JP5196869B2 - 投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法

Info

Publication number
JP5196869B2
JP5196869B2 JP2007129797A JP2007129797A JP5196869B2 JP 5196869 B2 JP5196869 B2 JP 5196869B2 JP 2007129797 A JP2007129797 A JP 2007129797A JP 2007129797 A JP2007129797 A JP 2007129797A JP 5196869 B2 JP5196869 B2 JP 5196869B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical system
concave
projection optical
reflecting surface
lens
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2007129797A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008286888A (ja
JP2008286888A5 (ja
Inventor
亮介 福岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2007129797A priority Critical patent/JP5196869B2/ja
Priority to TW097116652A priority patent/TWI440988B/zh
Priority to KR1020080044230A priority patent/KR100966190B1/ko
Publication of JP2008286888A publication Critical patent/JP2008286888A/ja
Publication of JP2008286888A5 publication Critical patent/JP2008286888A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5196869B2 publication Critical patent/JP5196869B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70258Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70325Resolution enhancement techniques not otherwise provided for, e.g. darkfield imaging, interfering beams, spatial frequency multiplication, nearfield lenses or solid immersion lenses
    • G03F7/70333Focus drilling, i.e. increase in depth of focus for exposure by modulating focus during exposure [FLEX]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

本発明は、例えばフラットパネルディスプレイ(以下FPDと呼ぶ)用の基板を投影露光する露光装置に関する。
近年、テレビジョンシステムのHD(High Definition)化が進むと共に、表示素子として薄型FPDが多く使用されるようになってきた。それに伴い、更なる大画面化とコストダウンの要求が強くなってきた。FPDの製造には、集積回路産業界で使用されるのと同様のフォトリソグラフィーの手法を用いて、回路パターンを含むレチクル画像をフォトレジストコーティングされたガラス基板に投影し、パターン形成して製造される。
近年のガラス基板の大型化に対応するためには、結像系自体を大型化しなければならず、反射または屈折光学部材の大型化、それに伴う装置大型化、コストアップが顕著になってくるといった問題点がある。
このような問題点を解決する技術が特許文献1、2に開示されている。
特許文献1に開示される技術は、等倍の小型の光学系を複数個並べた、マルチレンズ光学系から構成され、各々の露光領域をガラス基板面上で重なり合わせるように露光することで、大型の露光領域を確保している。
特許文献2に開示される技術では、反射面を非球面化し、結像倍率を等倍よりも増大させることで、マスクコストを低減させている。
特開平7−57986号公報 特開2006−78592号公報
しかしながら、特許文献1に開示される技術では、隣接する光学系が形成する像の繋ぎ目を重ね合わせるために、繋ぎ目を目立たせないように露光量、結像性能をコントロールする必要があり、調整難易度が高くなるという問題点があった。また、特許文献2に開示される技術では、反射面を用いた一括拡大光学系を用いることで、ガラス基板の大型化に伴うマスクサイズの大型化は抑制される。しかし、反射部材の大型化、光路確保のために反射部材の半割加工、収差補正のために反射面が非球面形状であるといった製造上の困難さがあった。
本発明は、高性能、高スループットと低コストを両立した露光装置を提供することを目的とする。
