JP5193777B2 - パワー半導体モジュールとそれを用いたインバータシステム - Google Patents
パワー半導体モジュールとそれを用いたインバータシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP5193777B2 JP5193777B2 JP2008249005A JP2008249005A JP5193777B2 JP 5193777 B2 JP5193777 B2 JP 5193777B2 JP 2008249005 A JP2008249005 A JP 2008249005A JP 2008249005 A JP2008249005 A JP 2008249005A JP 5193777 B2 JP5193777 B2 JP 5193777B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power semiconductor
- module
- semiconductor element
- contact
- peltier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Description
以下、本発明の第1の実施の形態(図1)の半導体モジュール構成の概略を説明する。冷却対象であるパワー半導体1と、パワー半導体の一方の電極表面と接している回路パターンが形成された回路基板と、回路基板を介して伝わった熱を冷却するペルチェモジュール6と、前記回路基板を冷却するペルチェモジュールを冷却するCuベースプレート5及びヒートシンク7と、パワー半導体の他方の面の電極表面と接している金属製の配線板8と、配線板を介して伝わった熱を冷却するペルチェモジュール9と、前記配線板を冷却するペルチェモジュール9を冷却するCuベースプレート10及びヒートシンク11と、前記のCuベースプレート5,10及びヒートシンク7,11を固定するボルト14、ナット15及びスペーサー13を具備する。
本発明の第2の実施の形態について説明する。図2は本発明の実施の形態に係わるパワー半導体モジュールの構成を模式的に例示する断面図である。同図については、図1に関して前述したものと同様の要素については、同一の符号を付して具体的な説明は省略する。
本発明の第3の実施の形態について説明する。図3は本発明の実施の形態にかかるインバータシステムの等価回路である。図3のインバータシステムは、パワー半導体モジュール21,モーター22、ヒートシンク23、DC−DCコンバータ24、スイッチング素子25、バッテリー26を具備する。
以下に、上記インバータシステムの動作を説明する。
まず、スイッチング素子25はオフ状態とする。バッテリー26に蓄積されている電力エネルギーがパワー半導体モジュール21を介してモーターへ送られることによりモーター22が駆動される。この動作モードを力行という。バッテリー26からパワー半導体モジュール21へ送られる電力は直流電力であり、パワー半導体モジュール21からモーター22に供給される電力は交流電力である。すなわち、パワー半導体モジュール21を介して電力が直流から交流へ変換される。この時、パワー半導体モジュール21内のパワー半導体素子は発熱する。パワー半導体素子の発熱はヒートシンク23によって放熱される。
次に、モーター22への電力供給を止めた場合の動作について説明する。モーター22へ電力の供給を止めても、モーター22の慣性によって、モーター22は回り続ける。この時、モーター22は発電機として振る舞い、電力を発生する。発生された電力は交流電力であり、パワー半導体モジュール21を介してバッテリー26の方向へ直流電力として供給される。この動作モードを回生といい、このとき供給されるエネルギーを回生エネルギーという。通常のインバータシステムでは、回生エネルギーをバッテリー26へ戻している。回生エネルギーによってバッテリー26の充電が完了すると、残りの回生エネルギーは回生エネルギーを消費するために設置した抵抗(図省略)で消費させる。すなわち、回生エネルギーは廃棄しており、有効に活用されていない。
そこで図3に示すインバータシステムでは、回生時にスイッチング素子25をオンさせ、回生エネルギーでヒートシンク23に内蔵されているペルチェモジュールを駆動する。この方式により、回生エネルギーによってパワー半導体素子が冷却される。DC−DCコンバータ24は、回生エネルギーの電圧をペルチェモジュールの駆動に適した電圧に変換するために設置される。
2…銅板
3…セラミック基板
4…銅板
5…Cuベースプレート
6…ペルチェモジュール
7…ヒートシンク
8…配線板
9…ペルチェモジュール
10…Cuベースプレート
11…ヒートシンク
12…輻射熱吸収膜
13…絶縁性材料からなるスペーサー
14…ボルト
15…ナット
16…SiC製ダイオード
17…配線板
21…パワー半導体モジュール
22…モーター
23…ヒートシンク
24…DC−DCコンバータ
25…スイッチング素子
26…バッテリー
Claims (4)
- パワー半導体素子と
前記パワー半導体素子の一方の電極面と接した金属製の配線板と、
前記配線板と吸熱面が接触した板を介して設置された第1のペルチェモジュールと、
前記第1のペルチェモジュールの発熱面と接触したCuベースプレートと、
前記パワー半導体素子の前記電極面とは別の電極面に接触した回路基板と、
前記回路基板と吸熱面が接触した第2のペルチェモジュールと、
前記第2のペルチェモジュールの発熱面と接触したCuベースプレートとを具備し、
前記回路基板は、セラミックス層の両面に銅板が形成されたものであって、前記一方の銅板の面は、前記パワー半導体素子の前記電極面とは別の電極面と接触し、前記他方の銅板の面は、前記第2のペルチェモジュールの吸熱面と接触し、
前記第1及び第2のペルチェモジュールの吸熱面がTiNであり、かつ、第1及び第2のペルチェモジュールの発熱面がSiNであることを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 前記回路基板にダイオードを具備することを特徴とする請求項1記載のパワー半導体モジュール。
- 請求項1記載のパワー半導体モジュールを用いることを特徴とするインバータシステム
- インバータの負荷をモーターとし、モーターの回生エネルギーを用いてペルチェモジュールを駆動することを特徴とする請求項3記載のインバータシステム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008249005A JP5193777B2 (ja) | 2008-09-26 | 2008-09-26 | パワー半導体モジュールとそれを用いたインバータシステム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008249005A JP5193777B2 (ja) | 2008-09-26 | 2008-09-26 | パワー半導体モジュールとそれを用いたインバータシステム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010080782A JP2010080782A (ja) | 2010-04-08 |
JP5193777B2 true JP5193777B2 (ja) | 2013-05-08 |
Family
ID=42210867
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008249005A Expired - Fee Related JP5193777B2 (ja) | 2008-09-26 | 2008-09-26 | パワー半導体モジュールとそれを用いたインバータシステム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5193777B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5800716B2 (ja) * | 2012-01-05 | 2015-10-28 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
