JP5201717B2

JP5201717B2 - マグネトロン及びマグネトロンの陽極ベイン製造方法

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Publication number: JP5201717B2
Application number: JP2007321082A
Authority: JP
Inventors: 悦扶斉藤; なぎさ桑原; 健石井
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2007-12-12
Filing date: 2007-12-12
Publication date: 2013-06-05
Anticipated expiration: 2027-12-12
Also published as: EP2071605A1; CN101459026B; US7919924B2; DE602008001485D1; CN101459026A; JP2009146663A; EP2071605B1; US20090153055A1

Description

本発明は、電子レンジ等のマイクロ波利用機器に用いられるマグネトロン及び該マグネトロンの陽極ベイン製造方法に関する。

図１２は、従来のマグネトロンの概略構造を示す縦断面図である。また、図１３は図１２のマグネトロンの陽極構体の組み立て状態を示す一部断面斜視図である。図１２及び図１３において、陽極筒体１の内周面に高融点ろう材３でろう付けされて、陽極筒体１の中心軸側へ突出した多数の陽極ベイン２は、上端部及び下端部のそれぞれにおいて、大小２個の均圧環４ａ、４ｂによって１つおきにろう付けされている。また、多数の陽極ベイン２のうちの少なくとも１つには凹溝部５が形成されており、この凹溝部５に棒状のマイクロ波導出用導体６の一端部がろう付けされる。マイクロ波導出用導体６の一端部には凹溝部７（図１３参照）が形成されており、この凹溝部７が凹溝部５と噛合する。なお、多数の陽極ベイン２は全て同一形状に形成されているため、それぞれを均圧環４ａ、４ｂによって１つおきにろう付けする関係上、交互に１８０度向きを変えて配置される。つまり、図１３に示すように手前側の陽極ベイン２は凹溝部５を下に向けて配置され、奥側の陽極ベイン２は凹溝部５を上に向けて配置される。このように各陽極ベイン２は交互に向きを変えて配置される。

多数の陽極ベイン２は、陽極円筒体１内に放射状に配置されて、それぞれ隣り合った陽極ベイン２と陽極円筒体１とで囲まれた空間で空洞共振器が形成される。

上述した従来のマグネトロンは、製造工程において、多数の陽極ベイン２が陽極筒体１の内周面に対し、また均圧環４ａ、４ｂが各陽極ベイン２に対し、またマイクロ波導出用導体６が少なくとも１つの陽極ベイン２に対し、それぞれ高融点ろう材３によって同時にろう付けされる。この際、図１４に示すように、ろう付け工程で生じた余剰のろう材（以下、余剰ろう材と呼ぶ）３ａが陽極ベイン２の側面に長く垂れ下がったり、均圧環４ａ側に流れ込んだりすることがある。余剰ろう材３ａの流れ込む量が多い場合、所定モードでの安定した発振動作を得ることが困難となる。特に、マイクロ波導出用導体６を接続する陽極ベイン２の側面に垂れ下がったろう材が隣接陽極ベイン２側へ張り出すと、ここに高周波電界が集中して局部的な電界の乱れを生じる虞がある。また、余剰ろう材３ａの量は陽極ベイン２ごとに異なる場合が多く、このばらつきが共振周波数に大きく影響を与える。

このような問題に対し、特許文献１では、陽極筒体の内周面に形成されたろう付け部から陽極筒体の中心に向かって突出した板状の陽極ベインの側面に、陽極筒体のろう付け部から出発して少なくともマイクロ波導出用導体挿入溝に至るろう材誘導用条溝を設けている。このろう材誘導用条溝を設けることで、陽極ベインを陽極筒体にろう付けするときに、溶融したろう材のうちの余剰ろう材が誘導用条溝に入り込むので、それより下へのろう材の垂れ下がりを防止することができる。

特開平１−９５４４２号公報

しかしながら、陽極ベインの側面に、中心軸へ向かう方向にろう材誘導用条溝を設けても、余剰ろう材が当該条溝の下方の陽極筒体のろう付け部から陽極ベインの中心軸方向に展延したり、あるいは当該条溝から溢れて陽極ベインの下方に流れ落ちたりすることがあり、特性のばらつき即ち共振周波数のばらつきが生ずる虞がある。本発明者らは、陽極ベインの先端部分に余剰ろう材が展延すると、共振周波数に特に大きく影響を与えることを見出した。したがって、図１５に示すように、陽極ベイン２の先端部分２ａに余剰ろう材ａが展延することがないようにする必要がある。