本発明は、物体面から像面に至る光路において、反射光学部材として第一凹反射面、凸反射面、第二凹反射面が順に配列された投影光学系において、投影光学系は、物体面と第一凹反射面との間、及び、第二凹反射面と像面との間に第1屈折光学部材を含み、第一凹反射面と凸反射面との間、及び、凸反射面と第二凹反射面との間に第1屈折光学部材とは異なる第2屈折光学部材を含み、かつ投影光学系の軸外に輪帯状良像域を有し、反射光学部材の近軸パワーの総和をφ1とし、第1屈折光学部材及び第2屈折光学部材近軸パワーの総和をφ2としたとき、φ1及びφ2が、0.001≦|φ2/φ1|≦0.1を満たすことを特徴とする。
本発明によれば、高性能、高スループットと低コストを両立した露光装置を提供することができる。
[露光装置の実施形態]
以下、本発明に係る露光装置の一例を説明する。この実施形態の露光装置は、投影光学系の軸外の輪帯状良像域を露光照明として用い、マスクに形成されたパターンをレジストが塗布された基板上に投影露光しつつ、マスクと基板を同期走査させることでパターンを基板上に転写する。以下の説明では、パターンが形成されたマスクを「物体」、レジストが塗布された基板表面を「像面」と呼ぶ。本実施形態の露光装置は、図1、3、5、7に示されるように、物体面Oから像面Iに至る光路において、第一凹反射面M1、凸反射面M2、第二凹反射面M3が順に配列された投影光学系を備える。投影光学系は、物体Oと第一凹反射面M1との間に屈折光学部材L1を含み、第一凹反射面M1と凸反射面M2との間に屈折光学部材L2を含む。また、投影光学系は、凸反射面M2と第二凹反射面M3との間に屈折光学部材L3を含み、第二凹反射面M3と像面Iとの間に屈折光学部材L4を含む。屈折光学部材L1〜L4はパワーを有する屈折光学部材である。投影学系は、軸外に有限範囲の良像域を有する。投影光学系に含まれる反射光学部材M1〜M3の近軸パワーの総和をφ1とし、屈折光学部材L1〜L4の近軸パワーの総和をφ2としたとき、φ1及びφ2は以下の条件式(1)を満たしている。
0.001≦|φ2/φ1|≦0.1・・・(1)
このφ1及びφ2の条件式は、投影光学系の結像性能は良好にしつつ、かつ光学系を小さくするための条件式である
ペッツバル条件式及び両テレセン条件を満たすことができる最小の光学系は、正の屈折力の第一群、負の屈折力の第二群、正の屈折力の第三群で構成されたトリプレット配置である。全系のペッツバル和Pは、P=Σ(φn/Nn)で表される。ここで、反射面ではNn=−1である。したがって、|Σφ1|がゼロに近づけば近づくほど、つまり、|φ2/φ1|が大きくなるほど像面がフラットになり、像面湾曲、非点隔差が減少し良好な光学性能が得られる。しかし、ミラー系のみでは、良像域が狭くスループットの向上が困難であるために、補正レンズを配置することで、良像域を拡大することが必要となる。この屈折光学部材のパワーを、小さくすればするほど、つまり|φ2/φ1|が小さくなればなるほど、色収差の発生を抑制することができる。また、一方この屈折光学部材のパワーを大きくすればするほど、凹面ミラーへの入射位置を低くすることができ、光学系全体の大きさを小さく抑えることができる。
よって、上記φ1及びφ2の条件式は、光学性能と光学系の大きさを両立させるための式である。|φ2/φ1|が0.001未満であると良好な収差は得られるが、光学系が大きくなってしまう。|φ2/φ1|が0,1を超えると、光学系は小さくできるが、色収差等の諸収差を良好に補正することが困難となる。
第一凹反射面M1の近軸曲率半径をRとし、第一凹反射面M1の近軸曲率中心と凸反射面の近軸曲率中心との差をΔSとしたとき、ΔSは、以下の条件式(2)を満たすことが好ましい。
0.002<|ΔS/R|≦0.2・・・・(2)
|ΔS/R|が0.2以下であると、より広い画面領域で非点隔差を良好に補正することが可能となる。
以下に、本実施形態の露光装置で使用する投影光学系の数値実施例を4例挙げて、本実施形態の説明を補足する。
[数値実施例1]
図1は、数値実施例1に係る投影光学系の断面図を示している。図1において、M1は正のパワーを有する第一反射面としての凹面ミラー、M2は負のパワーを有する第二反射面としての凸面ミラー、M3は正のパワーを有する第三反射面としての凹面ミラーである。光束は、物体面Oから順にレンズL1、第一凹反射面M1、レンズL2、凸反射面M2、レンズL3、第二凹反射面M3、レンズL4を通り、像面Iで結像する。なお、本数値実施例1の投影光学系は等倍光学系であり、第1凹反射面M1と第2凹反射面M3とが単一の光学部材の各一部である。また、レンズL1とレンズL4、レンズL2とレンズL3もそれぞれ同一形状の光学素子である。物体面OとレンズL1との間、レンズL1と像面Iとの間等にノーパワーのレンズ等を導入することにより、像面収差等を更に良好に補正することも可能である。図2に本数値実施例1の縦収差図を示す。数値実施例1のレンズデータは表1のとおりである。
Figure 0005196869
ここで、Rは近軸曲率半径、Dは光軸上の空気間隔又は硝材厚、Nは各3波長に対する硝材の屈折率である。また、面番号の横に記載されているA印は、非球面であることを示す。また、本明細書において、“E-XX、E+XX”の表記は、“×10ーxx、×10+xx”を意味する。以下の数値実施例においても全て同様である。数値実施例1の非球面式は、z=rh/(1+(1−(1+k)r1/2)+Ah+Bh+Ch+Dh10+Eh12+Fh14+Gh16で与えられる。