JP5851267B2 (ja) * | 2012-02-07 | 2016-02-03 | 株式会社東芝 | インバータ及び車両制御装置 |
KR101459857B1 (ko) | 2012-12-27 | 2014-11-07 | 현대자동차주식회사 | 히트싱크 일체형 양면 냉각 파워모듈 |
JP6384406B2 (ja) | 2015-06-18 | 2018-09-05 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP6985661B2 (ja) * | 2017-09-29 | 2021-12-22 | マツダ株式会社 | ペルチェ素子の製造方法及びその実装方法 |
FR3127362A1 (fr) * | 2021-09-22 | 2023-03-24 | Valeo Systemes De Controle Moteur | Onduleur pour véhicules électriques ou hybrides refroidi par un module Peltier |
CN116153883B (zh) * | 2023-04-10 | 2023-07-07 | 广东仁懋电子有限公司 | 一种igbt封装方法及igbt封装结构 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08153901A (ja) * | 1994-11-30 | 1996-06-11 | Mitsubishi Materials Corp | 熱電変換モジュール及びその製造方法 |
JPH0984302A (ja) * | 1995-09-11 | 1997-03-28 | Mitsubishi Electric Corp | 駆動回路内蔵型モータ装置 |
JP4463411B2 (ja) * | 2000-10-27 | 2010-05-19 | 東京瓦斯株式会社 | 酸化物超伝導デバイス用ペルチェ素子 |
JP2003017658A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Toshiba Corp | 電力用半導体装置 |
JP4218653B2 (ja) * | 2005-03-28 | 2009-02-04 | ヤマハ株式会社 | 支持ユニット、電子機器の冷却システム及び電子機器の冷却方法 |
JP2006278659A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Seiko Epson Corp | レーザ成膜方法、レーザ成膜装置、および電子機器 |
JP2008124430A (ja) * | 2006-10-18 | 2008-05-29 | Hitachi Ltd | パワー半導体モジュール |
-
2008
- 2008-09-26 JP JP2008249005A patent/JP5193777B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010080782A (ja) | 2010-04-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5193777B2 (ja) | パワー半導体モジュールとそれを用いたインバータシステム | |
US7687901B2 (en) | Heat dissipating fins opposite semiconductor elements | |
JP6513303B2 (ja) | 電力用半導体モジュールおよび電力変換装置 | |
JP5407275B2 (ja) | 電力変換装置 | |
JP5488540B2 (ja) | 半導体モジュール | |
JP2007059737A (ja) | 半導体装置及びそれを用いた電力変換装置 | |
US11322432B2 (en) | Semiconductor module and power conversion apparatus | |
US20100101878A1 (en) | Semiconductor device and electrically powered vehicle | |
CN102017140A (zh) | 半导体装置 | |
US10021816B2 (en) | Power converter arrangement and method for producing a power converter arrangement | |
JP2017195255A (ja) | 半導体モジュール | |
JP4146032B2 (ja) | 半導体スイッチ装置およびこの半導体スイッチ装置を用いた電力変換装置 | |
John et al. | High temperature power electronics IGBT modules for electrical and hybrid vehicles | |
JP5169092B2 (ja) | 電力変換装置 | |
JP5341824B2 (ja) | 半導体装置 | |
Liang et al. | HybridPACK2-advanced cooling concept and package technology for hybrid electric vehicles | |
WO2019043950A1 (ja) | 半導体モジュール及び電力変換装置 | |
JP2004336845A (ja) | 車載電力変換装置 | |
JP3797040B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPWO2020208713A1 (ja) | パワー半導体モジュール及び電力変換装置 | |
Graovac et al. | Power semiconductors for hybrid and electric vehicles | |
CN111373528B (zh) | 半导体装置、功率模块和电源装置 | |
JP2022073478A (ja) | パワー半導体モジュール及び電力変換装置 | |
JP7330421B1 (ja) | 半導体モジュールおよび電力変換装置 | |
Liu et al. | SiC power module for motor driving system |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110329 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120423 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120508 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120731 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120928 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121106 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121129 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130204 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160208 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |