JPH09180985A - 投影露光装置 - Google Patents

投影露光装置

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JPH09180985A
JPH09180985A JP7336654A JP33665495A JPH09180985A JP H09180985 A JPH09180985 A JP H09180985A JP 7336654 A JP7336654 A JP 7336654A JP 33665495 A JP33665495 A JP 33665495A JP H09180985 A JPH09180985 A JP H09180985A
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optical
projection
image
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JP7336654A
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Naomasa Shiraishi
直正 白石
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Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70225Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70308Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 コンタクトホール等の孤立パターンを高い解
像度で転写すると共に、投影光学系内部の光学部材に対
する照射エネルギーの熱的影響を軽減する。 【解決手段】 投影光学系PL1を凹面鏡13、凸面鏡
14、及びミラー12,15よりなる反射光学系で構成
する。凸面鏡14の反射面をレチクル11のパターン形
成面に対する光学的フーリエ変換面となる瞳面PF付近
に配置し、凸面鏡14と同じ光軸上に配置された凹面鏡
13により反射された結像光束I1が凸面鏡14で反射
されて再び凹面鏡13に入射するように構成する。凸面
鏡14の反射面に光軸AX1を中心とする所定半径の結
像光束I1Cを透過せしめる透過部14aを設け、凸面
鏡14を実質的に遮光型瞳フィルターとして機能させる
一方、結果的に遮光される結像光束を投影光学系PL1
の外部に放出して、凸面鏡14及び周辺の光学部材への
熱的影響を軽減する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体素
子、液晶表示素子、撮像素子(CCD等)、又は薄膜磁
気ヘッド等を製造するためのフォトリソグラフィ工程で
マスク上のパターンを感光性の基板上に露光するために
使用される投影露光装置に関し、特にコンタクトホール
等の孤立パターンを高い解像度で転写するための投影露
光装置に適用して好適なものである。
【0002】
【従来の技術】例えば半導体素子等を製造するためのフ
ォトリソグラフィ工程では、転写用の微細パターンが形
成されたマスク(以下、一例として「レチクル」を使用
する)の像を、投影光学系を介してフォトレジストが塗
布されたウエハ(又はガラスプレート等)上に転写する
投影露光装置が使用されている。特に、近年になって半
導体素子等の集積度が増すにつれ、より微細なパターン
の転写を行うために、より短波長(遠紫外域等)の露光
光を用いる投影露光装置の実用化が急がれている。但
し、このような短波長の光束に対して良好な透過率を有
するレンズ硝材が少ないため、使用する投影光学系とし
て反射鏡を併用する反射屈折光学系の採用が検討されて
いる。
【0003】ところで、一般に投影露光装置における解
像度及び焦点深度は露光光の波長λ及び投影光学系の開
口数NAより、以下の式により求められる。 解像度=k1 ・λ/NA 焦点深度=±k2 ・λ/NA2 但し、k1 及びk2 はプロセスによってきまる係数であ
る。
【0004】以上の関係式によれば、より短波長の露光
光、より大きな開口数の光学系を使用すると、高解像度