数値実施例1は、等倍投影光学系を構成しており、瞳面である第二反射面としての凸面ミラーに対して対称系であるため、非対称性収差であるコマ収差、歪曲収差が発生しない。また、軸外の有限範囲の輪帯状像域を露光で用いるため、軸上球面収差の補正はあまり重要ではない。したがって、像面湾曲と非点収差を補正すればよい。図2の収差図より明らかなように、軸外輪帯像域において、像面湾曲、非点隔差ともに良好に補正できていることがわかる。また、第一反射面、第三反射面を非球面形状とし、パワーを大きく持たせることで、光学系全体をコンパクトにしつつ、また、物体面と第一反射面、第三反射面と像面の間に非球面レンズを配置することで、良好な収差補正が施された光学系が得られる。表2に、数値実施例1に対する各請求項の条件式に対する数値を示す。数値実施例1は、表2に示すように、各条件式(1)〜(3)を満たしている。
Figure 0005196869
数値実施例1の投影光学系を露光装置に組み込み場合、レンズL1と第一凹反射面M1との間、第二凹反射面M3とレンズL4の間に折り曲げ反射鏡を光軸に対して45度で配置して、物体面O、レンズL1、像面I、レンズL4を水平に配置しても良い。
[数値実施例2]
図3は、数値実施例2に係る投影光学系の断面図を示している。図3において、M1は正のパワーを有する第一反射面としての凹面ミラー、M2は負のパワーを有する第二反射面としての凸面ミラー、M3は正のパワーを有する第三反射面としての凹面ミラー、L1、L2、L3、L4はレンズである。光束は、物体面Oから順にレンズL1、第一凹反射面M1、レンズL2、凸反射面M2、レンズL3、第二凹反射面M3、レンズL4を通り、像面Iで結像する。なお、本数値実施例2の投影光学系は等倍光学系であり、第1凹反射面M1と第2凹反射面M3とが単一の光学部材の各一部である。また、レンズL1とレンズL4、レンズL2とレンズL3もそれぞれ同一形状の光学素子である。図4に本数値実施例2の縦収差図を示す。数値実施例2のレンズデータは表3のとおりである。
Figure 0005196869
数値実施例2の非球面式は、z=rh/(1+(1−(1+k)r1/2)+Ah+Bh+Ch+Dh10+Eh12+Fh14+Gh16+A’h+B’h+C’h+D’h+E’h11+F’h13+G’h15で与えられる。
数値実施例2は、等倍投影光学系を構成しており、瞳面である第二反射面M2としての凸面ミラーに対して対称系であるため、非対称性収差であるコマ収差、歪曲収差が発生しない。また、軸外の有限範囲の輪帯状像域を露光で用いるため、軸上球面収差の補正はあまり重要ではない。従って、像面湾曲と非点収差を補正すればよい。図4の収差図より明らかなように、軸外輪帯像域において、像面湾曲、非点隔差ともに良好に補正できていることがわかる。また、第一反射面、第三反射面を非球面形状であるが、数値実施例1の形態に対して微小非球面である。一方L1、L4は非球面レンズであり、そのパワーを大きく持たせることで、光学系全体をコンパクトにしつつ、良好な収差補正が施された光学系が得られる。
数値実施例2は、表4に示すように、各条件式(1)〜(3)を満たしている。
Figure 0005196869
[数値実施例3]
図5は、数値実施例3に係る投影光学系の断面図を示している。図5において、M1は正のパワーを有する第一反射面としての凹面ミラー、M2は負のパワーを有する第二反射面としての凸面ミラー、M3は正のパワーを有する第三反射面としての凹面ミラー、L1、L2、L3。L4はレンズである。光束は、物体面Oから順にレンズL1、第一凹反射面M1、レンズL2、凸反射面M2、レンズL3、第二凹反射面M3、レンズL4を通り、像面Iで結像する。なお、本数値実施例3の投影光学系は等倍光学系であり、第1凹反射面M1と第2凹反射面M3とが単一の光学部材の各一部である。また、レンズL1とレンズL4、レンズL2とレンズL3もそれぞれ同一形状の光学素子である。物体面OとレンズL1との間、レンズL4と像面との間等にノーパワーのレンズ等を導入することにより、像面収差等を更に良好に補正することも可能である。図6に数値実施例3の縦収差図を示す。数値実施例3の非球面式は、数値実施例1の非球面式と同様である。数値実施例3のレンズデータは表5のとおりである。
Figure 0005196869
数値実施例3は、等倍投影光学系を構成しており、瞳面である第二反射面としての凸面ミラーに対して対称系であるため、非対称性収差であるコマ収差、歪曲収差が発生しない。また、軸外の有限範囲の輪帯状像域を露光で用いるため、軸上球面収差の補正はあまり重要ではない。従って、像面湾曲と非点収差を補正すればよい。図6の収差図より明らかなように、軸外輪帯像域において、像面湾曲、非点隔差ともに良好に補正できていることがわかる。また、第一反射面、第三反射面は非球面形状であり、またL1、L4は、非球面レンズであり、前記数値実施例1の形態に対してさらにパワーを強くしたことを特徴としている。これにより、さらに光学系全体をコンパクトにしつつ、良好な収差補正が施された投影光学系が得られる。数値実施例3は、表6に示すように、各条件式(1)〜(3)を満たしている。
Figure 0005196869
数値実施例1〜3の投影光学系では、第一凹反射面M1と第二凹反射面M3とが同一の光学部材であった。しかし、等倍光学系を構成するために、第一凹反射面M1と第二凹反射面M3とは、例えば単一の光学部材を分割することによって形成された、同一設計値および同一光学特性を有する別の光学部材であってもかまわない。
