JP5149648B2 - 画像処理装置およびその方法 - Google Patents

Description

本発明は、複数の発光素子を有する記録手段を使用した画像の形成に関する。

電子写真方式の画像形成装置は、感光体ドラムや感光体ベルト上をレーザ光などで走査露光して、画像信号に応じた潜像を形成し、潜像を現像して記録紙に転写して、画像を形成する。このような電子写真方式の画像形成装置は、高速化・高解像度化のために、同時に複数の光ビームで同時走査を行うことが求められる。

光走査装置の光源として一般に使用される端面発光型の半導体レーザダイオード(LD)は、集積化が困難であり、同時に走査露光できるビーム数は四本程度だった。そこで、複数の発光点を二次元配列した面発光半導体レーザ(VCSEL: vertical cavity surface emitting laser diode)を光走査装置の光源として用いるようになった（例えば特許文献1）。VCSELはアレイ化が容易であり、VCSELを光源に用いると、より多くの光ビームで同時に感光体を走査露光することができる。

VCSELのようなマルチビームアレイを使用する場合、感光体の露光量のむらが原因になり、出力画像に横すじ状の濃度むら（以下、すじむら）が発生する場合がある。これを解決する方法として、マルチビームアレイの上下端のレーザ光量を調整して、一走査前の重畳部分のすじむらを抑える方法（特許文献2）や、マルチビームアレイ内のレーザ光量を均一にする方法（特許文献3）がある。

マルチビームアレイを使用する場合、光軸を通らないレーザ光による走査ラインは、光学系の歪曲収差などにより、弓状の歪みをもつ曲線になり（以下、湾曲）、湾曲によって出力画像に濃度むらなどの画質低下が生じる。従来、主走査方向（レーザ光の走査方向）の露光量は同じであるため、湾曲による画質低下を軽減することはできない。

特開平5-294005号公報 特開2003-182149公報 特開平6-023423号公報

本発明は、発光素子の光ビームの走査位置のずれによる出力画像の画質低下を軽減することを目的とする。

本発明は、前記の目的を達成する一手段として、以下の構成を備える。

本発明にかかる画像処理は、副走査方向に配列された複数の発光素子を有する記録手段、前記記録手段の光ビームによって感光体上の同一領域を主走査方向に複数回走査して、前記感光体上に画像を形成する形成手段を有する画像処理装置において、前記形成手段によって形成すべき画像の画像データを入力し、前記記録手段の各発光素子の光ビームの走査位置のずれ量に基づき作成されたマスクパターンを使用して、前記入力した画像データを前記複数回走査における各走査用の画像データに分割し、前記形成手段の走査に応じて、前記分割した画像データを前記記録手段に供給することを特徴とする。

本発明によれば、発光素子の光ビームの走査位置のずれによる出力画像の画質低下を軽減することを目的とする。

以下、本発明にかかる実施例の画像処理を図面を参照して詳細に説明する。

［装置の構成と動作］
図1は実施例の画像処理装置の構成例を示すブロック図、図2は画像処理装置の動作を説明するフローチャートである。

画像処理装置は、多階調の画像データを入力部101から入力し、画像バッファ102に格納する(S101)。ハーフトーン処理部103は、画像バッファ102に格納された画像データの階調数を、より少ない階調数に変換するハーフトーン処理を行う(S102)。

ハーフトーン処理部103は、多階調の画像データを、二値画像データ（または、三値以上で入力階調数より少ない階調数を有する画像データ）に変換するために、閾値テーブルを使用する。例えば、入力画像データが256階調の場合、256階調を表現するために、閾値マトリクスは最低16×16セルで表現される。閾値マトリクスのセルに対して、所定順序で閾値のタイリングを行い、画像データの各画素の値と閾値を比較して、閾値を超えれた画素をオンドットにし、閾値以下の画素をオフドットにする。つまり、オンドットの画素とオフドットの画素の面積比によって入力画像の階調を表現する。

図3は閾値テーブルの一例を示す図である。各セル内の数字は閾値（最大値16）を示す。なお、ハーフトーン処理には、FMスクリーン処理法や、誤差拡散法、ブルーノイズマスク法など様々な処理が存在するが、本実施例の画像処理装置にはどのハーフトーン処理でも適用可能である。

