JP5203631B2 - 光ビーム走査装置及び画像形成装置 - Google Patents

Description

本発明は、例えば、画像形成装置等に応用可能な光ビーム走査装置に関する。

従来、活性層に直角な方向にレーザビームを出射する垂直キャビティ型の面発光レーザ（以下ＶＣＳＥＬと称す）が知られている。このＶＣＳＥＬは、端面出射型の半導体レーザとは異なって、複数の発光点を２次元配列することができる。このＶＣＳＥＬを光ビーム走査装置に採用すれば、コリメータレンズで収差が生じることなく、かつ、独立変調可能な走査ライン数を増やすことができる利点がある。さらに、光ビーム走査装置を搭載したプリンタの生産性（画像形成のスループット）や、画像密度を飛躍的に向上させることが可能となりうる。

図１１は、画像形成装置に適用可能なＶＣＳＥＬの一例を示す図である。１２個の発光点が、４×３のマトリクス状に配列されている。また、各発光点から出力される光ビームの間隔が一定となるように、各発光点が副走査方向に等ピッチＰで配列されている。このＶＣＳＥＬでは、同時に１２ラインの走査を実現できる（特許文献１）。

図１２は、画像形成装置に適用可能なＶＣＳＥＬの一例を示す図である。１６個の発光点が、８×２のマトリクス状に配列されている。各発光点は、第１の方向では第１の等間隔Ｌ１で並んでおり、第２の方向では第２の等間隔Ｌ２（＝２×Ｌ１）で並んでいる。間隔とは、図から明らかなように、発光点を射影して得られる点の間隔である。なお、図１２に示された光源を回転させることで、２つの解像度（６００ｄｐｉ、１２００ｄｐｉ）を切り換えることが可能となる。

しかし、生産性や画素密度を上げるため、ＶＣＳＥＬの発光点間隔を狭くして行くと、発光点間の熱影響による光出力変動（クロストーク）が発生しうる。一方で、クロストークを回避するために、発光点の間隔を広くすれば、コリメータレンズで収差が生じる。

図１３は、コリメータレンズの収差を生じない範囲で発光点の間隔を広げることでクロストークの影響を改善するための配置を示す図である（特許文献２）。
特開平９−２８１４２０号公報 特開２００１−２７２６１５号公報

ここで熱的なクロストークの影響について詳しく説明する。図１４は、ＶＣＳＥＬの入力電流に対する出力光量の特性（以下Ｌ−Ｉ特性）の一例を示す図である。ここでは、３つの特性（周囲環境の温度条件が２０度Ｃ、４０度Ｃ、６０度ＣＬ−Ｉ特性）が示されている。図１４を参照すれば、ＶＣＳＥＬのＬ−Ｉ特性は、温度に対し著しく大きな光量変動を有することを理解できるであろう。

ＶＣＳＥＬにおいて発光点の間隔を狭くした場合、発光点ごとの温度が相乗的に増加する。特に、高デューティーで（すなわち、点灯時間を長く、消灯時間を短く）発光させた場合、近接した発光点群の温度が急激に上昇する。これに伴い、光量が敏感に低下するため、画像にムラ（例えば、濃度のムラ）が発生してしまう。

このように、ＶＣＳＥＬでは、さらに生産性を向上させるために画素密度を上げれば、熱的及び電気的な干渉が発生しやすいという課題がある。また、従来技術では、感光ドラム上を隣接して走査する光ビームを出射する発光点同士が光源の発光面上でも隣接配置されている。そのため、よりクロストークが生じやすいという課題もある。一般に、感光ドラム上で隣接して走査することになる複数の光ビームは、その変調に使用された画像データも類似していることが多い。そのため、これら光ビームは、同時に発光される確率も高くなる。よって、隣接配置された発光点同士で、相互に熱的な干渉を与えやすくなる。

