JP5160331B2 - 回路基板検査装置および回路基板検査方法 - Google Patents

回路基板検査装置および回路基板検査方法 Download PDF

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本発明は、複数の導体パターン、および導体パターンに接続された電子部品を有する回路基板における各導体パターン間の絶縁状態および各導体パターンの導通状態を検査する回路基板検査装置および回路基板検査方法に関するものである。
この種の回路基板検査装置として、特開2001−66351号公報に開示された回路基板検査装置が知られている。この回路基板検査装置は、フィクスチャおよび接続計測部を備えて、回路基板における各導体パターン(ランドパターン)の導通検査や各導体パターンの間の絶縁検査を実行可能に構成されている。この場合、フィクスチャは、回路基板の各導体パターンに対応する複数のプローブピンがその上面に突出形成された下側フィクスチャと、回路基板の他面に実装された各電子部品間の隙間に対応して複数の当接ピンがその下面に形成されると共に昇降機構によって上下方向に移動させられる上側フィクスチャとで構成されている。この回路基板検査装置では、下側フィクスチャと上側フィクスチャとの間に回路基板を挟み込むことによって下側フィクスチャのプローブピンを各導体パターンに接触させて所定のプローブピンに信号を供給した状態で、接続計測部がプローブピンを介して入力する信号に基づいて各導体パターンの間の絶縁検査や各導体パターンの導通検査を行う。この場合、この種の回路基板検査装置では、絶縁検査および導通検査のいずれか一方を行い、その後に両検査の他方が行われる。
一方、各導体パターンの間の絶縁検査を行う際には、各導体パターンに高電圧を供給(印加)する必要があるため、電子部品が実装された回路基板や基板内に電子部品が内蔵された部品内蔵型の回路基板に対してこの絶縁検査を行う際には、高電圧の印加によって電子部品が損傷するおそれがある。このため、発明者らは、電子部品の損傷を回避しつつ導体パターン間の絶縁検査を行うことが可能な回路基板検査装置を開発している。この回路基板検査装置では、電子部品によって互いに接続されている導体パターンを1つの導体パターン群として規定して、この導体パターン群内の各導体パターンを互いに同電位としつつ導体パターン群外の導体パターンとの間に検査用信号を供給(印加)して、検査用信号が供給されている導体パターン間の絶縁検査が行われる。このため、この回路基板検査装置では、同一導体パターン群内における各導体パターン間に電位差が生じることに起因しての、導体パターン間に配設された電子部品が損傷する事態を回避することが可能となっている。
特開2001−66351号公報(第3−5頁、第1図)
ところが、発明者が既に開発している上記の回路基板検査装置にも、改善すべき以下の課題がある。すなわち、この回路基板検査装置では、導体パターン群内の各導体パターンを互いに同電位とすることで、電子部品の損傷を回避している。しかしながら、この回路基板検査装置では、導体パターン群内の導体パターンと導体パターン群外の導体パターンとの間の絶縁検査を行うことが可能なものの、電子部品を介して接続されている導体パターン群内の各導体パターン間の絶縁検査を行うことが困難である。このため、この回路基板検査装置では、電子部品が実装された回路基板や部品内蔵型の回路基板を検査対象とする絶縁検査の検査精度を向上させるのが困難であり、この点の改善が望まれている。また、発明者が既に開発している上記の回路基板検査装置を含むこの種の回路基板検査装置では、絶縁検査および導通検査の一方を行った後に両検査の他方を行っている。このため、この回路基板検査装置には、数多くの導体パターンを有する回路基板に対する検査を行う際には、導通検査および絶縁検査のそれぞれに多くの時間を要する結果、検査効率の向上が困難でありこの点の改善も望まれている。
本発明は、かかる改善すべき課題に鑑みてなされたものであり、電子部品が実装された回路基板や部品内蔵型の回路基板に対する検査における検査精度および検査効率を向上し得る回路基板検査装置および回路基板検査方法を提供することを主目的とする。