パス分割処理部104は、ハーフトーン処理された画像データの画像全体または単位記録領域（バンド幅）分といった任意の画像サイズで、画像を走査回数（パス数、2以上の整数）分に分割するパス分割処理を行う。そして、パス分割処理した画像データを画像メモリ105に格納する(S103)。以下では、簡単のために、ハーフトーン処理後の二値画像データを、パス数を2として、各走査用の二つの画像データに分割する例を説明する。

パス分割処理部104は、マスクパターンを使用してパス分割処理を行う。つまり、ハーフトーン処理後の画像データとマスクパターンの論理積を求めて、各パスの画像データを生成する。

図4はハーフトーン後の二値画像の一例を示す図である。図5は2パス分割処理用（2パス印刷用）のマスクパターンを示す図である。なお、図5の各セルは、レーザ光のオンオフを示す。

以下では、画像形成装置のレーザ光の走査位置ずれ量に応じて作成したマスクパターンを使用して、パス分割処理後の画像データを生成する例を説明する。なお、マスクパターンの作成方法の詳細は後述する。

次に、画像処理装置は、画像メモリ105に格納されたパス分割処理後の画像データを、例えば、画像全体またはバンド幅分といった任意の画像サイズで、プリンタエンジン106に供給する(S104)。

プリンタエンジン106は、入力された画像データに応じてトナー色およびレーザ出力値を設定し、感光体上の同一領域を複数回走査して潜像を形成する(S105)。

次に、画像処理装置は、画像全体の潜像の形成が完了したか否かを判定し(S106)、未了の場合は、パス分割処理が未了と判断して処理をステップS103に戻す。また、画像全体の潜像の形成が完了した場合、プリンタエンジン106は、潜像のトナー現像、トナー像の転写、トナーの定着などの画像形成プロセスを実行して出力画像を形成する(S107)。

［マルチパス印刷］
図6は図4に示す二値画像を図5に示すマスクパターンを使用してパス分割処理する様子を示す図である。

図6は、2パス印刷を示し、一回の主走査に伴う副走査方向の感光体の移動量は、副走査方向に並んだレーザ素子の数/パス数である（本実施例では、4/2で二画素）。

図6において、マルチビームアレイ201は四つのレーザ素子（1〜4）を有する。また、符号301〜304は各パスにおける画像形成領域を示し、(a)を付したセルは1パス目、(b)を付したセルは2パス目で露光される画素である。また、ハッチングしたセルは、既に露光が完了した画素である。

符号301は、一回目の走査時の画像形成領域を示し、このとき、マルチビームアレイ201の位置は、画像形成領域よりも二画素分上側にあり、走査に使用可能なレーザ素子は下端の二素子（3、4）である。

符号302は、二回目の走査時の画像形成領域を示し、このとき、マルチビームアレイ201の位置は、一回目の走査時の位置から二画素分下に移動する。従って、走査に使用可能なレーザ素子は全素子（1〜4）である。

符号303は、三回目の走査時の画像形成領域を示し、このとき、マルチビームアレイ201の位置は、二回目の走査時の位置から二画素分下に移動する。

符号304は、図4に示す二値画像の潜像形成を完了したときの画像形成領域を示す。図6に示すように、副走査方向に並んだ四つのレーザ素子をもつマルチビームアレイ201を用いて、2パス印刷を行う場合、計六回の主走査（図6は途中の三回の主走査を省略している）によって、図4に示す二値画像の潜像形成が完了する。

なお、簡単のために、マルチビームアレイ201の素子数を主走査方向1×副走査方向4として、副走査方向に並んだ素子の発光間隔をプリンタエンジン106の副走査方向の解像度（一画素）に合わせる例を説明した。しかし、マルチビームアレイ201の素子数は任意であり、素子の発光間隔は素子数に合わせて設定すればよい。

［マスクパターンの作成］
以下では、簡単のために、プリンタエンジン106の主走査方向の印刷可能範囲を10画素、マスクサイズを主走査方向の印刷可能範囲10×副走査方向のレーザ素子数4、パス数を2とする。

図7はマスクパターンの作成手順の一例を示すフローチャートである。

まず、各レーザ素子を発光させ、感光体を走査露光し、現像、定着を行って走査位置のずれ量を測定するための画像を作成する(S201)。

具体的には、レーザ素子を一つずつ発光させ、走査ライン画像を作成する。つまり、マルチビームアレイの一番目の素子を発光させて、走査ライン画像を作成する。続いて、二つ目の素子、三つ目の素子、四つ目の素子を順に発光させて、走査ライン画像を作成する。