そこで、本発明は、これらの課題や他の課題のうち少なくとも１つを解決することを目的とする。他の課題については、明細書及び図面の全体から把握できよう。

本発明は、例えば、
光ビーム走査装置であって、
複数の発光点が２次元配列された発光面を備え、該発光面は溝によって複数の異なる領域に分割されており、該複数の異なる領域の各々に少なくとも１つの発光点が配置された光源と、
偏向された各光ビームが主走査方向に沿って被露光面を走査するよう前記複数の発光点のそれぞれから射出され光ビームを偏向する偏向手段と、
前記被露光面において副走査方向に沿った一定間隔のスポットが形成されるように前記偏向手段によって偏向された各光ビームを結像させる結像手段と、
前記複数の発光点を順番に発光させる際に、前記複数の異なる領域から交互に発光点を選択して発光させる発光制御手段と
を含み、各領域には、前記複数の発光点が均等に配置されていることを特徴とする光ビーム走査装置を提供する。
また、本発明は、例えば、
光ビーム走査装置であって、
複数の発光点が２次元配列された発光面を備え、該発光面は溝によって複数の異なる領域に分割されており、該複数の異なる領域の各々に少なくとも１つの発光点が配置された光源と、
偏向された各光ビームが主走査方向に沿って被露光面を走査するよう前記複数の発光点のそれぞれから射出され光ビームを偏向する偏向手段と、
前記被露光面において副走査方向に沿った一定間隔のスポットが形成されるように前記偏向手段によって偏向された各光ビームを結像させる結像手段と、
前記複数の発光点を順番に発光させる際に、前記複数の異なる領域から交互に発光点を選択して発光させる発光制御手段と
を含み、前記複数の異なる領域のうち、第１領域に第１発光点及び第２発光点が設けられ、第２領域に設けられる第３発光点及び第４発光点が設けられ、前記第１発光点、前記第３発光点、前記第２発光点、前記第４発光点の順序で発光するよう制御されており、かつ、前記第１発光点と前記第２発光点との距離よりも前記第１発光点と前記第３発光点及び前記第４発光点との各距離が長く、前記第１発光点と前記第２発光点との距離よりも前記第２発光点と前記第３発光点及び前記第４発光点との各距離が長く、前記第３発光点と前記第４発光点との距離よりも前記第３発光点と前記第１発光点及び前記第２発光点との各距離が長く、前記第３発光点と前記第４発光点との距離よりも前記第４発光点と前記第１発光点及び前記第２発光点との各距離が長いことを特徴とする光ビーム走査装置を提供する。

本発明によれば、複数ある発光点の配置と発光タイミングを工夫することで、熱や電気的な干渉に起因するクロストークの影響を緩和し、画像形成装置の生産性を上げつつも画質を維持できる。

以下に本発明の一実施形態を示す。もちろん以下で説明される個別の実施形態は、本発明の上位概念、中位概念及び下位概念など種々の概念を理解するために役立つであろう。また、本発明の技術的範囲は、特許請求の範囲によって確定されるのであって、以下の個別の実施形態によって限定されるわけではない。

［実施形態１］
図１は、実施形態に係る光ビーム走査装置の概略図である。光ビーム走査装置１０１は、例えば、画像形成装置における露光装置として採用できる。レーザ光源ユニット１２０は、発光制御基板１２２、ＶＣＳＥＬ１２１及びコリメータレンズ１１９を含む。ＶＣＳＥＬ１２１は、複数の発光点が２次元配列された発光面を備え、発光面を論理的に分割して得られた複数の異なる領域のいずれか１つに各発光点が配置された光源の一例である。発光制御基板１２２は、ＶＣＳＥＬ１２１を駆動するための回路基板である。例えば、発光制御基板１２２は、複数の発光点を順番に発光させる際に、複数の異なる領域から交互に発光点を選択して発光させる発光制御手段の一例である。複数の発光点は、択一的に点灯してもよいし、同時に点灯してもよい。コリメータレンズ１１９は、ＶＣＳＥＬ１２１から射出された光ビームを平行な光束Ｌに変換するための光学部品である。