上記目的を達成すべく請求項1記載の回路基板検査装置は、複数の導体パターンおよび当該導体パターンに接続された電子部品を有する回路基板の当該各導体パターン間の絶縁状態および当該各導体パターンの導通状態を検査する検査部を備えた回路基板検査装置であって、前記検査部は、前記電子部品を介して接続されている前記各導体パターンで構成される一次導体パターン群内の当該導体パターンを互いに同電位としつつ当該一次導体パターン群外の前記導体パターンとの間に高電圧信号を供給したときに生じる物理量に基づいて当該高電圧信号が供給されている当該導体パターン間の絶縁状態を検査する第1絶縁検査、および前記一次導体パターン群内の前記導体パターンであってかつ抵抗値が所定値以下の前記電子部品を介して接続されている当該導体パターンで構成される二次導体パターン群内の当該各導体パターンを互いに同電位としつつ当該二次導体パターン群が属する前記一次導体パターン群内における当該二次導体パターン群外の前記導体パターンとの間に低電圧信号を供給したときに生じる物理量に基づいて当該低電圧信号が供給されている当該導体パターン間の絶縁状態を検査する第2絶縁検査を連続して実行すると共に、
前記第1絶縁検査および前記第2絶縁検査のいずれもが行われていない前記導体パターンに導通検査用信号を供給したときに当該導体パターンの両端部間に生じる物理量に基づいて当該導体パターンの導通状態を検査する導通検査を前記両絶縁検査のいずれか一方と並行して実行する。
また、請求項2記載の回路基板検査装置は、請求項1記載の回路基板検査装置において、前記電子部品が接続されている導体パターンを特定可能な接続データ、および前記電子部品の抵抗値を示す電子部品データを記憶する記憶部と、前記接続データに基づいて前記一次導体パターン群を特定すると共に、前記接続データおよび前記電子部品データに基づいて前記二次導体パターン群を特定する特定処理を実行する処理部とを備えている。
また、請求項3記載の回路基板検査方法は、複数の導体パターンおよび当該導体パターンに接続された電子部品を有する回路基板の当該各導体パターン間の絶縁状態および当該各導体パターンの導通状態を検査する回路基板検査方法であって、前記電子部品を介して接続されている前記各導体パターンで構成される一次導体パターン群内の当該導体パターンを互いに同電位としつつ当該一次導体パターン群外の前記導体パターンとの間に高電圧信号を供給したときに生じる物理量に基づいて当該高電圧信号が供給されている当該導体パターン間の絶縁状態を検査する第1絶縁検査、および前記一次導体パターン群内の前記導体パターンであってかつ抵抗値が所定値以下の前記電子部品を介して接続されている当該導体パターンで構成される二次導体パターン群内の当該各導体パターンを互いに同電位としつつ当該二次導体パターン群が属する前記一次導体パターン群内における当該二次導体パターン群外の前記導体パターンとの間に低電圧信号を供給したときに生じる物理量に基づいて当該低電圧信号が供給されている当該導体パターン間の絶縁状態を検査する第2絶縁検査を連続して実行すると共に、前記第1絶縁検査および前記第2絶縁検査のいずれもが行われていない前記導体パターンに導通検査用信号を供給したときに当該導体パターンの両端部間に生じる物理量に基づいて当該導体パターンの導通状態を検査する導通検査を前記両絶縁検査のいずれか一方と並行して実行する。
請求項1記載の回路基板検査装置、および請求項3記載の回路基板検査方法では、一次導体パターン群内の各導体パターンを互いに同電位としつつ高電圧信号を供給したときに生じる物理量に基づいて高電圧信号が供給されている導体パターン間の絶縁状態を検査する第1絶縁検査と、二次導体パターン群内の各導体パターンを互いに同電位としつつ低電圧信号を供給したときに生じる物理量に基づいて低電圧信号が供給されている導体パターン間の絶縁状態を検査する第2絶縁検査を実行する。このため、この回路基板検査装置および回路基板検査方法によれば、第1絶縁検査を実行することで、2つの一次導体パターン群間の絶縁の良否や一次導体パターン群と単独の導体パターンとの間の絶縁の良否を、電子部品を破損させることなく行うことができるのに加えて、第2絶縁検査を実行することで、従来の回路基板検査装置および回路基板検査方法では困難であった一次導体パターン群内における導体パターン間の絶縁の良否を、電子部品を破損させることなく確実かつ容易に行うことができる。したがって、この回路基板検査装置および回路基板検査方法によれば、絶縁検査の検査精度を十分に向上することができる。また、この回路基板検査装置および回路基板検査方法では、第1絶縁検査および第2絶縁検査を連続して実行すると共に、第1絶縁検査および第2絶縁検査のいずれもが行われていない導体パターンに電流信号を供給したときにその導体パターンの両端部に生じる物理量に基づいてその導体パターンの導通状態を検査する導通検査を両絶縁検査と並行して実行する。したがって、この回路基板検査装置および回路基板検査方法によれば、絶縁検査および導通検査のいずれか一方を行い、その後に両検査の他方を行う従来の回路基板検査装置と比較して、両絶縁検査と導通検査とを並行して行う時間の分だけ、全体としての検査時間を短縮することができる。したがって、この回路基板検査装置および回路基板検査方法によれば、数多くの導体パターンを有する回路基板に対する検査を行う際の検査効率を十分に向上させることができる。