[数値実施例4]
図7は、数値実施例4に係る投影光学系の断面図を示している。図7において、M1は正のパワーを有する第一反射面としての凹面ミラー、M2は負のパワーを有する第二反射面としての凸面ミラー、M3は正のパワーを有する第三反射面としての凹面ミラー、L1、L2、L3、L4、L5はレンズである。光束は、物体面Oから順にレンズL1、レンズL2、第一凹反射面M1、レンズL3、第凸反射面M2、レンズL4、第二凹反射面M3、レンズL5を通り、像面Iで結像する。なお、本数値実施例4においては拡大光学系であるため、第一凹反射面M1と第二凹反射面M3とは互いに異なる拡大倍率又は縮小倍率を有している。レンズL3とレンズL4のみが同一形状の光学素子である。図8に数値実施例4の縦収差図を示す。数値実施例4の非球面式は、数値実施例1と同様である。数値実施例4のレンズデータは表7のとおりである。
Figure 0005196869
数値実施例4は、拡大投影光学系を構成しており、瞳面である第二反射面としての凸面ミラーM2に対して対称系ではないため、数値実施例1〜3の等倍光学系と違って、非対称性収差であるコマ収差、歪曲収差が発生してしまう。しかし、第一凹面ミラー、第三凹面ミラーを非球面化することで、その発生量を小さく抑えることが可能となる。また、露光に用いる軸外像域内で一律な収差であれば、一律の露光倍率成分としてオフセットすることで補正することができる。また、軸外の有限範囲の輪帯状像域を露光で用いるため、軸上球面収差の補正はあまり重要ではない。従って、像面湾曲と非点収差を補正すればよい。図8の収差図より明らかなように、軸外輪帯像域において、像面湾曲、非点隔差ともに良好に補正できていることがわかる。拡大系にすることにより生じる収差を補正するため、反射面、屈折面殆ど全ての光学部材は非球面であり、それぞれパワーを大きく持たせることで、光学系全体をコンパクトにしつつ、広い像高領域で良好な収差補正が施された光学系が得られる。なお本数値実施例4では、拡大光学系を示しているが、光学系全体を光軸に対して上下反転させることで縮小光学系として構成することができ、本発明ではこの形態も含まれる。数値実施例4は、表8に示すように、各条件式(1)〜(3)を満たしている。
Figure 0005196869
[デバイス製造の実施形態]
次に、図9及び図10を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施形態を説明する。図9は、デバイス(ICやLSIなどの半導体チップ、LCD、CCD等)の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。
ステップS1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップS2(マスク製作)では設計した回路パターンに基づいてマスクを製作する。ステップS3(基板製造)ではシリコン等の材料を用いて基板を製造する。ステップS4(基板プロセス)は前工程と呼ばれ、マスクと基板を用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用して基板上に実際の回路を形成する。ステップS5(組み立て)は、後工程と呼ばれ、ステップS4によって作製された基板を用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組み立て工程を含む。ステップS6(検査)では、ステップS5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷(ステップS7)される。
図10は、ステップ4の基板プロセスの詳細なフローチャートである。ステップS11(酸化)では、基板の表面を酸化させる。ステップS12(CVD)では、基板の表面に絶縁膜を形成する。ステップS13(電極形成)では、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップS14(イオン打ち込み)では、基板にイオンを打ち込む。ステップS15(レジスト処理)では、基板に感光剤を塗布する。ステップS16(露光)では、上記実施形態に示される露光装置によってマスクの回路パターンを基板に露光する。ステップS17(現像)では、露光した基板を現像する。ステップS18(エッチング)では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップS19(レジスト剥離)では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって基板上に多重に回路パターンが形成される。
数値実施例1に係る投影光学系の断面図である。 数値実施例1の縦収差図である。 数値実施例2に係る投影光学系の断面図である。 数値実施例2の縦収差図である。 数値実施例3に係る投影光学系の断面図である。 数値実施例3の縦収差図である。 数値実施例4に係る投影光学系の断面図である。 数値実施例4の縦収差図である。 露光装置を使用したデバイスの製造を説明するためのフローチャートである。 図9に示すフローチャートのステップS4におけるウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
符号の説明
M1:第1反射面、M2:第2反射面、M3:第3反射面、L1:第1レンズ、L2:第2レンズ、L3:第3レンズ、L4:第4レンズ、L5:第5レンズ、O:物体面、I:像面