この発明は係る事情に鑑みてなされたものであり、陽極ベインの先端部分に余剰ろう材が展延することのないマグネトロン及びマグネトロンの陽極ベイン製造方法を提供することを目的とする。

本発明のマグネトロンは、陽極筒体と、前記陽極筒体の中心軸に向けて放射状に配置され前記陽極筒体の内周面にろう付けされた複数枚の陽極ベインとを備え、前記陽極ベインは、前記中心軸に向かう上側の端部と下側の端部とを結ぶ少なくとも１つのろう材展延防止溝部を有する。

上記構成によれば、ろう材展延防止溝部が、陽極ベインを陽極筒体の内周面にろう付けする際に生ずる余剰ろう材の陽極ベインの先端部分への展延を防止するので、余剰ろう材が原因となる各陽極ベインの厚みのばらつきが無くなり、隣接する陽極ベイン間の静電容量が略一定になって、安定した共振周波数が得られる。また、マグネトロンとして組み立てた時点の初期周波数のばらつきが少なくなることから、安定した共振周波数を得るための調整作業が容易になる。

また、上記構成において、前記陽極ベインにおいて、前記陽極ベインの前記陽極筒体とろう付けする側の端部と前記ろう材展延防止溝部とを結ぶ少なくとも１つの第１のろう材案内溝部を有する。

上記構成によれば、第１のろう材案内溝部が、余剰ろう材を集めてろう材展延防止溝部まで案内するので、余剰ろう材が余剰ろう材展延防止溝部の手前で広がるのを防止できる。

また、上記構成において、前記陽極ベインは、均圧環をろう付け固定するための、前記中心軸に向かう上側の長手方向の端部に形成された溝状の第１の均圧環挿入部及び前記中心軸に向かう下側の長手方向の端部に形成された溝状の第２の均圧環挿入部を有し、前記ろう材展延防止溝部は、その一端が前記第１の均圧環挿入部に至り、他端が前記第２の均圧環挿入部に至る。

上記構成によれば、余剰ろう材を陽極ベインの均圧環挿入部の均圧環をろう付けするための部分に案内するので、均圧環の陽極ベインへのろう付けを補強できる。

また、上記構成において、前記陽極ベインは、マイクロ波導出用導体の一端部をろう付けするための凹溝部と、前記陽極ベインの両面の夫々において、前記凹溝部と前記ろう材案内溝部とを結ぶ少なくとも１つの第２のろう材案内溝部と、を有する。

上記構成によれば、余剰ろう材をマイクロ波導出用導体の一端部をろう付けするための凹溝部に案内するので、マイクロ波導出用導体の陽極ベインへのろう付けを補強できる。

また、本発明のマグネトロンの陽極ベインの製造方法は、陽極筒体と、前記陽極筒体の中心軸に向けて放射状に配置され前記陽極筒体の内周面にろう付けされた複数枚の陽極ベインとを備えたマグネトロンの陽極ベインの製造方法において、前記陽極ベインにおいて、前記陽極ベインの前記中心軸に向かう上側の端部と下側の端部とを結ぶ少なくとも１つのろう材展延防止溝部を形成する。

上記方法によれば、陽極ベインにろう材展延防止溝部を形成することで、陽極ベインを陽極筒体の内周面にろう付けする際に生ずる余剰ろう材の陽極ベインの先端部分への展延を防止できる。これにより、余剰ろう材が原因となる各陽極ベインの厚みのばらつきが無くなり、隣接する陽極ベイン間の静電容量が略一定になって、安定した共振周波数が得られる。また、マグネトロンとして組み立てた時点の初期周波数のばらつきが少なくなることから、安定した共振周波数を得るための調整作業が容易になる。