また、請求項2記載の回路基板検査装置では、処理部が接続データおよび電子部品データに基づいて一次導体パターン群および二次導体パターン群を特定する特定処理を実行する。このため、この回路基板検査装置によれば、どの導体パターンが電子部品によって接続されているかを調査して一次導体パターン群および二次導体パターン群を人手によって特定する作業を不要とすることができる結果、その分、検査効率を向上させることができる。
以下、本発明に係る回路基板検査装置および回路基板検査方法の最良の形態について、添付図面を参照して説明する。
最初に、回路基板検査装置1の構成について説明する。図1に示す回路基板検査装置1は、本発明に係る回路基板検査装置の一例であって、例えば、複数の導体パターンP1〜P19(図2参照:以下、区別しないときには「導体パターンP」ともいう)および導体パターンPに接続された電子部品E1〜E6(同図参照:以下、区別しないときには「電子部品E」ともいう)を有する回路基板100における各導体パターンP間の絶縁状態および各導体パターンPの導通状態を、本発明に係る回路基板検査方法に従って検査可能に構成されている。具体的には、回路基板検査装置1は、図1に示すように、基板保持部2、プローブユニット3、移動機構4および検査部5を備えて構成されている。
基板保持部2は、保持板と、保持板に取り付けられて回路基板100の端部を挟み込んで固定するクランプ機構(いずれも図示せず)とを備えて、回路基板100を保持可能に構成されている。プローブユニット3は、複数のプローブピン21を備えて治具型に構成されている。この場合、プローブユニット3は、回路基板100の各導体パターンPに設けられている電気部品接続用の接続点H(図2参照)の位置に応じて、プローブピン21の数や配列パターンが規定されている。移動機構4は、制御部15の制御に従い、上下方向にプローブユニット3を移動させることによってプロービングを実行する。
検査部5は、図1に示すように、スキャナ部11、検査用信号生成部12、測定部13、記憶部14および制御部15を備えて構成されている。スキャナ部11は、複数のスイッチ(図示せず)を備えて構成され、制御部15の制御に従って各スイッチをオン状態またはオフ状態に移行させることにより、プローブユニット3におけるプローブピン21と検査用信号生成部12との接断(接続および切断)、およびプローブピン21と測定部13との接断を行う。
検査用信号生成部12は、電圧信号生成回路31および電流信号生成回路32を備えて構成されている。電圧信号生成回路31は、制御部15の制御に従い、絶縁検査用の高電圧信号Sv1および低電圧信号Sv2(以下、区別しないときには「電圧信号Sv」ともいう)を生成する。この場合、この回路基板検査装置1では、高電圧信号Sv1が、一例として、10V〜1000V程度に規定されている。一方、低電圧信号Sv2は、電子部品Eに印加しても破損しない程度の電圧(一例として、0.1V〜0.5V程度)に規定されている。電流信号生成回路32は、制御部15の制御に従い、電流信号Si(本発明における導通検査用信号であって、一例として、直流電流)を生成する。測定部13は、電圧信号Svの供給に伴って導体パターンP間に流れる電流(本発明における物理量の一例)を測定する。また、測定部13は、電流信号Siの供給に伴って導体パターンPの両端部間(両接続点H,H間)に生じる電圧(本発明における物理量の一例)を測定する。
記憶部14は、制御部15によって実行される検査処理50(図5参照)において用いられる接続データD1および電子部品データD2を記憶する。この場合、接続データD1は、本発明における接続データの一例であって、図3に概念的に示すように、回路基板100に実装されている各電子部品E1〜E6が接続されている導体パターンPを特定可能な情報を含んで構成されている。また、電子部品データD2は、図4に概念的に示すように、各電子部品E1〜E4の抵抗値を示す情報を含んで構成されている。また、記憶部14は、制御部15によって生成される一次導体パターン群データD3(図6参照)および二次導体パターン群データD4(図7参照)を記憶する。