図8は走査ライン画像の一例を示す図で、図8(a)はマルチレーザアレイの一番上に配置された一番目の素子の走査ライン画像、図8(b)から図8(d)はそれぞれ二つ目から四つ目の素子の走査ライン画像を示す。

次に、走査ライン画像をスキャンして、各素子の走査ラインの副走査方向の位置と理想位置とのずれ（走査位置ずれ量）を測定し、図9に示すテーブルを作成する(S202)。

図9は走査位置ずれ量の測定結果を示すテーブルで、各素子の各画素における走査位置ずれ量が横方向に並んでいる。つまり、一列目は一つ目の素子の走査位置ずれ量、二から四列目はそれぞれ二つ目から四つ目の素子の走査位置ずれ量である。なお、走査位置ずれ量が大きいほど、理想位置からのずれが大きい。

走査位置ずれ量の測定は、定着後の走査ライン画像からの測定に限定されず、感光体上の潜像の走査ラインを測定して、走査位置ずれ量を取得してもよい。

次に、走査位置ずれ量の測定結果からマスクパターンを決定する。

図10は走査位置ずれ量の測定結果を示すテーブルで、図10(a)は奇数回目の走査の走査位置ずれ量を、図10(b)は偶数回目の走査の走査位置ずれ量を示している。また、図11は4×4画素の閾値マトリクス501を10×4画素分並べた閾値マトリクスを示す図である。なお、簡単のために、最大画素値を255とし、一つ網点のサイズを4×4画素として説明するが、最大画素値や網点サイズに限定されるわけではない。

次に、マスクパターンを決定する。まず、閾値判定(S203)において、閾値マトリクス内の各セルの閾値が最大画素値の1/2以下か否かを判定する。

次に、走査ライン位置ずれ量比較(S204)において、閾値マトリクス内の、閾値が最大画素値の1/2以下のセルに対応する画素の潜像形成は、奇数回目の走査と偶数回目の走査の内、走査位置ずれ量が小さい走査回で行うと決定する。また、閾値マトリクス内の、閾値が最大画素値の1/2を超えるセルに対応する画素の潜像形成は、奇数回目の走査と偶数回目の走査の内、走査位置ずれ量が大きい走査回で行うと決定する。

次に、奇数回目の走査と偶数回目の走査の走査位置ずれ量が同じか否かを判定する(S205)。走査位置ずれ量が同じ場合は、中心に近い素子の選択(S206)において、マルチビームアレイの中心により近い素子で、当該画素の潜像形成を行うと決定する。

上記処理で潜像形成用の素子が決定できない、言い換えれば、ステップS204、S206の選択条件を満たす素子（候補）が複数あると判定した場合は(S207)、ランダム選択(S208)において、候補からランダムに素子を選択する。

なお、上記のマスクパターン作成における基準は一例である。例えば、閾値マトリクス内の、閾値が最大画素値の1/4以下のセルに対応する画素の潜像形成に走査位置ずれ量が小さい走査回を使用し、1/4を超えるセルに対応する画素の潜像形成に走査位置ずれ量が大きい走査回を使用してもよい。

例えば、図11に示す閾値マトリクス501の左上角のセルの閾値は255であり、最大画素値255の1/2を超えるから、当該セルに対応する画素の潜像形成は、走査位置ずれ量が大きい走査回で行うと決定する。そこで、図10(a)(b)に示す走査位置ずれ量の左上角のセルを比較すると、奇数回目の走査の走査位置ずれ量は「3」、偶数回目の走査の走査位置ずれ量は「5」である。つまり、左上角のセルに対応する画素の潜像形成は、偶数回目の走査を使う方が、奇数回目の走査を使うよりも走査位置ずれ量が大きい。従って、左上角のセルに対応する画素の潜像形成は、偶数回目の走査を使うようにマスクパターンを作成する。

図12はマスクパターンを作成する様子を説明する図である。図12において、左上角のセル601をオンに設定し、二行目最左端のセル602をオフに設定すると、偶数回目の走査で対応する画素の潜像形成が行われる。

