が前記出力信号よりも高い場合に、前記入力信号から前記出力信号への変換をサポートするように前記パルスモジュレータ回路によって制御可能である第１、第２、第３および第４のトランジスタデバイスと、
前記第１、第２、第３および第４のトランジスタデバイスに電気的に接続された単一のインダクタとを備え、
前記入力選択回路は、前記インダクタに電気的に接続された追加のトランジスタデバイスと、前記第１の電力供給入力における第１の入力電圧および前記第２の電力供給入力における第２の入力電圧を検出するためのセンシング回路と、前記パルスモジュレータ回路から制御信号を受信し、前記第１のトランジスタデバイスおよび前記追加のトランジスタデバイスをそれぞれ制御するための第１および第２のドライバ回路とを含み、
前記センシング回路は、前記第１の入力電圧が前記第２の入力電圧よりも低い場合には、前記第１のドライバ回路を制御して前記第１のトランジスタデバイスのスイッチングを非活性化するとともに、前記第２のドライバ回路を制御して前記追加のトランジスタデバイスのスイッチングを活性化し、
前記センシング回路は、前記第２の入力電圧が前記第１の入力電圧よりも低い場合には、前記第１のドライバ回路を制御して前記第１のトランジスタデバイスのスイッチングを活性化するとともに、前記第２のドライバ回路を制御して前記追加のトランジスタデバイスのスイッチングを非活性化させ、
前記第１の電力供給入力は、前記第１のトランジスタデバイスに電気的に直接接続され、
前記第２の電力供給入力は、前記追加のトランジスタデバイスに電気的に直接接続される、電力レギュレータ。
前記追加のトランジスタデバイスは前記第１のトランジスタデバイスに並列に接続される、請求項８に記載の電力レギュレータ。
前記第１のトランジスタデバイスは第１のＭＯＳＦＥＴトランジスタを備え、前記追加のトランジスタデバイスは追加のＭＯＳＦＥＴトランジスタを備える、請求項８に記載の電力レギュレータ。
前記パルスモジュレータ回路はパルス幅またはパルス周波数モジュレータを備える、請求項８に記載の電力レギュレータ。
前記電力変換回路はＤＣ／ＤＣ変換を提供するよう構成される、請求項８に記載の電力レギュレータ。
前記入力選択回路は、前記電力変換回路とともに集積回路内に配置される、請求項８に記載の電力レギュレータ。
電力レギュレータを介して第１の電源または第２の電源からパワーデバイスへ電力を選択的に供給する方法であって、
前記電力レギュレータは、バック−ブーストモードで動作するように構成されるとともに、単一のインダクタ、第１、第２、第３および第４のトランジスタスイッチを有し、
前記方法は、
前記第１の電源か前記第２の電源かを選択して、入力電力供給信号を前記パワーデバイスへ供給される調整された出力電力供給信号へ変換するために前記電力レギュレータへ前記入力電力供給信号を与えるステップと、
前記第１の電源からの第１の入力における第１の入力電圧と、前記第２の電源からの第２の入力における第２の入力電圧とを検出するステップと、
前記第１の入力電圧が前記第２の入力電圧よりも高い場合に、前記第１のトランジスタスイッチを活性化するとともに前記第１のトランジスタスイッチに並列に配置された追加のトランジスタスイッチを非活性化して前記入力電力供給信号を供給するステップと、
前記第１の入力電圧が前記第２の入力電圧よりも低い場合に、前記第１のトランジスタスイッチを非活性化するとともに前記追加のトランジスタスイッチを活性化して前記入力電力供給信号を供給するステップとを備え、
前記第１、第２、第３および第４のトランジスタスイッチならびに前記追加のトランジスタスイッチは、前記単一のインダクタに電気的に接続され、
前記第１および第２の電源からの前記入力電力供給信号は、前記第１および追加のトランジスタスイッチに、それぞれ直接供給される、方法。