制御部15は、図外の操作部から出力される操作信号に従って移動機構4および検査部5を構成する各構成要素を制御する。具体的には、制御部15は、移動機構4によるプローブユニット3の移動を制御する。また、制御部15は、検査用信号生成部12による電圧信号Svおよび電流信号Siの生成を制御すると共にスキャナ部11による接断処理を制御することにより、回路基板100の導体パターンPに対して電圧信号Svおよび電流信号Siを供給させる。また、制御部15は、検査処理50において、後にそれぞれ詳述する、第1絶縁検査、第2絶縁検査および導通検査を実行する。また、制御部15は、本発明における処理部として機能し、回路基板100における各導体パターンPの中から、電子部品Eを介して接続されている複数の導体パターンPで構成される一次導体パターン群Gf1〜Gf3(図2参照:以下、区別しないときには「一次導体パターン群Gf」ともいう)を接続データD1に基づいて特定して一次導体パターン群データD3を生成して、生成した一次導体パターン群データD3を記憶部14に記憶させる。また、制御部15は、一次導体パターン群Gf内の導体パターンPであってかつ抵抗値が所定値(一例として、1KΩ)以下の電子部品Eを介して接続されている導体パターンPで構成される二次導体パターン群Gs(同図参照)を接続データD1および電子部品データD2に基づいて特定して二次導体パターン群データD4を生成して、生成した二次導体パターン群データD4を記憶部14に記憶させる。なお、一次導体パターン群Gfを特定する処理、および二次導体パターン群Gsを特定する処理が本発明における特定処理に相当する。
次に、回路基板検査装置1を用いて本発明に係る回路基板検査方法に従い、回路基板100における各導体パターンP間の絶縁状態および各導体パターンPの導通状態を検査する方法、およびその際の回路基板検査装置1の動作について、図面を参照して説明する。なお、回路基板100は、図2に示すように、一例として、19個の導体パターンP1〜P19が一面に形成されると共に、6個の電子部品が実装されて構成されているものとする。
まず、検査対象の回路基板100を基板保持部2における保持板(図示せず)に載置し、次いで、基板保持部2のクランプ機構(図示せず)で回路基板100の端部を挟み込んで固定することにより、回路基板100を基板保持部2に保持させる。続いて、図外の操作部を用いて検査開始操作を行う。この際に、制御部15が、操作部から出力された操作信号に従い、移動機構4を制御してプローブユニット3を下向きに移動させる。これにより、プローブユニット3の各プローブピン21の先端部が各導体パターンPの各接続点Hに接触(プロービング)させられる。
次いで、制御部15は、図5に示す検査処理50を実行する。この検査処理50では、制御部15は、記憶部14から接続データD1および電子部品データD2を読み出す(ステップ51)。続いて、制御部15は、接続データD1に基づいて一次導体パターン群Gfを特定する(ステップ52)。この場合、制御部15は、図6に示すように、電子部品E1,E2を介して接続されている導体パターンP1,P2で構成される一次導体パターン群Gf1、電子部品E3を介して接続されている導体パターンP3,P4で構成される一次導体パターン群Gf2、および電子部品E4〜E6を介して接続されている導体パターンP5〜P18で構成される一次導体パターン群Gf3を特定する。次いで、制御部15は、特定した各一次導体パターン群Gf1〜Gf3を識別する番号(同図に示す同電位番号「1〜3」)と各導体パターンPとを関連付けた一次導体パターン群データD3を生成して、記憶部14に記憶させる。
続いて、制御部15は、接続データD1および電子部品データD2に基づいて二次導体パターン群Gsを特定する(ステップ53)。この場合、制御部15は、基準値(例えば1KΩ)以下の抵抗値の電子部品E(この例では、電子部品E4(図4参照))を電子部品データD2に基づいて特定し、図7に示すように、その電子部品E4を介して接続されている導体パターンP7,P14で構成される二次導体パターン群Gsを接続データD1に基づいて特定する。次いで、制御部15は、特定した二次導体パターン群Gsを識別する番号(同図に示す同電位番号「11」)と各導体パターンPとを関連付けた二次導体パターン群データD4を生成して、記憶部14に記憶させる。
