JP5173702B2 - 静電チャック - Google Patents
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Description
しかしながら、この手段は、逆電圧を印加するために複雑な付加回路が必要であり、また、逆電圧を印加しても残留電荷を十分に除去できない場合があった。これに対し、この問題を解決する手段として、紫外線の照射により光電効果を示す誘電体層と絶縁性の基体とこれら誘電体層と基体との間に埋設された面状の電極を有する静電チャックを使用して、静電チャックの表面に400nm以下の波長域の紫外線を数十秒間照射することにより、短時間で残留電荷を除去する方法が提案されている(特許文献2を参照。)。
積固有抵抗が低下するセラミックスからなり、該セラミックスが窒化アルミニウム質セラミックスであり酸素を0.001〜5質量%で含むとともに酸素空孔を有していることを特徴とするものである。さらに好ましくは、波長が500nm以上の可視光の照射によって
体積固有抵抗が低下するセラミックスからなるものである。
さらに、本発明の静電チャックによれば、セラミックスが窒化アルミニウムを主成分とする窒化アルミニウム質セラミックスであるときには、電子エネルギーの準位から低いエネルギーで励起されやすい窒化アルミニウムを主成分とすることによって、また酸素空孔を有することによって低いエネルギーで、可視光の照射によって確実に体積固有抵抗を低下させることができるので、より好ましいものとなる。
プロセスとしては、ウエハ5に対する半導体装置の製造プロセスであるPVD(Physical Vapor Deposition:物理蒸着),CVD(Chemical Vapor Deposition:化学蒸着),プラズマエッチング,露光等の、静電チャック10を使用して行なわれるほとんどの工程に適用できる。
1a・・・誘電体層
1b・・・基体
2・・・吸着用電極
3・・・吸着面
4・・・導通端子
5・・・ウエハ
10・・・静電チャック
20・・・プロセスチャンバー
21・・・高周波電極
22・・・静電チャック金属ベース
23・・・静電チャック電源
24・・・照射ランプ
25・・・シャッター
Claims (2)
- 吸着用電極を備えた板状体の主面を吸着面とする静電チャックにおいて、前記板状体は、前記主面側が波長が450nm以上の可視光の照射によって体積固有抵抗が低下するセラミックスからなり、該セラミックスが窒化アルミニウム質セラミックスであり酸素を0.001〜5質量%で含むとともに酸素空孔を有していることを特徴とする静電チャック。
- 前記吸着面の算術平均粗さRaが0.01〜0.8μmであることを特徴とする請求項1に記載の静電チャック。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008247336A JP5173702B2 (ja) | 2008-09-26 | 2008-09-26 | 静電チャック |
PCT/JP2009/066256 WO2010035689A1 (ja) | 2008-09-26 | 2009-09-17 | 静電チャック |
TW98132066A TWI406356B (zh) | 2008-09-26 | 2009-09-23 | Electrostatic chuck |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008247336A JP5173702B2 (ja) | 2008-09-26 | 2008-09-26 | 静電チャック |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010080678A JP2010080678A (ja) | 2010-04-08 |
JP5173702B2 true JP5173702B2 (ja) | 2013-04-03 |
Family
ID=42059690
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008247336A Active JP5173702B2 (ja) | 2008-09-26 | 2008-09-26 | 静電チャック |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5173702B2 (ja) |
TW (1) | TWI406356B (ja) |
WO (1) | WO2010035689A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5225043B2 (ja) * | 2008-11-26 | 2013-07-03 | 京セラ株式会社 | 静電チャック |
JP5670235B2 (ja) * | 2011-03-24 | 2015-02-18 | コバレントマテリアル株式会社 | 静電チャック |
EP2960933B1 (en) * | 2013-02-25 | 2017-12-06 | Kyocera Corporation | Sample holding tool |
JP6093010B2 (ja) * | 2013-04-26 | 2017-03-08 | 京セラ株式会社 | 試料保持具 |
KR102627303B1 (ko) * | 2016-03-14 | 2024-01-18 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 디-척킹 단계 동안에 정전 척 상의 잔류 전하를 제거하기 위한 방법 |
JP6595406B2 (ja) * | 2016-05-27 | 2019-10-23 | 京セラ株式会社 | 静電吸着用部材 |
JP7488712B2 (ja) | 2020-07-22 | 2024-05-22 | デンカ株式会社 | セラミック板及びその製造方法、セラミック焼結体の体積抵抗率の調整方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04100257A (ja) * | 1990-08-20 | 1992-04-02 | Fujitsu Ltd | 静電吸着機構を備えた処理装置および該静電吸着機構の残留電荷除去方法 |
JP3266450B2 (ja) * | 1995-03-30 | 2002-03-18 | 京セラ株式会社 | ウエハ支持部材 |
JP3670444B2 (ja) * | 1997-06-06 | 2005-07-13 | 日本碍子株式会社 | 窒化アルミニウム基複合体、電子機能材料、静電チャックおよび窒化アルミニウム基複合体の製造方法 |
JP2004172637A (ja) * | 2000-02-08 | 2004-06-17 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造・検査装置用セラミック基板 |
US6567257B2 (en) * | 2000-04-19 | 2003-05-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for conditioning an electrostatic chuck |
JP2003040674A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-13 | Kyocera Corp | 抵抗体及びその製造方法並びに保持装置 |
-
2008
- 2008-09-26 JP JP2008247336A patent/JP5173702B2/ja active Active
-
2009
- 2009-09-17 WO PCT/JP2009/066256 patent/WO2010035689A1/ja active Application Filing
- 2009-09-23 TW TW98132066A patent/TWI406356B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI406356B (zh) | 2013-08-21 |
TW201025493A (en) | 2010-07-01 |
JP2010080678A (ja) | 2010-04-08 |
WO2010035689A1 (ja) | 2010-04-01 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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