また、図11に示す閾値マトリクス501の二行目最右端のセルの閾値は16であり、最大画素値255の1/2以下であるから、当該セルに対応する画素の潜像形成は、走査位置ずれ量が小さい走査回で行うと決定する。そこで、図10(a)(b)に示す走査位置ずれ量の二行目最右端のセルを比較すると、奇数回目の走査の走査位置ずれ量は「4」、偶数回目の走査の走査位置ずれ量は「3」である。つまり、二行目最右端のセルに対応する画素の潜像形成は、偶数回目の走査を使う方が、奇数回目の走査を使うよりも走査位置ずれ量が小さい。従って、二行目最右端のセルに対応する画素の潜像形成は、偶数回目の走査を使うようにマスクパターンを作成する。

図13はマスクパターンを作成する様子を説明する図である。図13において、二行目最右端のセル603をオンに設定し、四行目最右端のセル604をオフに設定すると、偶数回目の走査で対応する画素の潜像形成が行われる。

また、図11に示す閾値マトリクス501の一行五列目のセルの閾値は255であり、最大画素値255の1/2を超えるから、当該セルに対応する画素の潜像形成は、走査位置ずれ量が大きい走査回で行うと決定する。そこで、図10(a)(b)に示す走査位置ずれ量の一行五列目のセルを比較すると、奇数回目の走査の走査位置ずれ量は「0」、偶数回目の走査の走査位置ずれ量も「0」である。つまり、一行五列目のセルに対応する画素の潜像形成は、偶数回目の走査を使っても、奇数回目の走査を使っても走査位置ずれ量は同じである。この場合、マルチビームアレイの中心により近い方の素子を選択することになるが、奇数回目の走査の方が偶数回目の走査を使うよりも、中心により近い素子を使うことになる。従って、一行五列目のセルに対応する画素の潜像形成は、奇数回目の走査を使うようにマスクパターンを作成する。

図14はマスクパターンを作成する様子を説明する図である。図14において、一行五列目のセル605をオフに設定し、三行五列目のセル606をオンに設定すると、奇数回目の走査で対応する画素の潜像形成が行われる。

このように、走査位置ずれ量が同程度の場合、マルチビームアレイの中心により近い素子を使用するマスクパターンを作成することで、感光体の回転むらや移動量のむらによる露光の重複によって発生する濃度むらを低減することができる。

（プリンタエンジン106の主走査方向の画素数）×（マルチビームアレイの副走査方向の素子数の1/2）回（本例では10×2=20回になる）、ステップS203からS208の手順を繰り返すことによって、図15に示すマスクパターンが作成される。なお、閾値マトリクスのサイズ分処理を繰り返して、マスクパターンを作成してもよい。

このように作成したマスクパターンを使ってパス分解処理を行えば、閾値が小さいセルに対応する画素の潜像形成に走査位置ずれ量が小さい素子を優先的に割り当てることになる。また、閾値が大きいセルに対応する画素の潜像形成には、走査位置ずれ量が大きい素子を割り当てることになる。

閾値が小さいセルは、画素値が小さい場合も潜像を形成するが、そのような状況で潜像形成される画素は、走査位置のずれの影響が大きい孤立点になり易い。従って、閾値が小さいセルに対応する画素の潜像形成に走査位置ずれ量が小さい素子を使用すれば、孤立点に対する走査位置のずれの影響を低減して、出力画像の画質を向上することができる。

以下、本発明にかかる実施例2の画像処理を説明する。なお、実施例2において、実施例1と略同様の構成については、同一符号を付して、その詳細説明を省略する。

実施例2は、次に説明するマスクパターンの作成方法以外は、実施例1と同じである。以下では実施例1と同様、簡単のために、マルチビームアレイの素子数を主走査方向1×副走査方向4として説明する。同様に、プリンタエンジン106の主走査方向の印刷可能範囲を10画素、マスクサイズを主走査方向の印刷可能範囲10×副走査方向のレーザ素子数4、パス数を2として説明する。

図16は実施例2のマスクパターンの作成手順の一例を示すフローチャートである。ステップS201とS202の処理は実施例1と同じである。

走査位置ずれ量の測定後、走査ライン位置ずれ量比較(S303)において、セルに対応する画素の潜像形成を、奇数回目の走査と偶数回目の走査の内、走査位置ずれ量が小さい走査回で行うと決定する。

次に、奇数回目の走査と偶数回目の走査の走査位置ずれ量が同じか否かを判定する(S304)。走査位置ずれ量が同じ場合は、中心に近い素子の選択(S305)において、マルチビームアレイの中心により近い素子で、当該画素の潜像形成を行うと決定する。