この場合、上記したように、この回路基板検査装置1では、制御部15が接続データD1および電子部品データD2に基づいて一次導体パターン群Gfおよび二次導体パターン群Gsを特定して、一次導体パターン群データD3および二次導体パターン群データD4として記憶部14に記憶させる。このため、この回路基板検査装置1では、どの導体パターンPが電子部品Eによって接続されているかを調査して一次導体パターン群Gfおよび二次導体パターン群Gsを特定する作業や、作成した一次導体パターン群データD3および二次導体パターン群データD4を入力する作業が不要なため、その分、検査効率を向上させることが可能となっている。
続いて、制御部15は、第1絶縁検査を実行する(ステップ54)。この第1絶縁検査では、制御部15は、検査用信号生成部12の電圧信号生成回路31を制御して高電圧信号Sv1を生成させる。次いで、制御部15は、図6に示す一次導体パターン群データD3に基づいて各一次導体パターン群Gfを特定し、次いで、スキャナ部11を制御して、そのうちの1つの一次導体パターン群Gf(例えば、一次導体パターン群Gf1:図2参照)内の各導体パターンP(この例では、導体パターンP1,P2:同図参照)の各接続点Hに接触しているプローブピン21と電圧信号生成回路31とを接続する。また、制御部15は、スキャナ部11を制御して、上記した1つの一次導体パターン群Gf1とは異なる他の一次導体パターン群Gf(例えば、一次導体パターン群Gf2)内の各導体パターンP(この例では、導体パターンP3,P4:同図参照)の各接続点Hに接触しているプローブピン21をグランド電位に接続する。
これにより、高電圧信号Sv1が、一次導体パターン群Gf1内の各導体パターンPと、一次導体パターン群Gf2内の各導体パターンPとの間に各プローブピン21を介して供給(印加)される。なお、この例では、一次導体パターン群Gf1内の各導体パターンPが、一次導体パターン群Gf2側から見たときの一次導体パターン群Gf外の導体パターンPに相当し、一次導体パターン群Gf2内の各導体パターンPが、一次導体パターン群Gf1側から見たときの一次導体パターン群Gf外の導体パターンPに相当する。
この場合、上記したように、一次導体パターン群Gf1内の各導体パターンPがプローブピン21を介して検査用信号生成部12に接続されて各導体パターンPが同電位(この例では、高電圧信号Sv1の電位)に維持され、一次導体パターン群Gf2内の各導体パターンPがプローブピン21を介してグランド電位に接続されて各導体パターンPが同電位(この例では、グランド電位)に維持されている。このため、同じ一次導体パターン群Gf内の各導体パターンP間に大きな電位差が生じることに起因しての、各導体パターンP間に接続されている電子部品Eが破損する事態が確実に防止される。
続いて、制御部15は、測定部13に対して、高電圧信号Sv1の供給に伴って一次導体パターン群Gf1と一次導体パターン群Gf2との間に流れる電流を測定させる。次いで、制御部15は、測定部13によって測定された電流の測定値および高電圧信号Sv1の電圧値に基づいて抵抗値を算出し、その抵抗値と所定の基準値とを比較して一次導体パターン群Gf1内の導体パターンPと一次導体パターン群Gf2内の導体パターンPとの間(高電圧信号Sv1を供給している導体パターンP間)の絶縁状態を検査する。
続いて、制御部15は、上記した第1絶縁検査を実行して、一次導体パターン群Gf1内の導体パターンPと一次導体パターン群Gf3内の導体パターンPとの間、一次導体パターン群Gf2内の導体パターンPと一次導体パターン群Gf3内の導体パターンPとの間、電子部品Eを介して接続されていない単独の導体パターンP19と一次導体パターン群Gf1内の導体パターンPとの間、導体パターンP19と一次導体パターン群Gf2内の導体パターンPとの間、および導体パターンP19と一次導体パターン群Gf3内の導体パターンPとの間の絶縁状態の検査を順次行う。