が得られる反面その焦点深度は極めて小さくなる。そこ
で、コンタクトホール等の孤立パターンに対して見かけ
上の焦点深度を拡大させる方法として、ウエハを投影光
学系の光軸方向に移動させつつ多重露光を行うFLEX
(Focus Latitude enhancement EXposure)法が提案され
ている(特開昭63−42122号公報参照)。但し、
FLEX法においてはデフォーカスした像を多重露光す
るため、像のシャープさは劣化したものとなってしま
う。そこで、投影光学系の瞳面(レチクルパターンに対
する光学的フーリエ変換面)に瞳フィルターを設け、コ
ンタクトホール像そのものをよりシャープにすることに
より、FLEX法の併用による像の劣化を防止する方法
も提案されている。
【0005】瞳フィルターとしては各種のものが提案さ
れており、その1つに2重焦点フィルターがある。2重
焦点フィルターとして位相板を使用した場合、投影光学
系の瞳面にこの位相板が配置されて瞳面中心部(光軸近
傍)を透過する結像光と周辺部を透過する結像光とに位
相差が与えられる。但し、この2重焦点フィルターを使
用すると本来のコンタクトホール像の周囲に副次的に生
じるサブピークによるリンギング像が生じるため、2重
焦点フィルターを利用する方法は実用化が難しい。
【0006】また、瞳フィルターとして投影光学系の瞳
面の光軸近傍を遮光する遮光型瞳フィルターも提案され
ている。この遮光型瞳フィルターは2重焦点フィルター
のような大きな焦点深度拡大効果はないが、リンギング
の発生が少なく、またFLEX法と併用した場合に効果
的である。また、コンタクトホール用の結像技術として
は、所謂ハーフトーン位相シフトレチクルの使用も検討
されている。これは、レチクルパターンの遮光部に5〜
10%程度の透過率を持たせ、更にこの遮光部を透過す
る透過光の位相を透過部を透過する光の位相に対して反
転させる作用を持たせたものである。ハーフトーン位相
シフトレチクルを使用した場合、反転した位相(振幅の
符号が逆)の光の相殺効果により、より小さなコンタク
トホール像の転写が可能になる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】以上の従来技術におい
て、遮光型瞳フィルターはコンタクトホール等の孤立パ
ターンの像の改善効果が大きく、実用化が期待されてい
る。しかしながら、遮光型瞳フィルターにより遮光され
た露光光は遮光型瞳フィルター自体を加熱し、更にはそ
の加熱により発生した熱が伝導、放射により他の光学部
材へと伝わり、光学部材を熱変形させてしまう不都合が
ある。特に、ハーフトーン位相シフトレチクルを併用す
る場合、レチクルの透過率が高まるため、遮光型瞳フィ
ルターに蓄積される熱量が増加し、光学部材への熱的影
響が更に拡大する不都合がある。
【0008】本発明は斯かる点に鑑み、コンタクトホー
ル等の孤立パターンを高い解像度で転写できると共に、
投影光学系の内部の光学部材への熱的影響が軽減される
投影露光装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明による投影露光装
置は、マスクパターンを投影光学系を介して感光性の基
板(27)上に投影して転写する投影露光装置におい
て、その投影光学系(PL1)は、そのマスクパターン
の配置面に対する第1の光学的フーリエ変換面(PF)
の近傍に、そのマスクパターンからの結像光束を反射す
る反射光学部材(14)を有し、この反射光学部材の一
部にそのマスクパターンからの結像光束(I1)の一部
をその基板(27)に向かう光路外に透過せしめる透過
部(14a)が設けられたものである。
【0010】斯かる本発明の投影露光装置によれば、マ
スクパターンの配置面に対する第1の光学的フーリエ変
換面(PF)近傍に配置され、結像光束の一部を透過す
る透過部(14a)が設けられた反射光学部材(14)
は、実質的にその透過部(14a)で結像光束を遮光す
る遮光型瞳フィルターとして作用する。従って、孤立パ
ターンを高い解像度で投影できる。そして、透過部(1
4a)を透過した結像光束は反射光学部材(14)では
殆ど吸収されないため、反射光学部材(14)やその周
辺の光学部材に対する結像光束(I1)の熱的影響が低
減される。