シリンダーレンズ１１８は、光束Ｌの大部分を主走査方向（光ビーム走査装置の走査方向であり感光ドラムの長手方向）に対して長い線像としてポリゴンミラー１１１の反射面上に結像するための光学部品である。ポリゴンミラー１１１は、偏向された各光ビームが主走査方向に沿って被露光面を走査するよう、複数の発光点のそれぞれから射出され光ビームを偏向走査する偏向走査手段の一例である。すなわち、ポリゴンミラー１１１は、光束Ｌを偏向し走査するための光学部品であり、不図示のブラシレスモータによって回転される。

結像レンズ１１２やｆθレンズ１１３は、被露光面において副走査方向に沿った一定間隔のスポットが形成されるよう偏向走査された各光ビームを結像させる結像手段の一例である。すなわち、結像レンズ１１２は、光束Ｌを感光ドラム１００上に所定のスポット径で結像させる。感光ドラム１００は、像を担持する像担持体の一例である。また、被露光面（被走査面）は、感光ドラム１００の表面となる。ｆθレンズ１１３は、感光ドラム１００を等速度で光束Ｌが走査するよう光束Ｌを変換する光学部品である。

光量検知センサ１２９は、光ビームの光量を測定するためのセンサである。ハーフミラー１２８は、光量検知センサ１２９に光束Ｌの光量の一部を取り込むための光学部品である。発光制御基板１２２は、各発光点から出射される光ビームの光量を検知し、各光量がそれぞれ常に一定となるように、各発光点に流される電流を制御する（いわゆる自動光量制御）。

一般に、自動光量制御は、光ビームが感光ドラム１００を走査しない、限られた時間範囲で実行されなければならない。ＶＣＳＥＬ１２１のように多くの発光点を備えている場合、例えば、ポリゴンミラーの１面ごとに、１つおきの２つの発光点について光量制御が実行される。そして、回転によりポリゴンミラーの面が切り替わるごとに、光量制御の対象となる２つの発光点も切り換えて行くことで、すべての発光点について光量制御が実行される。

なお、この場合、ある発光点を光量制御してからその発光点を再び光量制御するまでのインターバルが長くなってしまうため、発光点の昇温による光量低下を十分に補正することが難しくなりやすい。そこで、このような自動光量制御を行う光ビーム走査装置では、本発明による昇温防止策が有効となるであろう。

ビームディテクター（以下ＢＤ）１１６は、光ビームを検出するセンサである。ＢＤ１１６は、ポリゴンミラー１１１の面ごとに光ビームを検出する。この光ビームの検出されたタイミングは、次の光ビームの射出タイミングを決定するために使用される。反射ミラー１１４は、ＢＤ１１６に対して光ビームを導くための光学部品である。結像レンズ１１５は、反射ミラー１１４からの光ビームをＢＤ１１６に結像させるための光学部品である。

図２は、ＶＣＳＥＬ１２１とコリメータレンズ１１９との関係を示す図である。ＶＣＳＥＬ１２１の各発光点は、発光部１２４に集約されて配置されている。各々独立に変調されて各発光点から出射された発散光は、コリメータレンズ１１９を通して平行な光束Ｌに変換される。図中の直線Ｌ０は、発光部１２４の発光面の法線であり、光束Ｌの中心線となっている。

図３は、実施形態に係る発光点の配置例を示す図である。発光面を論理的に分割するための境界線Ｖ１によって、２つの領域Ａ、Ｂが形成されている。境界線は、分割線、区画線と呼ばれてもよい。領域Ａには、発光点ａ１ないしａ８が２次元的に配置されている。また、領域Ｂには、発光点ｂ１ないしｂ８が配置されている。このように発光部１２４は、１６個の発光点を備えている。

各発光点は、主走査方向に沿って一定の間隔Ｌ１＝７．０６［μｍ］で配置されている。一方で、各発光点は、副走査方向に沿って一定の間隔２×Ｌ１＝１４．１［μｍ］で配置されている。ここで、光ビーム走査装置１０１の副走査方向の光学倍率が３倍であれば、感光ドラム１００上での走査ラインの間隔は４２．３［μｍ］（６００ｄｐｉ）となる。図３からわかるように、ここでの間隔は、２つの発光点の２次元平面上での最短距離ではなく、主走査方向又は副走査方向に各発光点を射影して得られる正射影間の間隔を意味する。

境界線Ｖ１によって分割されてなる２つの領域Ａ、Ｂの各面積は、均等である。なお、図３に示すように、水平方向の境界線Ｈ１によって、これらの２つの領域をさらに分割してもよい。この場合にも、分割により得られる４つの領域の各面積が均等となってもよい。４つの領域のうち、右上の第１領域には、ａ１乃至ａ４が均等に配置されている。また、右下の第２領域には、ａ５乃至ａ８が均等に配置されている。左上の第３領域には、ｂ１乃至ｂ４が均等に配置されている。また、左下の第４領域には、ｂ５乃至ｂ８が均等に配置されている。このように、各領域には、複数の発光点が均等に配置されている。すなわち、各領域に配置された発光点の数は同数であるが、１つ程度であれば数が異なってもよい。なお、図３によれば、各領域に配置された発光点の疎密度も均等である。このように、本願での「均等」は、同数のみならず同数に近いことも意味する。

光ビーム走査装置１０１を用いて副走査方向に６００ｄｐｉの解像度（画素密度）で走査する場合、各発光点の発光順序は、ａ１、ｂ１、ａ２、ｂ２、ａ３、ｂ３、ａ４、ｂ４、ａ５、ｂ５、ａ６、ｂ６、ａ７、ｂ７、ａ８、ｂ８の順である。これは、複数の発光点を順番に発光させる際には、異なる複数の領域から交互に発光点を選択して発光させることが、クロストークを緩和する観点からは望ましいからである。

なお、境界線Ｈ１、Ｖ１は、論理的な線であって、直接的に発光部１２４に描かれる線ではない。しかし、境界線Ｈ１、Ｖ１をマーキングなどにより発光部１２４に描画してもよい。さらに、後述するように、境界線Ｈ１、Ｖ１を溝として実現してもよい。この場合の溝は、異なる複数の領域に配置されたそれぞれの発光点間に相互に働く熱的な干渉と電気的な干渉とのうち少なくとも一方を軽減する軽減手段の一例である。

図４は、実施形態に係る発光部を所定角度θだけ回転させたときの発光点の配置例を示す図である。すなわち、解像度を切り換えるために、図３に示した発光部を時計回りにθ（例：９０度）回転させた様子が示されている。なお、回転中心は、境界線Ｈ１とＶ１との交点である。

この場合、上述した１６個の発光点は、副走査方向においてＬ１＝７．０６［μｍ］の間隔で配置されることになる。光学倍率が３倍であるため、感光ドラム１００における走査ラインの間隔は２１．２［μｍ］となる。

なお、副走査方向に１２００ｄｐｉの解像度を達成する際の各発光点の発光順序は、ｂ２、ｂ６、ｂ４、ｂ８、ｂ１、ｂ５、ｂ３、ｂ７、ａ２、ａ６、ａ４、ａ８、ａ１、ａ５、ａ３、ａ７の順序である。このように、境界線Ｈ１により区画される領域Ａ’、Ｂ’から交互に発光点が選択された発光される。すなわち、領域Ａ’に属する発光点が点灯した後は、必ず、領域Ｂ’に属する発光点が点灯するため、領域Ａ’に属する２つの発光点が連続して点灯することは回避されている。これにより、発光点同士を発光面上で十分に離間させるだけでなく、距離が近い２つの発光点（隣接発光点）が連続して点灯しないようにすることができる。一般に、画像データでは、画像の連続性から、隣り合った走査ラインの露光パターンも類似することが多い。よって、隣接した走査ラインを担当する発光点間の距離を離間させれば、これらの発光点間における相乗的な熱影響を緩和できる。ひいては、クロストークによる画像不良の発生を抑制しやすくなる。