続いて、制御部15は、全ての一次導体パターン群Gf間、および一次導体パターン群Gfと単独の導体パターンP19との間についての第1絶縁検査を終了したときには、第2絶縁検査を実行する(ステップ55)。この第2絶縁検査では、制御部15は、検査用信号生成部12の電圧信号生成回路31を制御して低電圧信号Sv2を生成させる。また、制御部15は、図7に示す二次導体パターン群データD4に基づいて二次導体パターン群Gsを特定し、次いで、スキャナ部11を制御して、二次導体パターン群Gs内の各導体パターンP(この例では、導体パターンP7,P14)の各接続点Hに接触しているプローブピン21と電圧信号生成回路31とを接続する。また、制御部15は、二次導体パターン群データD4に基づいて二次導体パターン群Gsが所属する一次導体パターン群Gf(この例では、一次導体パターン群Gf3:図2参照)を特定し、続いて、スキャナ部11を制御して、一次導体パターン群Gf3内における二次導体パターン群Gs外の導体パターンP(この例では、導体パターンP5,P6,P8〜P13,P15〜P18:同図参照)の内の1つ(導体パターンP5とする)における接続点Hに接触しているプローブピン21をグランド電位に接続する。これにより、低電圧信号Sv2が、二次導体パターン群Gs内の各導体パターンPと、一次導体パターン群Gf3内における二次導体パターン群Gs外の導体パターンP5との間に各プローブピン21を介して供給(印加)される。
この場合、上記したように、二次導体パターン群Gs内の各導体パターンPがプローブピン21を介して検査用信号生成部12に接続されて各導体パターンPが同電位(この例では、低電圧信号Sv2の電位)に維持されている。このため、同じ二次導体パターン群Gs内の各導体パターンP間に大きな電位差が生じることに起因しての、各導体パターンP間に接続されている電子部品Eが破損する事態が確実に防止されている。
次いで、制御部15は、測定部13に対して、低電圧信号Sv2の供給に伴って二次導体パターン群Gs内の各導体パターンPと二次導体パターン群Gs外の各導体パターンP(この例では導体パターンP5)との間に流れる電流を測定させる。続いて、制御部15は、測定部13によって測定された電流の測定値および低電圧信号Sv2の電圧値に基づいて抵抗値を算出し、その抵抗値と所定の基準値とを比較して二次導体パターン群Gs内の各導体パターンPと二次導体パターン群Gs外の導体パターンPとの間(低電圧信号Sv2を供給している導体パターンP間)の絶縁状態(の良否)を検査する。続いて、制御部15は、上記した第2絶縁検査を実行して、二次導体パターン群Gs内の各導体パターンPと二次導体パターン群Gs外の各導体パターンP(導体パターンP6,P8〜P13,P15〜P18)との間の絶縁状態の検査を順次行う。次いで、制御部15は、第2絶縁検査において検査した絶縁状態の良否を判別して、その結果を図外の表示部に表示させて検査処理50を終了する。
また、制御部15は、上記した第1絶縁検査および第2絶縁検査のいずれかに並行して導通検査を実行する(ステップ56)。この導通検査では、制御部15は、検査用信号生成部12の電流信号生成回路32を制御して電流信号Siを生成させる。次いで、制御部15は、各導体パターンPの中から、第1絶縁検査および第2絶縁検査のいずれもが行われていない導体パターンP(両絶縁検査の対象となっていない導体パターンP)を導通検査対象の導体パターンPとして選択する。次いで、制御部15は、スキャナ部11を制御して、選択した導体パターンPの一端部の接続点Hに接触しているプローブピン21と電流信号生成回路32とを接続すると共に、その導体パターンPの他端部の接続点Hに接触しているプローブピン21をグランド電位に接続する。これにより、その導体パターンPに電流信号Siが供給される。
次いで、制御部15は、測定部13に対して、電流信号Siの供給に伴って導通検査対象の導体パターンPの両端部間(両接続点H,H間)に生じる電圧を測定させる。続いて、制御部15は、測定部13によって測定された電圧の測定値および電流信号Siの電流値に基づいて抵抗値を算出し、その抵抗値と所定の基準値とを比較してその導体パターンPの導電状態を検査する。次いで、制御部15は、導通検査対象の導体パターンPを他の導体パターンPに変更して導通検査を順次実行する。
続いて、制御部15は、絶縁検査(第1絶縁検査および第2絶縁検査)並びに導通検査の全てが完了したときには、検査処理50を終了する。この場合、この回路基板検査装置1では、上記したように絶縁検査(第1絶縁検査および第2絶縁検査)と導通検査とを並行して実行している。このため、絶縁検査および導通検査のいずれか一方を行い、その後に両検査の他方を行う従来の回路基板検査装置と比較して、両絶縁検査と導通検査とを並行して行う時間の分だけ、全体としての検査時間を短縮することが可能となっている。また、回路基板検査装置1では、第1絶縁検査および第2絶縁検査のいずれもが行われていない導体パターンP(両絶縁検査の対象となっていない導体パターンP)に対して導通検査を実行している。したがって、絶縁検査(第1絶縁検査および第2絶縁検査)と導通検査とを並行して実行したとしても、一方の検査が他方の検査に対して影響を与えることがないため、正確な検査が行われる。