本発明によれば、陽極筒体の内周面に多数の陽極ベインをろう付けする際に生ずる余剰ろう材の陽極ベインの先端部分への展延を防止するので、余剰ろう材が原因となる各陽極ベインの厚みのばらつきが無くなり、隣接する陽極ベイン間の静電容量が略一定になって、安定した共振周波数が得られる。また、マグネトロンとして組み立てた時点の初期周波数のばらつきが少なくなることから、安定した共振周波数を得るための調整作業が容易になる。

以下、本発明を実施するための好適な実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。

（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係るマグネトロンの概略構造を示す縦断面図である。なお、この図において前述した図１２と共通する部分には同一の符号を付けている。本実施の形態のマグネトロンは、余剰ろう材３ａが先端部分１０ａに展延しないようにした構造の陽極ベイン１０を有している。図２ａに陽極ベイン１０を示す。この図に示すように、陽極ベイン１０は、中心軸Ａｘ側に向かう長手方向の上側の端部と下側の端部に形成された溝状の均圧環挿入部１１、１２の間に中心軸Ａｘ方向と同方向に形成された線状の溝部（以下、”ろう材展延防止溝部”と呼ぶ）１３を有している。このろう材展延防止溝部１３は、陽極ベイン１０の片面又は両面に設けられており、各面において、陽極筒体１の内周面に高融点ろう材３（図１３参照）でろう付けした際に生じる余剰ろう材３ａが陽極ベイン１０の先端部分１０ａに展延するのを防止するものである。

余剰ろう材３ａが陽極ベイン１０の先端部分１０ａに展延するのを防止することで、各陽極ベイン１０の先端部分１０ａの厚みにばらつきが生じ無くなり、隣接する陽極ベイン１０間の静電容量が略一定になって、安定した共振周波数が得られる。また、マグネトロンとして組み立てた時の共振周波数（即ち、初期周波数）のばらつきが小さくなることから、更に安定した共振周波数を得るための調整作業が容易になる。

一方、大小一対の均圧環４ａ、４ｂは、メッキによって付設されたろう材層（図示略）を表面に有しており、このろう材層は、炉内に入れて加熱した際に溶融し、陽極ベイン１０にろう付けされる。図１の符号１５は均圧環４ａ、４ｂの表面から溶融したろう材を示す。なお、陽極ベイン１０の上側に設けられた均圧環４ａについては、余剰ろう材３ａがろう材展延防止溝部１３を越えて展延した場合に、その展延した分によって陽極ベイン１０への固着が補強される。

このように、各陽極ベイン１０に、均圧環挿入部１１、１２の間を中心軸Ａｘ方向と同方向で結ぶろう材展延防止溝部１３を設けることで、各陽極ベイン１０を陽極筒体１の内周面にろう付けした際に生じる余剰ろう材３ａが陽極ベイン１０の先端部分１０ａに展延するのを防止ができる。また、各陽極ベイン１０の上側又は下側（交互に接続されるので、上側と下側になる）に設けられた均圧環４ａの陽極ベイン１０へのろう付けを補強することができる。

図３は、従来のマグネトロンと本発明のマグネトロンとの共振周波数の違いを示す図である。Ｃａは従来のマグネトロンの共振周波数特性であり、Ｃｂは本発明のマグネトロンの共振周波数特性である。この図から明らかなように、本発明のマグネトロンは、共振周波数のばらつきが小さくなっている。

このように、本実施の形態のマグネトロンによれば、各陽極ベイン１０に、均圧環挿入部１１、１２の間を中心軸Ａｘ方向と同方向で結ぶろう材展延防止溝部１３を設けたので、各陽極ベイン１０のろう付けした際に生じた余剰ろう材３ａが陽極ベイン１０の先端部分１０ａに展延するのを防止することができる。したがって、余剰ろう材３ａによる各陽極ベイン１０の先端部分１０ａの厚みのばらつきが生じ無くなり、隣接する陽極ベイン１０間の静電容量が略一定になって、安定した共振周波数が得られる。しかも、更に安定した共振周波数を得るための調整作業が容易になる。
また、各陽極ベイン１０の上側又は下側に設けられた均圧環４ａの陽極ベイン１０へのろう付けを補強することができる。