Claims (10)

  1. 物体面から像面に至る光路において、反射光学部材として第一凹反射面、凸反射面、第二凹反射面が順に配列された投影光学系において、
    前記投影光学系は、
    前記物体面と前記第一凹反射面との間、及び、前記第二凹反射面と前記像面との間に第1屈折光学部材を含み、
    前記第一凹反射面と前記凸反射面との間、及び、前記凸反射面と前記第二凹反射面との間に前記第1屈折光学部材とは異なる第2屈折光学部材を含み、かつ、
    前記投影光学系の軸外に輪帯状良像域を有し、
    前記反射光学部材の近軸パワーの総和をφ1とし、前記第1屈折光学部材及び前記第2屈折光学部材近軸パワーの総和をφ2としたとき、φ1及びφ2が、
    0.001≦|φ2/φ1|≦0.1
    を満たすことを特徴とする投影光学系。
  2. 前記第一凹反射面の近軸曲率半径をRとし、前記第一凹反射面の近軸曲率中心と前記凸反射面の近軸曲率中心との差をΔSとしたとき、ΔSは、
    0.002<|ΔS/R|≦0.2
    を満たすことを特徴とする請求項1に記載の投影光学系。
  3. 前記物体面と前記第一凹反射面との間に複数の第1屈折光学部材を含むことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の投影光学系。
  4. 前記第二凹反射面と前記像面との間に複数の第1屈折光学部材を含むことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の投影光学系。
  5. 前記物体面と前記第一凹反射面との間に配置されている第1屈折光学部材とは異なる第1屈折光学部材が前記第二凹反射面と前記像面との間に配置されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の投影光学系。
  6. 前記凸反射面と前記第2屈折光学部材とは離れていることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の投影光学系。
  7. 前記第一凹反射面と前記第二凹反射面とは、同一光学特性を有する別の光学部材であることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の投影光学系。
  8. 前記第一凹反射面と前記第二凹反射面とは、互いに異なる倍率を有することを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の投影光学系。
  9. 前記物体はパターンが形成されたマスクであり、前記像面はレジストが塗布された基板の表面であり、
    前記マスクに形成されたパターンを前記基板上に投影露光する、請求項1乃至請求項のいずれか1項に記載の前記投影光学系を有することを特徴とする露光装置。
  10. 請求項に記載の露光装置を用いて基板を投影露光する工程と、
    前記投影露光された基板を現像する工程と
    含むことを特徴とするデバイス製造方法。
JP2007129797A 2007-05-15 2007-05-15 投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 Active JP5196869B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007129797A JP5196869B2 (ja) 2007-05-15 2007-05-15 投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
TW097116652A TWI440988B (zh) 2007-05-15 2008-05-06 Projection optical systems and exposure devices
KR1020080044230A KR100966190B1 (ko) 2007-05-15 2008-05-14 투영 광학계 및 노광장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007129797A JP5196869B2 (ja) 2007-05-15 2007-05-15 投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2008286888A JP2008286888A (ja) 2008-11-27
JP2008286888A5 JP2008286888A5 (ja) 2010-07-15
JP5196869B2 true JP5196869B2 (ja) 2013-05-15

