JP5159688B2 - 粒子線治療システム - Google Patents
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Description
前記制御装置は、前記第1ビームモニタにより検出した荷電粒子ビームの電流値を電流設定値と比較して誤差信号を出力する電流比較部、前記誤差信号に対して第1利得を用いて演算を実施し振幅補正値を出力する振幅制御部、前記振幅補正値を振幅設定値に加算して演算結果を出力する振幅加算部、前記電流比較器の誤差信号に対して第2利得を用いて演算を実施し周波数補正値を出力する周波数制御部、前記周波数補正値を周波数設定値に加算して演算結果を出力する周波数加算部、前記振幅加算部の演算結果に基づいて前記出射装置に印加する高周波電圧の振幅を調整する振幅調整部、及び前記周波数加算部の演算結果に基づいて前記出射装置に印加する高周波電圧の周波数を調整する周波数調整部を有するものである。
以下、図1〜図4を用いて、本発明の第1の実施形態による粒子線治療システムの構成及び動作について説明する。最初に図1を用いて、本実施形態による粒子線治療システムの全体構成について説明する。
<第2の実施形態>
以下、図7と図8を用いて、本発明の第2の実施形態による粒子線治療システムの構成及び動作について説明する。なお、本実施形態による粒子線治療システムの全体構成は前実施形態の図1と同様であり、シンクロトロン200とビーム輸送系300の説明は以下省略する。
<第3の実施形態>
以下、図9と図10を用いて、本発明の第3の実施形態による粒子線治療システムの構成及び動作について説明する。なお、本実施形態による粒子線治療システムの全体構成は第1の実施形態の図1と同様であり、シンクロトロン200とビーム輸送系300の説明は以下省略する。
21…偏向電磁石(シンクロトロン)
22…収束/発散型四極電磁石(シンクロトロン)
23…六極電磁石
24…入射装置
25…加速空胴
26…出射装置
26A…高周波電力増幅器
27…出射偏向装置
28…周回ビームモニタ
31…偏向電磁石(ビーム輸送系)
32…収束/発散型四極電磁石(ビーム輸送系)
33…輸送ビームモニタ
41…患者
42…患部
51…走査電磁石
52…照射ビームモニタ
53…散乱体
54…エネルギー幅形成器
55…コリメータ
56…ボーラス
61…高周波発振器
62…帯域信号発生器
63…乗算器
64…振幅変調器
65…電流比較器
66…振幅制御器
67…振幅加算器
68…周波数制御器
69…周波数加算器
70…利得演算器
100…粒子線治療システム
200…シンクロトロン
300…ビーム輸送系
400…治療室
500,500A,500B…照射装置
600,600A,600B,600Z…制御装置
Claims (6)
- 前段加速器から入射した荷電粒子ビームを所定のエネルギーまで加速したのち、出射装置に印加した高周波電圧で安定限界を超えさせて荷電粒子ビームを出射するシンクロトロンと、前記シンクロトロンから出射された荷電粒子ビームを治療室まで導くビーム輸送系と、前記治療室で患者の患部形状に合わせて荷電粒子ビームを照射する照射装置とから構成される粒子線治療システムにおいて、
前記ビーム輸送系または前記治療室内に配置され、前記シンクロトロンから出射された荷電粒子ビームの電流値を検出する第1ビームモニタと、
前記第1ビームモニタにより検出した荷電粒子ビームの電流値が予め定めた目標値に近づくように前記出射装置に印加する高周波電圧の振幅を制御するフィードバック系を構成する制御装置と、
前記シンクロトロンを周回する荷電粒子ビームの電荷量を検出する第2ビームモニタと、
前記制御装置に設けられ、前記第2ビームモニタにより検出した荷電粒子ビームの電荷量に基づいて前記フィードバック系の高周波電圧振幅制御の利得を調整する利得調整手段とを備え、
前記制御装置は、前記第1ビームモニタにより検出した荷電粒子ビームの電流値を電流設定値と比較して誤差信号を出力する電流比較部、前記誤差信号に対して第1利得を用いて演算を実施し振幅補正値を出力する振幅制御部、前記振幅補正値を振幅設定値に加算して演算結果を出力する振幅加算部、前記演算結果に基づいて前記出射装置に印加する高周波電圧の振幅を調整する振幅調整部を有し、
前記利得調整手段は、前記第2ビームモニタにより検出した荷電粒子ビームの電荷量に基づいて前記振幅制御部の第1利得を調整することを特徴とする粒子線治療システム。 - 前記利得調整手段は、前記第2ビームモニタにより検出した荷電粒子ビームの電荷量が小さくなるにしたがって前記第1利得を増加するよう制御することを特徴とする請求項1記載の粒子線治療システム。
- 前段加速器から入射した荷電粒子ビームを所定のエネルギーまで加速したのち、出射装置に印加した高周波電圧で安定限界を超えさせて荷電粒子ビームを出射するシンクロトロンと、前記シンクロトロンから出射された荷電粒子ビームを治療室まで導くビーム輸送系と、前記治療室で患者の患部形状に合わせて荷電粒子ビームを照射する照射装置とから構成される粒子線治療システムにおいて、
前記ビーム輸送系または前記治療室内に配置され、前記シンクロトロンから出射された荷電粒子ビームの電流値を検出する第1ビームモニタと、
前記第1ビームモニタにより検出した荷電粒子ビームの電流値が予め定めた目標値に近づくように前記出射装置に印加する高周波電圧の振幅と周波数の双方を制御する2つのフィードバック系を構成する制御装置とを備え、
前記制御装置は、前記第1ビームモニタにより検出した荷電粒子ビームの電流値を電流設定値と比較して誤差信号を出力する電流比較部、前記誤差信号に対して第1利得を用いて演算を実施し振幅補正値を出力する振幅制御部、前記振幅補正値を振幅設定値に加算して演算結果を出力する振幅加算部、前記電流比較器の誤差信号に対して第2利得を用いて演算を実施し周波数補正値を出力する周波数制御部、前記周波数補正値を周波数設定値に加算して演算結果を出力する周波数加算部、前記振幅加算部の演算結果に基づいて前記出射装置に印加する高周波電圧の振幅を調整する振幅調整部、及び前記周波数加算部の演算結果に基づいて前記出射装置に印加する高周波電圧の周波数を調整する周波数調整部を有することを特徴とする粒子線治療システム。 - 前記シンクロトロンを周回する荷電粒子ビームの電荷量を検出する第2ビームモニタと、
前記制御装置に設けられ、前記第2ビームモニタにより検出した前記荷電粒子ビームの電荷量に基づいて前記第1利得と前記第2利得とをそれぞれ調整する利得調整手段とを更に備えることを特徴とする請求項3記載の粒子線治療システム。 - 前記利得調整手段は、前記第2ビームモニタにより検出した荷電粒子ビームの電荷量が小さくなるにしたがって前記第1利得及び第2利得を増加するよう制御することを特徴とする請求項4記載の粒子線治療システム。
- 前記振幅制御部の第1利得は前記周波数制御部の第2利得よりも大きく設定されていることを特徴とする請求項4記載の粒子線治療システム。
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