上記処理で潜像形成用の素子が決定できない、言い換えれば、ステップS303、S305の選択条件を満たす素子（候補）が複数あると判定した場合は(S306)、ランダム選択(S307)において、候補からランダムに素子を選択する。

なお、上記のマスクパターン作成における基準は一例である。例えば、ステップS303、S305の素子の選択によって素子を決定できない場合は、セルのオンまたはオフの連続が最も多くなるように素子を決定するなどの基準を用いてもよい。

図10(a)(b)に示す走査位置ずれ量の左上角のセルを比較すると、奇数回目の走査の走査位置ずれ量は「3」、偶数回目の走査の走査位置ずれ量は「5」である。つまり、左上角のセルに対応する画素の潜像形成は、奇数回目の走査を使う方が、偶数回目の走査を使うよりも走査位置ずれ量が小さい。従って、左上角のセルに対応する画素の潜像形成は、奇数回目の走査を使うようにマスクパターンを作成する。

図17はマスクパターンを作成する様子を説明する図である。図17において、左上角のセル801をオンに設定し、二行目最左端のセル802をオフに設定すると、奇数回目の走査で対応する画素の潜像形成が行われる。

また、図10(a)(b)に示す走査位置ずれ量の二行目最右端のセルを比較すると、奇数回目の走査の走査位置ずれ量は「4」、偶数回目の走査の走査位置ずれ量は「3」である。つまり、二行目最右端のセルに対応する画素の潜像形成は、偶数回目の走査を使う方が、奇数回目の走査を使うよりも走査位置ずれ量が小さい。従って、二行目最右端のセルに対応する画素の潜像形成は、偶数回目の走査を使うようにマスクパターンを作成する。

図18はマスクパターンを作成する様子を説明する図である。図18において、二行目最右端のセル803をオンに設定し、四行目最右端のセル804をオフに設定すると、偶数回目の走査で対応する画素の潜像形成が行われる。

また、図10(a)(b)に示す走査位置ずれ量の一行五列目のセルを比較すると、奇数回目の走査の走査位置ずれ量は「0」、偶数回目の走査の走査位置ずれ量も「0」である。つまり、一行五列目のセルに対応する画素の潜像形成は、偶数回目の走査を使っても、奇数回目の走査を使っても走査位置ずれ量は同じである。この場合、マルチビームアレイの中心により近い方の素子を選択することになるが、奇数回目の走査の方が偶数回目の走査を使うよりも、中心により近い素子を使うことになる。従って、一行五列目のセルに対応する画素の潜像形成は、奇数回目の走査を使うようにマスクパターンを作成する。

図19はマスクパターンを作成する様子を説明する図である。図19において、一行五列目のセル805をオフに設定し、三行五列目のセル806をオンに設定すると、奇数回目の走査で対応する画素の潜像形成が行われる。

（プリンタエンジン106の主走査方向の画素数）×（マルチビームアレイの副走査方向の素子数の1/2）回（本例では10×2=20回になる）、ステップS303からS307の手順を繰り返すことによって、図20に示すマスクパターンが作成される。なお、素子数の半分のセルみの処理とするのは、偶数回目の走査の走査位置ずれ量の分布は、奇数回目の走査の走査位置ずれ量分布に対して、素子数の1/2ずつ位相がずれた分布になる。従って、上半分のセルについて処理を行えば、下半分のセルのマスクパターンは自動的に決定されるためである。

このように作成したマスクパターンを使ってパス分解処理を行えば、各セルに対応する画素ごとに、走査位置ずれ量が小さい素子を使用して潜像を形成することができる。そのため、走査位置ずれがあるマルチビームアレイを用いて潜像形成する場合の走査位置ずれの影響を低減して、出力画像の画質を向上することができる。

なお、実施例2では、マスクパターンのサイズをマルチビームアレイの副走査方向の素子数×プリンタエンジン106の主走査方向の印刷可能範囲（画素数）として、一つのマスクパターンを作成する例を説明した。しかし、実施例2は、任意のサイズおよび数のマスクパターンを作成する場合にも適用可能である。例えば、マスクパターンの主走査方向のサイズを、プリンタエンジン106の主走査方向の印刷可能範囲（画素数）の半分に設定して、二つのマスクパターンを作成し、主走査方向位置に応じて、二つのマスクパターンを切り替えてもよい。