【0011】この場合、その透過部(14a)は、その
反射光学部材(14)に対して光軸(AX1)を中心と
した円形領域に設けられ、その透過部(14a)の半径
はその投影光学系(PL1)の開口数に基づいて設定さ
れることが好ましい。これにより、反射光学部材(1
4)は実質的に投影光学系(PL1)の開口数に基づい
て規定される遮光部を有する遮光型瞳フィルターとして
作用する。
【0012】また、その透過部(14a)の半径は、そ
の投影光学系(14a)の開口数で規定される、その反
射光学部材(14)への入射結像光束の有効半径の2割
〜5割の間に設定されることが好ましい。これにより、
リンギングの発生が少なく、適正な結像特性が得られ
る。即ち、反射光学部材(14)の透過部の半径と反射
光学部材(14)への入射結像光束の有効半径との比が
5割より大きい場合には、転写像にリンギング等が生じ
る危険性が増大し、この比が2割より小さい場合には遮
光型瞳フィルターとしての効果が減少する。
【0013】また、例えば図2に示すように、その投影
光学系が、その第1の光学的フーリエ変換面(PFA)
に対してその基板(27)側にそのマスクパターンの配
置面に対する第2の光学的フーリエ変換面(PFB)を
有する投影光学系(PL2)である場合、この第2の光
学的フーリエ変換面の近傍に、この第2の光学的フーリ
エ変換面に達する結像光束(I2A)の一部を遮光する
遮光部材(25)を配置することが好ましい。これによ
って、反射光学部材(19)が第1の光学的フーリエ変
換面(PFA)から或る程度ずれていても、その遮光部
材(25)が実際の遮光型瞳フィルターとして作用する
ため、結像特性は悪化しない。更に、ここで遮光される
はずの結像光束は大部分が反射光学部材(19)を透過
しており、熱的影響は少ない。
【0014】また、例えば図2に示すように、その投影
光学系が、その第1の光学的フーリエ変換面(PFA)
に対してその基板(27)側にそのマスクパターンの配
置面に対する第2の光学的フーリエ変換面(PFB)を
有する投影光学系(PL2)である場合、この第2の光
学的フーリエ変換面の近傍に、この第2の光学的フーリ
エ変換面に達する結像光束(I2A)の一部をその投影
光学系(PL2)の光軸(AX3)を中心に遮光する円
形の遮光部材(25)が配置され、その投影光学系(P
L2)の開口数で規定されるその第2のフーリエ変換面
(PFB)への入射結像光束(I2A)の有効半径に対
するその遮光部材(25)の半径の比を、その投影光学
系(PL2)の開口数で規定されるその反射光学部材
(19)への入射結像光束(I2)の有効半径に対する
その透過部(19a)の半径の比より大きくすることが
好ましい。これにより、第1の光学的フーリエ変換面
(PFA)から透過部(19a)が或る程度ずれていて
も、透過部(19a)の輪郭の半影ぼけが殆ど遮光部材
(25)で遮光されて、遮光部材(25)が遮光型瞳フ
ィルターとして作用する。即ち、遮光部材(25)によ
り投影光学系(PL2)の結像特性が決定される。しか
も、透過部(19a)で光束が外部に透過しているた
め、遮光部材(25)は殆ど加熱されない。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の一例
につき図1を参照して説明する。本例は等倍のミラープ
ロジェクション方式の露光装置に本発明を適用したもの
である。図1(A)は、本例の露光装置の概略構成を示
し、この図1(A)において、水銀ランプからなる光源
1を発した照明光L1は、集光ミラー2、干渉フィルタ
ー3、及びレチクルブラインド7を経て、レチクル11
の下面(パターン形成面)の円弧状の照明領域41に照
射される。干渉フィルター3により例えばg線(波長4
36nm)やi線(波長365nm)等が選択される。
なお、光源1としては水銀ランプの他の放電ランプ等を
使用してもよい。レチクル11は、レチクルベース29
上を走査方向に移動自在なレチクルステージ28上に不
図示のレチクルホルダを介して載置されている。以下、
レチクルベース29の上面に平行な平面をXY平面とし
て、図1(A)の紙面に平行なレチクルステージ28の
走査方向にX軸、図1(A)の紙面に垂直にY軸を取
り、XY平面に垂直にZ軸を取って説明する。