なお、図２ａに示した陽極ベイン１０は、ろう材展延防止溝部１３が、中心軸Ａｘ側に向かう長手方向の上側の端部と下側の端部に形成された溝状の均圧環挿入部１１、１２の間に中心軸Ａｘ方向と同方向に形成されているが、ろう材展延防止溝部１３の形成位置は、均圧環挿入部１１、１２よりも陽極筒体１の内周面にろう付けする側に近いいずれかの位置であってもよい。図２ｂに示すように、陽極ベイン３８は、中心軸Ａｘ側に向かう長手方向の上側の端部と下側の端部の、均圧環挿入部１１、１２よりも陽極筒体１の内周面にろう付けする側に近い位置に、ろう材展延防止溝部３９が形成されている。このように、各陽極ベイン３８に、中心軸Ａｘ側に向かう長手方向の上側の端部と下側の端部とを結ぶろう材展延防止溝部１３を設けたので、各陽極ベイン３８のろう付けした際に生じた余剰ろう材３ａが陽極ベイン３８の先端部分３８ａに展延するのを防止することができる。

（実施の形態２）
図４は、本発明の実施の形態２に係るマグネトロンの陽極ベインを示す図である。なお、この図において前述した図２ａと共通する部分には同一の符号を付けている。本実施の形態のマグネトロンは、実施の形態１のマグネトロンと同様に、余剰ろう材３ａが先端部分１６ａに展延しないようにした構造の陽極ベイン１６を有している。

陽極ベイン１６には、中心軸Ａｘ側に向かう長手方向の上側の端部に形成された溝状の均圧環挿入部１１の均圧環４ａをろう付けするための部分と、中心軸Ａｘ側に向かう長手方向の下側の端部に形成された溝状の均圧環挿入部１２の均圧環４ｂをろう付けするための部分との間を結ぶ線状の溝部（以下、”ろう材展延防止溝部”と呼ぶ）１７が形成されている。

このろう材展延防止溝部１７は、陽極ベイン１６の両面にそれぞれ設けられており、各面において、陽極ベイン１６を陽極筒体１の内周面にろう付けした際に生じる余剰ろう材３ａが陽極ベイン１６の先端部分１６ａに展延するのを防止する。また、ろう材展延防止溝部１７は、一端が均圧環挿入部１１の均圧環４ａをろう付けするための部分に至り、他端が均圧環挿入部１２の均圧環４ｂをろう付けするための部分に至ることで、案内した余剰ろう材３ａによって、均圧環４ａ、４ｂの陽極ベイン１６へのろう付けを補強する。

均圧環挿入部１１の均圧環４ａをろう付けするための部分と均圧環挿入部１２の均圧環４ｂをろう付けするための部分との間を結ぶことで、ろう材展延防止溝部１７が陽極ベイン１６の短手方向に対して傾斜することになるが、何等問題なく余剰ろう材３ａの展延を防止することができる。

（実施の形態３）
図５は、本発明の実施の形態３に係るマグネトロンの陽極ベインを示す図である。なお、この図において前述した図４と共通する部分には同一の符号を付けている。本実施の形態のマグネトロンは、実施の形態１及び２のマグネトロンと同様に、余剰ろう材３ａが先端部分１８ａに展延しないようにした構造の陽極ベイン１８を有している。

陽極ベイン１８は、実施の形態２のマグネトロンの陽極ベイン１６と同様の余剰ろう材展延防止溝部１７の他、余剰ろう材３ａを集中させて余剰ろう材展延防止溝部１７まで案内するための余剰ろう材案内部１９を有している。この余剰ろう材案内部１９は、陽極ベイン１８の長手方向と平行であって、陽極ベイン１８の陽極筒体１の内周面にろう付けする側の端部の中央部分と余剰ろう材展延防止溝部１７の略中央部分とを結ぶ直線状に形成されている。

余剰ろう材展延防止溝部１７と余剰ろう材案内溝部１９は、陽極ベイン１０の両面にそれぞれ設けられており、各面において、陽極ベイン１６を陽極筒体１の内周面にろう付けした際に生じる余剰ろう材３ａが陽極ベイン１８の先端部分１８ａに展延するのを防止すると共に、均圧環４ａ、４ｂの陽極ベイン１６へのろう付けを補強する。