以下、本発明にかかる実施例3の画像処理を説明する。なお、実施例3において、実施例1、2と略同様の構成については、同一符号を付して、その詳細説明を省略する。

実施例3は、次に説明するマスクパターンの作成方法以外は、実施例1と同じである。以下では実施例1と同様、簡単のために、マルチビームアレイの素子数を主走査方向1×副走査方向4として説明する。同様に、プリンタエンジン106の主走査方向の印刷可能範囲を10画素、マスクサイズを主走査方向の印刷可能範囲10×副走査方向のレーザ素子数4、パス数を2として説明する。

図21は実施例3のマスクパターンの作成手順の一例を示すフローチャートである。ステップS201とS202の処理は実施例1と同じである。

走査位置ずれ量の測定後、各素子の走査位置ずれ量の平均値（以下、平均位置ずれ量）を計算する(S402)。

図22は平均位置ずれ量の一例を示す図で、図22(a)は奇数回目の走査の平均位置ずれ量を、図22(b)は偶数回目の走査の平均位置ずれ量を表す。なお、図22(a)(b)に示す平均位置ずれ量は、副走査方向に二画素分、位相がずれた分布になる。

次に、各走査回において、主走査方向の画素数に対して、各素子が潜像形成する画素数の比率（以下、デューティ）と、各素子の平均位置ずれ量との関係が逆比例するように、デューティを算出する(S403)。言い換えれば、一走査において、各素子が画素の潜像を形成する比率（デューティ）を決定する。

例えば、奇数回目の走査において、副走査方向の三つ目の素子が全画素の潜像を形成した場合の平均位置ずれ量をD1とする。また、偶数回目の走査において、副走査方向の一つ目の素子が全画素の潜像を形成した場合の平均位置ずれ量をD2とする。この場合、三つ目の素子のデューティP1lと一つ目の素子のデューティP21は次の関係をもつ。
P1l：P2l = 1/D1：1/D2 …(1)

図23は図22に示す平均位置ずれ量から各素子のデューティを計算した結果を示す図である。

次に、デューティに従い、マスクパターン決定用の画像を作成する(S404)。図24は図23に示すデューティに従って作成した、マスクパターンサイズ（5×4画素）の画像を示す図である。デューティ100%を黒（濃度100%）として、図25の1ライン目はデューティ45%に、2ライン目は同60%に、3ライン目は同55%に、4ライン目は同40%にそれぞれ相当する。

次に、マスクパターン作成用の画像の上側2ラインに誤差拡散処理を施す。また、下側の2ラインは、上側の対応するラインの画素がオンの場合はオフ、オフの場合はオンにしてマスクパターンを作成する(S405)。なお、誤差拡散処理については、"An adaptive algorithm for spatial grayscale", SID International Symposium Digest of Technical Papers, vol. 4.3, 1975, pp.36-37などを参照すればよい。

図25はマスクパターン作成用の画像から得られるマスクパターンを示す図である。

このように作成したマスクパターンを使ってパス分解処理を行えば、マルチビームアレイの走査位置ずれ量が大きい素子の使用頻度を低く設定し、走査位置ずれ量が小さい素子の使用頻度を高く設定して、潜像を形成することができる。従って、図22に示すような平均位置ずれ量をもつマルチビームアレイを用いて潜像を形成する場合に、走査位置のずれの影響を低減して、出力画像の画質を向上することができる。

また、デューティを決定した後、誤差拡散処理を行ってマスクパターンを決定するから、二値画像（または、入力画像の階調数より少ない階調数の画像）のパターンと干渉しないマスクパターンを作成することができる。従って、モアレの発生などの画質劣化を抑えることができる。

［他の実施例］
なお、本発明は、複数の機器（例えばコンピュータ、インタフェイス機器、リーダ、プリンタなど）から構成されるシステムに適用しても、一つの機器からなる装置（例えば、複写機、ファクシミリ装置、制御装置など）に適用してもよい。

また、本発明の目的は、上記実施例の機能を実現するコンピュータプログラムを記録した記憶媒体をシステムまたは装置に供給し、そのシステムまたは装置のコンピュータ（CPUやMPU）が前記コンピュータプログラムを実行することでも達成される。この場合、記憶媒体から読み出されたソフトウェア自体が上記実施例の機能を実現することになり、そのコンピュータプログラムと、そのコンピュータプログラムを記憶する、コンピュータが読み取り可能な記憶媒体は本発明を構成する。