【0016】レチクル11を透過した結像光束I1は、
Z軸に対して上向きにほぼ45°の傾斜角で斜設された
第1のミラー12により反射され、X軸に平行な光軸を
有する凹面鏡13の上部の領域で反射されて、凸面鏡1
4に至る。凹面鏡13と凸面鏡14とはX軸に平行な同
じ光軸AX1上に対向するように配置されている。等倍
のミラープロジェクション光学系においては、この凸面
鏡14の反射面が瞳面PF(レチクル11のパターン形
成面に対するフーリエ変換面)にほぼ完全に一致する。
【0017】図1(B)は、凸面鏡14の拡大正面図を
示し、この図1(B)に示すように、ガラス等の透明部
材の表面にアルミニウム等の高反射率の金属膜を被着し
てなる円形の凸面鏡14には、光軸AX1を中心として
所定の半径を有する透過部14aが形成されており、そ
の透過部14aを結像光束I1の一部が通過できるよう
になっている。また、透過部14aを囲む反射部14b
に入射した結像光束I1は反射される。結像光束I1の
うち、凸面鏡14上の透過部14aを透過した結像光束
I1Cは、凸面鏡14を透過して凸面鏡14の裏面に配
置された遮光板16により遮光又は吸収される。なお、
この遮光板16は必ずしも設ける必要はない。一方、凸
面鏡14の反射部14bで反射された結像光束I1A
は、再び凹面鏡13に至り、凹面鏡13の下部で反射さ
れる。凹面鏡13で反射された結像光束I1Aは、更に
Z軸に対して下向きにほぼ45°の傾斜角で斜設された
第2のミラー15により反射され、ウエハ27上にレチ
クルの照明領域41内のパターンの走査方向について正
立像を形成する。そして、以上の第1のミラー12、凹
面鏡13、凸面鏡14、及び第2のミラー15により本
例の投影光学系PL1が構成されている。
【0018】ウエハ27は、不図示のウエハホルダを介
してZチルトステージ30上に載置され、Zチルトステ
ージ30はXYステージ31上に載置されている。Zチ
ルトステージ30は不図示の駆動部によりパターンの結
像面に対し、任意方向に傾斜可能で、且つ結像光束I1
Aの光軸AX4の光軸方向(Z方向)へ微動できる。一
方、XYステージ31は走査方向(X方向)に一定速度
で移動できるように構成されている。
【0019】そして、露光に際してはレチクル11はレ
チクルステージ28により、またウエハ27もXYステ
ージ31により、それぞれ投影光学系PL1に対して同
期して走査される。この場合、本例の投影光学系PL1
はレチクル11のパターンの走査方向について正立像を
ウエハ27上に等倍で投影するため、レチクル11及び
ウエハ27は共に走査方向に沿って同じ向き(+X方向
又は−X方向)に同じ走査速度で同期走査される。ま
た、走査中にウエハ27又はレチクル11をZ方向に振
動させることにより、FLEX法を利用した露光を行う
こともできる。
【0020】次に、反射光学部材としての本例の凸面鏡
14の作用について説明する。本例においては、図1
(A)に示すように、投影光学系PL1の瞳面PFにほ
ぼ合致するように凸面鏡14の反射面が配置されてい
る。前述のように、凸面鏡14はその反射面の光軸AX
1近傍にその部分に入射する結像光束I1をウエハ27
に向かう光路外へ透過せしめる透過部14aを有し、そ
の透過部14aの周囲の反射部14bで反射された結像
光束I1Aは、凹面鏡13を介してウエハ27に導かれ
る。従って、投影光学系PL1の第2のミラー15以降
の光軸を光軸AX4とすると、ウエハ27に向かう結像
光束I1Aは光軸AX4近傍の光束が遮光された状態と
なり、凸面鏡14は従来の遮光型瞳フィルターと同一に
作用する。更に、従来は遮光型瞳フィルターにより吸収
されていた結像光束(露光光)のエネルギーは、本例に
よれば光路外(投影光学系PL1の外部)へ放出される
こととなり、遮光型瞳フィルターとしての凸面鏡14や
投影光学系PL1内の他の光学部材を加熱する恐れはな
くなる。そのため、常に安定にコンタクトホール等の孤
立パターンを高い解像度でウエハ27上に転写できる。
更に、レチクル11としてハーフトーン位相シフトレチ
クルのような透過率の高いレチクルを使用しても、結像
特性が安定に維持される。
【0021】次に、本発明の実施の形態の他の例につい
て図2を参照して説明する。本例は、縮小型反射屈折投