このように、この回路基板検査装置1および回路基板検査方法では、一次導体パターン群Gf内の各導体パターンPを互いに同電位としつつ高電圧信号Sv1を供給したときに生じる物理量に基づいて高電圧信号Sv1が供給されている導体パターンP間の絶縁状態を検査する第1絶縁検査と、二次導体パターン群Gs内の各導体パターンPを互いに同電位としつつ低電圧信号Sv2を供給したときに生じる物理量に基づいて低電圧信号Sv2が供給されている導体パターンP間の絶縁状態を検査する第2絶縁検査を実行する。このため、この回路基板検査装置1および回路基板検査方法によれば、第1絶縁検査を実行することで、2つの一次導体パターン群Gf間の絶縁の良否や一次導体パターン群Gfと単独の導体パターンPとの間の絶縁の良否を、電子部品Eを破損させることなく行うことができるのに加えて、第2絶縁検査を実行することで、従来の回路基板検査装置および回路基板検査方法では困難であった一次導体パターン群Gf内における導体パターンP間の絶縁の良否を、電子部品Eを破損させることなく確実かつ容易に行うことができる。したがって、この回路基板検査装置1および回路基板検査方法によれば、絶縁検査の検査精度を十分に向上することができる。また、この回路基板検査装置1および回路基板検査方法では、第1絶縁検査および第2絶縁検査を連続して実行すると共に、第1絶縁検査および第2絶縁検査のいずれもが行われていない導体パターンPに電流信号Siを供給したときにその導体パターンPの両端部間に生じる物理量に基づいてその導体パターンPの導通状態を検査する導通検査を両絶縁検査と並行して実行する。したがって、この回路基板検査装置1および回路基板検査方法によれば、絶縁検査および導通検査のいずれか一方を行い、その後に両検査の他方を行う従来の回路基板検査装置と比較して、両絶縁検査と導通検査とを並行して行う時間の分だけ、全体としての検査時間を短縮することができる。したがって、この回路基板検査装置1および回路基板検査方法によれば、数多くの導体パターンPを有する回路基板に対する検査を行う際の検査効率を十分に向上させることができる。
また、この回路基板検査装置1および回路基板検査方法では、接続データD1および電子部品データD2に基づいて一次導体パターン群Gfおよび二次導体パターン群Gsを特定して一次導体パターン群データD3および二次導体パターン群データD4を生成する。このため、この回路基板検査装置および回路基板検査方法によれば、どの導体パターンPが電子部品Eによって接続されているかを調査して一次導体パターン群Gfおよび二次導体パターン群Gsを特定する作業や、作成した一次導体パターン群データD3および二次導体パターン群データD4を入力する作業を不要とすることができる結果、その分、検査効率を向上させることができる。
なお、本発明は、上記した構成に限定されない。例えば、一次導体パターン群Gfが3つ存在すると共に、電子部品Eを介して接続されていない単独の導体パターンP19が1つ存在する回路基板100に対して絶縁検査を実行する例について上記したが、一次導体パターン群Gfの数や単独の導体パターンPの数が回路基板100とは異なる各種の回路基板に対して絶縁検査を実行する際にも、上記と同様の効果を実現することができる。
また、一面に導体パターンPが形成された回路基板100に対する検査を実行可能に構成した回路基板検査装置1を例に挙げて説明したが、一対のプローブユニット3を備えて、両面に導体パターンPが形成された回路基板に対する上記の検査を実行可能に構成した回路基板検査装置に適用することもできる。また、多層の回路基板や、基板内部に電子部品が内蔵された部品内蔵型の回路基板を検査可能に構成された回路基板検査装置に適用することもできる。さらに、プローブユニット3を備えて各導体パターンPにプローブピン21を一度に接触させる構成例について上記したが、一対(または複数対)のプローブピンを移動させて、電圧信号Svを供給すべき導体パターンPにのみプローブピンを接触させるフライングプローブタイプの回路基板検査装置に適用することもできる。
また、第1絶縁検査を実行した後に第2絶縁検査を実行する例について上記したが、第2絶縁検査を実行した後に第1絶縁検査を実行する構成および方法を採用することもできる。また、導体パターンP間の絶縁検査(第1絶縁検査および第2絶縁検査)並びに導体パターンPの導通検査を行う回路基板検査装置1に適用した例について上記したが、絶縁検査および導通検査に加えて電子部品Eの良否検査を行う回路基板検査装置に適用することもできる。