また、前記コンピュータプログラムの実行により上記機能が実現されるだけではない。つまり、そのコンピュータプログラムの指示により、コンピュータ上で稼働するオペレーティングシステム(OS)および/または第一の、第二の、第三の、…プログラムなどが実際の処理の一部または全部を行い、それによって上記機能が実現される場合も含む。

また、前記コンピュータプログラムがコンピュータに接続された機能拡張カードやユニットなどのデバイスのメモリに書き込まれていてもよい。つまり、そのコンピュータプログラムの指示により、第一の、第二の、第三の、…デバイスのCPUなどが実際の処理の一部または全部を行い、それによって上記機能が実現される場合も含む。

本発明を前記記憶媒体に適用する場合、その記憶媒体には、先に説明したフローチャートに対応または関連するコンピュータプログラムが格納される。

実施例の画像処理装置の構成例を示すブロック図、 画像処理装置の動作を説明するフローチャート、 閾値テーブルの一例を示す図、 ハーフトーン後の二値画像の一例を示す図、 2パス分割処理用のマスクパターンを示す図、 図4に示す二値画像を図5に示すマスクパターンを使用してパス分割処理する様子を示す図、 マスクパターンの作成手順の一例を示すフローチャート、 走査ライン画像の一例を示す図、 走査位置ずれ量の測定結果を示すテーブル、 走査位置ずれ量の測定結果を示すテーブル、 4×4画素の閾値マトリクス501を10×4画素分並べた閾値マトリクスを示す図、 マスクパターンを作成する様子を説明する図、 マスクパターンを作成する様子を説明する図、 マスクパターンを作成する様子を説明する図、 マスクパターンの一例を示す図、 実施例2のマスクパターンの作成手順の一例を示すフローチャート、 マスクパターンを作成する様子を説明する図、 マスクパターンを作成する様子を説明する図、 マスクパターンを作成する様子を説明する図、 マスクパターンの一例を示す図、 実施例3のマスクパターンの作成手順の一例を示すフローチャート、 平均位置ずれ量の一例を示す図、 図22に示す平均位置ずれ量から各素子のデューティを計算した結果を示す図、 図23に示すデューティに従って作成した、マスクパターンサイズ（5×4画素）の画像を示す図、 マスクパターン作成用の画像から得られるマスクパターンを示す図である。

Claims (6)

1. 副走査方向に配列された複数の発光素子を有する記録手段と、
   前記記録手段の光ビームによって感光体上の同一領域を主走査方向に複数回走査して、前記感光体上に画像を形成する形成手段と、
   前記形成手段によって形成すべき画像の画像データを入力する入力手段と、
   前記記録手段の各発光素子の光ビームの走査位置のずれ量に基づき作成されたマスクパターンを使用して、前記入力手段が入力した画像データを前記複数回走査における各走査用の画像データに分割する分割手段と、
   前記形成手段の走査に応じて、前記分割手段が分割した画像データを前記記録手段に供給する供給手段とを有することを特徴とする画像処理装置。
2. さらに、前記分割手段の処理の前に、閾値テーブルを使用して、前記入力手段が入力した画像データの階調数を低減する処理手段を有し、
   前記マスクパターンは、前記各発光素子の光ビームの走査位置のずれ量と、前記閾値テーブルの閾値の関係に基づき作成されていることを特徴とする請求項1に記載された画像処理装置。
3. 前記マスクパターンは、前記光ビームの走査位置のずれ量が小さい発光素子を優先的に使用するように作成されていることを特徴とする請求項1に記載された画像処理装置。
4. 前記マスクパターンは、前記各発光素子の走査位置のずれ量の平均値に逆比例する比率で前記各発光素子を使用するように作成されていることを特徴とする請求項1に記載された画像処理装置。
5. 副走査方向に配列された複数の発光素子を有する記録手段、および、前記記録手段の光ビームによって感光体上の同一領域を主走査方向に複数回走査して、前記感光体上に画像を形成する形成手段を有する画像処理装置の画像処理方法であって、
   前記形成手段によって形成すべき画像の画像データを入力し、
   前記記録手段の各発光素子の光ビームの走査位置のずれ量に基づき作成されたマスクパターンを使用して、前記入力した画像データを前記複数回走査における各走査用の画像データに分割し、
   前記形成手段の走査に応じて、前記分割した画像データを前記記録手段に供給することを特徴とする画像処理方法。
6. 画像処理装置に、請求項5に記載された画像処理を実行させることを特徴とするコンピュータプログラム。