図６は、本実施の形態のマグネトロンを組み立てた後の概略構造を示す縦断面図である。この図に示すように、余剰ろう材３ａが余剰ろう材案内部１９に集中する形で展延して余剰ろう材展延防止溝部１７まで案内されている。この際、余剰ろう材が余剰ろう材展延防止溝部１７の手前側で広がるのが防止される。余剰ろう材展延防止溝部１７まで案内された余剰ろう材３ａは、さらに陽極ベイン１８の均圧環挿入部１１の均圧環４ａをろう付けするための部分と均圧環挿入部１２の均圧環４ｂをろう付けするための部分に至り、均圧環４ａ、４ｂの陽極ベイン１６へのろう付けを補強する。

（実施の形態４）
図７は、本発明の実施の形態４に係るマグネトロンの陽極ベインを示す図である。なお、図７において前述した図５と共通する部分には同一の符号を付けている。本実施の形態のマグネトロンは、実施の形態１〜３のマグネトロンと同様に、余剰ろう材３ａが先端部分２０ａに展延しないようにした構造の陽極ベイン２０を有している。

陽極ベイン２０は、実施の形態２のマグネトロンの陽極ベイン１６と同様の余剰ろう材展延防止溝部１７の他、陽極ベイン２０の均圧環挿入部１１の均圧環４ａをろう付けするための部分と陽極ベイン２０の陽極筒体１の内周面にろう付けする側の端部の上側の部分とを結ぶ直線状に形成された余剰ろう材案内溝部２１と、余剰ろう材展延防止溝部１７の下側の部分と陽極ベイン２０の陽極筒体１の内周面にろう付けする側の端部の下側の部分とを結ぶ直線状に形成された余剰ろう材案内溝部２２と、余剰ろう材案内溝部２２の略中央部分とマイクロ波導出用導体６の一端部をろう付けするための凹溝部５とを結ぶ直線状に形成された余剰ろう材案内溝部２３とを有している。

余剰ろう材展延防止溝部１７、余剰ろう材案内溝部２１、余剰ろう材案内溝部２２及び余剰ろう材案内溝部２３は、陽極ベイン２０の両面にそれぞれ設けられており、各面において、陽極ベイン２０を陽極筒体１の内周面にろう付けした際に生じる余剰ろう材３ａが陽極ベイン２０の先端部分２０ａに展延するのを防止すると共に、均圧環４ａ、４ｂ及びマイクロ波導出用導体６の一端部の陽極ベイン１６へのろう付けを補強する。

（実施の形態５）
図８は、本発明の実施の形態５に係るマグネトロンの陽極ベインを示す図である。なお、この図において前述した図２ａと共通する部分には同一の符号を付けている。本実施の形態のマグネトロンは、実施の形態１〜４のマグネトロンと同様に、余剰ろう材３ａが先端部分２４ａに展延しないようにした構造の陽極ベイン２４を有している。

陽極ベイン２４は、陽極ベイン２４の均圧環挿入部１１の均圧環４ａをろう付けするための部分の直下部分と陽極ベイン２４の均圧環挿入部１２の均圧環４ｂをろう付けするための部分の直下部分とを結ぶ線状の余剰ろう材展延防止溝部２５と、均圧環挿入部１１の均圧環４ａをろう付けするための部分の直下部分と陽極ベイン２４の陽極筒体１の内周面にろう付けする側の端部の上側の部分とを結ぶ直線状に形成された余剰ろう材案内溝部２６と、余剰ろう材展延防止溝部２５の下側の部分と陽極ベイン２４の陽極筒体１の内周面にろう付けする側の端部の下側の部分とを結ぶ直線状に形成された余剰ろう材案内溝部２７と、余剰ろう材案内溝部２７の略中央部分とマイクロ波導出用導体６の一端部をろう付けするための凹溝部５とを結ぶ直線状に形成された余剰ろう材案内溝部２８とを有している。