影光学系を使用するステップ・アンド・スキャン方式の
投影露光装置に本発明を適用したものである。なお、図
2において図1と対応する部分には同一符号を付し、そ
の詳細説明を省略する。図2は、本例の投影露光装置の
概略構成を示し、この図2において、ArFエキシマレ
ーザ光源よりなる光源1bを発した照明光L2(波長1
93nm)は、ビーム整形レンズ4a,4bを経て、オ
プティカルインテグレータとしてのフライアイレンズ5
に入射する。なお、照明光L2としては、KrFエキシ
マレーザ光(波長248nm)等のエキシマレーザ光、
銅蒸気レーザ光、又はYAGレーザの高調波等を使用し
てもよい。
【0022】フライアイレンズ5から射出された照明光
L2は、第1のリレーレンズ6を経てレチクルブライン
ド7Aに至る。レチクルブラインド7Aを通過した照明
光L2は、次に第2のリレーレンズ8を通過した後、ダ
イクロイックミラー9により下方に折り曲げられ、コン
デンサーレンズ10を介してレチクル11のパターン形
成面のスリット状の照明領域42に照射される。レチク
ル11を透過した結像光束I2は、第1レンズ群17、
及び第2レンズ群18を経て、第2レンズ群18の光軸
と同じ光軸AX2を有する凹面鏡19に至る。凹面鏡1
9の反射面はレチクル11のパターン形成面に対してフ
ーリエ変換面となる第1瞳面(第1の光学的フーリエ変
換面)PFAの近傍に配置される。但し、図1の例にお
ける凸面鏡14とは異なって、凹面鏡19の反射面は僅
かながら第1瞳面PFAからずれた位置に配置されてい
る。
【0023】この凹面鏡19の反射面の光軸AX2を中
心とする所定半径の領域が透過部19aとされている。
そして、透過部19aの周辺の反射部19bは入射光束
を高い反射率で反射するようになっている。この結果、
結像光束I2の内の光軸AX2付近の結像光束I2Cは
凹面鏡19の透過部19aを透過してウエハ27に向か
う結像光束の光路外へ放出される。一方、反射部19b
で反射された結像光束I2Aは、再度第2レンズ群1
8、及び第1レンズ群17を順次透過し、折り曲げミラ
ー20によりX方向に反射された後、照明領域42内の
パターンの中空像AIを形成する。そして、この中空像
AIからの結像光束I2Aは折り曲げミラー21により
下方に反射され、第3レンズ群22、及び第4レンズ群
23を経て第2瞳面PFBに至る。
【0024】この第2瞳面PFBはレチクル11のパタ
ーン形成面に対してフーリエ変換の関係となっており、
この第2瞳面PFB(第2の光学的フーリエ変換面)に
所定の半径を有する遮光板よりなる遮光型瞳フィルター
25が配置されている。そして、その遮光型瞳フィルタ
ー25の直前に開口絞り24が配置されている。なお、
この第2瞳面PFBは凹面鏡19の反射面とほぼ結像関
係(共役)となっている。また、遮光型瞳フィルター2
5の半径は、凹面鏡19上の透過部19aの第2瞳面P
FBでの共役像の周縁部のぼけ部(半影ぼけ部)を含め
た領域の半径よりも若干大きく設定されている。開口絞
り24及び遮光型瞳フィルター25を透過した結像光束
I2Aは、第5レンズ群26を経てウエハ27上にレチ
クル11の照明領域42内のパターンの走査方向につい
て倒立像を形成する。この場合、第3レンズ群22〜第
5レンズ群26及び遮光型瞳フィルター25はZ軸に平
行な同じ光軸AX3上に配置されている。そして、以上
の凹面鏡19、第1レンズ群17〜第5レンズ群26、
遮光型瞳フィルター25、開口絞り24、及びミラー2
0,21から本例の投影光学系PL2が構成されてい
る。
【0025】本例においても、図1の例と同様にレチク
ル11はレチクルステージ28により、またウエハ27
もXYステージ31により、それぞれ投影光学系PL2
に対して同期して走査(スキャン)される。但し、本例
のXYステージ31は更にY方向にステッピングして、
所謂ステップ・アンド・スキャン方式で走査露光が繰り
返される。また、本例の投影光学系PL2は縮小投影型
であるので、図1の例と異なり、レチクルステージ28
の走査速度VR とXYステージ31の走査速度VW とは
投影光学系PL2の投影倍率に応じて異なる。投影光学
系PL2の投影倍率をβ(βは例えば1/4又は1/
5)とした場合、走査速度の比(VW /V R )はそのβ
