JP5189576B2 - 電圧制御発振器 - Google Patents
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Description
外部から入力される周波数制御用の制御電圧に応じて静電容量が変化する可変容量素子及びインダクタンス素子並びに静電容量が固定された固定容量素子を含み、前記静電容量に応じて直列共振周波数が調整される共振部と、
この共振部からの周波数信号を増幅して当該共振部に帰還させる帰還部と、を備え、
前記共振部のインダクタンス素子は、水晶基板上に形成された導電線路であり、
前記水晶基板は誘電体からなるベース基板上に設けられ、このベース基板上には、前記可変容量素子、帰還部及び周辺部品が設けられ、
前記直列共振周波数は、5GHz以上であり、
前記固定容量素子は、前記インダクタンス素子が形成された前記水晶基板上に設けられ、互に間隔をおいて交差する櫛歯状の導電路の対からなることを特徴とする。
IC回路部3内には、例えばトランジスタ21のコレクタに互に並列に接続された2つのバッファアンプ31、32が設けられており、一方のバッファアンプ31からは発振出力(発振周波数の信号)が端子部T3を介して取り出され、また他方のバッファアンプ32からは発振出力が分周回路33及び端子部T4を介して取り出されるように構成されている。
尚、共振部1は、バリキャップダイオードとインダクタンス素子11とを直列に接続してこの直列回路の直列共振周波数により発振周波数が決まる回路構成であっても良く、この場合はバリキャップダイオードが特許請求の範囲の容量素子を兼用することになる。
本発明のVCOについて、実際に動作に必要な電力値を確認したところ、分周器を含めて電圧が3.5V、電流が75mA程度となった。一方、従来のGaAsをベース基板5として用いているVCOの特性を同様に確認したところ、電圧が5V、電流が300mA程度であった。従って、本発明のVCOでは、従来のVCOと比較して、消費電力を下げられることが分かった。
また、水晶基板10上の導電線路48のレイアウトとしては、例えば図11に示すように、当該水晶基板10上においてインダクタンス素子11を引き回すようにしても良い。
また、上記の例ではVCOについて説明したが、インダクタンス素子及び容量素子からなる電気回路であるフィルタ回路についても、使用帯域がGHz帯の高周波帯になると、共振部1のQ値が小さい場合には良好なフィルタ特性が得られないという課題が存在する。従って、本発明は、インダクタンス素子を含む電子部品に有効である。
2 帰還部
3 回路部
5 ベース基板
10 水晶基板
11 インダクタンス素子
12 コンデンサ
13 バリキャップダイオード
14 バリキャップダイオード
15 コンデンサ
Claims (1)
- 外部から入力される周波数制御用の制御電圧に応じて静電容量が変化する可変容量素子及びインダクタンス素子並びに静電容量が固定された固定容量素子を含み、前記静電容量に応じて直列共振周波数が調整される共振部と、
この共振部からの周波数信号を増幅して当該共振部に帰還させる帰還部と、を備え、
前記共振部のインダクタンス素子は、水晶基板上に形成された導電線路であり、
前記水晶基板は誘電体からなるベース基板上に設けられ、このベース基板上には、前記可変容量素子、帰還部及び周辺部品が設けられ、
前記直列共振周波数は、5GHz以上であり、
前記固定容量素子は、前記インダクタンス素子が形成された前記水晶基板上に設けられ、互に間隔をおいて交差する櫛歯状の導電路の対からなることを特徴とする電圧制御発振器。
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