図５は、実施形態に係るＶＣＳＥＬに発光点についての概略断面図である。このＶＣＳＥＬの発光波長は、７８０ｎｍである。もちろん、７８０ｎｍは単なる例示であり、他の波長（例：赤色レーザ、６７０ｎｍ）であってもよい。

ｎ側電極として機能する基板１６１に対して、分布ブラック反射鏡１６２、１波長共振器層１６３、ｎ側ＤＢＲミラー層１６４及びポリイミド１６５、ｐ側電極１６６など各種の層が積層されている。分布ブラック反射鏡１６２は、ｐ側ＤＢＲミラー層として機能するもので、ＡｌＧａＡｓ多層膜からなる。１波長共振器層１６３は、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓの３量子井戸からなる活性層を含み、両端にＡｌＧａＡｓを有する。ｎ側ＤＢＲミラー層１６４は、ＡｌＧａＡｓ多層膜からなる。ｎ側ＤＢＲミラー層１６４には、電流狭窄を目的として、その上部が円柱状に加工されており、円柱の周りはポリイミド１６５が埋め込まれている。この構成において、活性層で発生した光は、活性層の上部にあるｎ側ＤＢＲミラー層１６４と活性層の下部にある分布ブラック反射鏡１６２によって複数回反射され、基板１６１に垂直な方向にレーザビームを発する。

ＶＣＳＥＬの温度環境におけるＬ−Ｉ特性（図１４）は、前述したような特性を持っている。そのため、発光部１２４が温度上昇すると、一般に画像ムラの原因となる光量低下がポリゴンミラーの同一面により走査している間であっても発生する。

よって、上述したように、ＶＣＳＥＬ１２１のように、各発光点を十分に離間させ、隣接した走査ラインを担当する各発光点も十分に離間させることで、各発光点の温度上昇を従来よりも低減することが望ましい。こにより、クロストークの影響が効果的に緩和される。また、高デユーティーで発光することを要求する画像データに対しても、画像ムラの発生を抑制できるようになる。

本実施形態によれば、複数ある発光点の配置と発光タイミングを工夫することで、熱や電気的な干渉に起因するクロストークの影響を緩和し、画像の生産性を上げつつも画質を維持できる。例えば、発光面を論理的に分割して得られた複数の領域にそれぞれ発光点を２次元配列し、異なる複数の領域から交互に発光点を選択して発光させることで、クロストークが緩和され、画質が維持される。なお、複数の領域は、複数の境界線（例：Ｖ１，Ｈ１など）により論理的に発光面を分割することで形成された４つ以上の領域であってもよい。

例えば、各領域に複数の発光点を均等に配置することで、クロストークの原因となる発光点の温度上昇を低減できる。均等配置は、例えば、各領域に配置された発光点の数を同数又は１つ異なる数とすることで実現可能である。また、各領域に配置された発光点の疎密度が均等となるようにしてもよい。これにより、発光点間の間隔が、温度上昇を押させる程度に離間されることになるからである。

異なる複数の領域に配置されたそれぞれ発光点間に相互に働く熱的な干渉と電気的的な干渉とのうち少なくとも一方を軽減する軽減手段（例：溝など）を、異なる複数の領域間に設けてもよい。特に、複数の異なる領域の境界に設けられた溝を軽減手段とすれば、製造が容易となる利点がある。

［実施形態２］
図６は、実施形態に係るＶＣＳＥＬの発光部の他の例を示す図である。境界線については記載が省略されている。この例では、発光面が２つの領域Ｃ，Ｄに分割されている。各領域には、それぞれ５個の発光点が設けられている。すなわち、領域Ｃには、発光点ｃ１乃至ｃ５が均等に配置されており、領域Ｄには、発光点ｄ１乃至ｄ５が均等に配置されている。また、各発光点は、副走査方向に一定間隔ｑとなるように配置されている。

