JP5198717B2 - 不十分なサブスレッショルド勾配または弱いトランスコンダクタンスによって不揮発性メモリ素子を識別する方法。 - Google Patents
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Description
図2〜5を参照して、特定の例を示すのを目的として、本発明の種々の態様が実施される例示的な不揮発性メモリシステムについて説明する。(図2〜図5は、米国特許第6,456,528号(特許文献18)から適合化される。この特許は、本願明細書において参照により援用され、そこでより詳細に説明される。)図2は、フラッシュメモリシステムのブロック図である。マトリックスに配列された複数のメモリセルMを含むメモリセルアレイ1は、コラム制御回路2、ロウ制御回路3、cソース制御回路4およびc−pウェル制御回路5によって制御される。メモリセル(M)に記憶されているデータを読み出し、プログラム動作中にメモリセル(M)の状態を決定し、プログラミングを促進するか、あるいはプログラムを抑制するべくビットライン(BL)の電位レベルを制御するために、コラム制御回路2は、メモリセルアレイ1のビットライン(BL)に接続される。ロウ制御回路3は、ワードライン(WL)に接続されて、ワードライン(WL)のうちの1つを選択し、読み出し電圧を印加し、コラム制御回路2によって制御されるビットライン電位レベルと組み合わされたプログラム電圧を印加し、メモリセル(M)が形成されるp形領域(図4において「c−pウェル」11としてラベルが付けられている)の電圧と結合された消去電圧を印加する。cソース制御回路4は、メモリセル(M)に接続されている共通ソースライン(図3において「cソース」としてラベルが付けられている)を制御する。c−pウェル制御回路5は、c−pウェル電圧を制御する。
背景技術の欄で説明したように、不揮発性記憶素子は、不十分なサブスレッショルド勾配または弱いトランスコンダクタンス(gm )から、すなわち時々劣化されたgmと称される状態から悪影響を受けることが知られている。本発明は、セルが記憶されたデータを壊す前に、この現象からの悪影響を受けているセルを識別する方法を提供する。誤り訂正符号(ECC)や他の技法を使ってメモリがある量のエラーを扱えるようにできるが、あまりにも多くのセルが劣化すれば、これらの技法は圧倒されて、データは壊されることになる。しかし、劣化したセル対良好挙動セルのI−V特性における差を、劣化したセルを識別し、かつそれらがデータ破壊を起こす前にメモリの有効部分からそれらを除去するために使うことができる。本発明は、不十分なサブスレッショルド勾配と低減されたトランスコンダクタンスによってセルを識別する3つの方法を提供する。
Claims (18)
- 複数の記憶素子を有する不揮発性メモリの品質を決定する方法であって、
複数の記憶素子の第1の母集団をプログラムするステップと、
前記プログラムするステップに引き続いて、
標準となる第1の組のバイアス条件を使用して前記記憶素子の第1の母集団を読み出して、標準となる第1の組のバイアス条件に対応するしきい値の分布を確立するステップと、
第2の組のバイアス条件を使用して前記記憶素子の第1の母集団を読み出して、第2の組のバイアス条件に対応するしきい値の分布を確立するステップと、
読み出し動作のための標準となる第1の組のバイアス条件を使用して読み出された場合の前記記憶素子の第1の母集団に対するしきい値の分布に対応する第2の組のバイアス条件を使用して読み出された場合の前記記憶素子の第1の母集団に対するしきい値の分布におけるシフトを決定するステップと、を有し、
前記記憶素子の各々は、第1のソース−ドレイン領域と第2のソース−ドレイン領域とを有し、また読み出し動作のための標準となる第1の組のバイアス条件と第2の組のバイアス条件とが、ソース−ドレイン領域において異なった電圧レベルを使用する方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記第1の母集団は、前記メモリの物理的構成に対応する方法。 - 請求項2記載の方法において、
前記物理的構成は、消去単位である方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記不揮発性メモリは、NANDアーキテクチャを有し、また選択された記憶素子のソース−ドレイン領域における電圧レベルは、選択された記憶素子のNANDストリングにおいて選択されなかった記憶素子のゲート電圧レベルによって決定される方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記不揮発性メモリは、NANDアーキテクチャを有し、また選択された記憶素子のソース−ドレイン領域における電圧レベルは、選択された記憶素子のNANDストリングにおけるビットライン電圧レベルによって決定される方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記シフトを決定するステップは、その分布が第2の組のバイアス条件を使用して読み出された場合にテールを進展させたかどうかを決定するステップを有する方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記シフトを決定するステップは、シフトが所定の基準を越えたかどうかを決定するステップを有する方法。 - 請求項7記載の方法において、
前記プログラムするステップに先行して、第1の母集団に複数のプログラム−消去サイクルを受けさせるステップをさらに有する方法。 - 請求項7記載の方法において、
前記シフトを決定するステップは、第1の母集団の1つ以上の記憶素子のしきい値が第2のバイアス条件を使用して読み出された場合に所定値を越えているかどうかを決定するステップを有する方法。 - 請求項7記載の方法において、
前記所定の基準は、前記メモリに記憶された設定可能なパラメータに基づく方法。 - 請求項1記載の方法において、
複数の記憶素子の第2の母集団をプログラムするステップと、
前記プログラムするステップに引き続いて、
標準となる第1の組のバイアス条件を使用して前記記憶素子の第2の母集団を読み出して、標準となる第1の組のバイアス条件に対応するしきい値の分布を確立するステップと、
第2の組のバイアス条件を使用して前記記憶素子の第2の母集団を読み出して、第2の組のバイアス条件に対応するしきい値の分布を確立するステップと、
読み出し動作のための標準となる第1の組のバイアス条件を使用して読み出された場合の前記記憶素子の第2の母集団に対するしきい値の分布に対応する第2の組のバイアス条件を使用して読み出された場合の前記記憶素子の第2の母集団に対するしきい値の分布におけるシフトを決定するステップと、
第1の母集団に対するしきい値の分布におけるシフトを第2の母集団に対するしきい値の分布におけるシフトと比較するステップと、
をさらに有する方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記方法は、前記メモリの初期検査の一部として実行される方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記方法は、前記メモリの動作に引き続いて実行される方法。 - 請求項13記載の方法において、
前記方法は、誤り訂正符号(ECC)の応答に応答して実行される方法。 - 請求項13記載の方法において、
前記方法は、実行される動作回数に応答して実行される方法。 - 請求項13記載の方法において、
前記メモリはコントローラをさらに有し、また前記シフトを決定するステップはコントローラによって実行される方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記第1の母集団は、ランダムに選択される方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記シフトを決定するステップに応答して第1の母集団を論理的に再マップするステップをさらに有する方法。
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