に一致する。また、ウエハ27上にはレチクル11のパ
ターンの走査方向について倒立像が転写されるため、走
査方向は互いに逆向きとなる。また、図1の例と同様に
走査中にウエハ27又はレチクル11を図2中の上下方
向(Z方向)に振動させることにより、FLEX法の露
光を行うこともできる。
【0026】次に、本例における反射光学部材としての
凹面鏡19等の作用について説明する。本例では、投影
光学系PL2内の第1瞳面PFA(第1の光学的フーリ
エ変換面)の近傍に、結像光束I2の光軸AX2近辺を
通過する結像光束I2Cを透過せしめる凹面鏡19を設
け、第2瞳面PFB(第2の光学的フーリエ変換面)に
遮光型瞳フィルター25を設けている。凹面鏡19は、
結像光束I2の光軸AX2近傍の光束を遮光する形とな
り、図1の例と同じように遮光型瞳フィルターとしての
機能も有している。但し、本例の凹面鏡19の反射面は
第1瞳面PFAから僅かにずれているため、その凹面鏡
19の透過部19aをそのまま遮光型瞳フィルターとす
ると、結像特性が悪化する恐れがある。そこで、本例で
は第2瞳面PFBに本来の遮光型瞳フィルター25を設
けているため、凹面鏡19は、本来遮光型瞳フィルター
25により遮光される光束の殆どの部分(本例では結像
光束I2C)を投影光学系PL2の外部に放出する機能
が主体となる。
【0027】そのため、上述のように、本例では、第1
瞳面PFAの近傍に配置された凹面鏡19の透過部19
aの共役像のぼけ部を含めた領域よりも、第2瞳面PF
Bに配置された遮光型瞳フィルター25の方が大きくな
るように設定されている。これについて具体的に説明す
るため、凹面鏡19の透過部19aの半径、及び凹面鏡
19に入射する結像光束I2の有効半径を、それぞれR
1及びR2とし、半径R1と半径R2との比の値(R1
/R2)をk1とする。また、遮光型瞳フィルター25
の半径、及び第2瞳面PFBに入射する結像光束I2A
の有効半径を、それぞれr1及びr2とし、半径r1と
半径r2との比の値(r1/r2)をk2とする。
【0028】この場合、本例ではk2>k1となるよう
に設定されている。更に、遮光型瞳フィルター25の半
径r1の設定に当たっては、上述のぼけ幅も考慮されて
いる。この場合、凹面鏡19に入射する結像光束I2の
有効半径R2及び第2瞳面PFBに入射する結像光束I
2Aの有効半径r2は、共に投影光学系PL2の開口数
NAにより規定されている。従って、凹面鏡19の透過
部19aの第2瞳面PFBにおける投影像のぼけ幅を考
慮した有効半径が遮光型瞳フィルター25の半径を越え
ることはない。
【0029】本例に限らず、一般に瞳面からずれた位置
に瞳フィルターを配置すると、露光領域内の位置により
転写される像のプロファイルが変化したり、あるいは像
位置でのテレセントリック性が悪化するという問題が生
じる。実際に、図2に示す本例においては、凹面鏡19
の透過部19aが完全な瞳面にはないため、このような
問題が起こり得る。しかしながら、本例では、凹面鏡1
9よりもウエハ27側の完全な瞳面、即ち第2瞳面PF
Bに本来の遮光型瞳フィルター25を設け、且つその遮
光型瞳フィルター25の大きさがぼけ幅を考慮しても透
過部19aの像よりも大きいので、結像性能に影響する
瞳フィルターは実質的には遮光型瞳フィルター25のみ
となり、透過部19aが瞳面からずれた位置にあること
による悪影響は投影像には全く及ばない。勿論、透過部
19aには本来遮光型瞳フィルター25が吸収するはず
の露光光のエネルギーの大部分を結像光束I2Cとして
投影光学系PL2の外部へ放出する機能があり、遮光型
瞳フィルター25、及びその周辺の第4レンズ群23、
及び第5レンズ群26等の光学部材の帯熱を防止するこ
とができる。これによって、孤立パターンを高い解像度
で安定にウエハ27上に転写できる。
【0030】また、投影光学系の構成(設計)によって
は、本例の反射屈折型の投影光学系PL2においても、
瞳面を反射鏡としての凹面鏡19の反射面に完全に一致
させることも可能である。この場合には、凹面鏡19の
透過部19a単独で遮光型瞳フィルターとして機能させ
ることができるため、第2瞳面PFBに遮光型瞳フィル
ター25を配置する必要はない。
【0031】なお、以上の図1及び図2の例の何れにお