Family

ID=40146698

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007129797A Active JP5196869B2 (ja) 2007-05-15 2007-05-15 投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP5196869B2 (ja)
KR (1) KR100966190B1 (ja)
TW (1) TWI440988B (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6635904B2 (ja) 2016-10-14 2020-01-29 キヤノン株式会社 投影光学系、露光装置及び物品の製造方法
JP6882053B2 (ja) * 2016-12-05 2021-06-02 キヤノン株式会社 カタディオプトリック光学系、照明光学系、露光装置および物品製造方法
JP7167417B2 (ja) * 2017-03-30 2022-11-09 株式会社ニデック 眼底撮影装置および眼科装置
JP7357488B2 (ja) * 2019-09-04 2023-10-06 キヤノン株式会社 露光装置、および物品製造方法
JP7332415B2 (ja) * 2019-10-01 2023-08-23 キヤノン株式会社 投影光学系、走査露光装置および物品製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1103498A (en) * 1977-02-11 1981-06-23 Abe Offner Wide annulus unit power optical system
JPS5890610A (ja) * 1981-11-24 1983-05-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd カタデイオプトリツク光学系
JPS60168116A (ja) * 1984-02-13 1985-08-31 Canon Inc 反射光学系
JPS60201316A (ja) * 1984-03-26 1985-10-11 Canon Inc 反射光学系
JPH0553057A (ja) * 1991-08-26 1993-03-05 Nikon Corp 反射光学系
US6229595B1 (en) * 1995-05-12 2001-05-08 The B. F. Goodrich Company Lithography system and method with mask image enlargement
JPH09180985A (ja) * 1995-12-25 1997-07-11 Nikon Corp 投影露光装置
US7158215B2 (en) 2003-06-30 2007-01-02 Asml Holding N.V. Large field of view protection optical system with aberration correctability for flat panel displays
JP2006078592A (ja) * 2004-09-07 2006-03-23 Canon Inc 投影光学系及びそれを有する露光装置
JP2008089832A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Canon Inc 露光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008286888A (ja) 2008-11-27
KR100966190B1 (ko) 2010-06-25
TWI440988B (zh) 2014-06-11
TW200903187A (en) 2009-01-16
KR20080101695A (ko) 2008-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3819048B2 (ja) 投影光学系及びそれを備えた露光装置並びに露光方法
US6879383B2 (en) Large-field unit-magnification projection system
JPH11214293A (ja) 投影光学系及び該光学系を備えた露光装置並びにデバイス製造方法
KR102266723B1 (ko) 투영 광학계, 노광 장치 및 물품 제조 방법
JP2008519433A (ja) アポクロマート等倍投影光学系
JP5196869B2 (ja) 投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
KR100511360B1 (ko) 투영광학계 및 그것을 사용한 투영노광장치, 및디바이스제조방법
JP2006049527A (ja) 反射屈折型投影光学系及び当該反射屈折型投影光学系を有する露光装置、デバイス製造方法
JP3359302B2 (ja) 投影露光装置
CN109375480B (zh) 一种光刻投影物镜及光刻机
JP2009145724A (ja) 投影光学系及びそれを有する露光装置
JP2006119244A (ja) 反射屈折型投影光学系及び当該反射屈折型投影光学系を有する露光装置、デバイス製造方法
JP2006138940A (ja) 反射屈折型投影光学系及び投影反射屈折型投影光学系を有する露光装置、デバイス製造方法
JP3423644B2 (ja) 投影光学系及びそれを用いた投影露光装置
JP2006078631A (ja) 投影光学系及びそれを有する露光装置
JP3376318B2 (ja) 投影光学系及びそれを用いた投影露光装置
US11966043B2 (en) Imaging optical system, exposure apparatus, and article manufacturing method
JP2019211798A (ja) 投影光学系、露光装置及び物品の製造方法
JP2006078592A (ja) 投影光学系及びそれを有する露光装置
JP2023010009A (ja) 投影光学系、露光装置、および物品の製造方法
JP2023004358A (ja) 投影光学系、露光装置、および物品の製造方法
JP2004342711A (ja) 照明光学装置、露光装置、および露光方法
JP2000352667A (ja) 投影光学系及びそれを用いた投影露光装置
JP2000356742A (ja) 投影光学系及びそれを用いた投影露光装置
JPS6120919A (ja) 投影レンズ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100514

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100527

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120427

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120626

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120730

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120925

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130107

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130205

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160215

Year of fee payment: 3

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5196869

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160215

Year of fee payment: 3