とりわけ、主走査方向における間隔に着目してみると、領域Ｃにおける発光点の間隔はＳ１となっており、領域Ｄにおける発光点の間隔はＳ３となっている。また、領域Ｃの発光点と、領域Ｄの発光点との間隔はＳ２となっている。ここで、Ｓ２＞＝１．５×Ｓ１、かつ、Ｓ２＞＝１．５×Ｓ３とすること、クロストークを緩和する観点から望ましい。なお、倍数の上限値は、実現しようとする解像度や、発光部をどの程度小さくすべきかに依存する。

また、発行順序は、ｃ１、ｄ１、ｃ２、ｄ２、ｃ３、ｄ３、ｃ４、ｄ４、ｃ５、ｄ５の順序となる。このように、実施形態２でも、複数の異なる領域から交互に発光点が選択されて発光されるため、クロストークの発生及び画像不良を抑制しやすくなる。

このように、第１領域Ｃに第１発光点ｃ１及び第２発光点ｃ２が設けられ、第２領域Ｄに第３発光点ｄ１及び第４発光点ｄ４が設けられている。また、第１発光点ｃ１、第３発光点ｄ１、第２発光点ｃ２、第４発光点ｄ２の順序で発光するよう発光制御基板１２２により制御される。ここで、２次元平面的な距離に着目してみると、第１発光点ｃ１と第２発光点ｃ２との距離よりも、第１発光点ｃ１と第３発光点ｄ１及び第４発光点ｄ４との各距離が長くなっている。同様に、第１発光点ｃ１と第２発光点ｃ２との距離よりも、第２発光点ｃ２と第３発光点ｄ１及び第４発光点ｄ４との各距離が長くなっている。同様に、第３発光点ｄ１と第４発光点ｄ２との距離よりも、第３発光点ｄ１と第１発光点ｃ１及び第２発光点ｃ２との各距離が長くなっている。同様に、第３発光点ｄ１と第４発光点ｄ２との距離よりも、第４発光点ｄ４と第１発光点ｃ１及び第２発光点ｃ２との各距離が長くなっている。すなわち、同一領域内の近接した発光点間の距離は、他の領域に属するいずれかの発光点までの距離よりも長くなっていることがわかる。これにより、発光点の温度上昇を抑制しやすくなるのである。

図７は、実施形態に係る発光点への給電用の配線パターンの一例を示す図である。図からわかるように、領域Ｃ、Ｄに配置された各発光点への配線パターン７０１、７０２は、領域ごとにそれぞれ独立して設けられている。一般に、発光制御基板１２２がＰＷＭ（パルス幅変調）制御等を用いて高速にレーザ光を変調する場合、近接した発光点に接続された配線間で電気的な干渉が発生し、これが、画像不良の原因となりうる。しかし、図７が示すような配線パターンを採用すれば、電気的な干渉が軽減されるため、画象不良の発生を低減できる。

［実施形態３］
図８は、実施形態に係るＶＣＳＥＬの発光部の他の例を示す図である。中央の境界線によって、発光部の発光面が領域Ｅ、Ｆに分割されている。領域Ｅには、３つの発光点ｅ１、ｅ２、ｅ３が設けられている。領域Ｆには、４つの発光点ｆ１、ｆ２、ｆ３、ｆ４が設けられている。このように、各領域における発光点の数が同数ではないが、１つ（３０％程度）異なるにすぎず、実質的に両者の発光点数は均等である。

各発光点は、副走査方向に一定間隔ｑとなるように配置されている。各領域内では、発光点が縦方向（副走査方向）に一列に配列されている。さらに、発光面には、ｎ側電極（図５の基板１６１）に達しない程度の深さの溝８０１が設けられている。各発光点の発行順序は、ｆ１、ｅ１、ｆ２、ｅ２、ｆ３、ｅ３、ｆ４の順序となる。すなわち、領域Ｅ，Ｆから交互に発光点が選択されて発光される。