余剰ろう材展延防止溝部２５、余剰ろう材案内溝部２６、余剰ろう材案内溝部２７及び余剰ろう材案内溝部２８は、陽極ベイン２４の両面にそれぞれ設けられており、各面において、陽極ベイン２４を陽極筒体１の内周面にろう付けした際に生じる余剰ろう材３ａが陽極ベイン２４の先端部分２４ａに展延するのを防止すると共に、均圧環４ａ、４ｂ及びマイクロ波導出用導体６の一端部の陽極ベイン１６へのろう付けを補強する。

（実施の形態６）
図９は、本発明の実施の形態６に係るマグネトロンの陽極ベインを示す図である。なお、この図において前述した図２ａと共通する部分には同一の符号を付けている。本実施の形態のマグネトロンは、実施の形態１〜５のマグネトロンと同様に、余剰ろう材３ａが先端部分２９ａに展延しないようにした構造の陽極ベイン２９を有している。

陽極ベイン２９は、陽極ベイン２９の均圧環挿入部１１の均圧環４ａをろう付けするための部分と均圧環挿入部１２の均圧環４ｂをろう付けするための部分の直下部分とを結ぶ線状の余剰ろう材展延防止溝部３０と、陽極ベイン２９の均圧環挿入部１１の均圧環４ａをろう付けするための部分の直下部分と均圧環挿入部１２の均圧環４ｂをろう付けするための部分とを結ぶ線状の余剰ろう材展延防止溝部３１と、余剰ろう材展延防止溝部３０及び３１それぞれの略中央部分と陽極ベイン２９の陽極筒体１の内周面にろう付けする側の辺の略中央部分とを結ぶ直線状に形成された余剰ろう材案内溝部３２と、余剰ろう材案内溝部３２の下方に位置し、余剰ろう材展延防止溝部３０及び３１それぞれの略中央部分と陽極ベイン２９の陽極筒体１の内周面にろう付けする側の辺の略中央部分とを結ぶ直線状に形成された余剰ろう材案内溝部３３と、余剰ろう材案内溝部３２及び３３それぞれの略中央部分とマイクロ波導出用導体６の一端部をろう付けするための凹溝部５の中心軸Ａｘ方向の一方の端部とを結ぶ直線状に形成され余剰ろう材案内溝部３４と、余剰ろう材案内溝部３２及び３３それぞれの略中央部分とマイクロ波導出用導体６の一端部をろう付けするための凹溝部５の中心軸Ａｘ方向の他方の端部とを結ぶ直線状に形成され余剰ろう材案内溝部３５とを有している。

余剰ろう材展延防止溝部３０及び３１と余剰ろう材案内溝部３２〜３４は、陽極ベイン２９の両面にそれぞれ設けられており、各面において、陽極ベイン２９を陽極筒体１の内周面にろう付けした際に生じる余剰ろう材３ａが陽極ベイン２９の先端部分２９ａに展延して行くのを防止すると共に、均圧環４ａ、４ｂ及びマイクロ波導出用導体６の一端部の陽極ベイン１６へのろう付けを補強する。

なお、上記実施の形態１〜６のマグネトロンの陽極ベイン１０、１６、１８、２０、２４、２９に形成した溝部１３、１７、１９、２１、２２、２５、２６、２７、２８、３０、３１、３２、３３、３４、３５の断面形状は、展延の容易さから図１０に示すＶ字状が好適である。

（参考例）
図１１は、本発明の参考例に係るマグネトロンの陽極ベインを示す図である。なお、この図において前述した図２ａと共通する部分には同一の符号を付けている。本参考例のマグネトロンは、実施の形態１〜６のマグネトロンと同様に、余剰ろう材３ａが先端部分３６ａに展延しないようにした構造の陽極ベイン３６を有している。

陽極ベイン３６は、両面の夫々において、陽極ベイン３６の陽極筒体１の内周面にろう付けする側の端部と陽極ベイン３６の先端部分３６ａとの間の全面に細密な凹凸部３７を多数形成してなるものである。この細密な凹凸部３７は、陽極ベイン３６の両面にそれぞれ設けられており、各面において、陽極ベイン３６を陽極筒体１の内周面にろう付けした際に生じる余剰ろう材３ａが陽極ベイン３６の先端部分３６ａに展延する防止する。また、均圧環４ａ、４ｂ及びマイクロ波導出用導体６の一端部の陽極ベイン１６へのろう付けを補強する。