いても、凸面鏡14及び凹面鏡19上の透過部14a,
19aの半径は、その反射面に入射する光束の全有効半
径(投影光学系の開口数NAに相当する)の2割から5
割程度であることが望ましい。この値があまりに小さい
と瞳フィルターとしての効果が得られなくなり、あまり
に大きいと転写像にリンギング等が生じるという問題が
発生する。但し、この値はあくまでも反射面に入射する
光束の全有効半径に対する値であり、例えば図2の例に
おいて、凹面鏡19の反射部19bを反射した結像光束
I2Aが、開口絞り24により遮光されるような場合に
は、結像光束I2Aの全有効半径とは凹面鏡19上での
半径ではなく、開口絞り24の凹面鏡19への投影像の
半径を意味する。
【0032】なお、本発明はステップ・アンド・スキャ
ン方式等の走査露光型の投影露光装置に限らず、レチク
ルのパターンの像を投影光学系を介してウエハ上の各シ
ョット領域に転写露光するステッパー等の一括露光型の
投影露光装置にも同様に適用できる。このように、本発
明は上述の実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸
脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
【0033】
【発明の効果】本発明の投影露光装置によれば、第1の
光学的フーリエ変換面を反射光学部材の近傍に設定し、
この反射光学部材の反射面に結像光束の一部を光路外へ
透過せしめる透過部を設けている。その反射光学部材は
実質的に遮光型瞳フィルターとして作用するため、コン
タクトホール等の孤立パターンを高い解像度で転写でき
る。更に、従来遮光型瞳フィルターで吸収されていた露
光用の結像光束のエネルギーの大部分はその透過部より
基板に向かう光路外へ放出され、遮光型瞳フィルターと
しての反射光学部材及びその近傍の光学部材の発熱を防
ぐことができる利点がある。本発明は、マスクとして例
えばハーフトーン位相シフトレチクルのような透過率の
高いマスクを併用するような場合には特に有効である。
【0034】また、透過部が、反射光学部材に対して光
軸を中心とした円形領域に設けられ、透過部の半径が投
影光学系の開口数に基づいて設定される場合には、反射
光学部材は投影光学系の開口数に基づいて規定される遮
光部を有する遮光型瞳フィルターとして作用する。ま
た、透過部の半径が、投影光学系の開口数で規定され
る、反射光学部材への入射結像光束の有効半径の2割〜
5割の間に設定される場合には、リンギングの発生が少
なく、適正な結像特性が得られる利点がある。
【0035】また、投影光学系が、第1の光学的フーリ
エ変換面に対して基板側にマスクパターンの配置面に対
する第2の光学的フーリエ変換面を有し、この第2の光
学的フーリエ変換面の近傍に、この第2の光学的フーリ
エ変換面に達する結像光束の一部を遮光する遮光部材を
配置する場合には、その反射光学部材が第1の光学的フ
ーリエ変換面から或る程度ずれていても、その遮光部材
が遮光型瞳フィルターとして作用するため、高い結像特
性が得られる利点がある。しかも、その遮光部材は加熱
されない。
【0036】また、投影光学系が、第1の光学的フーリ
エ変換面に対して基板側にマスクパターンの配置面に対
する第2の光学的フーリエ変換面を有し、この第2の光
学的フーリエ変換面の近傍に、この第2の光学的フーリ
エ変換面に達する結像光束の一部を投影光学系の光軸を
中心に遮光する円形の遮光部材が配置され、投影光学系
の開口数で規定される第2のフーリエ変換面への入射結
像光束の有効半径に対する遮光部材の半径の比を、投影
光学系の開口数で規定される反射光学部材への入射結像
光束の有効半径に対する透過部の半径の比より大きくす
る場合には、その反射光学部材が第1の光学的フーリエ
変換面から或る程度ずれていても、遮光部材が単独で遮
光型瞳フィルターとして作用する。しかも、反射光学部
材の透過部から結像光束が透過するため、その遮光部材
等が加熱されない利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A)は本発明による投影露光装置の実施の形
態の一例を示す概略構成図、(B)は凸面鏡14を示す
拡大正面図である。
【図2】本発明による投影露光装置の実施の形態の他の