実施形態３においても、特有の、発光点の散在配置、軽減手段としての溝、及び、発光順序によって、クロストークの発生及びそれに伴う画像不良を抑制しやすくなる。

［実施形態４］
図９は、実施形態に係るＶＣＳＥＬの発光部の他の例を示す図である。２つの境界線によって、発光部の発光面が領域Ｇ、Ｈ、Ｉに分割されている。領域Ｇには、３つの発光点ｇ１、ｇ２、ｇ３が設けられている。領域Ｈには、３つの発光点ｈ１、ｈ２、ｈ３が設けられている。領域Ｉには、３つの発光点ｉ１、ｉ２、ｉ３が設けられている。このように、各領域における発光点が均等に配置されている。また、各発光点は、副走査方向に一定間隔ｑとなるように配置されている。

各発光点の発行順序は、ｇ１、ｈ１、ｉ１、ｇ２、ｈ２、ｉ２、ｇ３、ｈ３、ｉ３の順序となる。すなわち、領域Ｇ，Ｈ，Ｉから交互に発光点が選択されて発光される。

このように、実施形態４においても、特有の、発光点の散在配置、及び、発光順序によって、クロストークの発生及びそれに伴う画像不良を抑制しやすくなる。なお、領域ＧとＨの間や、領域ＨとＩの間の少なくとも一方に、上述した溝を設けてもよい。

［他の実施形態］
実施形態１などでは、２方向に使用可能なＶＣＳＥＬであって、発光点の数が４の倍数のものについて説明した。しかし、発光点の数は、４の倍数でなくともよい。

図１０は、４分割した領域に対し、６個の発光点の重心が概ね発光部１２４又はコリメータレンズ１１９の中心となるように、６個の発光点を分散配置した例を示す図である。図１０が示す例でも、各発光点は、実質的に均等に配置されているといえよう。各方向における間隔は、図１０が示すように、それぞれｍ、ｎとなっている。上述したように、発光部１２４を回転させることで、ｍ、ｎに応じた解像度に切り換えることが可能となる。なお、発光制御基板１２２が発光部１２４を回転させるための回転駆動部を備えていることはいうまでもない。

また、上述した溝は、基本的に空洞としてもよいが、熱的な干渉や電気的な干渉を軽減するための軽減部材（例：絶縁体）などを溝の一部又は全部に充填してもよい。

上述した実施形態では、発光点と走査ラインとが１対１となることを前提としていたが、例えば、深い潜像を形成することを目的として、複数の発光点によって１つの走査ラインが形成されてもよい。このような光ビーム走査装置に対しても、本発明の技術思想は有効に機能する。

上述した実施形態に係る光ビーム走査装置１０１を、画像形成装置に適用してもよい。図１５は、実施形態に係る画像形成装置の概略断面図である。画像形成装置１５０１は、モノクロ又はフルカラーの画像を形成する装置である。例えば、画像形成装置１５０１は、印刷装置、画像出力装置、プリンタ、複写機、複合機又はファクシミリとして実現される。

光ビーム走査装置１０１は、一様に帯電されたドラム上の感光ドラム１００上を光ビームによって走査する。これにより、感光性を有する感光ドラム１００上には、画像信号に対応する静電潜像が形成される。また、静電潜像は、現像装置によって、現像剤（例：トナー）の像に変換される。定着装置１５０２は、感光ドラム１００から現像剤の像が転写された記録媒体Ｓに対して現像剤の像を定着させる。記録媒体Ｓは、用紙、シート、転写材などと呼ばれることもある。このように、実施形態に係る光ビーム走査装置１０１を画像形成装置１５０１に適用することで、熱や電気的な干渉に起因するクロストークによる画像不良を緩和し、生産性を上げつつも画質を維持できる。