回路基板検査装置1の構成を示す構成図である。 回路基板100の構成を示す構成図である。 接続データD1の構成を概念的に示すデータ構成図である。 電子部品データD2の構成を概念的に示すデータ構成図である。 検査処理50のフローチャートである。 一次導体パターン群データD3の構成を概念的に示すデータ構成図である。 二次導体パターン群データD4の構成を概念的に示すデータ構成図である。
符号の説明
1 回路基板検査装置
5 検査部
11 スキャナ部
12 検査用信号生成部
13 測定部
14 記憶部
15 制御部
50 検査処理
100 回路基板
D1 接続データ
D2 電子部品データ
D3 一次導体パターン群データ
D4 二次導体パターン群データ
E1〜E6 電子部品
Gf1〜Gf3 一次導体パターン群
Gs 二次導体パターン群
P1〜P19 導体パターン
Si 電流信号
Sv1 高電圧信号
Sv2 低電圧信号

Claims (3)

  1. 複数の導体パターンおよび当該導体パターンに接続された電子部品を有する回路基板の当該各導体パターン間の絶縁状態および当該各導体パターンの導通状態を検査する検査部を備えた回路基板検査装置であって、
    前記検査部は、前記電子部品を介して接続されている前記各導体パターンで構成される一次導体パターン群内の当該導体パターンを互いに同電位としつつ当該一次導体パターン群外の前記導体パターンとの間に高電圧信号を供給したときに生じる物理量に基づいて当該高電圧信号が供給されている当該導体パターン間の絶縁状態を検査する第1絶縁検査、および前記一次導体パターン群内の前記導体パターンであってかつ抵抗値が所定値以下の前記電子部品を介して接続されている当該導体パターンで構成される二次導体パターン群内の当該各導体パターンを互いに同電位としつつ当該二次導体パターン群が属する前記一次導体パターン群内における当該二次導体パターン群外の前記導体パターンとの間に低電圧信号を供給したときに生じる物理量に基づいて当該低電圧信号が供給されている当該導体パターン間の絶縁状態を検査する第2絶縁検査を連続して実行すると共に、
    前記第1絶縁検査および前記第2絶縁検査のいずれもが行われていない前記導体パターンに導通検査用信号を供給したときに当該導体パターンの両端部間に生じる物理量に基づいて当該導体パターンの導通状態を検査する導通検査を前記両絶縁検査のいずれか一方と並行して実行する回路基板検査装置。
  2. 前記電子部品が接続されている導体パターンを特定可能な接続データ、および前記電子部品の抵抗値を示す電子部品データを記憶する記憶部と、前記接続データに基づいて前記一次導体パターン群を特定すると共に、前記接続データおよび前記電子部品データに基づいて前記二次導体パターン群を特定する特定処理を実行する処理部とを備えている請求項1記載の回路基板検査装置。
  3. 複数の導体パターンおよび当該導体パターンに接続された電子部品を有する回路基板の当該各導体パターン間の絶縁状態および当該各導体パターンの導通状態を検査する回路基板検査方法であって、
    前記電子部品を介して接続されている前記各導体パターンで構成される一次導体パターン群内の当該導体パターンを互いに同電位としつつ当該一次導体パターン群外の前記導体パターンとの間に高電圧信号を供給したときに生じる物理量に基づいて当該高電圧信号が供給されている当該導体パターン間の絶縁状態を検査する第1絶縁検査、および前記一次導体パターン群内の前記導体パターンであってかつ抵抗値が所定値以下の前記電子部品を介して接続されている当該導体パターンで構成される二次導体パターン群内の当該各導体パターンを互いに同電位としつつ当該二次導体パターン群が属する前記一次導体パターン群内における当該二次導体パターン群外の前記導体パターンとの間に低電圧信号を供給したときに生じる物理量に基づいて当該低電圧信号が供給されている当該導体パターン間の絶縁状態を検査する第2絶縁検査を連続して実行すると共に、
    前記第1絶縁検査および前記第2絶縁検査のいずれもが行われていない前記導体パターンに導通検査用信号を供給したときに当該導体パターンの両端部間に生じる物理量に基づいて当該導体パターンの導通状態を検査する導通検査を前記両絶縁検査のいずれか一方と並行して実行する回路基板検査方法。
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