なお、マグネトロンの陽極ベインの先端部分に余剰ろう材３ａが展延しないようにする溝部や凹凸部の形状や形成位置は、上記実施の形態１〜７に限定されるものではない。

本発明は、マグネトロンの陽極ベインの先端部分に余剰ろう材が展延するのを防止できる効果を有し、電子レンジ等のマイクロ波利用機器に用いられるマグネトロン及び該マグネトロンの陽極ベイン製造方法等に有用である。

本発明の実施の形態１に係るマグネトロンを示す縦断面図本発明の実施の形態１に係るマグネトロンの陽極ベインを示す図本発明の実施の形態１に係るマグネトロンの陽極ベインの他の例を示す図本発明のマグネトロンと従来のマグネトロンの共振周波数の違いを示す図本発明の実施の形態２に係るマグネトロンの陽極ベインを示す図本発明の実施の形態３に係るマグネトロンの陽極ベインを示す図本発明の実施の形態３に係るマグネトロンの概略構成を示す縦断面図本発明の実施の形態４に係るマグネトロンの陽極ベインを示す図本発明の実施の形態５に係るマグネトロンの陽極ベインを示す図本発明の実施の形態６に係るマグネトロンの陽極ベインを示す図本発明のマグネトロンに形成される溝部の一例を斜視図本発明の参考例に係るマグネトロンの陽極ベインを示す図従来のマグネトロンを示す縦断面図図１２のマグネトロンの陽極構体の組み立て状態を示す一部断面斜視図図１２のマグネトロンを示す縦断面図図１２のマグネトロンの陽極ベインを示す図

符号の説明

１陽極筒体
２ａ、３ａ余剰ろう材
４ａ、４ｂ均圧環
５凹溝部
６マイクロ波導出用導体
１０、１６、１８、２０、２４、２９、３６陽極ベイン
１０ａ、１６ａ、１８ａ、２０ａ、２４ａ、２９ａ、３６ａ陽極ベインの先端部分
１１、１２均圧環挿入部
１３、１７、２５、３０、３１余剰ろう材展延防止溝部（１３〜３５含む）
１９、２１、２２、２３、２６、２７、２８、３２、３３、３４、３５案内部
３７凹凸部

Claims

陽極筒体と、
前記陽極筒体の中心軸に向けて放射状に配置され前記陽極筒体の内周面にろう付けされた複数枚の陽極ベインとを備え、
前記陽極ベインは、前記中心軸に向かう上側の端部と下側の端部とを結ぶ少なくとも１つのろう材展延防止溝部を有するマグネトロン。
前記陽極ベインにおいて、前記陽極ベインの前記陽極筒体とろう付けする側の端部と前記ろう材展延防止溝部とを結ぶ少なくとも１つの第１のろう材案内溝部を有する請求項１に記載のマグネトロン。
前記陽極ベインは、均圧環をろう付け固定するための、前記中心軸に向かう上側の長手方向の端部に形成された溝状の第１の均圧環挿入部及び前記中心軸に向かう下側の長手方向の端部に形成された溝状の第２の均圧環挿入部を有し、
前記ろう材展延防止溝部は、その一端が前記第１の均圧環挿入部に至り、他端が前記第２の均圧環挿入部に至るものである請求項１又は請求項２に記載のマグネトロン。
前記陽極ベインは、
マイクロ波導出用導体の一端部をろう付けするための凹溝部と、
前記陽極ベインの両面の夫々において、前記凹溝部と前記ろう材案内溝部とを結ぶ少なくとも１つの第２のろう材案内溝部と、
を有する請求項２又は請求項３に記載のマグネトロン。
陽極筒体と、
前記陽極筒体の中心軸に向けて放射状に配置され前記陽極筒体の内周面にろう付けされた複数枚の陽極ベインとを備えたマグネトロンの陽極ベインの製造方法において、
前記陽極ベインにおいて、前記陽極ベインの前記中心軸に向かう上側の端部と下側の端部とを結ぶ少なくとも１つのろう材展延防止溝部を形成するものであるマグネトロンの陽極ベインの製造方法。