例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
1,1b 光源 11 レチクル 14 凸面鏡 14a 透過部 14b 反射部 19 凹面鏡 19a 透過部 19b 反射部 PL1,PL2 投影光学系 25 遮光型瞳フィルター PF 瞳面(光学的フーリエ変換面) PFA 第1瞳面(第1の光学的フーリエ変換面) PFB 第2瞳面(第2の光学的フーリエ変換面) L1,L2 照明光

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マスクパターンを投影光学系を介して感
    光性の基板上に投影して転写する投影露光装置におい
    て、 前記投影光学系は、前記マスクパターンの配置面に対す
    る第1の光学的フーリエ変換面の近傍に、前記マスクパ
    ターンからの結像光束を反射する反射光学部材を有し、
    該反射光学部材の一部に前記マスクパターンからの結像
    光束の一部を前記基板に向かう光路外に透過せしめる透
    過部が設けられたことを特徴とする投影露光装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の投影露光装置であって、 前記透過部は、前記反射光学部材に対して光軸を中心と
    した円形領域に設けられ、前記透過部の半径は前記投影
    光学系の開口数に基づいて設定されることを特徴とする
    投影露光装置。
  3. 【請求項3】 請求項2記載の投影露光装置であって、 前記透過部の半径は、前記投影光学系の開口数で規定さ
    れる、前記反射光学部材への入射結像光束の有効半径の
    2割〜5割の間に設定されることを特徴とする投影露光
    装置。
  4. 【請求項4】 請求項1、2、又は3記載の投影露光装
    置であって、 前記投影光学系は、前記第1の光学的フーリエ変換面に
    対して前記基板側に前記マスクパターンの配置面に対す
    る第2の光学的フーリエ変換面を有し、 該第2の光学的フーリエ変換面の近傍に、該第2の光学
    的フーリエ変換面に達する結像光束の一部を遮光する遮
    光部材を配置したことを特徴とする投影露光装置。
  5. 【請求項5】 請求項2、又は3記載の投影露光装置で
    あって、 前記投影光学系は、前記第1の光学的フーリエ変換面に
    対して前記基板側に前記マスクパターンの配置面に対す
    る第2の光学的フーリエ変換面を有し、 該第2の光学的フーリエ変換面の近傍に、該第2の光学
    的フーリエ変換面に達する結像光束の一部を前記投影光
    学系の光軸を中心に遮光する円形の遮光部材が配置さ
    れ、 前記投影光学系の開口数で規定される前記第2のフーリ
    エ変換面への入射結像光束の有効半径に対する前記遮光
    部材の半径の比を、前記投影光学系の開口数で規定され
    る前記反射光学部材への入射結像光束の有効半径に対す
    る前記透過部の半径の比より大きくしたことを特徴とす
    る投影露光装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004071137A1 (es) 2003-02-07 2004-08-19 Sociedad Española De Electromedicina Y Calidad S. A. Equipo de rayos-x
CN100395582C (zh) * 2004-06-01 2008-06-18 大日本网目版制造株式会社 投影光学系统和图形描画装置
KR100966190B1 (ko) * 2007-05-15 2010-06-25 캐논 가부시끼가이샤 투영 광학계 및 노광장치
CN101995775A (zh) * 2009-08-07 2011-03-30 佳能株式会社 曝光装置和设备制造方法
JP2013250541A (ja) * 2012-06-04 2013-12-12 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法

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