実施形態に係る光ビーム走査装置の概略図である。 ＶＣＳＥＬとコリメータレンズとの位置関係を示す図である。 実施形態に係る発光点の配置例を示す図である。 実施形態に係る発光部を所定角度θだけ回転させたときの発光点の配置例を示す図である。 実施形態に係るＶＣＳＥＬに発光点についての概略断面図である。 実施形態に係るＶＣＳＥＬの発光部の他の例を示す図である。 実施形態に係る発光点への給電用の配線パターンの一例を示す図である。 実施形態に係るＶＣＳＥＬの発光部の他の例を示す図である。 実施形態に係るＶＣＳＥＬの発光部の他の例を示す図である。 実施形態に係るＶＣＳＥＬの一例を示す断面図である。 従来例における発光点の配置を示す図である。 従来例における発光点の配置を示す図である。 従来例における発光点の配置を示す図である。 ＶＣＳＥＬのＬ−Ｉ特性の一例を示す図である。 実施形態に係る画像形成装置の概略断面図である。

Claims (8)

1. 光ビーム走査装置であって、
   複数の発光点が２次元配列された発光面を備え、該発光面は溝によって複数の異なる領域に分割されており、該複数の異なる領域の各々に少なくとも１つの発光点が配置された光源と、
   偏向された各光ビームが主走査方向に沿って被露光面を走査するよう前記複数の発光点のそれぞれから射出され光ビームを偏向する偏向手段と、
   前記被露光面において副走査方向に沿った一定間隔のスポットが形成されるように前記偏向手段によって偏向された各光ビームを結像させる結像手段と、
   前記複数の発光点を順番に発光させる際に、前記複数の異なる領域から交互に発光点を選択して発光させる発光制御手段と
   を含み、各領域には、前記複数の発光点が均等に配置されていることを特徴とする光ビーム走査装置。
2. 光ビーム走査装置であって、
   複数の発光点が２次元配列された発光面を備え、該発光面は溝によって複数の異なる領域に分割されており、該複数の異なる領域の各々に少なくとも１つの発光点が配置された光源と、
   偏向された各光ビームが主走査方向に沿って被露光面を走査するよう前記複数の発光点のそれぞれから射出され光ビームを偏向する偏向手段と、
   前記被露光面において副走査方向に沿った一定間隔のスポットが形成されるように前記偏向手段によって偏向された各光ビームを結像させる結像手段と、
   前記複数の発光点を順番に発光させる際に、前記複数の異なる領域から交互に発光点を選択して発光させる発光制御手段と
   を含み、前記複数の異なる領域のうち、第１領域に第１発光点及び第２発光点が設けられ、第２領域に設けられる第３発光点及び第４発光点が設けられ、前記第１発光点、前記第３発光点、前記第２発光点、前記第４発光点の順序で発光するよう制御されており、かつ、前記第１発光点と前記第２発光点との距離よりも前記第１発光点と前記第３発光点及び前記第４発光点との各距離が長く、前記第１発光点と前記第２発光点との距離よりも前記第２発光点と前記第３発光点及び前記第４発光点との各距離が長く、前記第３発光点と前記第４発光点との距離よりも前記第３発光点と前記第１発光点及び前記第２発光点との各距離が長く、前記第３発光点と前記第４発光点との距離よりも前記第４発光点と前記第１発光点及び前記第２発光点との各距離が長いことを特徴とする光ビーム走査装置。
3. 各領域に配置された前記発光点の数は、同数又は１つ異なる数であることを特徴とする請求項１または２に記載の光ビーム走査装置。
4. 各領域に配置された前記発光点の疎密度が均等であることを特徴とする請求項１または２に記載の光ビーム走査装置。
5. 前記溝は、前記複数の異なる領域に配置された発光点間に相互に働く熱的な干渉と電気的な干渉とのうち少なくとも一方を軽減する軽減手段であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光ビーム走査装置。
6. 前記複数の異なる領域では、前記発光点への配線パターンがそれぞれ独立して設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光ビーム走査装置。
7. 前記複数の異なる領域は、前記溝により分割された４つ以上の領域であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光ビーム走査装置。
8. 画像形成装置であって、
   像を担持する像担持体と、
   前記像担持体に潜像を形成するために光ビームを走査する、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光ビーム走査装置と
   を含むことを特徴とする画像形成装置。

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